JP2009538000A - 密閉環境から汚染を除去するための方法および装置 - Google Patents
密閉環境から汚染を除去するための方法および装置 Download PDFInfo
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Abstract
Description
本発明は、フィルムによって覆われたフォトマスクの活性表面または大気搬送ポッド内に収容された半導体ウェハの活性表面など、シールされない閉鎖環境内に存在する活性表面上の汚染の危険を、これによってかなり減少することを目的とする。
―その自然の漏れ口を有するシールされない閉鎖環境を、気体を導入するための手段および気体を排出するための手段を含むシールされた汚染除去チャンバ内に配置するステップと、
―シールされない閉鎖環境の内部と外部の間の圧力差が、シールされない閉鎖環境の壁を損傷することになる機械的ゆがみを引き起こすことになる圧力差より常に低くなるように、汚染除去チャンバ内の圧力低下を調節することによって、汚染除去チャンバ内に含まれた気体を排出するステップと、を含む。
―シールされない閉鎖環境を収容することができる汚染除去チャンバと、
―汚染除去チャンバ内に気体注入流を発生することができる気体を導入するための手段と、
―汚染除去チャンバから気体を排出することができるポンピング手段と、を含み、
―ポンピング手段は、可変ポンピング機能を有し、
―ポンピング機能を調節し、気体注入流量を調節するためのコマンド手段を備え、
―シールされない閉鎖環境の内部と外部の間の圧力差を制御するための手段を備え、
―コマンド手段は、圧力差を制御するための手段によって決定される、シールされない閉鎖環境の内部と外部の間の圧力差が、シールされない閉鎖環境の壁を損傷することになる機械的ゆがみを引き起こすことになる圧力差より常に低くなるように、ポンピング機能および/または気体注入流量を調節する。
Claims (30)
- 自然の漏れ口(4)を有する壁(3)によって区切られた内部空間(2)を含むシールされない閉鎖環境(1)を汚染除去するための方法であって、
その自然の漏れ口(4)を有する前記シールされない閉鎖環境(1)を、気体を導入するための手段(6)および気体を排出するための手段(7、8)を含むシールされた汚染除去チャンバ(5)内に配置するステップと、
前記シールされない閉鎖環境(1)の内部と外部の間の圧力差が、前記シールされない閉鎖環境(1)の前記壁(3)を損傷することになる機械的ゆがみを引き起こすことになる圧力差より常に低くなるように、前記汚染除去チャンバ(5)内の圧力低下を調節することによって、前記汚染除去チャンバ(5)内に含まれた気体を排出するステップと、を含む、方法。 - その間に、前記シールされない閉鎖環境(1)の内部と外部の間の圧力差が、前記シールされない閉鎖環境(1)の前記壁(3)を損傷することになる機械的ゆがみを引き起こすことになる圧力差より常に低くなるように、前記汚染除去チャンバ(5)内の圧力増加が調節される、圧力を上げるステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記汚染除去チャンバ(5)内の圧力変動が、圧力対時間の理論的カーブに従って制御される、請求項1に記載の方法。
- 前記汚染除去チャンバ(5)内の前記圧力変動が、前記シールされない閉鎖環境(1)の前記壁(3)中のゆがみを検出する少なくとも1つのセンサから与えられた信号に従って制御される、請求項1に記載の方法。
- 前記汚染除去チャンバ(5)内の前記圧力変化を調節するために、前記ポンピング手段(7、8)のポンピング機能が、それらの回転速度を制御することによって、および/または前記ポンピング手段の可変伝導度(12)を制御することによって変化させられ、および/または前記汚染除去チャンバ(5)に流入する気体流量が、気体を導入するための手段(6)を制御することによって変化させられることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- パージ・ガスを満たす少なくとも1つの操作を含み、その間に、前記パージ・ガスが前記汚染除去チャンバ(5)中に導入される、パージ・ステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パージ・ステップは、少なくとも1つのパージ・ガスをポンピングする操作をさらに含み、その間に、前記汚染除去チャンバ(5)中に存在する気体の混合体がそこから抽出されることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記パージ・ガスを満たしポンピングする操作は、同時に実施され、ポンピング流量が、注入流量より小さい、請求項7に記載の方法。
- 複数のパージ・ガスを満たしポンピングする操作が、連続して実施される、請求項7に記載の方法。
- パージ・ガスを満たしポンピングする操作を含む、複数のパージ・ステップが、ポンピング・ステップと交互に行われる、請求項6に記載の方法。
- 前記パージ・ガスを満たす操作は、過圧期間を含み、その間、前記汚染除去チャンバ(5)が、大気圧より高い圧力に維持され、その後大気圧に戻される、請求項6に記載の方法。
- 前記パージ・ガスは、窒素である、請求項6に記載の方法。
- 前記パージ・ガスは、合成空気である、請求項6に記載の方法。
- 前記パージ・ガスは、前記シールされない閉鎖環境(1)が含むフィルタ(35)を介して、前記シールされない閉鎖環境(1)中に導入され、そこから抽出される、請求項6に記載の方法。
- 前記シールされない閉鎖環境(1)は、そのフィルム(3)を備えたフォトマスクであり、
前記パージ・ガスは、前記マスクの活性部分から前記フィルムを隔離する低伝導性フィルタを介して、導入され抽出される、請求項1に記載の方法。 - 前記シールされない閉鎖環境(1)は、閉じられた大気搬送ポッドであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記搬送ポッドは、半導体基板ウェハ(100)を収容することを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 約1.333〜0.1333Pa(約10−2〜10−3Torr)の低圧が、前記汚染除去チャンバ(5)内で達成される、請求項1に記載の方法。
- ポンピングされた気体が、分析され、
前記ポンピング・ステップは、一度前記シールされた汚染除去チャンバ(5)の内部の汚染レベルが事前設定値より小さくなると、停止される、請求項1に記載の方法。 - シールされない閉鎖環境(1)を汚染除去するための装置であって
前記シールされない閉鎖環境(1)を収容することができる汚染除去チャンバ(5)と、
前記汚染除去チャンバ(5)内に気体注入流を発生することができる気体を導入するための手段(6、13)と、
前記汚染除去チャンバ(5)から気体を排出することができるポンピング手段(7、8)と、を含み、
前記ポンピング手段(7、8)は、可変ポンピング機能を有し、
前記ポンピング機能を調節し、前記気体注入流量を調節するためのコマンド手段(14)を備え、
前記シールされない閉鎖環境(1)の内部と外部の間の圧力差を制御するための手段を備え、
前記コマンド手段(14)は、前記圧力差を制御するための手段によって決定される、前記シールされない閉鎖環境(1)の内部と外部の間の圧力差が、前記シールされない閉鎖環境(1)の壁(3)を損傷することになる機械的ゆがみを引き起こすことになる圧力差より常に低くなるように、前記ポンピング機能および/または前記気体注入流量を調節することを特徴とする、装置。 - 前記圧力差を制御するための手段は、前記コマンド手段(14)のメモリ(14b)中にセーブされた圧力対時間の理論的カーブを含み、
前記コマンド手段(14)は、時間にわたって前記ポンピング機能および/または前記気体注入流量を変化させるために、そのカーブに従う、請求項20に記載の装置。 - 前記圧力差を制御するための手段は、前記シールされない閉鎖環境(1)の前記壁(3)のゆがみを測定するようになされ、前記汚染除去チャンバ(5)内の前記圧力変動を制御するための信号を供給する、少なくとも1つのゆがみセンサ(15)を含むことを特徴とする、請求項20に記載の装置。
- 前記シールされない閉鎖環境(1)を加熱するための手段をさらに含む、請求項20に記載の装置。
- 前記気体を導入するための手段(6、13)は、窒素または合成空気などのパージ・ガスの源を含む、請求項20に記載の装置。
- ポンピングされた気体の分析手段(11)をさらに含む、請求項20に記載の装置。
- 前記分析手段(11)は、前記ポンピングされた気体をイオン化するための手段、イオン・パラメータを測定することによる前記イオン化された気体を同定するための手段、および前記測定されたパラメータに基づき操作を実施するための手段を含む、請求項25に記載の装置。
- 前記ポンピングおよびパージ・ステップは、前記ポンピングされた気体の分析手段(11)および/またはゆがみセンサ(15)から信号を読むことによって、自動化され始動されることを特徴とする、請求項25に記載の装置。
- 前記汚染除去チャンバ(5)は、寸法が、前記シールされない閉鎖環境(1)の寸法よりわずかに大きい、請求項20に記載の装置。
- 前記汚染除去チャンバ(5)内の前記圧力変化を測定するための測定手段(10)をさらに含む、請求項20に記載の装置。
- 前記ポンピング手段(7、8)は、主ポンプ(8a)および補助ポンプ(8b)を含み、
それらは、分子、ターボ分子、またはハイブリッドのポンプとすることができ、ポンピングが前記汚染除去チャンバ(5)内で約1.333〜0.1333Pa(約10−2〜10−3Torr)の真空状態を確立することができることが分かる、請求項20に記載の装置。
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