JP2010010210A5 - - Google Patents
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Description
本発明の一態様によれば、所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハを保持するためのウェーハ保持具と、前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの加熱面に対向して加熱を行う加熱機構と、前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを前記加熱機構に対向する加熱面とするか前記ウェーハの表面内輻射率分布に応じた加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置が提供される。
本発明の一態様によれば、所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハの前記表面内の輻射率分布を検出する工程と、前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを加熱機構に対向する加熱面とするかを、検出された前記ウェーハの表面内輻射率分布に基づき決定する工程と、前記加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させる工程と、前記加熱面の決定に応じて回転された前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するようウェーハ保持具に搬送する工程と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの前記加熱面に対向して前記加熱機構から加熱を行う工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの前記加熱面に対向して前記加熱機構から加熱を行う工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
Claims (5)
- 所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハを保持するためのウェーハ保持具と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの加熱面に対向して加熱を行う加熱機構と、
前記ウェーハの所定のパターンが形成された表面内の輻射率分布を検出する輻射率分布検出機構と、
前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを前記加熱機構に対向する加熱面とするかを、前記輻射率分布検出機構により検出された前記ウェーハの表面内輻射率分布に基づき決定する加熱面判断機構と、
前記加熱面判断機構により決定された加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、
前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有する第1及び第2のウェーハからなる2枚のウェーハを互いに所定の距離だけ離して保持するためのウェーハ保持具と、
前記ウェーハ保持具の両側において互いに対向するように配置され、前記ウェーハ保持具に保持された前記第1のウェーハの加熱面に対向して加熱を行う第1の加熱機構と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記第2のウェーハの加熱面に対向して加熱を行う第2の加熱機構と、
前記第1及び第2のウェーハの所定のパターンが形成された各表面内の輻射率分布を検出する輻射率分布検出機構と、
前記第1及び第2ウェーハの表面及び裏面のいずれを前記加熱機構に対向する加熱面とするかを、前記輻射率分布検出機構により検出された前記第1及び第2のウェーハの各表面内輻射率分布に基づき決定する加熱面判断機構と、
前記加熱面判断機構により決定された加熱面の決定に応じて前記第1及び第2のウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、
前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記第1及び第2のウェーハを保持して前記第1及び第2のウェーハの前記加熱面が各対向させる前記第1及び第2の加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハを保持するためのウェーハ保持具と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの加熱面に対向して加熱を行う加熱機構と、
前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを前記加熱機構に対向する前記加熱面とするか前記ウェーハの表面内輻射率分布に応じた加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、
前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有する第1及び第2のウェーハからなる2枚のウェーハを互いに所定の距離だけ離して保持するためのウェーハ保持具と、
前記ウェーハ保持具の両側において互いに対向するように配置され、前記ウェーハ保持具に保持された前記第1のウェーハの加熱面に対向して加熱を行う第1の加熱機構と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記第2のウェーハの加熱面に対向して加熱を行う第2の加熱機構と、
前記第1のウェーハの表面及び裏面のいずれを前記第1の加熱機構に対向する前記加熱面とするか及び前記第2のウェーハの表面及び裏面のいずれを前記第2の加熱機構に対向する前記加熱面とするか、前記第1及び第2のウェーハの表面内輻射率分布に応じた各加熱面の決定に応じて前記第1及び第2のウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、
前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記第1及び第2のウェーハを保持して前記第1及び第2のウェーハの前記加熱面が各対向させる前記第1及び第2の加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハの前記表面内の輻射率分布を検出する工程と、
前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを加熱機構に対向する加熱面とするかを、検出された前記ウェーハの表面内輻射率分布に基づき決定する工程と、
前記加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させる工程と、
前記加熱面の決定に応じて回転された前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するようウェーハ保持具に搬送する工程と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの前記加熱面に対向して前記加熱機構から加熱を行う工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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TW550635B (en) * | 2001-03-09 | 2003-09-01 | Toshiba Corp | Manufacturing system of electronic devices |
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JP2003077974A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
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US6849831B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-02-01 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources |
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JP2007095889A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Ushio Inc | 光照射式加熱方法 |
DE112007000345T8 (de) * | 2006-02-09 | 2009-07-16 | Sumco Techxiv Corp., Omura | Suszeptor und Einrichtung zur Herstellung eines Epitaxie-Wafers |
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