JP2010009539A - 情報処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱モジュールの性能低下の有無を精度良く検出することができる情報処理装置を実現する。
【解決手段】発熱デバイス２１の近傍には温度センサ３１が設けられ、温度センサ３１よりも発熱デバイス２１から遠い筐体１１内の所定位置には温度センサ３２が設けられている。温度差検出部４１１は、温度センサ３１によって検知された発熱デバイス２１の温度と温度センサ３２によって検知された筐体１１内の温度との間の温度差を検出する。性能判定部４１３は、温度差がある特定のしきい値ＴＨ１を超えた時点から所定期間中、発熱デバイス２１の温度と筐体１１内の温度との間の温度差を監視する処理を継続して実行し、この監視処理の結果に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、パーソナルコンピュータのような情報処理装置に関し、特に放熱モジュールを備えた情報処理装置に関する。

近年、ラップトップタイプまたはノートブックタイプの種々の携帯型パーソナルコンピュータが開発されている。この種のコンピュータは、例えば、ＣＰＵ、表示コントローラ、ハードディスクドライブ、バスブリッジデバイスのような発熱デバイスを備えている。

発熱デバイスを冷却するための冷却機構としては、ファン、放熱フィン（ヒートシンク）などを利用した放熱モジュールが知られている。

特許文献１には、吸排気口の塞がりを検出する機能を有する電源装置が開示されている。この電源装置においては、外部の温度と電源装置内の温度との差が所定の範囲を超えた時に、電源装置の吸排気口に異常が発生したことが検出され、装置を停止する処理が行われる。
特開２００２−３５７３１７号公報

ところで、コンピュータのような情報処理装置の負荷は、実行対象の処理の内容に応じて大きく変動する。この負荷変動に伴い、発熱デバイスの近傍の温度も変動する。例えば、コンピュータの負荷が瞬時的に上昇する場合には、放熱モジュールによる放熱性能を上回る熱が発熱デバイスから発生され、これによって、発熱デバイスの近傍の温度は一時的に上昇する。その後、放熱モジュールによる熱の排出が進み、発熱デバイスの近傍の温度はある温度範囲内に収まっていく。このように、発熱デバイスの近傍の温度は、負荷変動に応じて変動することになる。

したがって、もし単純に装置外の温度と内部の温度との比較結果のみで放熱モジュールの性能低下の有無を判定したならば、負荷の一時的な上昇を、誤って放熱モジュールの性能低下として判定してしまう可能性がある。

また、通常、放熱モジュールの性能測定を行うためには、ユーザ自身が放熱モジュールの性能測定のための専用の検査プログラムを起動するという操作を行うことが必要される。

この場合、検査プログラムが実行される特定の期間中における放熱モジュールの性能については測定できるものの、検査プログラムが実行されていない、コンピュータの通常動作状態における放熱モジュールの性能については測定することはできない。放熱モジュールが十分に機能しているか否かを正しく判定するためには、コンピュータの通常動作期間中における放熱モジュールの性能を継続的に測定することが必要である。

本発明は上述の事情を考慮してなされたもので、放熱モジュールの性能低下の有無を精度良く検出することができる情報処理装置を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明の情報処理装置は、筐体と、前記筐体内に設けられた発熱デバイスと、前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイスの熱を外部に放出する放熱モジュールと、前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイスの温度を検知する第１温度センサと、前記第１温度センサよりも前記発熱デバイスから遠い前記筐体内の所定位置に設けられ、前記筐体内の温度を検知する第２温度センサと、前記第１温度センサによって検知された前記発熱デバイスの温度から前記第２温度センサによって検知された前記筐体内の温度を引くことによって得られる温度差を検出する温度差検出手段と、前記温度差がしきい値を超えた場合、前記温度差が前記しきい値を超えた時点から所定期間中における前記発熱デバイスの温度変化と前記筐体内の温度変化とを監視する監視処理を実行し、前記発熱デバイスの温度変化と前記筐体内の温度変化との関係に基づいて前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定する性能判定手段とを具備することを特徴とする。

また、本発明の情報処理装置は、筐体と、前記筐体内に設けられたプリント回路基板と、前記プリント回路基板上に配置された発熱デバイスと、前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイスの熱を外部に放出する放熱モジュールと、前記筐体内に設けられ、前記放熱モジュール近傍に位置する、前記プリント回路基板上の第１位置の温度を検知する第１温度センサと、前記第１位置よりも前記放熱モジュールから遠い、前記プリント回路基板上の第２位置の温度を検知する第２温度センサと、前記第１温度センサによって検知された前記第１位置の温度から前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度を引くことによって得られる温度差を検出する温度差検出手段と、前記温度差がしきい値を超えた場合、前記温度差が前記しきい値を超えた時点から所定期間中前記第１位置の温度と前記第２位置の温度との間の温度差を監視する監視処理を実行し、前記監視処理の結果に基づいて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定する性能判定手段とを具備することを特徴とする。

また、本発明の情報処理装置は、筐体と、前記筐体内に設けられたプリント回路基板と、前記プリント回路基板上に配置された発熱デバイスと、前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイスの熱を外部に放出する放熱モジュールと、前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイス近傍で且つ前記発熱デバイスと前記放熱モジュールとの間に位置する、前記プリント回路基板上の第１位置の温度を検知する第１温度センサと、前記第１位置よりも前記発熱デバイスから遠い、前記プリント回路基板上の第２位置の温度を検知する第２温度センサと、前記放熱モジュール側に対向する前記発熱デバイスの辺以外の別の辺の近傍に位置する、前記プリント回路基板上の第３位置の温度を検知する第３温度センサと、前記第１温度センサによって検知された前記第１位置の温度から前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度を引くことによって得られる第１温度差、および前記第３温度センサによって検知された前記第３位置の温度から前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度を引くことによって得られる第２温度差を検出する温度差検出手段と、前記第１温度差または第２温度差の一方がしきい値を超えた場合、前記一方が前記しきい値を超えた時点から所定期間中前記第１位置の温度、前記第２位置の温度、および前記第３位置の温度を監視する監視処理を実行し、前記監視処理の結果に基づいて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定する性能判定手段とを具備することを特徴とする。

本発明によれば、放熱モジュールの性能低下の有無を精度良く検出することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。

（第１実施形態）
まず、図１を参照して、本発明の第１実施形態に係る情報処理装置の構成について説明する。この情報処理装置は、バッテリ駆動可能な携帯型のノートブック型パーソナルコンピュータ１０として実現されている。

図１は、ディスプレイユニットを開いた状態におけるコンピュータ１０を正面側から見た斜視図である。

本コンピュータ１０は、本体としての筐体１１と、ディスプレイユニット１２とから構成される。ディスプレイユニット１２には、ＬＣＤ１７（Liquid Crystal Display）から構成される表示装置が組み込まれており、そのＬＣＤ１７の表示画面はディスプレイユニット１２のほぼ中央に位置されている。

ディスプレイユニット１２は、筐体１１に支持され、その筐体１１に対して筐体１１の上面が露出される開放位置と筐体１１の上面を覆う閉塞位置との間を回動自由に取り付けられている。筐体１１内には、プリント回路基板が設けられており、このプリント回路基板上には、ＣＰＵ、表示コントローラ、ハードディスクドライブ、バスブリッジデバイスのような様々な発熱デバイスが搭載されている。

筐体１１の上面には、キーボード１３、コンピュータ１０を電源オン／オフするためのパワーボタン１４、入力操作パネル１５、およびタッチパッド１６などが配置されている。

入力操作パネル１５は、押されたボタンに対応するイベントを入力する入力装置であり、複数の機能をそれぞれ起動するための複数のボタンを備えている。これらボタン群には、特定のアプリケーションプログラムをそれぞれ起動するためのボタン１５Ａ，１５Ｂも含まれている。

図２には、筐体１１内に設けられた冷却機構の例が示されている。図２に示されているように、筐体１１内には、放熱モジュール２０、発熱デバイス２１、温度センサ３１、３２、３３が設けられている。

発熱デバイス２１は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）、表示コントローラ、ハードディスクドライブ、バスブリッジデバイスのようなデバイスである。発熱デバイス２１は、筐体１１内に設けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）１１１上に配置されている。プリント回路１１１は、コンピュータ１０を構成する各種電子部品を搭載する、いわゆるマザーボードである。

放熱モジュール２０は、冷却対象物である発熱デバイス２１の熱を外部に放出する。

この放熱モジュール２０は、例えば、ファン２２と、放熱フィン（ヒートシンクとも云う）２３とから構成されている。筐体１１の一側壁には排気口１８が設けられている。また、筐体１１の例えば別の側壁には吸気口１９が設けられている。放熱フィン２３は、排気口１８に対向する筐体１１内の位置に設けられている。すなわち、放熱フィン２３は、排気口１８の近傍位置に、排気口１８に対向するように設けられている。放熱フィン２３は受熱部等を介して発熱デバイス２１に熱的に接続されている。具体的には、放熱フィン２３は、ヒートパイプ２４および受熱部２５を介して発熱デバイス２１に熱的に接続されている。

ファン２２は放熱フィン２３を冷却するための冷却ファンであり、放熱フィン２３の近傍に配置されている。ファン２２は、発熱デバイス２１に熱的に接続される放熱フィン２３を空冷することにより、発熱デバイス２１の熱を排気口１８を介して外部に排出する。

温度センサ３１〜３３はプリント回路基板１１１上に設けられている。これら温度センサ３１〜３３の各々は、例えば、プリント回路基板１１１上に取り付けられた、サーミスタまたは専用の温度検知ＩＣなどから構成されている。

温度センサ３１は、発熱デバイス２１の周囲温度を検知するために使用される。具体的には、温度センサ３１は、発熱デバイス２１の近傍に位置する、プリント回路基板１１１上の第１位置の温度（発熱デバイス２１近傍の基板温度）を検知する第１温度センサとして機能する。この温度センサ３１は、発熱デバイス２１の近傍に位置する、プリント回路基板１１１上の第１位置に設けられており、発熱デバイス２１の発熱による基板温度の影響を観測するために使用される。放熱モジュール２０に異常が発生した場合には、発熱デバイス２１から放熱モジュール２０に移る熱の量が減少される。この結果、発熱デバイス２１の熱がプリント回路基板１１１に移り、発熱デバイス２１の近傍に位置する、プリント回路基板１１１上の第１位置の温度は上昇する。このプリント回路基板１１１上の第１位置の温度が温度センサ３１によって検知される。つまり、温度センサ３１は、放熱モジュール２０の異常に起因する温度上昇を検知するためのセンサとして機能する。

温度センサ３２は、第１位置よりも発熱デバイス２１から遠い、プリント回路基板１１１上の第２位置の温度（筐体内温度）を検知する第２温度センサである。具体的には、温度センサ３２は、発熱デバイス２１が発生する熱の影響を受けにくい位置である、基板１１１上の端部に配置されている。発熱デバイス２１は筐体１１内の中央位置から一側壁側にずれた位置に配置されている。この場合、温度センサ３２は、中央位置よりも、一側壁側に対向する別の側壁側にずれた位置に配置すればよい。図２に示すように、発熱デバイス２１を筐体１１内のあるコーナ部に配置した場合には、温度センサ３２は、このコーナ部と対角方向に離れた他のコーナ部に配置すればよい。

温度センサ３２によって検知されるプリント回路基板１１１上の第２位置の温度は、温度センサ３１によって検知されるプリント回路基板１１１上の第１位置の温度（発熱デバイス２１近傍の基板温度）を評価するための基準温度として使用される。

温度センサ３３は、筐体１１に設けられた吸気口１９と放熱モジュール２０との間に位置する基板１１１上の第３位置に設けられている。この温度センサ３３は、基板１１１上の第３位置の温度、つまり吸気口１９から放熱モジュール２０に向けて流れる空気（冷却用空気）の温度を検知する第３温度センサとして使用される。例えば、温度センサ３３は、図２に示すように、放熱モジュール２０に対して、発熱デバイス２１と反対側の位置に設けられている。これにより、発熱デバイス２１の熱に影響を受けずに、外部から流入する空気（冷却用空気）の温度を精度良く検知することができる。

次に、図３を参照して、本コンピュータ１０に設けられた放熱性能測定部４１の構成を説明する。

放熱性能測定部４１は筐体１１内に設けられている。放熱性能測定部４１は、温度センサ３１〜３３を用いて、または温度センサ３１，３２のみを用いて、放熱モジュール２０の性能を測定する。

放熱性能測定部４１は、温度差検出部４１１、温度データ取得部４１２、性能判定部４１３、温度データ保存処理部４１４、および故障予兆検出部４１５を備えている。

温度差検出部４１１は、温度センサ３１によって検知された温度（Ｔ１）から温度センサ３２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）を引くことによって得られる温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）を検出する。

性能判定部４１３は、温度差検出部４１１によって検出された温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がある特定のしきい値ＴＨ１を超えた時に起動される。性能判定部４１３は、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えた時点から所定期間中、温度センサ３１によって検知された温度（Ｔ１）と温度センサ３２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）との間の温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）を監視する監視処理を継続して実行し、この監視処理の結果に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。また、監視処理においては、温度センサ３１によって検知された温度（Ｔ１）と温度センサ３２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）との間の温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）のみならず、冷却用空気の温度（Ｔ２）と筐体１１内の温度（Ｔｒｅｆ）との間の温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）を監視しても良い。これにより、放熱モジュール２０の性能低下の有無のみならず、吸気口の目詰まり等の障害の発生を検出することも出来る。

監視処理においては、性能判定部４１３は、温度データ取得部４１２を介して、温度センサ３１によって検知される発熱デバイス２１近傍の基板温度を示す第１温度サンプル値と、温度センサ３２によって検知される筐体内温度を示す第２温度サンプル値とのペアを取得する取得処理を実行する。この取得処理は、所定期間中において、所定の時間間隔（例えば３秒間隔）で繰り返し実行される。そして、性能判定部４１３は、所定期間中に取得されたペア群に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。この場合、第１温度サンプル値から第２温度サンプル値を引いた差が基準値Ｋを超えるペアの個数に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定することができる。

具体的には、性能判定部４１３は、所定期間中に取得されたペア毎に第１温度サンプル値（Ｔ１）と第２温度サンプル値（Ｔｒｅｆ）との間の差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）を算出し、Ｔ１−Ｔｒｅｆが基準値Ｋを超えるという条件を満たすペアの個数を算出する。所定期間中に取得されたペア群の中に、Ｔ１−Ｔｒｅｆが基準値Ｋを超えるという条件を満たすペアがある基準個数よりも多く存在する場合には、性能判定部４１３は、放熱モジュール２０の性能が低下したと判定する。基準値Ｋとしては、しきい値ＴＨ１よりも大きい値を使用することができる。

また、監視処理においては、上述の取得処理は、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値を超えていることを条件に実行してもよい。この場合、性能判定部４１３は、３秒毎のサンプリングタイミング毎に、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値を超えているか否かを判定する。温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値を超えている場合には、性能判定部４１３は、温度センサ３１によって検知される発熱デバイス近傍の基板温度を示す第１温度サンプル値と温度センサ３２によって検知される筐体内温度を示す第２温度サンプル値とのペアを取得する取得処理を実行する。一方、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値を超えていない場合には、性能判定部４１３は、取得処理の実行をスキップし、次のサンプリングタイミングの到来まで待機する。そして、性能判定部４１３は、所定期間中に所定個数のペアが取得できたか否かに応じて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。例えば、所定期間中に所定個数のペアが取得されたならば、放熱モジュール２０の性能が低下したと判定される。

所定期間中に所定個数のペアが取得できたか否かに応じて放熱モジュール２０の性能低下の有無を判定するのではなく、所定期間中に取得された所定個数のペアをさらに解析してもよい。すなわち、性能判定部４１３は、所定期間中に所定個数のペアが取得された場合、所定個数のペアの中に含まれる、第１温度サンプル値（Ｔ１）から第２温度サンプル値（Ｔｒｅｆ）を引いた差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が基準値Ｋを超えるペアの個数を算出し、算出されたペアの個数が基準個数を超える場合、放熱モジュール２０の性能が低下したと判定する。

性能判定部４１３による監視処理は、コンピュータ１０の通常動作中に温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えたことが温度差検出部４１１によって検出される度に実行される。

温度データ保存処理部４１４は、監視処理が実行される度に性能判定部４１３によって取得される第１温度のサンプル値と第２温度サンプル値とのペア群を１セットの温度データとしてデータベース５００に保存する。データベース５００はコンピュータ１０に設けられた記憶装置である。ユーザがコンピュータ１０を購入してからの経過日数が増えるにつれ、データベース５００に蓄積される温度データのセット数は増える。故障予兆検出部４１５は、データベース５００に複数セットの温度データが保存された後、それら複数セットの温度データをデータベース５００から読み出す。そして、故障予兆検出部４１５は、それら読み出した複数セットの温度データを分析し、複数セットの温度データによって示される、発熱デバイス２１の温度変化の傾向から放熱モジュール２０の故障に関する予兆を検出する。例えば、故障予兆検出部４１５は、データベース５００に蓄積された複数セットの温度データから放熱モジュール２０の性能低下の傾向を把握し、故障の予兆の有無を検出する。この場合、未来のいつ頃に放熱モジュール２０の故障が発生する可能性があるかを予測するようにしてもよい。

図４は、コンピュータ１０の消費電力と、発熱デバイス近傍の基板温度および筐体内温度との関係を示している。

発熱デバイス２１の負荷が増えてその消費電力が増えるほど、コンピュータ１０の消費電力も増える。つまり発熱デバイス２１の負荷が増えてその消費電力が増えるほど、温度センサ３１の検出温度（発熱デバイス近傍の基板温度）は増加する。一方、温度センサ３２の検出温度（筐体内温度）は発熱デバイス２１の消費電力が増えてもほとんど増加しない。図４において、実線Ｌ１は、放熱モジュール２０が正常に動作している場合における消費電力と温度センサ３１の検出温度との関係を示している。また、破線Ｌ２は、放熱モジュール２０の性能が低下した場合における消費電力と温度センサ３１の検出温度との関係を示している。放熱モジュール２０の性能が低下した場合（例えば、ファンの性能低下、ヒートパイプの不具合などが発生した場合）、破線Ｌ２に示すように、温度上昇の傾きが大きくなる。実線Ｌ３は、消費電力と温度センサ３２の検出温度との関係を示している。

図５は、コンピュータ１０の消費電力と、冷却空気の温度との関係を示している。

温度センサ３３の検出温度（冷却空気の温度）は、平常時には、実線Ｌ５に示すように、消費電力が変わってもほとんど変化しない。しかし、吸気口１９に埃が溜まる、詰まる等して吸気口１９が閉塞すると、筐体１１内の排気が適切にされなくなるので、温度センサ３３の検出温度は、破線Ｌ６に示すように、上昇する。

したがって、温度センサ３１の検出温度（Ｔ１）と温度センサ３２の検出温度（Ｔｒｅｆ）との間の温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えた時のみならず、温度センサ３３の検出温度（Ｔ２）と温度センサ３２の検出温度（Ｔｒｅｆ）との間の温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ２を超えたことをトリガとして、上述の監視処理を開始してもよい。

次に、図６を参照して、本コンピュータ１０のシステム構成を説明する。

本コンピュータ１０は、ＣＰＵ１１１、ノースブリッジ１１２、主メモリ１１３、表示コントローラ１１４、サウスブリッジ１１５、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１１６、ネットワークコントローラ１１７、フラッシュＢＩＯＳ−ＲＯＭ１１８、エンベデッドコントローラ／キーボードコントローラＩＣ（ＥＣ／ＫＢＣ）１１９、および電源コントローラ１２０等を備えている。

ＣＰＵ１１１は、本コンピュータ１０の各コンポーネントの動作を制御するプロセッサである。このＣＰＵ１１１は、ＨＤＤ１１６から主メモリ１１３にロードされる、オペレーティングシステムおよび各種アプリケーションプログラム／ユーティリティプログラムを実行する。また、ＣＰＵ１１１は、フラッシュＢＩＯＳ−ＲＯＭ１１８に格納されたシステムＢＩＯＳ（基本入出力システム：Basic Input Output System）も実行する。システムＢＩＯＳはハードウェア制御のためのプログラムである。

ノースブリッジ１１２は、ＣＰＵ１１１のローカルバスとサウスブリッジ１１５との間を接続するブリッジデバイスである。また、ノースブリッジ１１２は、ＡＧＰ（Accelerated Graphics Port）バスなどを介して表示コントローラ１１４との通信を実行する機能も有している。さらに、ノースブリッジ１１２には、主メモリ１１３を制御するメモリコントローラも内蔵されている。

表示コントローラ１１４は、本コンピュータ１０のディスプレイモニタとして使用されるＬＣＤ１２１を制御する。表示コントローラ１１４は描画演算機能を有しており、グラフィクスアクセラレータとして機能する。サウスブリッジ１１５は、ＰＣＩ（Peripheral Component Interconnect）バスおよびＬＰＣ（Low Pin Count）バスにそれぞれ接続されている。

エンベデッドコントローラ／キーボードコントローラＩＣ（ＥＣ／ＫＢＣ）１１９は、電力管理のためのエンベデッドコントローラと、キーボード（ＫＢ）１３およびタッチパッド１６などを制御するキーボードコントローラとが集積された１チップマイクロコンピュータである。エンベデッドコントローラ／キーボードコントローラＩＣ１１９は、電源コントローラ１２０と協働して、ユーザによるパワーボタンスイッチ１４の操作に応じて本コンピュータ１０を電源オン／電源オフする。電源コントローラ１２０は、バッテリ１２１、またはＡＣアダプタ１２２を介して供給される外部電源を用いて本コンピュータ１０の各コンポーネントに供給すべきシステム電源を生成する。

図６のシステムにおいては、例えば、ＣＰＵ１１１、表示コントローラ１１４、ノースブリッジ１１２、ＨＤＤ１１６などが発熱デバイスとなる。

以下、図７を参照して、図６のシステムに適用される冷却機構の例を説明する。

上述の放熱性能測定部４１は、例えば、ＥＣ／ＫＢＣ１１９内に搭載し得る。このＥＣ／ＫＢＣ１１９内には、放熱フィン異常検出部６１およびファン制御部６２も設けられている。

抵抗２２１およびオペアンプ２２２は、ファン２２に供給される電源電流（ファン電流）を検出する電源電流検出部２２０として機能する。もし放熱フィン２３の目詰まりが発生すると、空気が流れなくなり、ファン２２の抵抗が減少する。この結果、目詰まりが発生すると、あるファン回転数に対応する電源電流の値は減少される。電源電流検出部２２０によって検出される電源電流の値は、電源コントローラ１２０を介して放熱フィン異常検出部６１に供給される。

放熱フィン異常検出部６１は、ファン２２の現在の回転数と電源電流検出部２２０によって検出される電源電流の値との関係に基づいて、放熱フィン２３の目詰まりを検出する。放熱フィン異常検出部６１は、ファン２２の回転数を例えばファン制御部６２から取得する。ファン制御部６２は、ファン２２の回転数を制御する。ファン２２の回転数の制御は、例えば、温度センサ３１によって検出される温度に応じて実行される。温度センサ３１によって検出される温度が増加するほど、ファン２２の回転数は増加される。ファン制御部６２は、ファン２２から出力される回転数信号に応じて、ファン２２の回転数を検出することもできる。回転数信号は例えばパルス信号であり、ファン２２の１回転当たり例えば２つのパルス信号がファン２２から回転数信号として出力される。

上述の放熱性能測定部４１の一部の機能はＣＰＵ１１１によって実行されるプログラムによって実現することも出来る。

図８は、放熱性能測定部４１の一部の機能をプログラムによって実現した場合に対応する、ハードウェアとソフトウェアとの関係を示している。

ファン２２の電源電流値は電源コントローラ１２０からＥＣ／ＫＢＣ１１９に送られる。ＥＣ／ＫＢＣ１１９には、例えば、図３の温度差検出部４１１が設けられる。ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値を超えた時、監視処理を起動するためのイベントを発生する。このイベントは、ＢＩＯＳ、およびＯＳを介して、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００に渡される。この放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、図３の温度データ取得部４１２、性能判定部４１３、温度データ保存処理部４１４、および故障予兆検出部４１５それぞれに対応する機能を有している。

次に、図９のフローチャートを参照して、ＥＣ／ＫＢＣ１１９によって実行される温度差検出処理の手順を説明する。

ＥＣ／ＫＢＣ１１９内の温度差検出部４１１は、コンピュータ１０が電源オン状態である期間中、以下の処理を実行する。すなわち、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、所定の時間間隔毎に、温度センサ３１，３２，３３それぞれから検出温度を取得する温度測定処理を実行する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。そして、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、温度センサ３１によって検知された温度Ｔ１から温度センサ３２によって検知された温度Ｔｒｅｆを引くことによって得られる温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）を算出する。そして、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、この温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えているか否かを判定する（ステップＳ１３）。

温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えているならば（ステップＳ１３のＹＥＳ）、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、監視処理の開始を指示するためのイベントを発生し、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００に監視処理の開始を指示する（ステップＳ１４）。ステップＳ１４では、例えば、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、ＣＰＵ１１１への割り込み信号を発生し、これによって、ＢＩＯＳおよびＯＳを通じて、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００にイベントの発生を通知する。

なお、ステップＳ１３においては、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、温度センサ３３によって検知された温度Ｔ２から温度センサ３２によって検知された温度Ｔｒｅｆを引くことによって得られる温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）を算出し、この温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）があるしきい値ＴＨ２を超えているか否かを判定してもよい。温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ２を超えた場合にも、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、監視処理の開始を指示するためのイベントを発生し、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００に監視処理の開始を指示することができる（ステップＳ１４）。

次に、図１０のフローチャートを参照して、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００によって実行される監視処理の手順を説明する。

放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、上述のイベントを受信した時、以下の処理を開始する。まず、監視処理の概要について説明する。

放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、ＥＣ／ＫＢＣ１１９からのイベントを受けると、温度センサ３１によって検知された温度を示す第１温度サンプル値と温度センサ３２によって検知された温度を示す第２温度サンプル値とを含むペア（サンプルデータ）をＥＣ／ＫＢＣ１１９からリードする。なお、第１温度サンプル値と第２温度サンプル値とのペアのみならず、温度センサ３３によって検知された温度を示す第３温度サンプル値も一緒にリードしてもよい。以下では、第１温度サンプル値と第２温度サンプル値とのペアをサンプルデータとしてリードする場合を例示して説明する。

このサンプルデータリード処理は所定時間間隔毎（例えば３秒毎）に繰り返し実行される。４０個分のサンプルデータ（４０ペアのサンプル値）が収集されるまで、サンプルデータリード処理は繰り返される。したがって、少なくとも１２０秒の期間（監視期間）中は、監視処理が継続される。そして４０個分のサンプルデータが収集されると、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、その４０個分のサンプルデータに基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。

以下、具体的な監視処理の例について説明する。

放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００の制御の下、ＣＰＵ１１１は、以下の処理を行う。

ＣＰＵ１１１は、まず、取得したサンプルデータの数をカウントするためのカウンタの値を１に初期化する（ステップＳ２１）。次いで、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、第１温度サンプル値（Ｔ１）と第２温度サンプル値（Ｔｒｅｆ）とをＥＣ／ＫＢＣ１１９からリードし（ステップＳ２２）、それら第１温度サンプル値（Ｔ１）と第２温度サンプル値（Ｔｒｅｆ）との間の温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えているか否かを判別する（ステップＳ２３）。

温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えているならば（ステップＳ２３のＹＥＳ）、ＣＰＵ１１１は、リードした第１温度サンプル値（Ｔ１）と第２温度サンプル値（Ｔｒｅｆ）とを有効なサンプルデータとして取得する処理を行う（ステップＳ２４）。ステップＳ２４では、ＣＰＵ１１１は、それら第１温度サンプル値（Ｔ１）と第２温度サンプル値（Ｔｒｅｆ）とをメモリ１１３に保存すると共に、カウンタの値を＋１更新する。

温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１以下であるならば（ステップＳ２３のＮＯ）には、ＣＰＵ１１１は、ステップＳ２４の取得処理をスキップする。

ステップＳ２４の取得処理を実行した後、ＣＰＵ１１１は、カウンタの値が４０を超えたか否かを判定する（ステップＳ２５）。カウンタの値が４０以下である場合（ステップＳ２５のＮＯ）、あるいはステップＳ２３で温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１以下であった場合（ステップＳ２３のＮＯ）には、ＣＰＵ１１１は、イベントの受信から所定のタイムアウト時間（例えば５分）が経過したがどうかを判定する（ステップＳ２９）。イベントの受信から所定のタイムアウト時間が経過していないならば（ステップＳ２９のＮＯ）、ＣＰＵ１１１は、次のサンプリングタイミングの到来する時点、つまり前回の温度リードから３秒経過する時点まで待機する（ステップＳ３０）。前回の温度リードから３秒経過した時（ステップＳ３０のＹＥＳ）、ＣＰＵ１１１は、ステップＳ２２からの処理を再び開始する。

イベントの受信から所定のタイムアウト時間が経過するまでにカウンタの値が４０を超えた場合、つまり４０個のサンプルデータを取得することができた場合には（ステップＳ２５のＹＥＳ）、ＣＰＵ１１１は、その４０個のサンプルデータ（第１温度サンプル値Ｔ１と第２温度サンプル値Ｔｒｅｆとの４０ペア）に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する（ステップＳ２６）。

４０個のサンプルデータは、いずれも、コンピュータ１０の高負荷時（Ｔ１−Ｔｒｅｆ＞ＴＨ１を満たす期間）に取得されたデータであり、発熱モジュール２１の温度が筐体１１の温度よりもどの程度超過しているかを調べるためのデータとして使用される。

たとえ放熱モジュール２０の性能が低下していたとしても、低負荷時には、その性能低下による影響は観察しにくい。本実施形態では、コンピュータ１０の高負荷時（Ｔ１−Ｔｒｅｆ＞ＴＨ１を満たす期間）に取得されたサンプルデータを用いて放熱モジュール２０の性能を評価しているので、放熱モジュール２０の性能を正しく評価することが出来る。

ステップＳ２６においては、ＣＰＵ１１１は、例えば、全てのペアそれぞれに対して、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）を算出し、その温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が基準値Ｋを超えているか否かを判定する。そして、ＣＰＵ１１１は、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が基準値Ｋを超えるペアの発生頻度等に応じて、放熱モジュール２０の性能低下の有無を判定する。具体的には、４０ペアの中に含まれる、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が基準値Ｋを超えるペアの個数がある基準個数を超えたならば、ＣＰＵ１１１は、放熱モジュール２０に何らかの故障が生じており、放熱モジュール２０の性能が低下していると判定する。

放熱モジュール２０の性能低下を検出したならば（ステップＳ２６のＮＧ）、ＣＰＵ１１１は、放熱モジュール２０の性能低下をユーザに通知する処理を行う（ステップＳ２７）。ステップＳ２７では、ＣＰＵ１１１は、ユーザに放熱モジュール２０の性能低下を通知するためのメッセージ画面を表示する。具体的には、ＣＰＵ１１１は、例えば、１）ＬＣＤ１７の表示画面上に放熱モジュール２０のメンテナンスが必要であることを示すメッセージ画面を表示する処理、２）ユーザに対して放熱モジュール２０のメンテナンス手順をガイドするためのメッセージ画面を表示する処理、３）ユーザに対して、放熱モジュールの性能測定のための専用の検査プログラムの起動を促すメッセージ画面を表示する処理、等を実行する。また、ＣＰＵ１１１は、放熱モジュール２０の正常時の放熱性能に対する現在の放熱性能の割合を算出して、その割合をメッセージ画面上に表示してもよい。

この後、ＣＰＵ１１１は、メッセージ画面に対するユーザ操作を待機し（ステップＳ２８）、ユーザ操作に応じて、メッセージ画面を閉じる処理、メンテナンス手順をガイドする処理、または専用の検査プログラムを起動する処理等を実行する。

なお、図１０に破線で示されているように、イベントの受信から所定のタイムアウト時間が経過するまでにカウンタの値が４０を超えたことを条件に、放熱モジュール２０の性能が低下したと判定してもよい。

また、図１０のフローチャートでは、第１温度サンプル値と第２温度サンプル値とのペアをサンプルデータとして取得する場合について説明したが、同様にして、第１温度サンプル値、第２温度サンプル値、および第３温度サンプル値の３つの温度サンプル値をサンプルデータとして取得してもよい。第３温度サンプル値を使用することにより、吸気口の塞がり等の異常の発生をも検出することができる。

また、吸気口の塞がり等の異常検出のみを行う目的であれば、第２温度サンプル値と第３温度サンプル値とのペアのみをサンプルデータとして取得してもよい。この場合、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は第３温度サンプル値（Ｔ２）と第２温度サンプル値（Ｔｒｅｆ）との温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ２を超えた時にイベントを発生する。このイベントの発生に応答して、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は監視処理を開始する。監視処理では、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、例えば、（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ２を超えているか否かを判定し、超えている場合には第３温度サンプル値（Ｔ２）と第２温度サンプル値（Ｔｒｅｆ）とのペアを取得するという処理を、３秒間隔で繰り返し実行する。タイムアウト時間内に４０個のサンプルデータが取得されたならば、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、その４０個のサンプルデータに基づいて、吸気口の塞がりの有無を判定する。判定方法としては、温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）が基準値Ｌを超えるペアの発生頻度等に応じて、吸気口の塞がりの有無を判定するという方法を使用し得る。また、イベントの受信から所定のタイムアウト時間が経過するまでに４０個のサンプルデータが取得できたことを条件に、吸気口が塞がれていると判定してもよい。

図１１は、負荷変動時における発熱デバイス２１の温度変化の例を示している。

発熱デバイス２１の負荷が急激に大きくなると、温度センサ３１の検出温度（発熱デバイス２１近傍の基板温度）も急激に増加する。温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えた時、ＥＣ／ＫＢＣ１１９からのイベントに応答して、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００による監視処理が開始される。

放熱モジュール２０が正常に動作している場合には、放熱モジュール２０の働きによって高温の空気が外部に放出される。このため、温度センサ３１の検出温度（発熱デバイス２１近傍の基板温度）は低下され、定常温度範囲に収まる。

このように、たとえ放熱モジュール２０の性能が正常であっても、発熱デバイス２１の負荷変動により、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）は一時的にしきい値ＴＨ１を超える場合がある。

放熱モジュール２０の性能が低下している場合には、放熱モジュール２０の放熱能力の不足により、高温の空気を外部に放出するのに多くの時間を要する。このため、発熱でバス２１の負荷の上昇によって温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が一旦しきい値ＴＨ１を超えると、図１１に破線で示すように、温度センサ３１の検出温度（発熱デバイス２１の温度）は低下されにくくなる。

本実施形態では、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１を超えた時点から所定期間の間継続して、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が監視される。したがって、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が一時的にしきい値ＴＨ１を超えるという温度変化が、誤って放熱モジュール２０の性能低下として判定されることを防止することができる。

また、コンピュータにおいては、発熱デバイス２１の負荷変動は頻繁に発生する。このため、たとえ放熱モジュール２０の性能が正常であっても、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が一時的にしきい値ＴＨ１を超えるという現象が立て続けに発生する場合がある。

本実施形態では、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が基準値Ｋ（Ｋ＞ＴＨ１）を超えるペアの個数に基づいて放熱モジュール２０の性能を判定しているので、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）が一時的にしきい値ＴＨ１を超えるという現象が立て続けに発生しても、それを誤って放熱モジュール２０の性能低下として判定されることを防止することができる。

次に、図１２のフローチャートを参照して、ＥＣ／ＫＢＣ１１９によって実行されるファン電流測定処理の手順を説明する。

ＥＣ／ＫＢＣ１１９は図９の温度差検出処理と並行して図１２のファン電流測定処理を実行する。

ＥＣ／ＫＢＣ１１９内の放熱フィン異常検出部６１は、コンピュータ１０が電源オン状態である期間中、以下の処理を実行する。すなわち、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、所定の時間間隔毎に、電源電流検出部２２０によって検出されるファン電流値、およびファン２２の回転数を取得する処理を実行する（ステップＳ４１，Ｓ４２）。そして、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、電源電流検出部２２０によって検出されるファン電流値が所定のしきい値を超えているか否かを判定する（ステップＳ４３）。このしきい値は、例えば、現在のファン２２の回転数に対応する値を使用することが出来る。

ファン電流値が所定のしきい値を超えているならば（ステップＳ４３のＹＥＳ）、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、監視処理の開始を指示するためのイベントを発生し、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００に監視処理の開始を指示する（ステップＳ４４）。ステップＳ４４では、例えば、ＥＣ／ＫＢＣ１１９は、ＣＰＵ１１１への割り込み信号を発生し、これによって、ＢＩＯＳおよびＯＳを通じて、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００にイベント（以下、イベント＃２と称する）の発生を通知する。

次に、図１３のフローチャートを参照して、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００によって実行されるファン電流監視処理の手順を説明する。

放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、上述のイベント＃２を受信した時、以下の処理を開始する。

すなわち、ＣＰＵ１１１は、まず、取得したサンプルデータの数をカウントするためのカウンタの値を１に初期化する（ステップＳ５１）。次いで、放熱モジュール測定アプリケーションプログラム６００は、ファン電流値をＥＣ／ＫＢＣ１１９からリードし（ステップＳ５２）、そのファン電流値がしきい値を超えているか否かを判別する（ステップＳ５３）。

ファン電流値がしきい値を超えているならば（ステップＳ５３のＹＥＳ）、ＣＰＵ１１１は、リードしたファン電流値を有効なサンプルデータとして取得する処理を行う（ステップＳ５４）。ステップＳ５４では、ＣＰＵ１１１は、サンプルデータ（ファン電流値）
をメモリ１１３に保存すると共に、カウンタの値を＋１更新する。

ファン電流値がしきい値以下であるならば（ステップＳ５３のＮＯ）、ＣＰＵ１１１は、ステップＳ５４の取得処理をスキップする。

ステップＳ５４の取得処理を実行した後、ＣＰＵ１１１は、カウンタの値が４０を超えたか否かを判定する（ステップＳ５５）。カウンタの値が４０以下である場合（ステップＳ５５のＮＯ）、あるいはステップＳ５３でファン電流値がしきい値以下であった場合（ステップＳ５３のＮＯ）には、ＣＰＵ１１１は、イベント＃２の受信から所定のタイムアウト時間（例えば５分）が経過したがどうかを判定する（ステップＳ５９）。イベントの受信から所定のタイムアウト時間が経過していないならば（ステップＳ５９のＮＯ）、ＣＰＵ１１１は、次のサンプリングタイミングの到来する時点、つまり前回のファン電流から３秒経過する時点まで待機する（ステップＳ６０）。前回のファン電流リードから３秒経過した時（ステップＳ６０のＹＥＳ）、ＣＰＵ１１１は、ステップＳ５２からの処理を再び開始する。

イベント＃２の受信から所定のタイムアウト時間が経過するまでにカウンタの値が４０を超えた場合、つまり４０個のサンプルデータを取得することができた場合には（ステップＳ５５のＹＥＳ）、ＣＰＵ１１１は、その４０個のサンプルデータに基づいて、放熱フィン２３が目詰まりしているか否かを判定する（ステップＳ５６）。

ステップＳ５６においては、ＣＰＵ１１１は、例えば、ファン電流が基準値を超えるサンプルデータの発生頻度等に応じて、放熱フィン２３が目詰まりしているか否かを判定する。

具体的には、４０個のサンプルデータの中に含まれる、ファン電流が基準値を超えるサンプルデータの個数がある基準個数を超えたならば、ＣＰＵ１１１は、放熱フィン２３が目詰まりしていると判定する。

放熱フィン２３が目詰まりを検出したならば（ステップＳ５６のＮＧ）、ＣＰＵ１１１は、放熱フィン２３の目詰まりをユーザに通知する処理を行う（ステップＳ５７）。ステップＳ５７では、ＣＰＵ１１１は、ユーザに放熱フィン２３の目詰まりを通知するためのメッセージ画面を表示する。具体的には、ＣＰＵ１１１は、例えば、１）ＬＣＤ１７の表示画面上に放熱フィン２３のメンテナンスが必要であることを示すメッセージ画面を表示する処理、２）ユーザに対して放熱フィン２３のメンテナンス手順をガイドするためのメッセージ画面を表示する処理、３）ユーザに対して、放熱モジュールの性能測定のための専用の検査プログラムの起動を促すメッセージ画面を表示する処理、等を実行する。

この後、ＣＰＵ１１１は、メッセージ画面に対するユーザ操作を待機し（ステップＳ５８）、ユーザ操作に応じて、メッセージ画面を閉じる処理、メンテナンス手順をガイドする処理、または専用の検査プログラムを起動する処理等を実行する。

なお、図１３に破線で示されているように、イベント＃２の受信から所定のタイムアウト時間が経過するまでにカウンタの値が４０を超えたことを条件に、放熱フィン２３の目詰まりが発生したと判定してもよい。

以上説明したように、本第１実施形態においては、発熱デバイスと筐体内温度との間の温度差がしきい値を超えるというイベントの発生をトリガとして、所定期間継続して発熱デバイスと筐体内温度との間の温度差を監視する処理が実行される。この監視処理により、負荷の一時的な上昇を、誤って放熱モジュールの性能低下として判定してしまうことを防ぐことが出来る。

（第２実施形態）
次に、本コンピュータ１０に適用される複数の温度センサの別の配置例を、本発明の第２実施形態として説明する。以下では、第１実施形態と異なる部分のみを中心に説明する。

図１４には、筐体１１内に設けられた冷却機構と複数の温度センサの配置位置との関係が示されている。図１４に示されているように、筐体１１内には、放熱モジュール２０、発熱デバイス２１、温度センサ７１、７２、７３が設けられている。

筐体１１の一側壁には排気口１８が設けられている。また、筐体１１の例えば別の側壁には吸気口１９が設けられている。

温度センサ７１〜７３はプリント回路基板１１１上に設けられている。これら温度センサ７１〜７３の各々は、例えば、プリント回路基板１１１上に取り付けられた、サーミスタまたは専用の温度検知ＩＣなどから構成されている。

温度センサ７１は、上述の温度センサ３１と同様に、放熱モジュール２０の異常に起因する温度上昇を検知するためのセンサとして機能する。温度センサ３１は発熱デバイス２１の周囲温度を検知するのに対し、温度センサ７１は、放熱モジュール２０の周囲温度を検知する。具体的には、温度センサ７１は、放熱モジュール２０の近傍に位置する、プリント回路基板１１１上の第１位置の温度（放熱モジュール２０近傍の基板温度）を検知する第１温度センサとして機能する。この温度センサ７１は、放熱モジュール２０の近傍に位置する、プリント回路基板１１１上の第１位置に設けられている。放熱フィン２３の目詰まり等の放熱モジュール２０の異常が発生した場合には、放熱フィン２３近くの暖められた空気は、放熱モジュール２０の周囲、例えば、ファン２２の周囲に回り込む。この結果、放熱モジュール２０近傍の基板温度は上昇する。この基板温度の上昇が温度センサ７１によって検知される。つまり、温度センサ７１も、温度センサ３１と同様に、放熱モジュール２０の異常に起因する温度上昇を検知するためのセンサとして機能する。

温度センサ７１は例えば図１４の実線で示されている位置または破線で示されている位置のどちらに配置しても良い。しかし、温度センサ７１が配置される第１位置としては、放熱モジュール２０近傍で且つ発熱デバイス２１からの距離ができるだけ遠い位置（図１４の実線で示されている位置）が好ましい。

温度センサ７２は、上述の温度センサ３２と同様に、基準温度を検知するための第２の温度センサである。この温度センサ７２は、温度センサ７１が配置されている第１位置よりも発熱デバイス２１および放熱モジュール２０の各々から遠い、プリント回路基板１１１上の第２位置の温度（筐体内温度）を検知する。具体的には、温度センサ７２は、発熱デバイス２１が発生する熱の影響を受けにくく、且つ放熱モジュール２０からも離れた位置である、基板１１１上の端部（図１４に実線または点線で示されている位置）に配置されている。すなわち、温度センサ７２は、発熱デバイス２１に対して、放熱モジュール２０とは反対側の基板１１１上の端部位置に配置されている。

温度センサ７３は、筐体１１に設けられた吸気口１９と放熱モジュール２０との間に位置する基板１１１上の第３位置に設けられている。この温度センサ７３は、上述の温度センサ３３と同様に、基板１１１上の第３位置の温度、つまり吸気口１９から放熱モジュール２０に向けて流れる空気（冷却用空気）の温度を検知する第３温度センサとして使用される。

図１５は、コンピュータ１０の消費電力と、放熱モジュール近傍の基板温度と筐体内温度との関係を示している。

図１５において、実線Ｌ１１は、放熱モジュール２０が正常に動作している場合における消費電力と温度センサ７１の検出温度との関係を示している。また、破線Ｌ１２は、放熱モジュール２０の性能が低下した場合における消費電力と温度センサ７１の検出温度との関係を示している。放熱モジュール２０の性能が低下した場合（例えば、ファンの性能低下、放熱フィンの目詰まり）、破線Ｌ１２に示すように、温度センサ７１によって検出される温度上昇の傾きが大きくなる。実線Ｌ１３は、消費電力と温度センサ７２の検出温度との関係を示している。温度センサ７２の検出温度（筐体内温度）は発熱デバイス２１の消費電力の増加や放熱モジュール２０の性能低下にほとんど影響を受けない。

図１６は、コンピュータ１０の消費電力と、冷却空気温度および筐体内温度との関係を示している。

図１６において、実線Ｌ１４は、放熱モジュール２０が正常に動作している場合における消費電力と温度センサ７３の検出温度との関係を示している。また、破線Ｌ１５は、放熱モジュール２０の性能が低下した場合における消費電力と温度センサ７３の検出温度との関係を示している。放熱モジュール２０の性能が低下した場合（例えば、放熱フィンの目詰まり）、排気口１８から外部への排気が滞ることにより、吸気口１９からの吸気も滞り、結果として、吸気口１９近傍の温度も上昇する。よって、温度センサ７３によって検出される温度は、破線Ｌ１５に示すように、上昇する。

図１７は、第２実施形態に係るコンピュータ１０に設けられる放熱性能測定部８１０の構成を示している。

放熱性能測定部８１０は、温度センサ７１〜７３の全て、または温度センサ７１，７２のみ、またはセンサ７２，７１のみを用いて、放熱モジュール２０の性能を測定する。

放熱性能測定部８１０は、温度差検出部８１１、温度データ取得部８１２、性能判定部８１３、温度データ保存処理部８１４、および故障予兆検出部８１５を備えている。

温度差検出部８１１は、温度センサ７１によって検知された温度（Ｔ１）から温度センサ７２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）を引くことによって得られる温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）を検出する。また、温度差検出部８１１は、温度センサ７３によって検知された温度（Ｔ２）から温度センサ７２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）を引くことによって得られる温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）も検出する。

性能判定部８１３は、温度差検出部８１１によって検出された温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がある特定のしきい値ＴＨ１１を超えた時、または温度差検出部８１１によって検出された温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）がある特定のしきい値ＴＨ１２を超えた時に起動される。性能判定部８１３は、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１１を超えた時点から所定期間中、温度センサ７１によって検知された温度（Ｔ１）と温度センサ７２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）との間の温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）を監視する監視処理を継続して実行し、この監視処理の結果に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。また、性能判定部８１３は、温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）がしきい値ＴＨ１２を超えた時点から所定期間中、温度センサ７３によって検知された温度（Ｔ２）と温度センサ７２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）との間の温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）を監視する監視処理を継続して実行し、この監視処理の結果に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。

なお、温度差検出部８１１によって検出された温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がある特定のしきい値ＴＨ１１を超えた時、または温度差検出部８１１によって検出された温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）がある特定のしきい値ＴＨ１２を超えた時のいずれにおいても、温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔrefをそれぞれ所定期間監視し、所定期間中における温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）の変化と、所定期間中における温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）の変化との双方を考慮して、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定してもよい。

性能判定部８１３によって実行される監視処理は、図１０のフローチャートで説明した手順と同じ手順で実行することができる。

温度データ保存処理部８１４は、監視処理が実行される度に温度データ取得部７１２を介して性能判定部７１３によって取得される、温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔrefそれぞれに対応する温度サンプル値群をデータベース５００に温度データとして保存する。故障予兆検出部８１５は、データベース５００に蓄積された温度データを分析して、放熱モジュール２０の故障に関する予兆を検出する。

（第３実施形態）
次に、本コンピュータ１０に適用される複数の温度センサのさらに別の配置例を、本発明の第３実施形態として説明する。以下では、第１実施形態と異なる部分のみを中心に説明する。

図１８には、筐体１１内に設けられた冷却機構と複数の温度センサの配置位置との関係が示されている。図１８に示されているように、筐体１１内には、放熱モジュール２０、発熱デバイス２１、温度センサ８１、８２、８３が設けられている。

筐体１１の一側壁には排気口１８が設けられている。また、筐体１１の例えば別の側壁には吸気口１９が設けられている。

温度センサ８１〜８３はプリント回路基板１１１上に設けられている。これら温度センサ８１〜８３の各々は、例えば、プリント回路基板１１１上に取り付けられた、サーミスタまたは専用の温度検知ＩＣなどから構成されている。

温度センサ８１は、上述の温度センサ３１と同様に、放熱モジュール２０の異常に起因する温度上昇を検知するためのセンサとして機能する。温度センサ８１は発熱デバイス２１の周囲温度を検知する。具体的には、温度センサ８１は、発熱デバイス２１近傍で且つ発熱デバイス２１と放熱モジュール２０との間に位置する、プリント回路基板１１１上の第１位置の温度を検知する。図１８に示されているように、発熱デバイス２１の左辺が放熱モジュール２０に対向するように配置されている場合には、温度センサ８１は、発熱デバイス２１の左辺と放熱モジュール２０との間に配置され、発熱デバイス２１の左辺近傍の基板温度を検知する。

温度センサ８２は、上述の温度センサ３２と同様に、基準温度を検知するための第２の温度センサである。この温度センサ８２は、温度センサ８１が配置されている第１位置よりも発熱デバイス２１および放熱モジュール２０の各々から遠い、プリント回路基板１１１上の第２位置の温度（筐体内温度）を検知する。具体的には、温度センサ８２は、発熱デバイス２１が発生する熱の影響を受けにくく、且つ放熱モジュール２０からも離れた位置である、基板１１１上の端部（図１８に実線または点線で示されている位置）に配置されている。すなわち、温度センサ８２は、発熱デバイス２１に対して、放熱モジュール２０とは反対側の基板１１１上の端部位置に配置されている。

温度センサ８３は、放熱モジュール２０側に対向する発熱デバイス２１の辺以外の別の辺の近傍に位置する、プリント回路基板１１１上の第３位置の温度を検知する。温度センサ８１が発熱デバイス２１の左辺近傍に配置されている場合には、温度センサ８３は、例えば、発熱デバイス２１の右辺近傍、または下辺近傍に配置される。

図１９は、コンピュータ１０の消費電力と、温度センサ８１，８２，８３の検出温度との関係を示している。

図１９の上のグラフにおいて、実線Ｌ２１は、放熱モジュール２０が正常に動作している場合における消費電力と温度センサ８１の検出温度との関係を示している。また、破線Ｌ２２は、放熱モジュール２０の性能が低下した場合における消費電力と温度センサ８１の検出温度との関係を示している。放熱モジュール２０の性能が低下した場合（例えば、ファンの性能低下、放熱フィンの目詰まり）、破線Ｌ２２に示すように、温度センサ８１によって検出される温度上昇の傾きが大きくなる。実線Ｌ２３は、消費電力と温度センサ８２の検出温度との関係を示している。温度センサ８２の検出温度（筐体内温度）は発熱デバイス２１の消費電力の増加や放熱モジュール２０の性能低下にほとんど影響を受けない。

図１９の下のグラフにおいて、実線Ｌ２４は、放熱モジュール２０が正常に動作している場合における消費電力と温度センサ８３の検出温度との関係を示している。また、破線Ｌ２５は、放熱モジュール２０の性能が低下した場合における消費電力と温度センサ８３の検出温度との関係を示している。放熱モジュール２０の性能が低下した場合（例えば、ファンの性能低下、放熱フィンの目詰まり）、破線Ｌ２５に示すように、温度センサ８８によって検出される温度上昇の傾きが大きくなる。

図１９から分かるように、放熱フィン２３の目詰まり等の故障が発生すると、発熱でバス２１の熱が外部に排出されにくくなり、温度センサ８１によって検出される温度および温度センサ８３によって検出される温度の双方が、放熱モジュール２０が正常に動作している場合に比し、増加する。

図２０は、コンピュータ１０の消費電力と、温度センサ８１，８２，８３の検出温度との関係の他の例を示している。

図２０の上のグラフにおいて、実線Ｌ２１は、放熱モジュール２０が正常に動作している場合における消費電力と温度センサ８１の検出温度との関係を示している。また、破線Ｌ２２は、放熱フィン２３の目詰まり以外の他の要因（例えば、図１８のデバイス３００の障害による発熱等）が発生した場合における消費電力と温度センサ８１の検出温度との関係を示している。放熱フィン２３の目詰まり以外の他の要因（例えば、図１８のデバイス３００の障害による発熱等）が発生すると、破線Ｌ２２に示されているように、温度センサ８１の検出温度は上昇する。

図２０の下のグラフにおいて、実線Ｌ２４は、放熱モジュール２０が正常に動作している場合における消費電力と温度センサ８３の検出温度との関係を示している。また、破線Ｌ２５は、放熱フィン２３の目詰まり以外の他の要因（例えば、図１８のデバイス３００の障害による発熱等）が発生した場合における消費電力と温度センサ８３の検出温度との関係を示している。放熱フィン２３の目詰まり以外の他の要因（例えば、図１８のデバイス３００の障害による発熱等）が発生しても、破線Ｌ２５に示されているように、温度センサ８３の検出温度はほとんど変化しない。

したがって、図１９、図２０から分かるように、放熱フィン２３の障害発生時には温度センサ８１，８３の検出温度が共に上昇するのに対し、放熱フィン２３の障害以外の要因の場合には、温度センサ８１の検出温度のみが上昇し、温度センサ８３の検出温度はほとんど変化しない。よって、温度センサ８１，８２，８３の検出温度をそれぞれ監視することにより、放熱性能が低下したことのみならず、その低下要因をも判定することが可能となる。

図２１は、第３実施形態に係るコンピュータ１０に設けられる放熱性能測定部９１０の構成を示している。

放熱性能測定部９１０は、温度センサ８１〜８３の全てを用いて、放熱モジュール２０の性能を測定する。

放熱性能測定部９１０は、温度差検出部９１１、温度データ取得部９１２、性能判定部９１３、温度データ保存処理部９１４、および故障予兆検出部９１５を備えている。

温度差検出部９１１は、温度センサ８１によって検知された温度（Ｔ１）から温度センサ８２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）を引くことによって得られる温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）を検出する。また、温度差検出部９１１は、温度センサ８３によって検知された温度（Ｔ２）から温度センサ８２によって検知された温度（Ｔｒｅｆ）を引くことによって得られる温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）も検出する。

性能判定部９１３は、温度差検出部９１１によって検出された温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）がある特定のしきい値ＴＨ１１を超えた時、または温度差検出部９１１によって検出された温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）がある特定のしきい値ＴＨ１２を超えた時に起動される。性能判定部９１３は、温度差（Ｔ１−Ｔｒｅｆ）または温度差（Ｔ２−Ｔｒｅｆ）が対応するしきい値を超えた時点から所定期間中、温度センサ８１によって検知される温度（Ｔ１）、温度センサ８２によって検知される温度（Ｔｒｅｆ）、および温度センサ８３によって検知される温度（Ｔ２）を監視する監視処理を所定期間中継続して実行し、この監視処理の結果に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。この監視処理では、放熱フィン２３の目詰まりの有無等も判定することができる。監視処理に於いては、性能判定部９１３は、温度データ取得部９１２を介して温度センサ８１，８２，８３の検出温度を取得する。

性能判定部９１３によって実行される監視処理も、図１０のフローチャートで説明した手順と同じ手順で実行することができる。

温度データ保存処理部９１４は、監視処理が実行される度に温度データ取得部９１２を介して性能判定部９１３によって取得される、温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔrefそれぞれに対応する温度サンプル値群をデータベース５００に温度データとして保存する。故障予兆検出部９１５は、データベース５００に蓄積された温度データを分析して、放熱モジュール２０の故障に関する予兆を検出する。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

本発明の第１実施形態に係る情報処理装置を正面から見た外観を示す斜視図。 同第１実施形態の情報処理装置に搭載された冷却機構を説明するためのブロック図。 同第１実施形態の情報処理装置に設けられた放熱性能測定部の構成を示すブロック図。 同第１実施形態の情報処理装置の消費電力と発熱デバイスの温度および筐体内温度との関係を示す図。 同第１実施形態の情報処理装置の消費電力と冷却空気の温度との関係を示す図。 同第１実施形態の情報処理装置のシステム構成を示すブロック図。 図６のシステム構成に適用される冷却機構の構成例を示すブロック図。 図３に示した放熱性能測定部の一部の機能をソフトウェアによって実現した場合に対応する、ハードウェアとソフトウェアとの関係を示すブロック図。 同第１実施形態の情報処理装置によって実行される温度差検出処理の手順を示すフローチャート。 同第１実施形態の情報処理装置によって実行される監視処理の手順を示すフローチャート。 同第１実施形態の情報処理装置に設けられた発熱デバイスの温度変化の例を示す図。 同第１実施形態の情報処理装置によって実行されるファン電流測定処理の手順を示すフローチャート。 同第１実施形態の情報処理装置によって実行されるファン電流監視処理の手順を説明するフローチャート。 本発明の第２実施形態に係る情報処理装置に搭載された冷却機構と第１乃至第３の温度センサの配置例を示す図。 図１４の第１および第２温度センサによって検出される温度の変化を説明するための図。 図１４の第２および第３温度センサによって検出される温度の変化を説明するための図。 同第２実施形態で用いられる放熱性能測定部の構成例を示すブロック図。 本発明の第３実施形態に係る情報処理装置に搭載された冷却機構と第１乃至第３の温度センサの配置例を示す図。 図１８に示した第１乃至第３の温度センサの検出温度の変化特性を説明するための図。 図１８に示した第１乃至第３の温度センサの検出温度の変化特性を説明するための図。 同第３実施形態で用いられる放熱性能測定部の構成例を示すブロック図。

符号の説明

１０…コンピュータ、１８…排気口、１９…吸気口、２０…放熱モジュール、２１…発熱デバイス、２２…ファン、２３…放熱フィン、２４…ヒートパイプ、２５…受熱部、３１〜３３…温度センサ、４１…放熱性能測定部、４１１…温度差検出部、４１２…温度データ取得部、４１３…性能判定部、４１４…温度データ保存処理部、４１５…故障予兆検出部、５００…データベース、６００…放熱モジュール測定アプリケーションプログラム。

Claims (13)

1. 筐体と、
   前記筐体内に設けられたプリント回路基板と、
   前記プリント回路基板上に配置された発熱デバイスと、
   前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイスの熱を外部に放出する放熱モジュールと、
   前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイス近傍に位置する、前記プリント回路基板上の第１位置の温度を検知する第１温度センサと、
   前記第１位置よりも前記発熱デバイスから遠い、前記プリント回路基板上の第２位置の温度を検知する第２温度センサと、
   前記第１温度センサによって検知された前記第１位置の温度から前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度を引くことによって得られる温度差を検出する温度差検出手段と、
   前記温度差がしきい値を超えた場合、前記温度差が前記しきい値を超えた時点から所定期間中前記第１位置の温度と前記第２位置の温度との間の温度差を監視する監視処理を実行し、前記監視処理の結果に基づいて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定する性能判定手段とを具備することを特徴とする情報処理装置。
2. 前記性能判定手段は、前記所定期間中に、前記第１温度センサによって検知される前記第１位置の温度を示す第１温度サンプル値と前記第２温度センサによって検知される前記第２位置の温度を示す第２温度サンプル値とのペアを取得する処理を所定の時間間隔で繰り返し実行し、前記所定期間中に取得されたペア群に基づいて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
3. 前記性能判定手段は、前記所定期間中に取得されたペア群の中に含まれる、第１温度サンプル値から第２温度サンプル値を引いた差が基準値を超えるペアの個数を算出し、前記算出された個数に基づいて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定することを特徴とする請求項２記載の情報処理装置。
4. 前記性能判定手段は、所定の時間間隔毎に前記温度差が前記しきい値を超えているか否かを判定し、前記温度差が前記しきい値を超えていることを条件に、前記第１温度センサによって検知される前記第１位置の温度を示す第１温度サンプル値と前記第２温度センサによって検知される前記第２位置の温度を示す第２温度サンプル値とのペアを取得する処理を実行し、前記所定期間中に所定個数のペアが取得されたか否かに応じて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
5. 前記性能判定手段は、所定の時間間隔毎に前記温度差が前記しきい値を超えているか否かを判定し、前記温度差が前記しきい値を超えていることを条件に、前記第１温度センサによって検知される前記第１位置の温度を示す第１温度サンプル値と前記第２温度センサによって検知される前記第２位置の温度を示す第２温度サンプル値とのペアを取得する処理を実行し、前記所定期間中に所定個数のペアが取得された場合、前記所定個数のペアの中に含まれる、第１温度サンプル値から第２温度サンプル値を引いた差が基準値を超えるペアの個数を算出し、前記算出されたペアの個数が基準個数を超える場合、前記放熱モジュールの性能が低下したと判定することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
6. 前記監視処理が実行される度に前記性能判定手段によって取得される前記第１温度のサンプル値と前記第２温度サンプル値とのペア群を１セットの温度データとして記憶装置に保存する温度データ保存処理手段と、
   前記記憶装置に複数セットの温度データが保存された後に、前記複数セットの温度データを分析し、前記複数セットの温度データによって示される、前記第１位置の温度変化の傾向から前記放熱モジュールの故障に関する予兆を検出する故障予兆検出手段とをさらに具備することを特徴とする請求項２記載の情報処理装置。
7. 前記筐体に設けられた吸気口と前記放熱モジュールとの間に位置する、前記プリント回路基板上の第３位置の温度を検知する第３の温度センサをさらに具備し、
   前記性能判定手段は、前記第３の温度センサによって検知される温度と前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度との間の温度差に従って、前記吸気口の目詰まりを検出することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
8. 前記放熱モジュールは、
   前記筐体に設けられた排気口に対向する前記筐体内の位置に設けられ、前記発熱デバイス２１に熱的に接続される放熱フィンと、
   前記放熱フィンを冷却するためのファンとを含むことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
9. 前記ファンに供給される電源電流を検出する電源電流検出手段と、
   前記ファンの回転数と前記検出された電源電流との関係に基づいて、前記放熱フィンの目詰まりを検出する放熱フィン異常検出手段をさらに具備することを特徴とする請求項８記載の情報処理装置。
10. 前記発熱デバイスは中央処理装置であることを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
11. 筐体と、
    前記筐体内に設けられたプリント回路基板と、
    前記プリント回路基板上に配置された発熱デバイスと、
    前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイスの熱を外部に放出する放熱モジュールと、
    前記筐体内に設けられ、前記放熱モジュール近傍に位置する、前記プリント回路基板上の第１位置の温度を検知する第１温度センサと、
    前記第１位置よりも前記放熱モジュールおよび前記発熱デバイスから遠い、前記プリント回路基板上の第２位置の温度を検知する第２温度センサと、
    前記第１温度センサによって検知された前記第１位置の温度から前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度を引くことによって得られる温度差を検出する温度差検出手段と、
    前記温度差がしきい値を超えた場合、前記温度差が前記しきい値を超えた時点から所定期間中前記第１位置の温度と前記第２位置の温度との間の温度差を監視する監視処理を実行し、前記監視処理の結果に基づいて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定する性能判定手段とを具備することを特徴とする情報処理装置。
12. 前記筐体に設けられた吸気口と前記放熱モジュールとの間に位置する、前記プリント回路基板上の第３位置の温度を検知する第３の温度センサをさらに具備し、
    前記性能判定手段は、前記第３温度センサによって検知された前記第３位置の温度から前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度を引くことによって得られる別の温度差がしきい値を超えた場合、前記別の温度差が前記しきい値を超えた時点から所定期間中前記第３位置の温度と前記第２位置の温度との間の温度差を監視する別の監視処理を実行し、前記別の監視処理の結果に基づいて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定することを特徴とする請求項１１記載の情報処理装置。
13. 筐体と、
    前記筐体内に設けられたプリント回路基板と、
    前記プリント回路基板上に配置された発熱デバイスと、
    前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイスの熱を外部に放出する放熱モジュールと、
    前記筐体内に設けられ、前記発熱デバイス近傍で且つ前記発熱デバイスと前記放熱モジュールとの間に位置する、前記プリント回路基板上の第１位置の温度を検知する第１温度センサと、
    前記第１位置よりも前記発熱デバイスから遠い、前記プリント回路基板上の第２位置の温度を検知する第２温度センサと、
    前記放熱モジュール側に対向する前記発熱デバイスの辺以外の別の辺の近傍に位置する、前記プリント回路基板上の第３位置の温度を検知する第３温度センサと、
    前記第１温度センサによって検知された前記第１位置の温度から前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度を引くことによって得られる第１温度差、および前記第３温度センサによって検知された前記第３位置の温度から前記第２温度センサによって検知された前記第２位置の温度を引くことによって得られる第２温度差を検出する温度差検出手段と、
    前記第１温度差または第２温度差の一方がしきい値を超えた場合、前記一方が前記しきい値を超えた時点から所定期間中前記第１位置の温度、前記第２位置の温度、および前記第３位置の温度を監視する監視処理を実行し、前記監視処理の結果に基づいて、前記放熱モジュールの性能が低下したか否かを判定する性能判定手段とを具備することを特徴とする情報処理装置。

Images