JP2010001543A - 銅膜形成方法及び配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エポキシ樹脂から成る樹脂層の一面側に、その平坦状態を保持しつつプラズマ照射した後、1−ビニルイミダゾールを塗布し、次いで、前記樹脂層の一面側に紫外線を照射した後、前記樹脂層の一面側に無電解銅めっきで形成した薄銅膜を給電層とする電解銅めっきによって所定厚さの銅膜を形成し、その後、前記銅膜と樹脂層とのピール強度を向上できるように、前記樹脂層と銅膜とに熱処理を施すことを特徴とする。
【選択図】なし
Description
しかし、近年の半導体装置の高密度化・小型化の進展に伴って、配線基板も高密度化・小型化されている。このため、樹脂基板の一面側に形成する配線パターンも微細化してきており、微細な配線パターンを形成するには、樹脂基板の配線パターン形成面が平坦面であることが望まれている。一方、樹脂基板の平坦面に形成された配線パターンの密着強度は低下する。
この様に、微細な配線パターンを樹脂基板に形成する形成し易さと、形成された配線パターンの密着強度とは二律背反する。
この点、下記特許文献1では、樹脂基板の表面にコンディショニング処理、Pd付与及び活性化処理、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施して銅膜を形成し、次いで、この銅膜にパターニングを施して配線パターンを形成して配線基板を製造する際に、コンディショニング処理において、樹脂基板の表面とカバーガラスとの間にコンディショニング処理液を薄く介在させて紫外線を照射することが提案されている。
しかし、樹脂基板、特に樹脂基板として汎用されているエポキシ樹脂又はエポキシ樹脂とポリアミド樹脂との混合樹脂から成る樹脂基板又は樹脂層の平坦面に形成した配線パターンの密着強度を更に向上することが望まれている。
そこで、本発明の課題は、樹脂基板又は樹脂層の平坦面に形成した銅膜の密着強度が不充分である従来の銅膜形成方法の課題を解消し、樹脂基板又は樹脂層の平坦面に充分な密着強度を呈する銅膜を形成できる銅膜形成方法及び配線基板を提供することにある。
すなわち、本発明は、エポキシ樹脂又はエポキシ樹脂とポリアミド樹脂とが混合された混合樹脂から成る樹脂層又は樹脂板の一面側に、その平坦状態を保持しつつプラズマ照射した後、下記[化2]に示す1−ビニルイミダゾールを塗布し、次いで、前記樹脂層又は樹脂板の一面側に紫外線を照射した後、前記樹脂層又は樹脂板の一面側に無電解銅めっきで形成した薄銅膜を給電層とする電解銅めっきによって所定厚さの銅膜を形成し、その後、前記銅膜と樹脂層又は樹脂板との密着強度を向上できるように、前記樹脂層又は樹脂板と銅膜とに熱処理を施すことを特徴とする銅膜形成方法にある。
この様に、本発明に係る銅膜形成方法によって形成した銅膜の密着強度を著しく向上できる詳細な理由は依然として不明であるが、次のように考えられる。
つまり、エポキシ樹脂又はエポキシ樹脂とポリアミド樹脂とが混合された混合樹脂から成る樹脂層又は樹脂板の表面を、プラズマ照射して活性化した後、1−ビニルイミダゾールを塗布して紫外線照射を施している。このため、1−ビニルイミダゾールのビニル基が樹脂層又は樹脂板の表面を形成する樹脂の分子鎖にグラフト重合される。
この様に、樹脂層又は樹脂板の表面を形成する分子鎖にビニル基が結合された1−ビニルイミダゾールの複素環中の窒素が熱処理によって銅膜の銅と結合される結果、銅膜の密着強度を著しく向上されたものと推察される。
かかる樹脂板等の一面側に、その平坦状態を保持しつつプラズマ照射を施す。このプラズマ照射によって、樹脂板等の表面を形成するエポキシ樹脂又はエポキシ樹脂及びポリアミド樹脂の分子鎖に、後述する化合物をグラフト重合できるように活性状態とする。このプラズマとしては、酸素プラズマを好適に用いることができる。Arプラズマ等の他のプラズマであっても、照射時間や照射強度等を調整することによって樹脂体等の表面を活性化状態とすることができる。
但し、樹脂板等の表面を粗面化するようなプラズマ照射は避けるべきである。樹脂板等の表面を粗面化すると、形成した銅膜に微細な配線パターンを形成することが困難となるからである。
プラズマ照射した樹脂板等を形成する樹脂中に補強材としてのシリカフィラーが配合されている場合、プラズマ照射面にシリカフィラーが露出することがある。この場合には、樹脂板等をアルコール(例えば2−プロパノール)中で超音波洗浄して露出したシリカフィラーを除去することが好ましい。
更に、石英ガラスで表面が被覆された樹脂板等に、紫外線を照射してVIDzと樹脂板等の表面を形成する樹脂の分子鎖とグラフト重合する。この様に、VIDzが塗布された樹脂板等の表面を石英ガラス板で被覆して紫外線照射することによって、紫外線照射中にVIDzが蒸発等によって飛散することを防止でき好ましい。
かかる紫外線としては、波長254〜365nmの紫外線を好適に照射できる。この紫外線照射装置としては、高圧水銀ランプ又は低圧水銀ランプを好適に用いることができる。紫外線の積算強度は、高圧水銀ランプを用いた場合(波長365nmの光を含む紫外線で照射強度が31.5mW/cm2)では、1〜6J/cm2程度とすることが好ましい。
次いで、樹脂板等には、無電解銅めっきを施す。かかる無電解銅めっきは、通常の無電解銅めっきと同様に、所定の前処理を施す。この前処理は、樹脂板等をアルカリ液によって脱脂処理した後、酸洗によって中和し、次いで、Pdを樹脂板等の表面に吸着させた後に、吸着したPdの活性化処理を施す。
かかる前処理を施した樹脂板等は、無電解銅めっき液に浸漬して、樹脂板等の表面全面に薄銅膜を形成する。
無電解銅めっきが終了したとき、薄銅膜の膜質改善や薄銅膜中の脱水素のため、樹脂板等と薄銅膜とに加熱処理を施しておくことが好ましい。かかる加熱処理は、140〜150℃程度とすることが好ましい。
更に、形成した薄銅膜を給電層とする電解銅めっきによって、所定厚さの銅膜を形成した後、樹脂板等と銅膜とに熱処理を施すことによって、樹脂板等と銅膜との密着強度を向上できる。かかる熱処理としては、100〜200℃程度とすることが好ましい。
また、熱処理時間は、加熱温度によって異なるが、180℃の加熱処理では、1〜8時間程度とすることが好ましい。
その際に、銅膜は平坦な樹脂板等の表面に形成されているため、微細な配線パターンを容易に形成でき、配線パターンの密着強度も向上できる。
この様にして形成された配線基板は、半導体装置等に好適に用いることができる。
酸素プラズマを照射した樹脂層の表面にはシリカフィラーが露出しているため、露出しているシリカフィラーを洗浄すべく、樹脂層が形成された基板を2−プロパノール中で超音波洗浄を施した。
次いで、基板の樹脂層の表面に、下記[化4]に示す1−ビニルイミダゾール(VIDz)を滴下して、厚さ5mmの石英ガラス板によって樹脂層の表面を被覆して、VIDzを均一塗布した。
紫外線照射を終了した樹脂層の表面から石英ガラス板を除去した後、樹脂層が形成された基板を蒸留水中で超音波洗浄して、未反応のVIDzを除去した。
かかる樹脂層が形成された基板に、無電解銅めっきを施す前に前処理を施す。この前処理では、無電解銅めっきの際に、通常施される前処理でよく、基板に形成された樹脂層をアルカリ液によって脱脂処理した後、酸洗によって中和し、次いで、Pdを樹脂層の表面に吸着させた後に、吸着したPdの活性化処理を施す。
かかる前処理に続く無電解銅めっきでは、市販されている無電解銅めっき液に基板を浸漬して、樹脂層の表面の全面に、厚さ1μmの薄銅膜を形成した。
更に、形成した薄銅膜の膜質改善や薄銅膜中の脱水素のために、薄銅膜に加熱処理を施す際に、水素等の気体が発生することを防止すべく、薄銅膜を含む基板全体を150℃で30分間の加熱処理を施した。
その後、樹脂層の表面の全面に形成した薄銅膜を給電層とする電解銅めっきによって厚さ35μmの銅膜を形成した。
更に、形成した銅膜を含む基板全体を180℃で4時間程の加熱処理を施した。この様にして得られた実施例1の銅膜と樹脂層との密着強度として、銅膜のピール強度を測定したところ、500gf/cmであった。
ここで、参考例として、実施例1において、銅膜に施す加熱処理を施さなかった他は実施例1と同様にして、基板上に形成した樹脂層の表面に厚さ35μmの銅膜を形成した。この銅膜のピール強度は、140gf/cmであった。かかる参考例の銅膜の密着強度は、実施例1の銅膜の密着強度に比較して低いものであった。
一方、参考例として、実施例2において、VIDzを塗布しなかった他は、実施例2と同様にして、基板上に形成した樹脂層の表面に厚さ35μmの銅膜を形成した(酸素プラズマ及び紫外線の照射、薄膜銅及び銅膜の加熱処理は実施)。この銅膜の密着強度は、90gf/cmであった。かかる参考例の銅膜の密着強度は、実施例2の銅膜の密着強度に比較して著しく低いものであった。
比較例として、実施例2に記載した参考例で得た銅膜にも、図1に示す様に、加熱処理時間を変更して加熱処理した後、銅膜のピール強度を測定した結果を図1に示す。
図1から明らかな様に、実施例1の銅膜のピール強度は、加熱処理時間が長くなるに従って増加する(加熱処理時間が4時間経過後に、ピール強度の上昇程度は小さくなる傾向にある)。
一方、実施例2に記載した参考例の銅膜(VIDzを塗布することなく形成した銅膜)では、加熱処理時間を長くしても、そのピール強度は略一定値である。
このことは、実施例1においては、樹脂層の表面を形成する樹脂の分子鎖にグラフト重合されたVIDzと銅膜を形成する銅との結合が、加熱処理時間の経過に伴って進行することによるものとも考えられる。
ここで、参考例として、実施例4において、VIDzの塗布、紫外線照射及び超音波洗浄を行わなかった他は、実施例4と同様にして、基板の一面側に形成した樹脂層に厚さ35μmの銅膜を形成した(酸素プラズマ及び紫外線の照射、薄膜銅及び銅膜の加熱処理は実施)。この銅膜のピール強度は、286gf/cmであった。かかる参考例の銅膜のピール強度は、実施例4の銅膜の密着強度に比較して低いものであった。
次いで、樹脂層A又はフィルムBに、無電解銅めっきを施す前に通常の前処理を施す。この前処理では、樹脂層A又はフィルムBをアルカリ液によって脱脂処理した後、酸洗によって中和し、次いで、Pdを樹脂層の表面に吸着させた後に、吸着したPdの活性化処理を施す。
かかる前処理に続く無電解銅めっきでは、市販されている無電解銅めっき液に樹脂層A又はフィルムBを浸漬して、樹脂層A又はフィルムBの表面の全面に、厚さ1μmの薄銅膜を形成した。更に、形成した薄銅膜の膜質改善や薄銅膜の脱水素のために、薄銅膜を含む樹脂層A又はフィルムBを150℃で30分間の加熱処理を施した。
その後、樹脂層A又はフィルムBの表面の全面に形成した薄銅膜を給電層とする電解銅めっきによって厚さ35μmの銅膜を形成した。形成した銅膜のピール強度を測定して、その結果を表1に併せて示した。
尚、参考例として、紫外線を照射しなかった他は、同様にして樹脂層A又はフィルムBの表面に形成した銅膜のピール強度を表1に併記した。
一方、表1に示す樹脂層Aに形成した銅膜は、紫外線照射を行った場合でも、その密着強度が、実施例1,2でエポキシ樹脂から成る樹脂層に形成した銅膜の密着強度に比較して著しく低いものである。
Claims (5)
- 熱処理の温度を100〜180℃とする請求項1記載の銅膜形成方法。
- プラズマとして、酸素プラズマを用いる請求項1又は請求項2記載の銅膜形成方法。
- 無電解銅めっきで薄銅層を形成した後、前記薄銅層内に含有する気体成分を除去する熱処理を施す請求項1〜3のいずれか一項記載の銅膜形成方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項記載の銅膜形成方法で得られた銅膜にパターニングを施して形成された配線パターンを具備することを特徴とする配線基板。
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