CN116936700B - 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P‑GaN层、P‑InGaN层，P‑GaN层中Mg的掺杂浓度＜P‑InGaN层中Mg的掺杂浓度；Mg3N2层的生长温度＜P‑GaN层的生长温度＜P‑InGaN层的生长温度；Mg3N2层的生长压力＞P‑GaN层的生长压力＞P‑InGaN层的生长压力。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、降低工作电压。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术
GaN作为第三代半导体的“明星”材料，因具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高和抗辐射能力强等特性，是制备发光器件和高频高功率电子器件的理想材料 GaN基发光二极管（LED）由于光效高、寿命长、调节带宽高、调节性能好、响应灵敏等优点，已经受到学术界和产业界的广泛研究和关注。当前主流的GaN基LED是基于多量子阱（MQW）结构，其多量子阱层是有InGaN阱层（well）与GaN垒层（barrier）周期性交叠生长而成。由于InGaN阱层具有宽度小、带隙窄的特点，可与有源区内的GaN垒层形成阶梯式的能带结构，可将注入的电子和空穴限制在二维空间内，增大电子空穴的复合程度从而提高其复合发光效率。然而，由于GaN基材料中的电子和空穴的浓度以及迁移率相差较大，电子的迁移速率约是空穴的几十倍，导致在量子阱有源区内电子与空穴的分布不均，发光主要集中于后面几个量子阱中，且在大电流密度下，其发光效率迅速下降，造成这一现象的重要原因之一是因为空穴的注入不足。主流的GaN基LED会在外延结构引入低温恒压的P型层来提高空穴的注入，主要因为低温P型层可以通过外延层的V型坑帮助空穴注入，增加阱内空穴浓度；然而，随着注入电流密度的增加，单一的低P型层难以提供较高浓度的空穴注入，会导致大电流密度下的LED的光效迅速下降，引起droop效应。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可提升大电流密度下发光二极管的发光效率，降低工作电压。
本发明还要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管，其发光效率高、工作电压低。
为了解决上述问题，本发明公开了一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，所述P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P-GaN层、P-InGaN层，其中P-GaN层和P-InGaN层的P型掺杂元素为Mg；
所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度＜所述P-InGaN层中Mg的掺杂浓度；
所述Mg3N2层的生长温度＜所述P-GaN层的生长温度＜所述P-InGaN层的生长温度；
所述Mg3N2层的生长压力＞所述P-GaN层的生长压力＞所述P-InGaN层的生长压力。
作为上述技术方案的改进，所述Mg3N2层的厚度为3nm~10nm；
所述P-GaN层的厚度为5nm~30nm，所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度为1×1018cm-3~5×1018cm-3；
所述P-InGaN层的厚度为4nm~10nm，In组分的占比为0.05~0.15，所述P-InGaN层中Mg的掺杂浓度为5.3×1018cm-3~9.5×1018cm-3。
作为上述技术方案的改进，所述Mg3N2层的生长温度为700℃~725℃，生长压力为350torr~450torr；
所述P-GaN层的生长温度为726℃~750℃，生长压力为250torr~349torr；
所述P-InGaN层的生长温度为751℃~775℃，生长压力为150torr~249torr。
作为上述技术方案的改进，所述P型复合层还包括P-InAlGaN层，所述P-InAlGaN层设于所述P-InGaN层之上，所述P-InAlGaN层的厚度为4nm~10nm，In组分的占比为0.05~0.15，Al组分的占比为0.25~0.55，所述P-InAlGaN层中Mg的掺杂浓度为5.3×1018cm-3~9.5×1018cm-3。
作为上述技术方案的改进，所述P-InAlGaN层的生长温度为776℃~800℃，生长压力为50torr~149torr。
作为上述技术方案的改进，沿外延生长方向，所述P-InAlGaN层中In组分的占比由0.15逐渐降低至0.05，Al组分的占比由0.25逐渐提高至0.55。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，其包括：
提供衬底，在所述衬底上依次生长AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，所述P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P-GaN层、P-InGaN层，其中P-GaN层和P-InGaN层的P型掺杂元素为Mg；
所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度＜所述P-InGaN层中Mg的掺杂浓度；
所述Mg3N2层的生长温度＜所述P-GaN层的生长温度＜所述P-InGaN层的生长温度；
所述Mg3N2层的生长压力＞所述P-GaN层的生长压力＞所述P-InGaN层的生长压力。
作为上述技术方案的改进，所述Mg3N2层生长时，以N2和H2的混合气体作为载气，且N2与H2的体积比为1:1~1:5；
所述P-GaN层生长时，以N2和H2的混合气体作为载气，且N2与H2的体积比为1:1~1:5；
所述P-InGaN层生长时，以N2作为载气。
作为上述技术方案的改进，所述P型复合层还包括P-InAlGaN层，所述P-InAlGaN层设于所述P-InGaN层之上，所述P-InAlGaN层生长时，以N2作为载气。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管，其包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明，具有如下有益效果：
1. 本发明的发光二极管外延片中，P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P-GaN层和P-InGaN层。首先，P型复合层可提供空穴，提高进入多量子阱区的空穴浓度，提高二极管的发光效率；其次，Mg3N2层设于多量子阱层之上，其在低温高压下生长为三维结构，可引导空穴通过V型坑快速注入到多量子阱层中，提高空穴迁移率，降低工作电压；再者，P-GaN层本身可产生少量空穴，提高进入多量子阱区的空穴浓度，并且P-GaN层的生长温度稍有提高、生长压力稍有降低，其仍生长为三维结构，进一步起到引导空穴的作用，提高二极管的发光效率；最后，P-InGaN层中的In组分可降低Mg的激活能，提高Mg的掺杂浓度，并且P-InGaN层的生长温度较高，生长压力较低，提高In和Mg组分的并入，进一步提高空穴浓度。综上，本发明的P型复合层可提升大电流密度下LED的光效，降低工作电压，缓解droop效应。
2. 本发明的发光二极管外延片中，P型复合层还包括P-InAlGaN层，P-InAlGaN层设于P-InGaN层之上，其中In组分可降低Mg的激活能，提高Mg的掺杂浓度，提高空穴浓度；Al组分可提高禁带宽度，阻挡多量子阱层中的电子，减少电子溢流。二者综合，P-InAlGaN层可增加多量子阱层电子空穴的复合，提高二极管发光效率。此外，P-InAlGaN层采用高温低压生长，可保证Mg组分的并入，并且提高晶格质量，提高二极管发光效率。
3. 本发明的发光二极管外延片中，P-InAlGaN层中In组分的占比逐渐降低，Al组分的占比逐渐提高，实现与电子阻挡层的晶格缓冲和能阶匹配，渐变In组分可以产生极化电荷，从而提高空穴注入效率。
附图说明
图1是本发明一实施例中发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明一实施例中应力释放层的结构示意图；
图3是本发明一实施例中多量子阱层的结构示意图；
图4是本发明一实施例中P型复合层的结构示意图；
图5是本发明另一实施例中P型复合层的结构示意图；
图6是本发明一实施例中发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
参考图1~图4，本发明公开了一种发光二极管外延片，包括衬底1和依次设于衬底1上的AlN缓冲层2、本征GaN层3、N型GaN层4、应力释放层5、多量子阱层6、P型复合层7、电子阻挡层8和P型GaN层9。
其中，P型复合层7包括依次层叠的Mg3N2层71、P-GaN层72和P-InGaN层73，其中P-GaN层72和P-InGaN层73的P型掺杂元素为Mg。Mg的掺杂可提供空穴，提高进入多量子阱区的空穴浓度，提高二极管的发光效率。
其中，Mg3N2层71设于多量子阱层6之上。具体的，Mg3N2层71的生长温度为700℃~725℃，生长压力为350torr~450torr。其在低温高压下生长为三维结构，并且会优先生长于多量子阱层6的V型坑内，因此Mg3N2层71可引导空穴通过V型坑快速注入到多量子阱层6中，提高空穴迁移率，降低工作电压。具体的，Mg3N2层71的厚度为3nm~20nm，当其厚度＞20nm时，容易产生裂纹；当Mg3N2层71的厚度＜3nm时，无法有效提高空穴迁移率。优选的，Mg3N2层71的厚度为3nm~10nm，示例性的为4nm、6nm、8nm或9nm，但不限于此。
其中，P-GaN层72本身可产生少量空穴，提高进入多量子阱区的空穴浓度。具体的，P-GaN层72的生长温度为726℃~750℃，生长压力为250torr~349torr。P-GaN层72的生长温度稍有提高、生长压力稍有降低，其仍生长为三维结构，进一步起到引导空穴的作用，提高二极管的发光效率。具体的，P-GaN层72的厚度为4nm~40nm。当P-GaN层72的厚度＞40nm时，会带来过多的缺陷，降低发光效率；当P-GaN层72的厚度＜4nm时，难以有效增加空穴浓度。优选的，P-GaN层72的厚度为5nm~30nm，示例性的为5.5nm、6nm、9nm、10nm、15nm、20nm、25nm，但不限于此。
具体的，P-GaN层72中Mg的掺杂浓度为5×1017cm-3~5×1018cm-3。当Mg的掺杂浓度＞5×1018cm-3时，会带来过多的缺陷，降低发光效率；当Mg的掺杂浓度＜5×1017cm-3时，难以有效增加空穴浓度。优选的，Mg的掺杂浓度为1×1018cm-3~5×1018cm-3，示例性的为1.5×1018cm-3、2×1018cm-3、2.5×1018cm-3、3×1018cm-3、3.5×1018cm-3、4×1018cm-3或4.5×1018cm-3，但不限于此。
其中，P-InGaN层73中的In组分可降低Mg的激活能，提高Mg的掺杂浓度，提高空穴浓度。具体的，P-InGaN层73的生长温度为751℃~775℃，生长压力为150torr~249torr。P-InGaN层73的生长温度较高，生长压力较低，提高In和Mg组分的并入，进一步提高空穴浓度。具体的，P-InGaN层73的厚度为3nm~12nm。优选的为4nm~10nm，示例性的为4.5nm、5nm、6nm、7nm、8nm或9nm，但不限于此。
具体的，P-InGaN层73中的In组分的占比为0.03~0.18，In组分的占比较低，可减少与P-GaN层72之间的晶格失配。优选的，P-InGaN层73中的In组分的占比为0.05~0.15，示例性的0.08、0.1、0.12或0.14，但不限于此。
具体的，P-InGaN层73中Mg的掺杂浓度为5.3×1018cm-3~1×1019cm-3。当Mg的掺杂浓度＞1×1019cm-3时，会带来过多的缺陷，降低发光效率；当Mg的掺杂浓度＜5.3×1018cm-3时，难以有效增加空穴浓度。优选的，Mg的掺杂浓度为5.3×1018cm-3~9.5×1018cm-3，示例性的为5.5×1018cm-3、6×1018cm-3、6.5×1018cm-3、7×1018cm-3、7.5×1018cm-3、8×1018cm-3、8.5×1018cm-3或9×1018cm-3，但不限于此。
优选的，在本发明的一个实施例中，参考图5，P型复合层7还包括P-InAlGaN层74，P-InAlGaN层74设于P-InGaN层73之上，其中In组分可降低Mg的激活能，提高Mg的掺杂浓度，提高空穴浓度；Al组分可提高禁带宽度，阻挡多量子阱层中的电子，减少电子溢流。二者综合，P-InAlGaN层74可增加多量子阱层6电子空穴的复合，提高二极管发光效率。
具体的，P-InAlGaN层74的生长温度为776℃~800℃，生长压力为50torr~149torr。P-InAlGaN层采用高温低压生长，可保证Mg组分的并入，并且提高晶格质量，提高二极管发光效率。
具体的，P-InAlGaN层74的厚度为4nm~10nm，当其厚度＞10nm时，会带来过多的缺陷，降低发光效率；当其厚度＜4nm时，难以有效提高空穴浓度、阻挡电子。示例性的，P-InAlGaN层74的厚度为4.5nm、5nm、6nm、7nm、8nm或9nm，但不限于此。
具体的，P-InAlGaN层74中In组分的占比为0.05~0.15，In组分的占比在这个范围内，可降低Mg的激活能，同时不会带来过多的缺陷。示例性的，In组分的占比为0.08、0.1、0.12或0.14，但不限于此。具体的，P-InAlGaN层74中Al组分的占比为0.25~0.55，Al组分在这个范围内，既可以有效地限制电子溢流，也可以减少对空穴的阻挡，提升空穴向多量子阱层6的注入效率。示例性的，Al组分的占比为0.3、0.35、0.4、0.45或0.5，但不限于此。
具体的，P-InAlGaN层74中Mg的掺杂浓度为5.3×1018cm-3~9.5×1018cm-3。当Mg的掺杂浓度＞9.5×1018cm-3时，会带来过多的缺陷，降低发光效率；当Mg的掺杂浓度＜5.3×1018cm-3时，难以有效增加空穴浓度。示例性的，Mg的掺杂浓度为5.5×1018cm-3、6×1018cm-3、6.5×1018cm-3、7×1018cm-3、7.5×1018cm-3、8×1018cm-3、8.5×1018cm-3或9×1018cm-3，但不限于此。
优选的，在本发明的一个实施例中，沿外延生长方向，P-InAlGaN层74中In组分的占比由0.15逐渐降低至0.05，Al组分的占比由0.25逐渐提高至0.55，实现与电子阻挡层8的晶格缓冲和能阶匹配，渐变In组分可以产生极化电荷，从而提高空穴注入效率。
其中，衬底1可为蓝宝石衬底、硅衬底、SiC衬底或GaN衬底，但不限于此。
其中，AlN缓冲层2的厚度为20nm~100nm，示例性的为25nm、30nm、35nm、40nm、50nm、70nm或85nm，但不限于此。
其中，本征GaN层3的厚度为1.2μm~1.8μm，示例性的为1.3μm、1.4μm、1.5μm、1.6μm或1.7μm，但不限于此。
其中，N型GaN层4的掺杂元素为Si，但不限于此。N型GaN层4的掺杂浓度为2.5×1018cm-3~1.2×1019cm-3。N型GaN层4的厚度为1.5μm~2μm，示例性的为1.6μm、1.7μm、1.8μm或1.9μm，但不限于此。
其中，应力释放层5为周期性结构，周期数为4~8，每个周期均包括依次层叠的InGaN层51和N-GaN层52。N-GaN层52的掺杂元素为Si，但不限于此。N-GaN层52的掺杂浓度为3.2×1017cm-3~6.5×1017cm-3。单个InGaN层51的厚度为3nm~6nm，单个N-GaN层52的厚度为6nm~10nm。
其中，多量子阱层6为交替堆叠的InGaN量子阱层61和GaN量子垒层62，堆叠周期数5~10。单个InGaN量子阱层61的厚度为2nm~4nm，单个GaN量子垒层62的厚度为8nm~20nm。
其中，电子阻挡层8为AlGaN层，但不限于此。电子阻挡层8的厚度为10nm~50nm，示例性的为15nm、20nm、25nm、30nm、35nm或40nm，但不限于此。
其中，P型GaN层9的掺杂元素为Mg，但不限于此。P型GaN层9中Mg的掺杂浓度为2.5×1018cm-3~1.5×1019cm-3。P型GaN层9的厚度为20nm~100nm，示例性的为30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm或90nm，但不限于此。
相应的，参考图6，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，其包括以下步骤：
S100：提供衬底；
S200：在衬底上生长AlN缓冲层；
具体的，可采用磁控溅射法（PVD）生长AlN缓冲层，生长温度为500℃~650℃，功率为4000W~6000W，生长时，以Ar为溅射气体，以N2为前驱体，以Al为溅射靶材，通少量O2调节晶体质量。
S300：在AlN缓冲层上生长本征GaN层；
具体地，在MOCVD中生长本征GaN层，生长温度为1050℃~1150℃，生长压力为100torr~500torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源；以H2和N2作为载气，通入TMGa作为Ga源。
S400：在本征GaN层上生长N型GaN层；
具体的，在MOCVD中生长N型GaN层，生长温度为1100℃~1200℃，生长压力为100torr~150torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入SiH4作为N型掺杂源；以H2和N2作为载气，通入TMGa作为Ga源。
S500：在N型GaN层上生长应力释放层；
具体的，在MOCVD中周期性生长InGaN层和N-GaN层，以形成应力释放层。其中，InGaN层的生长温度为750℃~850℃，生长压力为100torr~200torr，生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，以N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源。其中，N-GaN层的生长温度为850℃~950℃，生长压力为100torr~200torr，生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入SiH4作为N型掺杂源，以H2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
S600：在应力释放层上生长多量子阱层；
具体的，在MOCVD中周期性生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层，以形成多量子阱层。其中，InGaN量子阱层的生长温度为700℃~720℃，生长压力为100torr~200torr，生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，以N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源。其中，GaN量子垒层的生长温度为850℃~950℃，生长压力为100torr~200torr，生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，以H2和N2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
S700：在多量子阱层上生长P型复合层；
具体的，在本发明的一个实施例之中，S700包括：
S710：在多量子阱层上生长Mg3N2层；
具体的，在MOCVD中生长Mg3N2层，生长温度为700℃~725℃，生长压力为350torr~450torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，以H2和N2作为载气，且N2与H2的体积比为1:1~1:5。Mg3N2层采用低温高压生长，有利于Mg3N2层三维生长，可帮助空穴通过V型坑快速注入到多量子阱层中，提高空穴迁移率，降低工作电压。
S720：在Mg3N2层上生长P-GaN层；
具体的，在MOCVD中生长P-GaN层，生长温度为726℃~750℃，生长压力为250torr~349torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，通入TMGa作为Ga源，以H2和N2作为载气，且N2与H2的体积比为1:1~1:5。
S730：在P-GaN层上生长P-InGaN层；
具体的，在MOCVD中生长P-InGaN层，生长温度为751℃~775℃，生长压力为150torr~249torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，以N2作为载气。
S740：在P-InGaN层上生长P-InAlGaN层；
具体的，在MOCVD中生长P-InAlGaN层，生长温度为776℃~800℃，生长压力为50torr~149torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，以N2作为载气。P-InAlGaN层采用高温低压生长，有利于提高晶格质量。
S800：在P型复合层上生长电子阻挡层；
具体的，在MOCVD中生长AlGaN层，作为电子阻挡层。其中，生长温度为950℃~1100℃，生长压力为150torr~200torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，以N2作为载气，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源。
S900：在电子阻挡层上生长P型GaN层；
具体的，在MOCVD中生长P-GaN层，生长温度为1000℃~1100℃，生长压力为100torr~150torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为P型掺杂源；以H2和N2作为载气，通入TMGa作为Ga源。
下面以具体实施例对本发明进行进一步说明：
实施例1
本实施例提供一种发光二极管外延片，参考图1~图4，其包括衬底1和依次设于衬底1上的AlN缓冲层2、本征GaN层3、N型GaN层4、应力释放层5、多量子阱层6、P型复合层7、电子阻挡层8和P型GaN层9。
其中，衬底1为蓝宝石衬底，AlN缓冲层2的厚度为30nm。本征GaN层3的厚度为1.6μm。N型GaN层4的厚度为1.8μm，掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1×1019cm-3。
其中，应力释放层5为周期性结构，周期数为6，每个周期均包括依次层叠的InGaN层51和N-GaN层52。N-GaN层52的掺杂元素为Si，掺杂浓度为4.5×1017cm-3。单个InGaN层51的厚度为4nm，单个N-GaN层52的厚度为8nm。
其中，多量子阱层6为周期性结构，周期数为8，每个周期为依次层叠的InGaN量子阱层61和GaN量子垒层62，单个InGaN量子阱层61的厚度为3nm，单个GaN量子垒层62的厚度为10nm。
其中，P型复合层7包括依次层叠的Mg3N2层71、P-GaN层72和P-InGaN层73，其中P-GaN层72和P-InGaN层73的P型掺杂元素为Mg。Mg3N2层71的厚度为6nm。P-GaN层72的厚度为5.5nm，P-GaN层72中Mg的掺杂浓度为5×1017cm-3。P-InGaN层73的厚度为4.5nm，In组分的占比为0.1，Mg的掺杂浓度为1×1019cm-3。
其中，电子阻挡层8为AlGaN层，厚度为30nm。P型GaN层9的掺杂元素为Mg，掺杂浓度为8×1018cm-3，P型GaN层9的厚度为50nm。
本实施例中用于发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
（1）提供衬底；
（2）在衬底上生长AlN缓冲层；
其中，采用磁控溅射法（PVD）生长AlN缓冲层，生长温度为600℃，功率为5000W，以Ar为溅射气体，以N2为前驱体，以Al为溅射靶材，通少量O2调节晶体质量。
（3）在AlN缓冲层上生长本征GaN层；
其中，在MOCVD中生长本征GaN层，生长温度为1120℃，生长压力为300torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TMGa作为Ga源。
（4）在本征GaN层上生长N型GaN层；
其中，在MOCVD中生长N型GaN层，生长温度为1140℃，生长压力为120torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TMGa作为Ga源，通入SiH4作为N型掺杂源。
（5）在N型GaN层上生长应力释放层；
其中，在MOCVD中周期性生长InGaN层和N-GaN层，以形成应力释放层。其中，InGaN层的生长温度为850℃，生长压力为150torr，生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，以N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源。其中，N-GaN层的生长温度为900℃，生长压力为150torr，生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入SiH4作为N型掺杂源，以H2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
（6）在应力释放层上生长多量子阱层；
其中，在MOCVD中周期性生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层，以形成多量子阱层。其中，InGaN量子阱层的生长温度为710℃，生长压力为150torr，生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，以N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源。其中，GaN量子垒层的生长温度为900℃，生长压力为150torr，生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，以H2和N2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
（7）在多量子阱层上生长Mg3N2层；
其中，在MOCVD中生长Mg3N2层，生长温度为710℃，生长压力为400torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，以H2和N2作为载气，且N2与H2的体积比为1:3。
（8）在Mg3N2层上生长P-GaN层；
其中，在MOCVD中生长P-GaN层，生长温度为740℃，生长压力为300torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，通入TMGa作为Ga源，以H2和N2作为载气，且N2与H2的体积比为1:3。
（9）在P-GaN层上生长P-InGaN层，得到P型复合层；
其中，在MOCVD中生长P-InGaN层，生长温度为760℃，生长压力为200torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，以N2作为载气。
（10）在P型复合层上生长电子阻挡层；
其中，在MOCVD中生长AlGaN层，作为电子阻挡层，生长温度为1000℃，生长压力为180torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，以N2作为载气，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源。
（11）在电子阻挡层上生长P型GaN层；
其中，在MOCVD中生长P-GaN层，生长温度为1050℃，生长压力为120torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为P型掺杂源；以H2和N2作为载气，通入TMGa作为Ga源。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，P-GaN层72中Mg的掺杂浓度为3×1018cm-3，P-InGaN层73中Mg的掺杂浓度为7×1018cm-3，其余均与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片，参考图1~图3、图5，其与实施例2的区别在于，P型复合层7还包括P-InAlGaN层74，P-InAlGaN层74设于P-InGaN层73之上，P-InAlGaN层74的厚度为8nm，In组分的占比为0.1，Al组分的占比为0.4，Mg的掺杂浓度为8×1018cm-3。相应的，在制备方法中，还包括P-InAlGaN层的制备方法。具体的，在MOCVD中生长P-InAlGaN层，生长温度为780℃，生长压力为100torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，以N2作为载气。其余均与实施例2相同。
实施例4
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例2的区别在于，P型复合层7还包括P-InAlGaN层74，P-InAlGaN层74设于P-InGaN层73之上，P-InAlGaN层74的厚度为8nm，Mg的掺杂浓度为8×1018cm-3，沿外延生长方向，P-InAlGaN层74中In组分的占比由0.15逐渐降低至0.05，Al组分的占比由0.25逐渐提高至0.55。相应的，在制备方法中，还包括P-InAlGaN层的制备方法。具体的，在MOCVD中生长P-InAlGaN层，生长温度为780℃，生长压力为100torr。生长时，在MOCVD反应室中通入NH3作为N源，通入CP2Mg作为Mg源，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，以N2作为载气。其余均与实施例2相同。
对比例1
本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，P型复合层不包括Mg3N2层和P-InGaN层，相应的，在制备方法中，不包含制备上述两层的步骤。其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，P型复合层不包括Mg3N2层，相应的，在制备方法中，不包含制备该层的步骤。其余均与实施例1相同。
对比例3
本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，P型复合层不包括P-InGaN层，相应的，在制备方法中，不包含制备该层的步骤。其余均与实施例1相同。
对比例4
本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，Mg3N2层的生长温度为760℃，生长压力为200torr；P-InGaN层的生长温度为710℃，生长压力为400torr。其余均与实施例1相同。
将实施例1~实施例4，对比例1~对比例4所得的发光二极管外延片进行测试，具体测试方法如下：将实施例和对比例中的不同条件制得的外延片制备成22mil×35mil的芯片，在120mA电流下，使用同一点测机台进行测试其工作电压和发光亮度。
具体结果如下：
由表中可以看出，当将传统的发光二极管结构（对比例1）中的P-GaN层替换为本发明的P型复合层结构时，在大电流下的发光亮度有明显提升，且本发明也降低了工作电压。
此外，通过实施例1与对比例2~对比例4的对比可以看出，当变更本发明中的P型复合层结构或改变其生长条件时，难以有效起到提升亮度、降低工作电压的效果。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次设于所述衬底上的AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，所述P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P-GaN层、P-InGaN层和P-InAlGaN层，P-GaN层和P-InGaN层的P型掺杂元素为Mg；所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度＜所述P-InGaN层中Mg的掺杂浓度；P-InAlGaN层中In组分的占比为0.05~0.15，Al组分的占比为0.25~0.55；且沿外延生长方向，所述P-InAlGaN层中In组分的占比由0.15逐渐降低至0.05，Al组分的占比由0.25逐渐提高至0.55；
所述Mg3N2层的生长温度为700℃~725℃，生长压力为350torr~450torr；
所述P-GaN层的生长温度为726℃~750℃，生长压力为250torr~349torr；
所述P-InGaN层的生长温度为751℃~775℃，生长压力为150torr~249torr；
所述P-InAlGaN层的生长温度为776℃~800℃，生长压力为50torr~149torr。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg3N2层的厚度为3nm~10nm；
所述P-GaN层的厚度为5nm~30nm，所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度为1×1018cm-3~5×1018cm-3；
所述P-InGaN层的厚度为4nm~10nm，In组分的占比为0.05~0.15，所述P-InGaN层中Mg的掺杂浓度为5.3×1018cm-3~9.5×1018cm-3。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P-InAlGaN层的厚度为4nm~10nm，所述P-InAlGaN层中Mg的掺杂浓度为5.3×1018cm-3~9.5×1018cm-3。
4.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1~3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上依次生长AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，所述P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P-GaN层、P-InGaN层和P-InAlGaN层，P-GaN层和P-InGaN层的P型掺杂元素为Mg；所述P-GaN层中Mg的掺杂浓度＜所述P-InGaN层中Mg的掺杂浓度；P-InAlGaN层中In组分的占比为0.05~0.15，Al组分的占比为0.25~0.55；且沿外延生长方向，所述P-InAlGaN层中In组分的占比由0.15逐渐降低至0.05，Al组分的占比由0.25逐渐提高至0.55；
所述Mg3N2层的生长温度为700℃~725℃，生长压力为350torr~450torr；
所述P-GaN层的生长温度为726℃~750℃，生长压力为250torr~349torr；
所述P-InGaN层的生长温度为751℃~775℃，生长压力为150torr~249torr
所述P-InAlGaN层的生长温度为776℃~800℃，生长压力为50torr~149torr。
5.如权利要求4所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述Mg3N2层生长时，以N2和H2的混合气体作为载气，且N2与H2的体积比为1:1~1:5；
所述P-GaN层生长时，以N2和H2的混合气体作为载气，且N2与H2的体积比为1:1~1:5；
所述P-InGaN层生长时，以N2作为载气。
6.如权利要求5所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述P-InAlGaN层生长时，以N2作为载气。
7.一种发光二极管，其特征在于，包括如权利要求1~3任一项所述的发光二极管外延片。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018014671A1 (zh) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
| CN115000263A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-09-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | Led外延结构及其制备方法 |
| CN115172555A (zh) * | 2022-09-08 | 2022-10-11 | 江西兆驰半导体有限公司 | 高光效发光二极管的外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN115347097A (zh) * | 2022-10-18 | 2022-11-15 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN115472718A (zh) * | 2022-11-02 | 2022-12-13 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN218069879U (zh) * | 2022-05-17 | 2022-12-16 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片及发光二极管 |
| CN115832134A (zh) * | 2023-02-08 | 2023-03-21 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116072784A (zh) * | 2023-03-29 | 2023-05-05 | 江西兆驰半导体有限公司 | 深紫外发光二极管外延片及其制备方法、led |
| CN116154066A (zh) * | 2023-04-19 | 2023-05-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI364119B (en) * | 2007-08-17 | 2012-05-11 | Epistar Corp | Light emitting diode device and manufacturing method therof |
| CN104600162B (zh) * | 2014-03-24 | 2016-01-27 | 上海卓霖半导体科技有限公司 | 基于lao衬底的非极性蓝光led外延片的制备方法 |
| CN104393124B (zh) * | 2014-11-25 | 2017-04-05 | 天津三安光电有限公司 | 一种发光二极管外延片结构的制备方法 |
-
2023
- 2023-09-15 CN CN202311188712.6A patent/CN116936700B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018014671A1 (zh) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
| CN218069879U (zh) * | 2022-05-17 | 2022-12-16 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片及发光二极管 |
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