JP2010034240A

JP2010034240A - 照明装置

Info

Publication number: JP2010034240A
Application number: JP2008194160A
Authority: JP
Inventors: Kanako Hoshino; 加奈子星野
Original assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2008-07-28
Filing date: 2008-07-28
Publication date: 2010-02-12

Abstract

【課題】ＬＥＤチップの経時変化に起因した寿命時期を精度よく求めることができる照明装置を提供する。
【解決手段】光検出素子４で計測されたＬＥＤチップ１の光出力は、照明器具１００に設けられている制御回路１６０に伝送され制御回路１６０内の記憶手段に一時記憶される。記憶手段には、ＬＥＤチップ１に流れる電流とＬＥＤチップ１の光出力との関係に経時変化レベルを対応付けた特性データが予め記憶されている。制御回路１６０には、ＬＥＤチップ１に流れる電流値と光検出素子４で検出されたＬＥＤチップ１の光出力との関係、および上述の特性データに基づいて経時変化レベルを求める監視手段としての機能が備わっている。求まった経時変化レベルは、照明器具１００からコントローラＣＲに通知され、コントローラＣＲに設けられている表示部にて表示される。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）チップを光源として備えた照明装置に関するものである。

従来から、この種の照明装置として、ＬＥＤチップおよび実装基板を具備し、実装基板の一表面側に形成された収納凹所の内底面にＬＥＤチップを実装し、透光性を有する合成樹脂製の封止材にてＬＥＤチップを封止して成る発光装置を備えたものが知られている（たとえば特許文献１参照）。

特許文献１には、ＬＥＤチップの経時変化の影響によるＬＥＤチップからの光出力の変化を抑制し、ＬＥＤチップの光出力を略一定に保つことができるように、ＬＥＤチップの光出力を検出する光検出素子（たとえばフォトダイオード）を設け、この光検出素子にて検出される光強度が目標値に保たれるようにＬＥＤチップに流れる電流をフィードバック制御することが記載されている。

ここで、光検出素子は一般的には実装基板と別に設けられるが、この場合、光検出素子の設置スペースが必要になるため、照明装置の占有スペースが大きくなってしまうという問題がある。特に、光検出素子は、ＬＥＤチップからの光を検出しやすいようにＬＥＤチップの前方に配置することが望ましいが、このような配置にすると光検出素子がＬＥＤチップの出力光を遮る形となって邪魔になる。さらに、ＬＥＤチップの光出力と光検出素子の出力とのいずれも周囲温度の影響を受けるため、ＬＥＤチップと光検出素子との温度環境が異なる場合、光出力の正確な計測が困難になるという問題もある。すなわち、ＬＥＤチップと光検出素子との間に温度差がある場合、たとえ光検出素子の周囲温度を測定し当該測定結果に基づいて光検出素子の出力を補正するようにしても、ＬＥＤチップの実際の光出力に対する光検出素子の測定値は前記温度差の影響を受けるため、正確な測定結果は得られない。

また、ＬＥＤチップと同じ実装基板の一表面上に光検出素子を実装することも提案されているが、この構成では、実装基板の一表面上における収納凹所の周囲に光検出素子を実装するためのスペースを確保する必要があり、実装基板の平面サイズが大きくなってしまうという問題がある。さらに、実装基板に複数のＬＥＤチップを実装する場合、光検出素子から各ＬＥＤチップまでの距離にばらつきがあることで、光出力の検出精度が低くなることもある。

これに対して、特許文献１の発明では、実装基板が収納凹所の周部から内方へ突出する張出部を有し、当該張出部に光検出素子を配設する構成を採用している。これにより、ＬＥＤチップと光検出素子とを同一の実装基板に設けながらも、光検出素子を実装するためのスペースを収納凹所の周囲に確保する必要がなく、実装基板の平面サイズの大型化を回避できる。また、実装基板上に複数のＬＥＤチップを実装する場合でも、各光検出素子の近傍に光検出素子が設けられるので、光出力の検出精度を高めることができる。

ところで、ＬＥＤチップは、白熱電球等の光源に比べて長寿命であることが知られているが、上述したように経時変化によりその光出力が低下するものであるから、経時変化がある程度進んで寿命末期に達したＬＥＤチップを使い続けることは、発光効率の面からも好ましくない。したがって、ＬＥＤチップを光源とする照明装置であっても、ＬＥＤチップの寿命末期には、発光装置あるいは照明器具全体を交換するなどの適切な措置が必要となる。
特開２００７−２９４８３４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の照明装置では、上述したフィードバック制御によって、ＬＥＤチップの光出力を目標値に保つことができるものの、実際にＬＥＤチップにどの程度の経時変化（劣化）が生じているのかを判断することはできず、ユーザにおいては、光出力の低下を実感することもできないので、ＬＥＤチップの寿命時期を知ることができず、ＬＥＤチップの寿命末期における適切な措置をとることは困難である。また、ＬＥＤチップの累積点灯時間を経時し、当該累積点灯時間が所定の寿命時間に達したときに寿命と判断することも考えられるが、点灯時間が同じであっても、ＬＥＤチップの使用環境や個体差などにより経時変化の程度は異なるので、この方法で経時変化に起因した寿命時期を精度よく求めることは難しい。

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであって、ＬＥＤチップの経時変化に起因した寿命時期を精度よく求めることができる照明装置を提供することを目的とする。

請求項１の発明では、一表面側に収納凹所が形成された実装基板と、収納凹所に収納される形で収納凹所の内底面に実装されたＬＥＤチップとを具備し、収納凹所の周部から収納凹所の内方へ突出する形に形成された張出部にＬＥＤチップの光出力を計測する光検出素子が配設された発光装置と、ＬＥＤチップの経時変化の程度を示す経時変化レベルをＬＥＤチップに流れる電流とＬＥＤチップの光出力との関係に対応付けた特性データを記憶した記憶手段と、ＬＥＤチップに流れる電流と光検出素子の出力との関係および特性データに基づいて経時変化レベルを求める監視手段と、監視手段で求めた経時変化レベルを報知する報知手段とを備えることを特徴とする。

この構成によれば、監視手段がＬＥＤチップの経時変化の程度を示す経時変化レベルを求め、求まった経時変化レベルを報知手段が報知するので、ユーザにおいては、ＬＥＤチップの経時変化レベルからＬＥＤチップの寿命時期を知ることができ、ＬＥＤチップの寿命末期に発光装置を交換するなどの適切な処置をとることが可能となる。また、監視手段は、ＬＥＤチップに流れる電流と光検出素子の出力との関係および記憶手段に記憶されている特性データに基づいて経時変化レベルを求めるので、単にＬＥＤチップの累積点灯時間からＬＥＤチップの寿命時期を判断する場合に比べて、精度よく寿命時期を求めることができる。なお、実装基板の収納凹所の周部から収納凹所の内方へ突出する形の張出部に光検出素子が配設されているので、ＬＥＤチップと光検出素子とを同一の実装基板に設けながらも、光検出素子を実装するためのスペースを収納凹所の周囲に確保する必要がなく、実装基板の平面サイズの大型化を回避できる。また、実装基板上に複数のＬＥＤチップを実装する場合でも、各光検出素子の近傍に光検出素子が設けられるので、光出力の検出精度を高めることができる。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記記憶手段には、前記ＬＥＤチップに流れる電流を所定値としたときのＬＥＤチップの光出力と前記経時変化レベルとの対応関係が前記特性データとして記憶されており、前記監視手段が、ＬＥＤチップに流れる電流を前記所定値とした状態で、前記光検出素子の出力および特性データに基づいて経時変化レベルを求めることを特徴とする。

この構成によれば、ＬＥＤチップを流れる電流が既知であるから、光検出素子の出力と特性データとを用いるだけで経時変化レベルを求めることができ、経時変化レベルを求めるための演算処理が簡単になる。

請求項３の発明は、請求項１の発明において、前記記憶手段には、前記ＬＥＤチップの光出力を予め設定された目標値としたときのＬＥＤチップに流れる電流と前記経時変化レベルとの対応関係が前記特性データとして記憶されており、前記発光装置が、前記光検出素子で検出されるＬＥＤチップの光出力が前記目標値に維持されるようにＬＥＤチップに流す電流を制御する出力補正手段を具備し、前記監視手段が、ＬＥＤチップに流れる電流および前記特性データに基づいて経時変化レベルを求めることを特徴とする。

この構成によれば、ＬＥＤチップの光出力が既知であるから、ＬＥＤチップに流れる電流と特性データとを用いるだけで経時変化レベルを求めることができ、経時変化レベルを求めるための演算処理が簡単になる。

本発明は、ＬＥＤチップの経時変化レベルを監視手段にて求め、当該経時変化レベルを報知手段にて報知するので、ＬＥＤチップの経時変化に起因した寿命時期を精度よく求めることができるという利点がある。

（実施形態１）
本実施形態の照明装置は、図１（ａ）に示すように、それぞれ複数の発光装置Ａ（図３参照）を器具本体１１０に収容して成る複数台の照明器具１００と、これら複数台の照明器具１００に電源を供給する電源ボックスＰＢと、電源ボックスＰＢに信号線（ここではＤＭＸ信号線）Ｌ１を介して接続され各照明器具１００の点灯状態を制御するコントローラＣＲとを備えている。なお、電源ボックスＰＢおよびコントローラＣＲには商用電源（ＡＣ１００Ｖ）から電力供給される。

器具本体１１０は、上面開口の箱状に形成されており、内部に発光装置Ａを収納するとともに、開口面を覆う形で透光性カバー１４０が取り付けられることにより、発光装置Ａの出力光が透光性カバー１４０を通して上方に取り出されるように構成されている。また、各照明器具１００はそれぞれ発光装置Ａへの通電量を制御する制御回路１６０を具備しており、当該制御回路１６０にはコントローラＣＲとの通信機能などが備わっている。さらに、詳しくは後述するが、各発光装置Ａは発光色が互いに異なる複数種のＬＥＤ（発光ダイオード）チップを光源としてそれぞれ有しており、照明器具１００からは各種のＬＥＤチップの出力光の混色により様々な光色の光を出力することができる。

コントローラＣＲは、照明器具１００に対して制御信号を送ることによって、各照明器具１００の点灯状態を個別に制御することができるものであって、たとえば照明器具１００ごとに異なる光色の光を出力させたり、時間帯ごとに照明器具１００の点灯状態（出力光、光色など）を変化させたりすることができる。

上述した照明装置は、照明器具１００の各器具本体１１０を造営面等に固定した状態で使用され、コントローラＣＲで任意に照明光の光色を変化させることにより、屋内あるいは屋外において照明による様々な演出効果を得るために用いられる。

以下、上記照明装置に用いる発光装置Ａについて図１（ｂ）並びに図２ないし図４を参照して説明する。

発光装置Ａは、発光色が異なる複数種（ここでは４種）のＬＥＤチップ１と、各ＬＥＤチップ１を収納する収納凹所２ａが一表面側に形成され当該収納凹所２ａの内底面に各ＬＥＤチップ１が実装される実装基板２とを具備している。

ここで、実装基板２は、前記一表面側において収納凹所２ａの周部から収納凹所２ａの内方へ突出する庇状の張出部２ｃを有しており、当該張出部２ｃに、各ＬＥＤチップ１の出力光を個別に検出する複数（ここでは４つ）の光検出素子４が配設されている。さらに、実装基板２の前記一表面側には収納凹所２ａを閉塞する形で透光性部材３が固着されるとともに、実装基板２の収納凹所２ａには透光性の封止樹脂（たとえば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂など）からなる封止部５が充填され、当該封止部５にて各ＬＥＤチップ１および各ＬＥＤチップ１にそれぞれ接続されたボンディングワイヤ１４を封止している。なお、本実施形態では、実装基板２と透光性部材３とでパッケージを構成しているが、透光性部材３は、必ずしも設けなくてもよく、必要に応じて適宜設ければよい。

ここにおいて、本実施形態では、ＬＥＤチップ１として、図２に示すように、発光色が赤色のＬＥＤチップ１ａと、発光色が緑色のＬＥＤチップ１ｂと、発光色が青色のＬＥＤチップ１ｃと、発光色がアンバー色（琥珀色）のＬＥＤチップ１ｄとを採用しており、赤色光と緑色光と青色光とアンバー色光の混色光として白色光を得ることができる。ただし、各ＬＥＤチップ１の発光色は特に限定するものではなく、所望の混色光に応じて適宜選択すればよい。

発光装置Ａの構成をさらに詳しく説明すると、実装基板２は、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄ（以下、個々を区別しないときには単にＬＥＤチップ１という）が一表面側に搭載される矩形板状のＬＥＤ搭載用基板２０と、ＬＥＤ搭載用基板２０の前記一表面側に対向配置され円形状の光取出窓４１が形成されるとともに各光検出素子４が形成された光検出素子形成基板４０と、ＬＥＤ搭載用基板２０と光検出素子形成基板４０との間に介在し光取出窓４１に連通する矩形状の開口窓３１が形成された中間層基板３０とで構成されており、ＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０と光検出素子形成基板４０とで囲まれた空間が前記収納凹所２ａを構成している。なお、光取出窓４１は円形状に限らず矩形状など他の形状であってもよい。

ここにおいて、中間層基板３０と光検出素子形成基板４０とはいずれも外周形状が矩形状であり、ＬＥＤ搭載用基板２０と同じ外形寸法に形成されている。また、光検出素子形成基板４０の厚み寸法はＬＥＤ搭載用基板２０および中間層基板３０の厚み寸法に比べて小さく設定されている。ここでは、ＬＥＤ搭載用基板２０が、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄが搭載されるベース基板部を構成し、中間層基板３０と光検出素子形成基板４０とで、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄを囲む形でベース基板部から突設された壁部２ｂを構成する。さらに、光取出窓４１の開口面積は、中間層基板３０の開口窓３１における光検出素子形成基板４０側の開口面積よりも小さく設定されており、光検出素子形成基板４０において中間層基板３０の開口窓３１上に張り出した部位（つまり、光取出窓４１の周囲）が、収納凹所２ａの周部から収納凹所２ａの内方へ突出する張出部２ｃを構成する。

上述のＬＥＤ搭載用基板２０、中間層基板３０、光検出素子形成基板４０は、それぞれ、導電形がｎ形で主表面が（１００）面のシリコン基板２０ａ，３０ａ，４０ａを用いて形成してあり、中間層基板３０の内側面が、アルカリ系溶液（たとえば、ＴＭＡＨ溶液、ＫＯＨ溶液など）を用いた異方性エッチングにより形成された（１１１）面により構成されており（つまり、中間層基板３０は、開口窓３１の開口面積がＬＥＤ搭載用基板２０から離れるにつれて徐々に大きくなっており）、ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄから側方（壁部２ｂ側）へ放射された光を前方（張出部２ｃ側）へ反射するミラー２ｄを構成している。要するに、本実施形態では、中間層基板３０が各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄから側方に放射された光を前方へ反射させる枠状のリフレクタとしての機能を兼ねている。

ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの一表面側（図１（ｂ）における上面側）に、ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄの両電極とそれぞれ電気的に接続される２つ１組の導体パターン２５ａ，２５ａが４組形成されるとともに、中間層基板３０に形成された２つの貫通孔配線３４，３４を介して光検出素子４と電気的に接続される２つ１組の導体パターン２５ｂ，２５ｂが４組形成されている。ここに、各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂとシリコン基板２０ａの他表面側（図１（ｂ）における下面側）に形成された各外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂとはそれぞれ貫通孔配線２４を介して電気的に接続されている。また、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの前記一表面側に、中間層基板３０と接合するための接合用金属層２９が形成されている。

本実施形態におけるＬＥＤチップ１ａ〜１ｄは、結晶成長用基板として導電性基板を用い厚み方向の両面に電極（図示せず）が形成された可視光ＬＥＤチップであり、ＬＥＤ搭載用基板２０は、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄが電気的に接続される２つの導体パターン２５ａ，２５ａのうちの一方の導体パターン２５ａを、ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄがダイボンディングされる矩形状のダイパッド部２５ａａと、ダイパッド部２５ａａに連続一体に形成され貫通孔配線２４との接続部位となる引き出し配線部２５ａｂとで構成してある。要するに、ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄは、前記一方の導体パターン２５ａのダイパッド部２５ａａにダイボンディングされており、ダイパッド部２５ａａ側の電極がダイパッド部２５ａａに接合されて電気的に接続され、光取り出し面側の電極がボンディングワイヤ１４を介して他方の導体パターン２５ａと電気的に接続されている。

また、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの前記他表面側における各ダイパッド部２５ａａそれぞれの投影領域に、シリコン基板２０ａよりも熱伝導率の高い金属材料からなる矩形状の放熱用パッド部２８が形成されており、シリコン基板２０ａの厚み方向において重なるダイパッド部２５ａａと放熱用パッド部２８とがシリコン基板２０ａよりも熱伝導率の高い金属材料（たとえば、Ｃｕなど）からなる複数（本実施形態では、９つ）の円柱状のサーマルビア２６を介して熱的に結合されており、ＬＥＤチップ１で発生した熱が各サーマルビア２６および放熱用パッド部２８を介して放熱されるようになっている。

ところで、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａに、上述の各貫通孔配線２４がそれぞれ内側に形成される複数の貫通孔２２ａと、上述の各サーマルビア２６がそれぞれ内側に形成される複数の貫通孔２２ｂとが厚み方向に貫設され、シリコン基板２０ａの前記一表面および前記他表面と各貫通孔２２ａ，２２ｂの内面とに跨って熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜２３が形成されており、各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂ、接合用金属層２９、各外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂ、各放熱用パッド部２８、各貫通孔配線２４および各サーマルビア２６がシリコン基板２０ａと電気的に絶縁されている。

また、ＬＥＤ搭載用基板２０において、各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂ、接合用金属層２９、各外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂ、各放熱用パッド部２８は、絶縁膜２３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されており、各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂと接合用金属層２９とが同時に形成され、各外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂと各放熱用パッド部２８とが同時に形成されている。

なお、本実施形態では、絶縁膜２３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例にすぎず特に限定するものではない。また、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と絶縁膜２３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、貫通孔配線２４およびサーマルビア２６の材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。

中間層基板３０は、シリコン基板３０ａの一表面側（図１（ｂ）における下面側）に、ＬＥＤ搭載用基板２０の各組の導体パターン２７ｂ，２７ｂと接合されて電気的に接続される２つ１組の導体パターン（図示せず）が４組形成されるとともに、ＬＥＤ搭載用基板２０の接合用金属層２９と接合される接合用金属層３６が形成されている。また、中間層基板３０は、シリコン基板３０ａの他表面側（図１（ｂ）における上面側）に、貫通孔配線３４，３４を介して前記一表面側の２つ１組の導体パターンと電気的に接続される２つ１組の導体パターン３７，３７が４組形成されるとともに、光検出素子形成基板４０と接合するための接合用金属層３８が形成されている。

また、中間層基板３０は、シリコン基板３０ａの厚み方向に貫通する複数の貫通孔３２が貫設され、各貫通孔３２の内側には前記貫通孔配線３４がそれぞれ形成される。さらに、シリコン基板３０ａの前記一表面および前記他表面と各貫通孔３２の内面とに跨って熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜３３が形成されており、前記一表面側の各導体パターンおよび前記他表面側の各導体パターン３７，３７および各接合用金属層３６，３８がシリコン基板３０ａと電気的に絶縁されている。ここにおいて、前記一表面側の各導体パターンおよび前記他表面側の各導体パターン３７，３７および各接合用金属層３６，３８は、絶縁膜３３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されており、前記一表面側の各導体パターンと接合用金属層３６とが同時に形成され、前記表面側の各導体パターン３７，３７と接合用金属層３８とが同時に形成されている。

なお、本実施形態では、絶縁膜３３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と絶縁膜３３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、貫通孔配線３４の材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。

光検出素子形成基板４０は、図４に示すように、シリコン基板４０ａの一表面側（図１（ｂ）における下面側）に、中間層基板３０の各組の導体パターン３７，３７と接合されて電気的に接続される２つ１組の導体パターン４７ａ，４７ｂが４組形成されるとともに、中間層基板３０の接合用金属層３８と接合される接合用金属層４８が形成されている。ここにおいて、各光検出素子４は、フォトダイオードより構成されており、光検出素子形成基板４０に形成された２つ１組の導体パターン４７ａ，４７ｂの一方の導体パターン４７ａは、光検出素子４を構成するフォトダイオードのｐ形領域４ａに電気的に接続され、他方の導体パターン４７ｂは、前記フォトダイオードのｎ形領域４ｂを構成するシリコン基板４０ａに電気的に接続されている。

また、光検出素子形成基板４０は、シリコン基板４０ａの前記一表面側にシリコン酸化膜からなる絶縁膜４３が形成されており、当該絶縁膜４３がフォトダイオードの反射防止膜を兼ねている。また、光検出素子形成基板４０は、前記一方の導体パターン４７ａが、絶縁膜４３に形成した第１のコンタクトホール（図示せず）を通してｐ形領域４ａと電気的に接続され、前記他方の導体パターン４７ｂが絶縁膜４３に形成した第２のコンタクトホール（図示せず）を通してｎ形領域４ｂと電気的に接続されている。ここにおいて、各導体パターン４７ａ，４７ｂおよび接合用金属層４８は、絶縁膜４３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されており、同時に形成してある。

なお、本実施形態では、絶縁膜４３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例にすぎず特に限定するものではない。ここにおいて、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と絶縁膜４３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。

上述の実装基板２の形成にあたっては、各光検出素子４、絶縁膜４３、各導体パターン４７ａ，４７ｂ、および接合用金属層４８が形成されたシリコン基板４０ａと中間層基板３０とを低温での直接接合が可能な常温接合法などにより接合する第１の接合工程を行った後、シリコン基板４０ａを所望の厚みまで研磨する研磨工程を行い、その後、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のドライエッチング装置などを用いてシリコン基板４０ａに光取出窓４１を形成する光取出窓形成工程を行うことで光検出素子形成基板４０を完成させてから、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄが実装され各ボンディングワイヤ１４の結線が行われたＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０とを常温接合法などにより接合する第２の接合工程を行うようにすればよい。なお、常温接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、常温下で直接接合する。

上述の第１の接合工程では、シリコン基板４０ａの接合用金属層４８と中間層基板３０の接合用金属層３８とが接合されるとともに、シリコン基板４０ａの導体パターン４７ａ，４７ｂと中間層基板３０の導体パターン３７，３７とが接合され電気的に接続される。ここで、導体パターン４７ａ，４７ｂと導体パターン３７，３７との接合部位は、貫通孔配線３４に重なる領域からずらしてあるので、導体パターン４７ａ，４７ｂと導体パターン３７，３７との互いの接合面の平坦度を高めることができ、接合歩留まりを高めることができるとともに接合信頼性を高めることができる。

また、第２の接合工程では、ＬＥＤ搭載用基板２０の接合用金属層２９と中間層基板３０の接合用金属層３６とが接合されるとともに、ＬＥＤ搭載用基板２０の導体パターン２５ｂ，２５ｂと中間層基板３０の導体パターン３５，３５とが接合されて電気的に接続される。ここで、導体パターン２５ｂ，２５ｂと導体パターン３５，３５との接合部位は、貫通孔配線２４に重なる領域および貫通孔配線３４に重なる領域からずらしてあるので、導体パターン２５ｂ，２５ｂと導体パターン３５，３５との互いの接合面の平坦度を高めることができ、接合歩留まりを高めることができるとともに接合信頼性を高めることができる。

また、上述の透光性部材３は、透光性材料（たとえば、シリコーン、アクリル樹脂、ガラスなど）からなる透光性基板を用いて形成してある。ここで、透光性部材３は、実装基板２と同じ外周形状の矩形板状に形成されており、実装基板２側とは反対の光取り出し面に、ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄから放射された光の全反射を抑制する微細凹凸構造が形成されている。ここにおいて、透光性部材３の光取り出し面に形成する微細凹凸構造は、多数の微細な凹部が２次元周期構造を有するように形成されている。なお、上述の微細凹凸構造は、たとえば、レーザ加工技術やエッチング技術やインプリントリソグラフィ技術などを利用して形成すればよい。

上述した発光装置Ａの製造にあたっては、上述の各シリコン基板２０ａ，３０ａ，４０ａとして、それぞれＬＥＤ搭載用基板２０、中間層基板３０、光検出素子形成基板４０を多数形成可能なシリコンウェハを用いるとともに、上述の透光性基板として透光性部材３を多数形成可能なウェハ状のもの（透光性ウェハ）を用い、上述の第１の接合工程、研磨工程、第２の接合工程、光取出窓形成工程、第２の接合工程、実装基板２の収納凹所２ａに封止樹脂を充填して封止部５を形成する封止部形成工程、封止部形成工程の後で実装基板２と透光性部材３とを接合する第３の接合工程などの各工程をウェハレベルで行うことでウェハレベルパッケージ構造体を形成してから、ダイシング工程により実装基板２のサイズに分割されている。したがって、ＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０と光検出素子形成基板４０と透光性部材３とが同じ外形サイズとなり、小型のパッケージを実現できるとともに、製造が容易になる。また、中間層基板３０におけるミラー２ｄと光検出素子形成基板４０における光検出素子４との相対的な位置精度を高めることができ、ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄから側方へ放射された光がミラー２ｄにより反射されて各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄに対応する光検出素子４へ導かれる。

ところで、発光装置Ａは、上述したように、光検出素子形成基板４０に各発光色のＬＥＤチップ１ａ〜１ｄから放射された光を各別に検出する４つの光検出素子４が設けられており、４つの光検出素子４と互いに発光色の異なる４つのＬＥＤチップ１ａ〜１ｄとを１対１で対応させるために、ベース基板部であるＬＥＤ搭載用基板２０と壁部２ｂとで囲まれた内部空間（つまり、実装基板２における収納凹所２ａの内部空間）を各発光色のＬＥＤチップ１ａ〜１ｄそれぞれの収納空間に区画する十字状の遮光部３９が、中間層基板３０に連続一体に形成されている。すなわち、本実施形態における発光装置Ａでは、中間層基板３０の開口窓３１が遮光部３９によって４つの小空間３１ａに区画されており、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄそれぞれから放射される光の放射範囲が遮光部３９により制限され、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄそれぞれから放射された光が２つ以上の光検出素子４の受光面へ入射するのが阻止される。

ここにおいて、本実施形態では、中間層基板３０における遮光部３９がアルカリ系溶液を用いた異方性エッチングにより開口窓３１と同時に形成されており、遮光部３９の各側面が開口窓３１の内側面と同様に（１１１）面となっているので、遮光部３９の各側面がＬＥＤチップ１ａ〜１ｄから放射された光を前方へ反射するミラーとして機能する。なお、本実施形態の発光装置Ａでは、ＬＥＤ搭載用基板２０からの遮光部３９の突出高さが壁部２ｂの突出高さよりも低くなっており、遮光部３９の先端面と透光性部材３とが離間しているので、遮光部３９に起因して暗部が生じるのを防止することができる。

ところで、本実施形態の照明装置では、各発光色のＬＥＤチップ１から放射された光を各別に検出する光検出素子４の出力を、ＬＥＤチップ１の寿命時期の判断に用いる。以下、ＬＥＤチップ１の寿命時期を判断するための構成について説明する。

ＬＥＤチップ１は、経時変化の影響により光出力が低下するものの、その使用環境（ＬＥＤチップ１に流す電流、周囲温度など）によって光出力の経時変化の程度に差を生じることが一般に知られている。たとえば、店舗等の屋内照明に用いられるＬＥＤチップ１と屋外照明に用いられるＬＥＤチップ１とでは光出力の低下の度合いが相違するものであり、前者の場合、ＬＥＤチップ１は累積点灯時間が３万時間を超えたあたりから光出力が徐々に低下し、５万〜６万時間にかけて光出力が初期値の７０％をきるのに対して、後者の場合、ＬＥＤチップ１は累積点灯時間が２万時間を超えたあたりから光出力が大きく低下し、２万〜３万時間にかけて光出力が初期値の７０％をきることがある。すなわち、ＬＥＤチップ１の光出力が規定値（たとえば初期値の７０％）まで低下したときにＬＥＤチップ１の寿命と判断するのであれば、ＬＥＤチップ１の使用環境によって寿命時期には大きなばらつきがある。

そこで、本実施形態では、ＬＥＤチップ１の光出力を光検出素子４で監視し、その監視結果を用いてＬＥＤチップ１の経時変化の程度を示す経時変化レベルを求めるようにしている。具体的に説明すると、光検出素子４にて計測された各ＬＥＤチップ１の光出力は、各照明器具１００ごとに設けられている制御回路１６０に伝送され制御回路１６０内の記憶手段（図示せず）に一時記憶される。ここで、記憶手段には、ＬＥＤチップ１に流れる電流とＬＥＤチップ１の光出力との関係に経時変化レベルを対応付けた特性データが予め記憶されている。

特性データは、たとえば図５に示すように順方向電流−相対光束特性を、複数段階（ここでは、「初期」、「１万時間」、「３万時間」、「１０万時間」、「２０万時間」の５段階）の経時変化レベルにそれぞれ対応付けたものであって、ＬＥＤチップ１に流れる順方向電流の大きさとＬＥＤチップ１の相対光束（つまり、ある条件下での光束を「１」とした場合の相対的な光束）とが分かれば、対応する経時変化レベルが一意に求まるものである。図５の例では、ＬＥＤチップに流れる電流を６００ｍＡとした場合、点灯初期に「１．５」であった相対光束は、経時変化が１万時間、３万時間、１０万時間、２０万時間と進むにつれて、図中の矢印のように「１．２」、「０．９」、「０．７」、「０．４」と徐々に低下することを表している。実際には、ＬＥＤチップ１を流れる電流ごとに、ＬＥＤチップ１の光出力と経時変化レベルとを一対一に対応付けたテーブルを前記特性データとして記憶手段に記憶する。

ここにおいて、制御回路１６０には、ＬＥＤチップ１に流れる電流値と光検出素子４で検出されたＬＥＤチップ１の光出力との関係、および上述の特性データに基づいて経時変化レベルを求める監視手段としての機能が備わっている。ここで、ＬＥＤチップ１の光出力は制御回路１６０の記憶手段に一時記憶されており、また、発光装置Ａへの通電量を制御する制御回路１６０に監視手段の機能を設けているから、ＬＥＤチップ１に流れる電流値は監視手段において既知である。すなわち、監視手段においてＬＥＤチップ１に流れる電流値と当該ＬＥＤチップ１の光出力との関係が分かるので、この関係に対応する経時変化レベルを特性データから選択することにより、当該ＬＥＤチップ１の経時変化レベルを求めることができる。本実施形態では、各光検出素子４において各発光色のＬＥＤチップ１の光出力を個別に検出しているので、監視手段における経時変化レベルの判断も各発光色のＬＥＤチップ１ごとに行うものとする。

たとえば図５の特性データを採用した場合に、あるＬＥＤチップ１を流れる電流値が６００ｍＡであって当該ＬＥＤチップ１の相対光束が「１．２」であれば、このＬＥＤチップ１の経時変化レベルは「１万時間」と判断される。ただし、ＬＥＤチップ１に流れる電流値とＬＥＤチップ１の光出力との両方が特性データと完全に一致する必要はなく、一致する特性データがない場合には、近似する経時変化レベルを選択するようにすればよい。

上述した経時変化レベルの算出処理は、照明器具１００の点灯中に常時行うようにしてもよいが、本実施形態ではＬＥＤチップ１の順方向電流を一定値とする点検モードでの照明器具１００の動作時に行うものとする。点検モードでは、照明装置を構成する全ての照明器具１００が同色に点灯し、この状態でＬＥＤチップ１の経時変化レベルが判断される。ここでは、点検モードはコントローラＣＲの操作に応じて開始するものとするが、照明器具１００の毎起動時に自動的に開始するようにしたり、定期的に開始するようにしたりすることも考えられる。

上述のようにして監視手段（制御回路１６０）で求まった経時変化レベルは、照明器具１００からコントローラＣＲに通知される。そして、コントローラＣＲに設けられている表示部（図示せず）が経時変化レベルを報知する報知手段として機能し、当該表示部にて前記経時変化レベルを表示する。ここで、経時変化レベル（つまり、ＬＥＤチップ１の経時変化の程度）そのものを表示部に表示するようにしてもよいが、ユーザがＬＥＤチップ１の寿命時期の目安とし易いように、寿命時期までの残り時間に換算して表示する（たとえば、「残り時間１００００ｈ」と表示する）ことが望ましい。

なお、図５はＬＥＤチップ１の周囲温度を２５℃とした場合の特性データ（電流−相対光束特性）を示したが、周囲温度によって特性データが変化することも考えられるので、複数の温度についてそれぞれ特性データを記憶し、監視手段では、温度センサ等によって検出されるＬＥＤチップ１の周囲温度に対応する特性データを適用するようにしてもよい。

以上説明した本実施形態の照明装置では、ＬＥＤチップ１の経時変化の程度を求めて報知することができるので、ユーザにおいては、ＬＥＤチップ１の経時変化に起因した寿命時期を知ることができ、寿命末期には発光装置Ａあるいは照明器具１００全体を交換するなどの適切な措置をとることが可能である。しかも、ＬＥＤチップ１に流れる電流とＬＥＤチップ１の光出力との関係から、当該ＬＥＤチップ１の経時変化の程度を求めるようにしているので、単にＬＥＤチップ１の累積点灯時間からＬＥＤチップ１の寿命時期を判断する場合に比べると、ＬＥＤチップ１の使用環境や個体差などによりＬＥＤチップ１の経時変化の程度が異なる場合でも精度よくＬＥＤチップ１の寿命時期を判断することができるという利点がある。

また、ＬＥＤチップ１を収納する収納凹所２ａが一表面側に形成され当該収納凹所２ａの内底面にＬＥＤチップ１が実装される実装基板２が、収納凹所２ａの周部から内方へ突出する張出部２ｃを有し、当該張出部２ｃにＬＥＤチップ１からの光を検出する光検出素子４が設けられているので、実装基板２の一表面側において収納凹所２ａの周囲に光検出素子４を配置するためのスペースを確保する必要がなく、光検出素子４を実装基板２に設けながらも実装基板２の小型化が可能になる。

ここにおいて、本実施形態の照明装置では発光装置Ａごとに、発光色の異なる複数種のＬＥＤチップ１ａ〜１ｄが１つのパッケージ内に収納されるとともに、各発光色のＬＥＤチップ１ａ〜１ｄから放射される光を各別に検出する複数の光検出素子４が同パッケージに設けられているので、各発光装置Ａにおいてそれぞれ発光色の異なる複数種のＬＥＤチップ１ａ〜１ｄから放射される光を各別に検出できる。したがって、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄごとに経時変化の程度を求めることができる。

ところで、上記実施形態では、ＬＥＤチップ１の経時変化が進むにつれてＬＥＤチップ１の光出力が徐々に低下する例を示したが、各光検出素子４で検出されるＬＥＤチップ１の光出力が所望の混色光に応じて予め設定された目標値となるように各発光装置Ａの各ＬＥＤチップ１それぞれへの順方向電流の通電量をフィードバック制御する出力補正手段（図示せず）を制御回路１６０に設けてもよい。この場合、ＬＥＤチップ１の経時変化が進むと、当該ＬＥＤチップ１の光出力を目標値に保つために当該ＬＥＤチップ１に流す電流量を増やすことになるので、ＬＥＤチップ１に流れる電流値が分かれば、対応する経時変化レベルが一意に求まる。図５の例においては、相対光束を「１．０」に保つようにした場合、点灯初期に３５０ｍＡであった電流値は、経時変化が１万時間、３万時間と進むにつれて、４５０ｍＡ、６８０ｍＡと徐々に上昇することになる。実際には、ＬＥＤチップ１を流れる電流と経時変化レベルとを一対一に対応付けたテーブルを前記特性データとして記憶手段に記憶しておけばよい。

（実施形態２）
本実施形態の照明装置の基本構成は実施形態１と同じであり、実施形態１では発光装置Ａが発光色の異なる複数種のＬＥＤチップ１ａ〜１ｄを備えていたのに対して、図６に示すように、発光装置Ａが１つのＬＥＤチップ１のみを備えている点が相違する。ここでは、赤色、緑色、青色の各色のＬＥＤチップ１をそれぞれ採用した発光装置Ａを１組として器具本体１１０に実装することにより、各照明器具１００からは各色のＬＥＤチップ１の出力光の混色により様々な光色の光を出力できるものとする。

以下、本実施形態における発光装置Ａについて図６に基づいて説明するが、実施形態１における発光装置Ａと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

本実施形態における発光装置Ａの基本構成は実施形態１と略同じであって、ＬＥＤチップ１が一表面側に搭載される矩形板状のＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの一表面側（図６における上面側）に、ＬＥＤチップ１の両電極とそれぞれ電気的に接続される２つの導体パターン２５ａ，２５ａが形成されるとともに、中間層基板３０に形成された２つの貫通孔配線３４，３４を介して光検出素子４と電気的に接続される２つの導体パターン２５ｂ，２５ｂが形成されており、各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂとシリコン基板２０ａの他表面側（図６における下面側）に形成された４つの外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂ（図６では２７ａの図示を省略する）とがそれぞれ貫通孔配線２４を介して電気的に接続されている。

中間層基板３０は、シリコン基板３０ａの一表面側（図６における下面側）に、ＬＥＤ搭載用基板２０の２つの導体パターン２７ｂ，２７ｂと接合されて電気的に接続される２つの導体パターン３５，３５が形成されている。また、中間層基板３０は、シリコン基板３０ａの他表面側（図６における上面側）に、貫通孔配線３４，３４を介して導体パターン３５，３５と電気的に接続される導体パターン３７，３７が形成されている。

光検出素子形成基板４０は、シリコン基板４０ａの一表面側（図６における下面側）に、中間層基板３０の２つの導体パターン３７，３７と接合されて電気的に接続される２つの導体パターン４７ａ，４７ｂが形成されている。なお、光検出素子形成基板４０は、前記一方の導体パターン４７ａが、絶縁膜４３に形成したコンタクトホール４３ａを通して光検出素子４を構成するフォトダイオードのｐ形領域４３ａと電気的に接続され、前記他方の導体パターン４７ｂが絶縁膜４３に形成したコンタクトホール４３ｂを通して前記フォトダイオードのｎ形領域４ｂと電気的に接続されている。

以上説明した本実施形態の照明装置は、実施形態１と同様、ＬＥＤチップ１を収納する収納凹所２ａが一表面側に形成され当該収納凹所２ａの内底面にＬＥＤチップ１が実装される実装基板２が、収納凹所２ａの周部から内方へ突出する張出部２ｃを有し、当該張出部２ｃにＬＥＤチップ１からの光を検出する光検出素子４が設けられているので、実装基板２の一表面側において収納凹所２ａの周囲に光検出素子４を配置するためのスペースを確保する必要がなく、各発光装置ＡのＬＥＤチップ１から放射される光を各別に検出して各ＬＥＤチップ１ごとに経時変化の程度を求めることができる。

なお、本実施形態では、実装基板２の収納凹所２ａの内底面に１つのＬＥＤチップ１を実装してあるが、ＬＥＤチップ１の数は特に限定するものではなく、発光色が同じ複数のＬＥＤチップ１を収納凹所２ａの内底面に実装するようにしてもよい。

その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

（実施形態３）
本実施形態の照明装置は、照明器具１００を図７に示すようにシーリングライトとした点が実施形態１の照明装置と相違する。

この照明器具１００は、天井材のような造営材２００に取り付けられる円盤状の器具本体１１０を備えている。器具本体１１０は、造営材２００側とは反対側の一面（図７（ａ）の下面）に円形状に開口した凹所１１１が形成され、さらに凹所１１１の内底面に、複数個（本実施形態では、８個）の発光装置Ａを実装した円板状のプリント配線板からなる回路基板１３０を収納する収納凹所１１２が形成されている。

ここにおいて、本実施形態の照明器具１００では、回路基板１３０を器具本体１１０に取り付けることにより、各発光装置Ａが器具本体１１０に保持されている。ここでは、制御回路１６０も回路基板１３０に実装されている。なお、器具本体１１０は、例えば、Ａｌ、Ｃｕなどの熱伝導率の高い金属材料により形成されている。

器具本体１１０の他面（図７（ａ）の上面）の中央部には造営材２００に形成された円形状の取付孔２０１に挿入される円柱状の埋込部１１３が突設されており、器具本体１１０は、回路基板１３０への給電用の２本の電線１９６を収納凹所１１２内へ導入するための電線挿通孔１１４が、埋込部１１３の先端面と収納凹所１１２の内底面の中央部との間の部位に貫設されている。要するに、器具本体１１０は、収納凹所１１２の底部に電線挿通孔１１４が貫設されている。なお、各電線１９６における回路基板１３０に接続される一端側とは反対の他端側には、別置の電源ユニット（図示せず）の出力用の第１のコネクタ（図示せず）に着脱自在に接続される第２のコネクタ１９７が設けられている。

また、上述の器具本体１１０には、当該器具本体１１０を造営材２００に取り付けるための複数（本実施形態では、２つ）の取付ねじ１１８をそれぞれ前記一面側から挿通する複数（本実施形態では、２つ）のねじ挿通孔１１５が凹所１１１の内底面と器具本体１１０の前記他面との間の部位に貫設されている。したがって、天井材などの造営材２００に取付ねじ１１８を用いて器具本体１１０を取り付けることができる。

また、本実施形態の照明器具１００は、回路基板１３０の一表面側（図７（ａ）の下面側）に配置される透光性カバー１４０と、器具本体１１０の前記一面側において収納凹所１１２の周部および各取付ねじ１１８を覆う形で器具本体１１０に取着される枠状の化粧カバー１５０を備えている。つまり、器具本体１１０を取付ねじ１１８を用いて造営材２００に取り付けた後で、器具本体１１０に化粧カバー１５０を取り付ければ、器具本体１１０の前記一面側から取付ねじ１１８が見えなくなるので、見栄えを良くすることができる。

透光性カバー１４０は、回路基板１３０の前記一表面側において回路基板１３０から離間して配置される前板部１４０ａと、前板部１４０ａの周縁から器具本体１１０の収納凹所１１１の内底面側へ連続一体に突出した円環状の側板部１４０ｂとを備えている。ここで、器具本体１１０には、透光性カバー１４０を固定するための固定ねじ１１９を挿通する２つのねじ挿通孔１１７が形成されており、透光性カバー１４０には、器具本体１１０の前記他面側から器具本体１１０のねじ挿通孔１１７に挿通された固定ねじ１１９の先端部が螺合するねじ孔１４０ｄを有する２つのボス部１４０ｃが連続一体に形成されている。

なお、本発明は、上記構成の照明器具１００に限らず様々な形態の照明器具１００に用いることが可能であって、たとえばダウンライトのような照明器具に適用することもできる。その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

ところで、上記各実施形態では、記憶手段および監視手段を照明器具１００の制御回路１６０に設け、報知手段をコントローラＣＲに設けた例を示したが、この例に限らず、たとえば、コントローラＣＲに記憶手段および監視手段の機能を設けたり、あるいは照明器具１００に報知手段としての機能を設けたりすることも考えられる。また、報知手段は表示部のように経時変化レベルを視覚的に報知する手段に限らず、音声等で報知するものであってもよい。

（ａ）は本発明の実施形態１の照明装置を示す概略システム構成図、（ｂ）は同上に用いる発光装置の概略断面図である。同上に用いる発光装置の構成を示す概略平面図である。同上に用いる発光装置の構成を示す概略分解斜視図である。同上に用いる光検出素子形成基板の概略下面図である。同上のＬＥＤチップの順方向電流−相対光束特性を示す説明図である。本発明の実施形態２に用いる発光装置の構成を示す概略断面図である。本発明の実施形態３に用いる照明器具の構成を示し、（ａ）は一部破断した概略側面図、（ｂ）は概略下面図である。

符号の説明

１ＬＥＤチップ
２実装基板
２ａ収納凹所
２ｃ張出部
４光検出素子
１００照明器具
１６０制御回路
Ａ発光装置
ＣＲコントローラ

Claims

一表面側に収納凹所が形成された実装基板と、収納凹所に収納される形で収納凹所の内底面に実装されたＬＥＤチップとを具備し、収納凹所の周部から収納凹所の内方へ突出する形に形成された張出部にＬＥＤチップの光出力を計測する光検出素子が配設された発光装置と、ＬＥＤチップの経時変化の程度を示す経時変化レベルをＬＥＤチップに流れる電流とＬＥＤチップの光出力との関係に対応付けた特性データを記憶した記憶手段と、ＬＥＤチップに流れる電流と光検出素子の出力との関係および特性データに基づいて経時変化レベルを求める監視手段と、監視手段で求めた経時変化レベルを報知する報知手段とを備えることを特徴とする照明装置。
前記記憶手段には、前記ＬＥＤチップに流れる電流を所定値としたときのＬＥＤチップの光出力と前記経時変化レベルとの対応関係が前記特性データとして記憶されており、前記監視手段は、ＬＥＤチップに流れる電流を前記所定値とした状態で、前記光検出素子の出力および特性データに基づいて経時変化レベルを求めることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
前記記憶手段には、前記ＬＥＤチップの光出力を予め設定された目標値としたときのＬＥＤチップに流れる電流と前記経時変化レベルとの対応関係が前記特性データとして記憶されており、前記発光装置は、前記光検出素子で検出されるＬＥＤチップの光出力が前記目標値に維持されるようにＬＥＤチップに流す電流を制御する出力補正手段を具備し、前記監視手段は、ＬＥＤチップに流れる電流および前記特性データに基づいて経時変化レベルを求めることを特徴とする請求項１記載の照明装置。