JP2010020717A - 非接触icカードの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による非接触ICカード1の製造方法において、まず、表面側基材2と裏面側基材5との間に、インレットシート8を介在させたICカード積層体12が作製される。次に、ICカード積層体12のうち、表面側基材2と裏面側基材5の前方端縁近傍2a、5aおよび両側端縁近傍2b、5bを仮接合するとともに、インレットシート8と表面側基材2との間の前方端縁近傍2aもしくは両側端縁近傍2b、またはインレットシート8と裏面側基材5との間の前方端縁近傍5aもしくは両側端縁近傍5bを仮接合手段24を用いて仮接合される。その後、表面側基材2および裏面側基材5とインレットシート8とを接着させる。
【選択図】図5
Description
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。ここで、図1乃至図5は、本発明による非接触ICカードの製造方法の第1の実施の形態を示す図である。このうち、図1は、本発明の第1の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ICカードの断面構成を示す図であり、図2は、本発明の第1の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ICカードのインレットシートの一例を示す斜視図であり、図3は、本発明の第1の実施の形態における非接触ICカードの製造方法および製造装置を示す概略図である。また、図4は、本発明の第1の実施の形態における非接触ICカードの製造方法において作製されるICカード積層体を示す斜視図であり、図5は、本発明の第1の実施の形態における非接触ICカードの製造方法において、ICカード積層体を作製する方法を説明する図である。
次に、図6および図7により、本発明の第2の実施の形態における非接触ICカードの製造方法について説明する。ここで図6は、本発明の第2の実施の形態における非接触ICカードの製造方法において使用される超音波ウェルダーを示す図であり、図7は、本発明の第2の実施の形態における非接触ICカードの製造方法において、仮接合を施す方法を説明する図である。
2 表面側基材
2a 前方端縁近傍
2b 両側端縁近傍
3 第1基材
3a 前方端縁
3b 両側端縁
3c アライメントマーク
4 第1ホットメルト層
4a 帯状マージン
4b 帯状マージン
5 裏面側基材
5a 前方端縁近傍
5b 両側端縁近傍
6 第2基材
6a 前方端縁
6b 両側端縁
6c アライメントマーク
7 第2ホットメルト層
7a 帯状マージン
7b 帯状マージン
8 インレットシート
8a 前方端縁近傍
9 インレット用基材
9a 前方端縁
9b 両側端縁
9d 帯状マージン
9c アライメントマーク
10 アンテナ
11 ICチップ
12 ICカード積層体
13 仮接合部
14 仮接合部集合体
20 製造装置
21 第1接着剤塗布手段
22 第2接着剤塗布手段
23 積層手段
24 仮接合手段
25 超音波ウェルダー
26 接着手段
27 加熱ローラ
28 断裁手段
29 熱圧着機
30 接着材塗布機
31 粘着材塗布機
32 超音波ウェルダー
32a ヘッド
42 表面側基材
43 第1基材
45 裏面側基材
46 第2基材
48 インレットシート
49 インレット用基材
50 アライメントマーク
51 アライメントマーク
52 アライメントマーク
53 超音波ウェルダー
Claims (6)
- 非接触ICカードの製造方法において、
第1基材と、第1基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第1ホットメルト層とを含む表面側基材を準備する工程と、
第2基材と、第2基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第2ホットメルト層とを含む裏面側基材を準備する工程と、
インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたICチップと、ICチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートを準備する工程と、
表面側基材の第1ホットメルト層と、裏面側基材の第2ホットメルト層を乾燥して固化する工程と、
表面側基材と裏面側基材間にインレットシートを介在させたICカード積層体を作製する工程と、
ICカード積層体のうち、表面側基材と裏面側基材の前方端縁近傍および両側端縁近傍を仮接合するとともに、インレットシートと表面側基材との間の前方端縁近傍もしくは両側端縁近傍、またはインレットシートと裏面側基材との間の前方端縁近傍もしくは両側端縁近傍を仮接合手段を用いて仮接合する工程と、
少なくとも一対の加熱ローラ間において、仮接合されたICカード積層体を搬送させて、第1ホットメルト層および第2ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させる工程と、を備えたことを特徴とする非接触ICカードの製造方法。 - インレットシートは、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられた複数のICチップと、各ICチップに対応して設けられたアンテナとを有し、
表面側基材とインレットシートとが接着し、かつ裏面側基材とインレットシートとが接着した後、ICカード積層体をICチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ICカードを得る工程を更に備えたことを特徴とする請求項1に記載の非接触ICカードの製造方法。 - 仮接合手段は、超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機からなり、超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機は、ICカード積層体のうち断裁されて得られる非接触ICカード以外の領域に施されることを特徴とする請求項2に記載の非接触ICカードの製造方法。
- 仮接合手段は、超音波ウェルダーからなり、この超音波ウェルダーは、複数のヘッドを含むことを特徴とする請求項3に記載の非接触ICカードの製造方法。
- 第1ホットメルト層は、第1基材の一方の面に、第1基材の前方端縁および両側端縁の内側に所定の帯状マージンを各々残して形成されるとともに、
第2ホットメルト層は、第2基材の一方の面に、第2基材の前方端縁および両側端縁の内側に所定の帯状マージンを各々残して形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の非接触ICカードの製造方法。 - 仮接合する工程において、仮接合手段によりICカード積層体の複数箇所に仮接合が行われて複数の仮接合部が形成され、各仮接合部間の距離は、1〜20mmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の非接触ICカードの製造方法。
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