JP2009520678A5

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Publication number: JP2009520678A5
Application number: JP2008547331A
Authority: JP
Filing date: 2006-12-15
Publication date: 2010-01-07
Anticipated expiration: 2026-12-15

Claims

組成物であって、
柱状構造を有する複数の粒子を含む、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムの１つ又は２以上から成る多結晶金属窒化物と、以下の１つ又は２以上を備えていることを特徴とする組成物。
１０ｎｍから１ｍｍの範囲内の平均粒子サイズを有する粒子、
不純物含量が２００ｐｐｍ未満の金属窒化物、
体積分率における気孔率が０．１％から３０％の範囲内である金属窒化物、
金属窒化物と対応している理論密度値の７０％から９９．８％の範囲内の見掛け密度を有する金属窒化物、又は、
原子分率が０．４９から０．５５の範囲内である金属窒化物。
複数の粒子の平均量の範囲が、１立方センチメートルあたり１００から１０，０００であって、金属窒化物の気孔率の体積分率が、０．１％から１０％の範囲内である、請求項１に記載の組成物。
平均粒子直径が１ｍｍから１０μｍの範囲内である、請求項１又は請求項２のいずれか一項に記載の組成物。
前記金属窒化物の不純物含有が１５から１００ｐｐｍの範囲内であり、前記不純物が酸素からなる、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の構成。
前記金属窒化物の酸素含量が２０ｐｐｍ未満である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の組成物。
前記多結晶金属窒化物の前記見掛け密度が前記理論密度値の８５％から９５％の範囲であって、前記金属窒化物の前記金属の前記原子分率が０．５０から０．５１の範囲である、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の組成物。
ｎ−ｔｙｐｅ材料、ｐ−ｔｙｐｅ材料、半絶縁材料、磁性材料、及び発光性材料の一つかまたはそれ以上を生成可能な１又は複数のドーパントを備える請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の組成物。
前記ドーパント濃縮が１立方センチメートルにつき１０１６原子以上である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の組成物。
長さ、高さ、または幅の一つ又は２以上が１ｍｍ以上の寸法の外形を有する請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の組成物からなる部材。
請求項９に記載の部材の電子装置であって、その部材に１又は２以上装着される構成が、
陽極、陰極、電気伝導リード、又はそれら２つ以上の組合せからなるグループから選択され、且つ
変換機、ダイオード、探知機、又はセンサの１以上として操作可能な電子装置。
原料として多結晶の金属窒化物材料を第ＩＩＩ族金属から製造する製造装置であって、
チャンバーを規定する内表面を有するハウジング、
前記ハウジングに近接し、前記チャンバーにエネルギーの供給が可能なエネルギー源、
前記チャンバーと連通し、前記チャンバーに窒素含有ガスを流入するために構成された第一注入口、
前記チャンバーと連通し、前記チャンバーにハロゲン化物含有ガスの流入が可能な第二注入口、
前記窒素含有ガスと前記ハロゲン化物含有ガスとの混合物を生成するリフル表面、調整板、開口、及びフリットの少なくとも一つ、
前記窒素含有ガスと前記ハロゲン化物含有ガスとの混合流入の完全な下流側になるように、前記第ＩＩＩ族金属原料を受け取ることが可能であり、第一及び第二注入口に関連して前記チャンバー内に配置されているるつぼ、
前記チャンバーと前記チャンバーの外とを連通し、前記チャンバー内からチャンバー外へガスを放出する操作が可能な排気口、
一以上の注入口への流れを止めることができるバルブ、及び
一以上のセンサ、バルブ又はエネルギー源と連通しているコントローラー、
を備えている製造装置。
前記チャンバーと連通していて、少なくとも第ＩＩＩ族金属を原材料原料として前記チャンバーに流入させるように構成されている原材料注入口を更に備える請求項１１に記載の製造装置。
溶融状の第ＩＩＩ族金属の原材料原料が注入口から複数のチャンバーに流入するように、前記原材料注入口が複数の配置された出口を有し、且つそれぞれのるつぼは対応したそれぞれの複数の出口に配置されている請求項１１又は請求項１２に記載の製造装置。
アルミニウム、ガリウム、及びインジウムの１つ又は２以上から成る第ＩＩＩ族金属から多結晶金属窒化物を生成する方法であって、
窒素含有材料をハウジングで規定されたチャンバーへ流入し、
前記第ＩＩＩ族金属を前記チャンバー内のるつぼに原材料材料として提供し、
前記チャンバーを所定温度へ加熱し、及び所定圧力へ加圧し、
前記窒素含有材料と混合させるためハロゲン化水素を前記チャンバーへ流入し、
前記窒素含有材料と前記第ＩＩＩ族金属とを反応させ、
本来金属を有している前記るつぼ内での金属窒化物を生成することを含む方法。