JP2010010283A - オゾンガス利用表面処理方法とその装置 - Google Patents
オゾンガス利用表面処理方法とその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010010283A JP2010010283A JP2008165914A JP2008165914A JP2010010283A JP 2010010283 A JP2010010283 A JP 2010010283A JP 2008165914 A JP2008165914 A JP 2008165914A JP 2008165914 A JP2008165914 A JP 2008165914A JP 2010010283 A JP2010010283 A JP 2010010283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ozone
- surface treatment
- ozone gas
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 150
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 7
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005949 ozonolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。
【選択図】 図1
Description
さらに、オゾンガスの酸化反応性を有効に利用するためには、オゾンから生成された原子状酸素を有効に基板表面に到達させることが必要であり、そのためには、酸素分子の密度を下げること、若しくは原子状酸素の生成箇所を基板に近づける必要があった。
この酸化膜製造装置は、表面に酸化膜を形成するワーク(1)を収容保持する処理チャンバー(2)に酸素で希釈された高濃度オゾンガスとキセノンガスとの混合ガスを供給する処理ガス供給路(3)と、処理ガス排出路(4)とを連通接続してある。
この図によると、紫外線照射なしの場合の酸化膜厚は1.6nm程度であるのに対し、紫外線照射を伴う場合には、2.1nmまで酸化膜厚は増加していることが分かる。
この場合、1cm×1cmのレジスト付きウエハを内容積300ccのチャンバー内に設置し、波長254nmの紫外光を照射した。処理条件としては、圧力27Torr、基板温度55℃であった。
図7から、同じオゾン濃度であっても、キセノンガスで希釈した場合のほうが酸素で希釈した場合よりもアッシング速度を大きくとることができることが分かる。
Claims (12)
- オゾンガスを使用して表面処理を行う表面処理方法であって、
希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させるとともに、該混合ガスに紫外光を照射作用させることを特徴とするオゾンガス利用表面処理方法。 - 表面処理がシリコン酸化処理である請求項1に記載のオゾンガス利用表面処理方法。
- 表面処理がレジストアッシング処理である請求項1に記載のオゾンガス利用表面処理方法。
- 希ガスがキセノンである請求項1〜3のいずれか1項に記載のオゾンガス利用表面処理方法。
- 混合ガス中の酸素ガス混合割合が30 vol%以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載のオゾンガス利用表面処理方法。
- 被処理物が加熱した状態にある請求項1〜5のいずれか1項に記載のオゾンガス利用表面処理方法。
- 被処理物を収容する処理チャンバー(2)にオゾンガスと希ガスとの混合ガスを導入する導入口(17)と、混合ガスの導出口(18)とを配置するとともに紫外線透過窓(15)を配置し、この紫外線透過窓(15)に対応させて紫外線光源(16)を位置させ、処理チャンバー(2)に収容された被処理物(1)の表面を処理するようにしたことを特徴とするオゾンガス利用表面処理装置。
- オゾンガスと希ガスとの混合ガスと紫外線光源(16)からの紫外光で被処理物(1)の表面を酸化処理する請求項7に記載のオゾンガス利用表面処理装置。
- オゾンガスと希ガスとの混合ガスと紫外線光源(16)からの紫外光で被処理物(1)の表面をレジストアッシング処理する請求項7に記載のオゾンガス利用表面処理装置。
- 希ガスがキセノンである請求項7〜9のいずれか1項に記載のオゾンガス利用表面処理装置。
- 混合ガス中の酸素ガス混合割合が30 vol%以下である請求項7〜10のいずれか1項に記載のオゾンガス利用表面処理装置。
- 処理室内の被処理物を加熱する加熱手段(14)が装備されている請求項7〜11のいずれか1項に記載のオゾンガス利用表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008165914A JP5267980B2 (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | オゾンガス利用表面処理方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008165914A JP5267980B2 (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | オゾンガス利用表面処理方法とその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010010283A true JP2010010283A (ja) | 2010-01-14 |
JP5267980B2 JP5267980B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=41590441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008165914A Active JP5267980B2 (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | オゾンガス利用表面処理方法とその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5267980B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013178372A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Hoya Corp | 転写用マスク及びその製造方法、並びに、マスクブランク及びその製造方法 |
WO2015098387A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
WO2017154634A1 (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置、および被処理物体の表面と窓部材との間隔調整方法 |
US20200098556A1 (en) * | 2018-09-24 | 2020-03-26 | Applied Materials, Inc. | Atomic oxygen and ozone device for cleaning and surface treatment |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04246161A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-09-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 基板表面を酸化処理するための方法及び半導体の構造 |
JPH09129632A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2000133651A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001179079A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Tokyo Electron Ltd | オゾン処理装置及びオゾン処理方法 |
JP2007258096A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008251956A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Meidensha Corp | 酸化膜の形成方法及びその装置 |
-
2008
- 2008-06-25 JP JP2008165914A patent/JP5267980B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04246161A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-09-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 基板表面を酸化処理するための方法及び半導体の構造 |
JPH09129632A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2000133651A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001179079A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Tokyo Electron Ltd | オゾン処理装置及びオゾン処理方法 |
JP2007258096A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008251956A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Meidensha Corp | 酸化膜の形成方法及びその装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013178372A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Hoya Corp | 転写用マスク及びその製造方法、並びに、マスクブランク及びその製造方法 |
WO2015098387A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
JP2015120129A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
WO2017154634A1 (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置、および被処理物体の表面と窓部材との間隔調整方法 |
JP2017163066A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置、および被処理物体の表面と窓部材との間隔調整方法 |
US20200098556A1 (en) * | 2018-09-24 | 2020-03-26 | Applied Materials, Inc. | Atomic oxygen and ozone device for cleaning and surface treatment |
CN112703588A (zh) * | 2018-09-24 | 2021-04-23 | 应用材料公司 | 用于清洁和表面处理的原子氧和臭氧装置 |
JP2022502851A (ja) * | 2018-09-24 | 2022-01-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | 洗浄および表面処理のための原子状酸素およびオゾン装置 |
JP7342112B2 (ja) | 2018-09-24 | 2023-09-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 洗浄および表面処理のための原子状酸素およびオゾン装置 |
US11908679B2 (en) * | 2018-09-24 | 2024-02-20 | Applied Materials, Inc. | Atomic oxygen and ozone device for cleaning and surface treatment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5267980B2 (ja) | 2013-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20010051163A (ko) | 자외광 조사장치 및 방법 | |
JP2705023B2 (ja) | 被処理物の酸化方法 | |
US20170144891A1 (en) | Phases interface reactor and methods for producing reaction product and secondary reaction product using phases interface reaction | |
JP6948808B2 (ja) | 基板の蒸気相ヒドロキシルラジカル処理のためのシステム及び方法 | |
JP5267980B2 (ja) | オゾンガス利用表面処理方法とその装置 | |
US7214412B2 (en) | Magenta toner and method for producing same | |
JP2009094503A (ja) | 紫外線による材料キュアのための半導体処理装置及び方法 | |
JP6241384B2 (ja) | 自己組織化単分子膜のパターニング装置、光照射装置及び自己組織化単分子膜のパターニング方法 | |
RU2680113C1 (ru) | Способ обработки подложек с помощью водосодержащей жидкой среды, подвергаемой ультрафиолетовому облучению | |
WO2003088337A1 (fr) | Appareil et procede de decapage | |
WO2016208110A1 (ja) | 光処理装置および光処理方法 | |
JP2013154145A (ja) | 空気浄化装置 | |
JP2007251071A (ja) | 酸化薄膜の作成方法 | |
WO2020183920A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
Kubodera et al. | Subpicosecond vacuum ultraviolet laser system for advanced materials processing | |
JPH0612766B2 (ja) | 光照射装置 | |
JP3392789B2 (ja) | 熱酸化方法およびその装置 | |
JP2588508B2 (ja) | 処理装置 | |
JP2004152842A (ja) | 紫外光照射による処理方法および紫外光照射装置 | |
JP3815503B2 (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 | |
JP3702852B2 (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 | |
JP2011251228A (ja) | 表面改質処理装置 | |
CN212302327U (zh) | 一种用于准分子灯的光强和臭氧浓度控制装置 | |
JP3910190B2 (ja) | 洗浄装置 | |
JP7086881B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5267980 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |