JP2010016236A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010016236A JP2010016236A JP2008175743A JP2008175743A JP2010016236A JP 2010016236 A JP2010016236 A JP 2010016236A JP 2008175743 A JP2008175743 A JP 2008175743A JP 2008175743 A JP2008175743 A JP 2008175743A JP 2010016236 A JP2010016236 A JP 2010016236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous film
- forming
- pattern region
- film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
- H01L21/76811—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures involving multiple stacked pre-patterned masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76826—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by contacting the layer with gases, liquids or plasmas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に多孔質膜を形成する工程と、前記多孔質膜の第1のパターン領域に所定の深さまで変質化処理を施し、変質層を形成する工程と、前記変質層が形成された前記多孔質膜の前記第1のパターン領域に少なくとも一部が重なる第2のパターン領域に前記所定の深さよりも深くまでエッチングを施し、第1の凹部を形成する工程と、前記第1の凹部を形成した後、前記多孔質膜から前記変質層を選択的に除去して第2の凹部を形成する工程と、を含む。
【選択図】図1B
Description
図1A(a)〜(d)、図1B(e)〜(h)、図1C(i)、(j)は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
この第1の実施の形態によれば、多孔質膜3中に変質層6を形成、除去することにより配線溝10を形成するため、多孔質膜をエッチング等により直接削る場合と比較して、形状精度が高いビアホールおよび配線溝を形成することができる。これにより、形状精度が高く、電気特性の劣化を抑えたビアおよび配線を形成することができる
本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば、ビアホール9および配線溝10の代わりに、チップリング等の、互いに異なる幅および深さを有する2つの溝からなる凹部を形成する方法に適用することができる。この場合、本実施の形態におけるビアホール9の深さと配線溝10の深さの関係と同様に、配線溝10に対応する幅の広い溝の深さよりも、ビアホール9に対応する幅の狭い溝の深さの方が深くなるように凹部が形成される。
Claims (5)
- 半導体基板上に多孔質膜を形成する工程と、
前記多孔質膜の第1のパターン領域に所定の深さまで変質化処理を施し、変質層を形成する工程と、
前記変質層が形成された前記多孔質膜の前記第1のパターン領域に少なくとも一部が重なる第2のパターン領域に前記所定の深さよりも深くまでエッチングを施し、第1の凹部を形成する工程と、
前記第1の凹部を形成した後、前記多孔質膜から前記変質層を選択的に除去して第2の凹部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に多孔質膜を形成する工程と、
前記多孔質膜の第1のパターン領域に所定の深さまで変質化処理を施し、第1の変質層を形成する工程と、
第1の変質層を形成する前または後に、前記多孔質膜の前記第1のパターン領域に少なくとも一部が重なる第2のパターン領域に前記所定の深さよりも深くまで変質化処理を施し、第2の変質層を形成する工程と、
前記多孔質膜から前記第1および第2の変質層を選択的に除去して第1および第2の凹部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1および第2のパターン領域は、配線パターン領域およびビアパターン領域であり、
前記第1および第2の凹部は、ビアホールおよび配線溝であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記変質化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理の処理時間により、前記所定の深さを制御することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008175743A JP2010016236A (ja) | 2008-07-04 | 2008-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
US12/477,688 US7902076B2 (en) | 2008-07-04 | 2009-06-03 | Method of fabricating semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008175743A JP2010016236A (ja) | 2008-07-04 | 2008-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010016236A true JP2010016236A (ja) | 2010-01-21 |
Family
ID=41464709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008175743A Abandoned JP2010016236A (ja) | 2008-07-04 | 2008-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7902076B2 (ja) |
JP (1) | JP2010016236A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10727278B2 (en) | 2018-03-19 | 2020-07-28 | Toshiba Memory Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9706581B2 (en) * | 2010-05-31 | 2017-07-11 | Blackberry Limited | Method and apparatus for back-off algorithm having different retry time classes |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6171951B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-01-09 | United Microelectronic Corp. | Dual damascene method comprising ion implanting to densify dielectric layer and forming a hard mask layer with a tapered opening |
JP2004031637A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線構造の形成方法 |
US6706611B2 (en) * | 2000-12-06 | 2004-03-16 | Macronix International Co., Ltd. | Method for patterning a dual damascene with retrograde implantation |
JP2006108336A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006339281A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | ホール形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6335261B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Directional CVD process with optimized etchback |
US6372660B1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-04-16 | Macronix International Co., Ltd. | Method for patterning a dual damascene with masked implantation |
US6926843B2 (en) * | 2000-11-30 | 2005-08-09 | International Business Machines Corporation | Etching of hard masks |
JP2004071705A (ja) | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4057972B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-03-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7786016B2 (en) * | 2007-01-11 | 2010-08-31 | Micron Technology, Inc. | Methods of uniformly removing silicon oxide and a method of removing a sacrificial oxide |
-
2008
- 2008-07-04 JP JP2008175743A patent/JP2010016236A/ja not_active Abandoned
-
2009
- 2009-06-03 US US12/477,688 patent/US7902076B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6171951B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-01-09 | United Microelectronic Corp. | Dual damascene method comprising ion implanting to densify dielectric layer and forming a hard mask layer with a tapered opening |
US6706611B2 (en) * | 2000-12-06 | 2004-03-16 | Macronix International Co., Ltd. | Method for patterning a dual damascene with retrograde implantation |
JP2004031637A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線構造の形成方法 |
JP2006108336A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006339281A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | ホール形成方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10727278B2 (en) | 2018-03-19 | 2020-07-28 | Toshiba Memory Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100003818A1 (en) | 2010-01-07 |
US7902076B2 (en) | 2011-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8709942B2 (en) | Methods for fabricating semiconductor devices | |
JP2008294335A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8404580B2 (en) | Methods for fabricating semiconductor devices | |
US9330964B2 (en) | Semiconductor structures and fabrication methods for improving undercut between porous film and hardmask film | |
JP2009135139A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005142369A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPWO2007078011A1 (ja) | 多層配線の製造方法と多層配線構造 | |
US7553757B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2015167153A (ja) | 集積回路装置及びその製造方法 | |
JP2007059434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000188330A (ja) | デュアルダマシン配線の形成方法 | |
JP5201326B2 (ja) | 多層配線の製造方法 | |
JP5047504B2 (ja) | ビアキャッピング保護膜を使用する半導体素子のデュアルダマシン配線の製造方法 | |
JP4540504B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010016236A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006135363A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2010165760A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011134885A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009016619A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006319116A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20070273027A1 (en) | Method of forming dual damascene pattern | |
US6642139B1 (en) | Method for forming interconnection structure in an integration circuit | |
JP2011023449A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008041783A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5424551B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100803 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100927 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110627 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110628 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110629 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110630 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120928 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20121012 |