JP2009518823A - パターン成形された太陽電池バス線での光捕獲 - Google Patents

パターン成形された太陽電池バス線での光捕獲 Download PDF

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Abstract

結晶シリコンPVモジュールは通常、バスバーメタライゼーションの導電率を高め、隣接セル同士を相互接続するために、スズメッキした平坦な銅線を使用する。上記の平坦なバス線は、圧延、圧搾、および延伸などの金属形成技術を用いてV字状の浅い溝でパターン成形される。溝は、光がガラス−空気間のインターフェースで内部全反射し、太陽電池上へ反射されるほど大きな内部インターフェース角度(通常は約40度超)で、入射光がモジュールのガラス基板に向けて反射されるように設計される。上記パターン成形されたバスバーのプロトタイプへの通常の光の衝突から生じる光電流は、同じ光源の活動セル領域への直接衝突から生じる光電流の70%以上である。約60度の一般的なフェース角は、全方位照明としてバス線にぶつかる光の50%以上にTIRを提供する。カバー面に垂直な約30度未満の外部インターフェース角でカバー外面にぶつかる光のほぼすべてが、TIRを受けることができる。モジュール効率の改善には、非常にわずかしかコストが追加されず、セルまたはモジュールの製造に追加のステップは要らない。標準的な面寸法は5〜150ミクロンで、山間の間隔はその範囲の約2倍である。溝は、1つの角度または複数の角度で導体に沿って縦方向に延びることができる。溝ではなく、傾斜面は、ピラミッドまたはその他の形状を形成することができる。表面は好適には鏡面であってもよい。

Description

2005年12月5日に提出された米国仮出願第60/742、486号の権利をここに請求する。
より詳細な部分的概要を、請求項に先行し以下に説明する。結晶シリコンPVモジュールは通常、バスバーメタライゼーションの導電率を高め、隣接セル同士を相互接続するために、スズメッキした平坦な銅線を使用する。上記の平坦なバス線は、圧延、圧搾、および延伸などの金属形成技術を用いてV字状の浅い溝でパターン成形される。溝は、光がガラス−空気間のインターフェースで内部全反射し、太陽電池上へ反射されるほど大きな内部インターフェース角度(通常は約40度超)で、入射光がモジュールのガラス基板に向けて反射されるように設計される。上記パターン成形されたバスバーのプロトタイプへの通常の光の衝突から生じる光電流は、同じ光源の活動セル領域への直接衝突から生じる光電流の70%以上である。約60度の一般的なフェース角は、全方位照明としてバス線を照らす光の50%以上にTIRを提供する。カバー面に垂直な約30度未満の外部インターフェース角でカバー外面を照らす光のほぼすべてが、TIRを受けることができる。モジュール効率の改善には、非常にわずかしかコストが追加されず、セルまたはモジュールの製造に追加のステップは要らない。標準的な面寸法は5〜150ミクロンで、山間の間隔はその範囲の約2倍である。溝は、1つの角度または複数の角度で導体に沿って縦方向に延びることができる。溝ではなく、傾斜面は、ピラミッドまたはその他の形状を形成することができる。表面は好適には鏡面であってもよい。
本明細書に開示される本発明は、以下の説明、添付の請求項、および添付の図面に関連し理解される。
シリコン太陽電池の光起電装置110が図1に概略的に示される。メタライゼーションパターンが、太陽電池吸収体、最も一般的には銀インクのスクリーン印刷、もしくは当該技術において既知な他の手段によって塗布される。このパターンは、細グリッド線(フィンガとしても既知)111と、フィンガ111から電流を回収するバスバー112とを有する。個々のプロセスで、その後、バス線114A、114Bは通常ははんだ付けによって、セルメタライゼーションのバスバー部112に付着される。図1では、バス線114Aはメタライゼーションに付着するように示され、バス線114Bはメタライゼーションバスバー112が見えるように展開図で示される。バス線は、通常スズメッキした平坦な銅である。これらのバス線はバスバーの導電率を大幅に上昇させ、セルを隣接セルと直列に相互接続する機構としても機能する。あるセルの上接点は、1つのセル110Aの縁部を超えて延在し、隣接セル110Bの下方へ曲がるバス線114Aによって図2に概略的に示されるように、別の裏の接点(図示せず)に接続される。
図1に示されるバス線は典型的なものではない。それらは本発明の1部である。ただし、セルの他の部分に対する配置は比較的代表的な配置で、代表的な配置がこの図面から理解することができる。バス線はバスリボン、相互接続線、およびタブ線とも呼ばれる(後者の2つの用語は、隣接セルを接続する機能から導かれる)。通常、本明細書では、バス線という用語を用いる。
従来のバス線は簡潔で安価である。それらはモジュールアセンブリの自動化の1部の基盤を成し、高い耐セル亀裂性を提供する。ただし、欠点がある。最も顕著なのは、3〜6%影領域が発生することである。バス線の数または幅が増えると、セル吸収体から回収可能な電流量が減少する。太陽電池の特徴から言うと、シェーディングの増大のために短絡電流(Isc)が減少する。このセル効率への悪影響は、メタライゼーションの直列抵抗を低減して、メタライゼーションの電圧降下を低減することによって部分的に清算される。この結果、所与の動作電流でより高いセル電圧がもたらされる。太陽電池の特徴から言うと、曲線因子(FF)が上昇する。よって、設計トレードオフが行われる結果、所与のセル設計にとって最適な数および幅のバス線となる。セルを横断するのに必要なバス線の長さが長いほどバス線の電圧降下が大幅に増大するため、セルの寸法が増大するほど、この設計トレードオフが深刻になる。さらに、熱膨張の不一致により、薄いセルへの移行は、バス線設計にさらに制限を課す。特にこの制約によって、バス線の厚みを増大させることは見込みがない。
要約すると、セルの大型化と薄型化という太陽電池業界の趨勢は、利用可能な設計スペースを制限し、バス線の存在のために電力損失の割合を増大させる。本明細書に記載の発明の目的は、バス線設計におけるIscとFF間のトレードオフの重大度を実質上低減させて、総モジュールパワー出力を増大させることによって、この設計スペースを広げることである。
本明細書に開示の発明は通常、平坦導体を使用し、それをパターン成形した後、予め金属化された、平坦または他の形状の基板に貼り付けることを含む。本発明の導体は、導体が吸収体に接触される前に、吸収体から分離されて予め形成される素子として独立している。
本明細書に記載の発明は、バス線から反射される光の相当部分を、セルの吸収体に反射し返すことによって、セルから離れて捕捉することに向けられる。これはバックスキン208、封入剤206a、吸収体218、メタライゼーション220、バス線214、封入剤206b、および上部ガラス222を含むモジュール110全体の断面図である図3に概略的に示す。バス線214には浅い溝230がパターン成形され、該溝は、通常、バス線のベース面または背面217によって画定される面に垂直な線Nwと平行である、ガラスカバー外面の法線(垂線)の線Ngから+/−60度で示される線フェース角β分、通常、傾斜する面232aおよび232bを有する。これは線のベース法線Nwを参照してより明瞭に示されるため、図面ではそのように示される。ただし、組み立てられる装置にとって最終的に重要な関係は、ガラスカバーの外面に垂直な線Ngに対する角度である。通常、バス線の裏面はほぼ平坦で、ベース面または表側面と称されることもある。ただし、表面は、吸収体に十分に固定でき、グリッド線およびバスバー(存在する場合)への十分な電気的接触が確保されることを条件に、平坦である必要はない。ベース面が平坦であるにせよないにせよ、ベース面とベース面が装着される素子との間が接触される面であるベース面によって確定される面がある。
バス線214に入射する光(光線R)は、ガラスカバー222と外部環境236間のインターフェース234で反射される。環境236は、外部空間で使用される場合、大気であっても真空であってもよい。太陽電池のカバーおよび封入剤内で内部に反射する光は、カバー外面に垂直な法線Ngに対して内部インターフェース角αでインターフェースに当たり、十分大きく、法線Ngから十分遠く離れているため、ガラス/大気間のインターフェース234からの内部全反射(TIR)を招く。その後、光は吸収体218で反射される。屈折率が1.5のガラスの場合、ガラス−環境間のインターフェースでの内部インターフェース角αは最低約42度を超えなければならない。
線が製造される際、どのように吸収体に貼着されるか、およびどのようにカバーが吸収体に貼着されるかを予想して成形される表側面を有するように設計される。通常、ベース面は平面状であり、吸収体面は平面状であり、カバーの外面と内面は平面状であり、すべてが互いに平行に組み立てられる。ただし、これが必ずしも当てはまる必要はなく、互いに傾斜していてもよい。次に、設計者は、TIRを確保するのに所望される外部インターフェース角に鑑み、これらの傾斜を考慮に入れる必要がある。本明細書で使用されるように、フェース角は、上述したように、カバー外面と線ベース面が平行である場合、その両方に垂直な線から測定される角度βを意味する。カバーを適用せずに線を説明する場合、フェース角は、線ベース面に垂直な線から測定することができる。
下記の式は、屈折率nのガラスに対する入射αminの最小内部インターフェース角(ラジアンで)に関する。この式は、空気が屈折率1を有するように取り込まれるスネルの屈折の法則から導かれる。

αmin=sin-1(1/n)(式1)

60度のフェース角βを有する溝230をパターン成形されたバス線214に垂直に入射する光線Rの場合、この入射内部インターフェース角αは60度であり(入射光線Rはガラスに垂直であるため)、(約18度の)広いマージンによって最小内部インターフェース角αmin全体のTIRにとって十分である。光トラッピングは、吸収体218、ガラス基板222、および吸収体218とガラス222の間の封入剤層206bを備えるシステムによって達成される。(図3は、光線Rの光エネルギーの100%がインターフェース234を通過してガラスに入る理想的な状況を示す。実際に、ソーラーモジュールカバー製造に使用される低吸収ガラスでも、入射光線Rの約4%がインターフェースから環境236に反射されて、ガラス222に入射しない)。
このコンセプトの実行は、ガラス/環境間のインターフェース(外側カバー面)に垂直な法線Ngに対する広範な外部インターフェース角γ(図4A)全体で入射光を捕捉する。以下の説明ではまず、図5に示されるように、バスバー214のV字状溝230に垂直な面Pxにある入射光線R、次に図6に示されるように、V字状溝に平行な面Pyにある入射光線Rも調べる。通常、いずれの状況でも、光線は日、季節、および天候に関係する変動の経過で、面Pxと面Pyの両方にある成分で至る。
V字状溝に垂直な面にある入射光線の成分の外部インターフェース角γの許容範囲は、図4Aおよび4Bと図8A〜8Eを参照して理解することができる。図4Aおよび4Bは、入射外部光線と光線が当たる面Nf(通常、山から隣接する谷への平坦面)への法線(破線で示される)とが両方ともガラスへの法線Ngに対して同じ方向に傾斜される(この場合、図示されるように時計回り)ケースを示す。図8A〜8Eは、入射光線Rと光線が当たる面への法線Nfとがガラスへの法線Ngに関して逆方向に傾斜する別のケースを示す。すべての図面は断面図で描かれ、バス線は図3に示される種類で、フェース角は線背面217(通常は、ガラスも)への垂線に対して+/−60度である。ガラスおよび封入剤は1.5の屈折率を有するように選ばれる。
図4Aの光線R02は、非法線外部インターフェース角γでガラス222に入射するとしても、パターン成形されたバス線214からの反射後、光線のTIRをもたらす。ガラス222に入射後、現在は光線R04と指定される光線は、空気−ガラス間のインターフェースでの屈折のために角度を変え、法線Ngに近づくように移動する。屈折は、光がモジュールによって受け入れられ、TIRによって捕捉される外部インターフェース角γの範囲の大幅な増大に寄与する(さらに、ガラス222と封入剤206b間のインターフェースで示される角度の変化はない。これは、ガラスと封入剤が意図的に屈折率を一致させているからである)。
図示されるように、入射光線R02はγ=24.4度で傾斜し、屈折し、次に図4Aで示されるように光線R04としてフェース角β=60度の面232aにぶつかり、R05として反射し、42度のαminよりも大きい内部インターフェース角α=44度でガラス/環境間のインターフェースに突き当たるため、光線はR06として吸収体面218で反射して、そこで所望されるように吸収される。
法線Ngに関して異なる入射外部インターフェース角を有する入射光線の場合、外部インターフェース角γが増大し続け、最終的に外部インターフェース角γmaxとなって、そこでTIRは発生せずに、光線はガラスの面234から外へ逃げる。
図4Bに示されるように、光線R12は外部インターフェース角γ=29.2度でガラス面234にぶつかる。光線は屈折し、光線R14は光線R15として反射するようにバス線214の面にぶつかり、ガラスをαminよりも小さな内部インターフェース角α=41度で環境インターフェース234にぶつける。よって、光線はR16として逃げ、吸収されない。β=+/−60度で面を有するバス線と屈折率1.5のガラス/封入剤の特定なケースの場合、光線が入射してまだTIRを受ける、ガラスの法線に対する最大外部インターフェース角γmaxは約27.6度である。この最大角は、媒体の厚みではなく、フェース角βと媒体の屈折率にのみ依存する。
よって、有効なフェース角βの範囲は、太陽電池アセンブリを覆うために使用されるガラスやその他の材料から生じると思われる屈折率の範囲を検討することによって評価することができる。この屈折率範囲はかなり小さく、約1.5である。よって、+/−50度〜+/−70度のフェース角βを有するバス線は、その大半を満足させる+/−55度〜+/−65度の角度を生じると思われるほとんどの材料に対応する。
図8A〜8Eは、入射光線Rと光線が当たる面への法線Nfとがガラスへの法線Ngに対して逆方向に傾斜する様々な種類のケースを示す(これらの例に示されるように、入射光線は時計回り方向に傾斜し、面への法線は反時計回り方向に傾斜する)。これらのケースでは、入射光線がTIRを受けるか否かは、入射外部インターフェース角γと、光線が入射する面上の位置との両方に左右される。図8A、8B、8Cは、光線が面の底部近くに入射し、8Bおよび8Eは面の上部近くに入射するケースを示す。
図8Aでは、光線R32は、空気/ガラス間のインターフェース234で屈折した後、光線R34は面232bで反射するため、反射光線R35は近傍だが頂点233の上を通過するので、2度バス線214にぶつからない。この光線R35は、インターフェースへの法線Ngに対して65度の内部インターフェース角αでガラス/空気インターフェース234に到達し、セルによって吸収される光線R36としてTIRを経験する。
図8Bでは、入射光線R42は、図8Aの光線R32(γ=7.5度)よりも大きな外部インターフェース角γ=18度でガラスインタフェース234に入射する。空気/ガラス間のインターフェース234での屈折後、光線R44はバス線214に2度ぶつかり、それぞれ光線R43として隣接し、逆に対向する面232bおよび232aにぶつかる。ただし、この光線は、αminを超える、インターフェース234への法線Ngに対して48度の内部インターフェース角αで、ガラス/空気間のインターフェース234にR45として到達するため、光線R46としてTIRを受け、吸収体218に反射してそこで吸収される。
図8Cでは、入射光線R52は、光線R42よりさらに大きな外部インターフェース角(γ=29度)でインターフェース234に入射する。再度、この光線は、光線R54およびR53としてそれぞれ2つの面232bおよび232aにぶつかる。ただし、この場合、第2の面232aからの反射光線R55は、インターフェース(α=41度<αmin)に垂直なNgに対して非常に小さな内部インターフェース角αでインターフェース234にぶつかる、ガラス/空気間のインターフェース234ではTIRを受けずに光線R56として逃げる。図示されるβ=+/−60度および屈折率1.5のガラス/封入剤で面を有するバス線の場合、光線が入射し2度目にバス線に反射していまだにTIRを受ける、ガラスの法線に対する最大外部インターフェース角γmaxは約27.6度である。
図8Dおよび8Eは、面の山233近傍に達する光線R62、R72を示す。図8Dでは、図4A、4B、8A、8B、8Cに示される外部インターフェース角γのいずれよりも大きい34度の外部インターフェース角γを有する光線R64は、空気/ガラス間のインターフェース234での屈折後、反射光線R65が山233の近傍だがその上を通過するように面232bに反射する。この反射光線は、インターフェースNgへの法線に対して非常に大きな内部インターフェース角αで(示される装置部分の遠く左へ)ガラス/空気間のインターフェース234に達し、TIRを達成する。図8Aおよび8Dを比較すると、この隣接する山233の上だがその近傍を通過する反射光線の状況は、入射光線、たとえば、R32、R62の全く異なる外部インターフェース入射角γで発生することが分かる。TIRが発生するか否かの結果の違いは、屈折した光線が山233および谷237に対して面のどの部分にぶつかるかによる。
図8Eでは、光線R72は、図8Dの光線R62(γ=34度)よりも大きな外部インターフェース角(γ=45度)でインターフェース234に入射する。空気/ガラス間のインターフェースで屈折後、光線R74は、それぞれ光線R74およびR73として隣接面232bおよび232aに、2度バス線214にぶつかる。インターフェース234への法線Ngに対して非常に小さな内部インターフェース角α=32度<αminでガラス/空気間のインターフェースに達し、逃げる。面の山233近傍での入射の場合、図8Bには類似しない点に注意されたい。すなわち、光線が2つの隣接面232bおよび232aにぶつかり、いまだにTIRを受ける状況ではない。
よって、追加の判定要因は、光線が外側ガラスインタフェースへの法線の同じ側または逆の側に法線を有する面にぶつかるか否か、また、山と谷間の面に沿ってどこで光線がぶつかるかであるため、TIRがすべての入射光線に対して発生する外部インターフェース角γの範囲を明示することは厳密には不可能である。よって、TIRが実際に発生する最大角γmaxによって画定される外部インターフェース角γの一般的な範囲内に、上述した理由で、あらゆる光線に対してTIRが発生しない、より小さな外部インターフェース角を有する部分範囲または帯域がある。
パターン成形されたバス線は、図5に示されるようなV字状溝に垂直な平面Pxにおける垂直入射からの逸脱よりも、図6に示されるようなバス線のV字状溝に平行な平面Pyにおける外部インターフェース角の垂直入射からの逸脱にはるかに大きな耐性を有する。たとえば、+/−60度で媒体屈折率±1.5のケースで上述したように、図5の平面の光線は、最大約+/−27.6度で、TIRを受けるように保証することができる。ただし、図6の平面の光線の場合、任意の角度(最大+/−90度)の光線がTIRを受けるように保証される。さらに、図5の平面への光線の投射が呈し、TIRによって捕獲される角度範囲は、図6の平面の光線成分もある場合にはより大きい。たとえば、図5および6の平面で等しい成分を有する光線の場合、図5の平面内に完全に位置する光線の場合の27.6度と比較して、図5の平面への光線の投射は垂線から最大約+/−35度で、依然としてTIRを受けるように保証される。
TIRによって光を捕捉するシステムの能力を要約する簡潔な方法は、図23に示されるように角度Cの円錐を画定することである。+/−60度のフェース角と1.5の媒体屈折率を示すケースの場合、27.6度の角度の円錐内に入射するすべての光は、TIRによって補足される。数字上の分析が示すように、全方位に照射される際、その地点で入射する光の50%超が捕捉される(90度の円錐、すなわち半球に相当する)。
溝が、後述するように、ダイアモンド旋削心棒圧延ツールを用いて、スズメッキした銅平坦線に圧延された。図9は、圧延された線314の概略断面図である。山333間の距離は300ミクロンである。ガラス/環境間のインターフェースへの法線Ngに対する(通常、およびこの場合に示されるように、バス線の裏面317によって画定される平面への法線に対する)面332a、332bの名目角度βは+/−62度である。この角度は、角度分布が入射ソーラーエネルギーに割り当てられ、バス線によって再捕獲される光の総量がフェース角βの関数として最大化される1次元光線追跡シミュレーションの結果として設計された。シミュレーションでは、外部インターフェース角γの分布は、図5に示されるように、溝に垂直な平面Pxにすべて存在した。図3、4A、4B、および8A〜8Eの角度である+/−60度と比較して、+/−62度の角度は光が捕獲されない図8Cおよび8Eの状況に対してもう少し余裕を与える。サンプルバス線の縁部342a、342bは不完全に形成されているので、より精密にすることができる。図6に示されるように、溝に平行な平面Pyにあり、62度とは異なる角度を引き起こす可能性のある入射光の成分を考慮に入れるため、第2の大きさを含めることも適切である。上述したように、異なる屈折率の場合、フェース角の範囲は+/−50度〜+/−70度と大きくなる可能性がある。
パターン成形されたバスバー414(図9の314として示されるように)を図10に示されるようにテストセル410に貼着した。セルは、リン拡散を有するキャスト多結晶シリコン、窒化ケイ素反射防止膜、アルミニウム背面フィールド、銀ペーストの前側メタライゼーションから製造された。メタライゼーションは、TIR後にセル面418に戻って捕獲される光の量を正確に測定できるように、グリッド線のない75mm幅のフレーム403から成る。含まれる低電流はこの実施を考慮している。次に、パターン成形されたバス線414はメタライゼーション403の中心バスバー(図示せず)に銀エポキシした。このセルは、EVAと3mm 厚の低鉄フロートガラスの基板を用いて積層された。
図11は、 このセル410の直接上ではないが上方から見た、パターン成形されたバス線414に垂直に入射するレーザ光の照射の下の概略図である。レーザ光は、バスバー414にぶつかり、比較的明るい点442となり、バス線414の幅の大部分に入射する。光は線443a、443bに沿ってセル面418も照射する。これらは、ガラス面と外部環境間のインターフェースからの反射の結果である。セル面418の吸収特性は不完全であるのでそれらは可視であり、光はTIR後に面にぶつかる際に全方向に散乱する。
よって、TIR後にセル418に戻る光が大幅に再捕獲される。
照射される線443aおよび443bは面の平坦性の不完全さのために明確に画定された領域ではなく、結果的に平行光線は1つの角度ではなく角度範囲全体でそこで反射されると考えられる。よって、より平坦な面を実現する試みは有益であろう。山と谷の先鋭度の不完全さは照射領域のあいまいさの原因となり、光が結果的に逃げることになる角度で山と谷から反射されることを示唆すると考えられる。 よって、急な山と谷の折り目を実現する試みもおそらく有益だろう。
3mWの(名目)レーザ光は通常、結果として生じる1.59±03mAのIscを伴ってセルの活性化部分(6か所が測定された)に入射された。光が図11のようにバス線に入射すると、Isc(現時点では主にTIRによる)は1.01±.03mAだった。よって、バス線にぶつかるレーザ光から生じる光電流は、活動セル領域に直接ぶつかることから生じる光電流の63.6%だった。この割合は、本明細書では再捕獲比と称される。標準的バス線材料の面は完全には鏡面ではない。したがって、バス線からの一部の反射は、TIRが行われるように十分大きな内部インターフェース角で環境インターフェースのカバーにぶつかる場合がある。垂線からわずかに離れて反射する一部の光(約4%)も、吸収体に戻ってカバー環境インターフェースで垂直反射する。制御実験は、従来の未処理平坦面バス線材料を用いてテスト構造上で実行した。この場合、再捕獲比は、本発明のパターン成形されたバス線の63.6%よりも大幅に低い5.8%だった。面の鏡面性の度合いに応じて、標準的な平坦バス線の場合の再捕獲比はもっと高く、たとえば20%になる可能性がある。
図12は、入射光の外部インターフェース角の範囲で測定される再捕獲比を示し、その光線の軌跡は図5に示されるように平面Px内で変動する。予測されるように、光は、外部インターフェース入射角γの広範な範囲全体で捕獲される。
図13は、バス線の背面によって画定される平面に垂直入射で、カバーと環境間のインターフェースの平面にも垂直な光の場合の反射角度(法線から測定)の関数として、パターン成形された未密閉バス線からの反射強度を示す図である。これらのデータは、垂直入射でパターン成形されたバス線に650nmの赤色レーザ光を照射し、バス線を中心とした弧において光センサを回転させることによって得られる。光センサ出力は、約3度の回転の平均である。
約+/−60度にピークがある。これらのピークは、バス線の溝の側壁の直線部分に入射する光を示す。光の96%が、ガラスへの垂線に対して42度の最小外部インターフェース角αminよりも大きな角度で反射し、TIRを達成する。テストセルの寸法のため、78度より大きな角度で離れた光は、セルの外周の外側に戻り、光電流の原因とはならなかった。−78度〜−42度および+42度〜+78度間にある図13の反応部分は、セル出力の入射角への依存とコンボルブされた後、スズ(.8)の公表反射率を乗算し、再捕獲比の予測値を求めた。予測された再捕獲比70.3%は、測定結果の一般的範囲内である。
反射角度のグラフが60度で2つの急なピークを持たない理由は、面が完全に平坦でないためと、山と谷が完全に急でないためである。
バス線は通常、上に軟らかなはんだを被覆した軟銅製である。これらの材料は、圧延によって非常に申し分なく形を成す。ただし、本発明のパターン成形バス線上のはんだ層は薄いため、はんだ付け中に再溶解して毛管現象の影響を受けるとき、下の層の形状が許容しがたいほど変形されないことが妥当である。実験によると、厚いはんだ層が融解中に拭い取られ、適切な薄層を生成することが判明している。他の技術も当該技術において既知である。リフローは圧延処理によって意図的でなく導入される微小テクスチャを滑らかにするため、はんだの薄層は実際に有益であろう。
はんだの反射率はわずか約0.8であるので、バス線の上に別の金属を使用することが有益かもしれない。たとえば、銅バス線は銀めっきすることができる。もしくは、バス線は、2つ以上の異なる金属、たとえば銀および銅を積層することによって作製することができる。
通常、光学的鏡面を招くようにバス線の面を仕上げることが有益である。
溝が隣接セルへのはんだ付けを邪魔しないように、セルの上面にはんだ付けされるバス線の部分のみをパターン成形し、隣接セルの底部に接続する部分を未成形に残すことが有益であろう。図14は、1セルのメタライゼーション112の上に来るパターン成形部564と、(通常、背面メタライゼーションへの)隣接セルの下に来る未パターン成形部563とを有するバス線514を示す。パターン成形部564と未パターン成形部563が交互に配置されたバス線材料の連続ロールは、供給メーカーからモジュールメーカーに供給することができる。これらの連続ロールは、タバー/ストリンガー(バス線材料をセルに貼着する機械)によって切断し湾曲させることができる。もしくは、タバー/ストリンガーでパターン成形を行うこともできる。
バス線材料614は、たとえば、図15に示されるように、圧延またはその他の形成ツールを用いてパターン成形することができる。たとえば、圧延心棒666は、図示されるように周囲にV字状溝668を設けて作製することができる。上記圧延心棒は、当該技術において既知なダイアモンド旋削技術によって製造することができる。ステンレス鋼製心棒はV字状溝を形成するのに必要な精密な特徴はないが、所望の粗形状に旋削可能である。その後、ニッケルを、V字状溝の領域で鋼製心棒上に電気鋳造することができる。その後、ニッケルをダイアモンド切削加工し、V字状溝の特徴を形成することができる。心棒が機械加工されたような光学面仕上げを有するように、ダイアモンド切削加工を利用することができる。もしくは、心棒は従来のツールで機械加工した後に研磨することができる。ただし、研磨中、角部である量の丸めが発生する場合があるので、手近なタスクには理想的というほど適さない形状となる。図15では、圧延心棒666は矢印R方向に回転して、アイドラーローラ670に対向し、材料603を後退させて矢印W方向に移動させることで形成圧力が生成される。
図16は、圧延心棒がバス線514の溝領域564および平坦領域563を形成するため形成部768と平坦部769の両方を有する、図14の中断されたバス線514の形成を示す。
基本的コンセプトは入射外部インターフェース角γ(図4Aおよび8A、8Bおよび8Dを参照)の妥当な範囲全体での光捕獲を定めているが、追加の変更は総光捕獲を最大化する目的で、溝の設計を最適化することができる。上記変更は、モジュール搭載方位および角度、太陽光入射の日々および季節の変動に左右される。
図17、および線A−Aに沿った図17の断面図である17Aに示されるように、溝(この場合、V字状溝として示される)830の面832a、832bは平面である必要はない。図17は、平坦面の場合よりも、2回衝突する光線が少なくなる面832a、832bのプロファイルを示す。図17に示される面は一致しており、つまり、全体が一致するように重ね合わせることができる。それらは一致形状のミラー像でもある。
図18、および線A−Aに沿った図18の断面図である図18Aに示されるように、プロファイルは、すべてのV字状溝930に対して同じフェース角βを有する必要はない。溝930aのうちいくつかは、小さなフェース角βbを含む他の溝930bよりも大きなフェース角βaを含むことができる。さらに、面932a、932bは、バス線ストリップ914の背面917に垂直な線に対して対称的な角度を有する必要はない。
図19および線A−Aに沿った図19の断面図である19Aに概略的に示されるように、プロファイルは平坦面に強制される必要はない。ここでは、隣接溝1030の隣接する山1033a、1033bは、円弧やその他の適切に選択された曲線などの破線によって示される形状1031の面に沿って伸びる。隣接フェース角も図示されるように異なる。
非平坦な対応面、様々な角度で、平坦でない面に沿って、様々な面寸法で、などの上記の変形のいずれの組み合わせでも使用することができる。
プロファイルは幅広い寸法を取ることができる。通常、面寸法(山から谷への長さ)は、回析効果を避けるため、反射される光の波長と同じくらいかそれより大きい。たとえば、結晶シリコン太陽電池での光電池用途では、面は少なくとも1ミクロンの寸法である。多くの実施形態では、面寸法は、約5ミクロン〜約150ミクロン、より頻繁には約25ミクロン〜約100ミクロンである。面はすべて同じ寸法である必要はない。さらに、非平坦面は同じ形状でありながら、互いに異なる寸法であってもよい。たとえば60度のフェース角での山間の間隔は、約10ミクロン〜約300ミクロン、より一般的には約50ミクロン〜約200ミクロンである。
この比較的より大きいという特徴の利点は、通常、理想的なV字状溝が望ましいが、製造される溝はやや丸型の山333(図9)と谷330であることである。面の円形部分に反射する光の1部は、TIRのためにインターフェースに垂直から離れた非常に小さな内部インターフェース角でガラス基板のほうに反射するため、吸収体セルに戻って捕獲されない。より大きい特徴とは、この円形部分がバス線面全体のわずかな割合しか占めないため、丸めによる割合のロスが低減されることを意味する。
ただし、他の要因が、形成される特徴の寸法を制限することがある。たとえば圧延によって形成された材料は加工硬化されて、もはや完全には軟化しない。これは、どの程度タイトな屈曲を生成できるかを制限し、モジュール変更の温度および負荷条件としてモジュール内で生じる反復屈曲による材料の故障を起こしやすくするという問題を引き起こすことがある。より大きい特徴とは、バス線材料の加工硬化される部分が大きくなることを意味する。1つの解決策は、形成後に材料を焼きなましすることである。補完的な解決策は、特徴の寸法(したがって深さ)を制限して加工硬化される材料の部分を低減することである。
さらに図20を参照して、上記記載の変形と拡張を説明する。溝1130は、バス線1114の材料の長手寸法Lと平行に伸びる必要はなく、その長手寸法に角度をつけて傾斜していてもよい。図20は、長手寸法Lに45度の角度で傾斜させた溝1130を示す。
溝は直線である必要はない。図21は、バス線1214全体に沿って延在する山型(長手寸法に沿って)溝1230を示す。
大きな内部インターフェース角αで入射光を反射し、それが基板と大気間のインターフェースから突出面に反射される限り、V字状溝以外のパターンも使用することができる。たとえば、図22に示されるように、ピラミッド状の突出部1310を構成する面のパターンをバス線1314に対して使用することができる。上記パターンは視覚効果の面でも利点を有する。ただし、上記パターンの欠点は、図3のV字状溝パターンと比べて面に当たって反射する前に凹部1330の基部近くで下方に貫通する光の割合が多いことである。光が正常に入射しない場合、V字状溝230と比較してさらに多くの光が(隣接ピラミッド1312a、1312bの基部で)2度反射し、さらに多くの光がTIRなしでモジュールから逃げる。
ソーラーモジュールが外部インターフェース角γの幅広い範囲全体に入射する光を捕獲できることが有益である。このように、たとえ日光が(曇りの日に)放散するときでも光を回収することができる。さらに、太陽の角度は1日の経過および季節の経過とともに変動する。固定パネル(太陽を追跡しない)は、角度範囲全体で太陽光線を回収することができる。
図7は、地面に対してζ度の固定角度で搭載された、図2に示されるように2つのセル110Aおよび110Bから成るモジュール211を示す(簡潔化のため、2つのセル110Aおよび110bのみを示すが、通常、もっと多くのセルが存在する)。通常、この角度ζは、モジュールが搭載される地理的位置の緯度が高いほど大きく、緯度が低いほど小さいことが望ましい。
図7は、水平に搭載されたバス線の溝230を有する本発明のパターン成形されたバス線214の特に有益な配向を示す。これは、1日の経過に伴い、モジュールに対する太陽光線の入射角が広範に変動する−早朝のある方向の視斜角から午後遅くの大きく異なる方向の視斜角まで−ために有益である。対照的に、季節の経過に伴う角度の変動は(ほとんどの緯度で)比較的ずっと小さい。パターン成形されたバス線の溝が水平である図7の配向の場合、季節に関連する小さな角度変動は、図5の平面Pxにある入射光線の変動とみなすことができる。この角度変動は、図3、4A、4B、および8A〜Eに示されるように吸収させることができる。日々起こる角度変動の主要成分は、平面Pyに位置する。指摘されるように、本発明は、この平面内での角度変動に非常に耐性がある。その結果、図7に示されるバス線の配向は、日々生じる大きな角度変動も季節的に生じる小さな角度変動も許容する。
太陽電池モジュールの中には、材料の簡易な単独シートである基板222(図3)を有するものがある。反射防止膜や他の膜などの1つか複数の被覆膜でおおわれたシートを有するものもある。設計者は、被覆膜が引き起こす様々な層インタフェースの透過および反射特性を考慮する必要はない。ただし、概して、本明細書に開示される発明は、同じように動作する。光は、環境と最も外側の被覆層とのインターフェースから、あるいはおそらくは再捕獲されるようにセル面に戻って中間層から反射しなければならない。よって、本明細書で使用されるように、環境−基板間のインターフェースは、環境と材料の単独シートまたは材料の被覆シート間のインターフェースを意味することがある。すなわち、インターフェースを命名する目的で、被覆は基板自体の1部とみなされる。
スーパーストレート構造の中には、光捕獲を助ける、あるいはモジュールの視覚的外観を変更することを目的とした面テクスチャを備えるものもある。テクスチャは入射光線の屈折とバス線から反射された光線のTIRとの両方に影響を及ぼすため、 テクスチャの性質はバス線の最適な設計を変更することがある。
本発明の別の側面は、状況によっては好適であるソーラーパネルの外観を美的に変更する。1部にはぶつかる光の大半が吸収されるため、太陽電池吸収体自体は暗く見えるが、ぶつかる光の大半がパネルから外へ戻って反射する(それによって、観る者が見ることができるため)、従来のバス線は明るく光って見えるというのが共通の問題である。近および中視聴距離からは、明るいバス線は主要な視覚的素子である。アーキテクチャ上の統合は光起電素子にとって重要なアプリケーションであるため、この視覚的外観は状況によっては使用の障害と考えられる。本発明の光捕捉バス線は、ソーラーパネルの1部として封入されるときに暗く見える。これは、モジュールに入射し、バス線に当たる光がTIRによってパネルの内部でほとんど捕捉されて逃げないからである。よって、観る者に届く光はほとんどなく、バス線は暗く見える。通常、バス線は中程度から暗いグレーの影に見える。このグレーは、標準的な太陽電池吸収体のダークブルーや黒に対する視覚的なコントラストが非常に低いことを示す。
設計者は、バス線面パターンが生成する再捕獲比全体は、1年の経過に応じて日々の異なる時間における瞬間的な再捕獲比の組み合わせであると認識するだろう。瞬間再捕獲比は次に、太陽光の入射角、直接日光対散乱日光の度合い、地理的位置、モジュールが固定搭載されているか太陽を追うかにかかわらずモジュールの搭載角度と配向、ガラスの上面のテクスチャ、バス線の特殊設計などの複数の要因に左右される。よって、意図される用途の明細(地理、気候、搭載の性質、最高収量の望ましい季節など)は適宜優れた性能を提供するバス線を設計するのに利用することができる。
上記の説明は通常、メタライゼーションがグリッド線とバスバーを含むことを前提とする。ただし、バスバーが存在する必要はない。傾斜面を有する本発明のバス線は、グリッド線を覆う光吸収体面に直接貼着することができる。バスバーが存在する場合、テクスチャ加工されたバス線がバスバーを完全に覆うことができる、あるいはバスバーの1部のみを覆うことができる。バス線はバスバーの領域を超えて延在することもできる。
何らかの理由で、従来のバス線とはみなされないが、本明細書に開示される発明が適用可能である、太陽光吸収セルまたはシステムの他の構成要素もあるかもしれない。概して、本発明は、金属部が、半導体光吸収素子に接触、貼着、接着、またはそれ以外の方法で固定される前に、独立金属ストリップまたはシートとして存在する太陽電池モジュールの反射部に適用することができる。反射素子は、太陽電池素子に接触、貼着、接着、またはそれ以外の方法で固定される前に、あるいはそのステップから独立してパターン成形することができる。たとえば、グリッド線またはフィンガなどの他の素子がパターン成形可能な独立ストリップとして貼着されるのであれば、それらも本明細書に記載の原則に従ってパターン成形可能であり、光はそこから反射しセルの光吸収部に入射する。
上記の内容は、傾斜面をバス線反射面に貼着する圧延方法を用いて説明している。延伸、押出し、圧搾、および型押しなどを含むがそれらに限定されない他の方法も使用することができる。
本発明の好適な1実施形態は、メタライゼーションが接触される光吸収体を設けるステップと、光反射面および表側ベース面と、互いに対して傾斜する複数の面を有する反射面と、を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線を設けるステップとを備える光起電装置の製造方法である。さらに、該方法は、メタライゼーションに接触する光吸収素子にバス線を配置するステップと、少なくとも2つの面がカバーの外面に対してフェース角で傾斜するように、バス線および吸収体上に封入剤と外面を有する光透過性カバーとを配置するステップと、を備える。カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光が、バス線からカバーと外部環境間のインターフェースに反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように、面、カバー、および吸収体が配置され、カバーの屈折率と封入剤が選択される。
バス線の面は鏡面を含むことができる。
面および吸収体は、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光の少なくとも20%が吸収体に対するTIRを受けるように調整することができる。
面および吸収体は、全方位照明としてバス線にぶつかる光の少なくとも50%が吸収体に対するTIRを受けるように調整することができる。
面は平坦面または/および非平坦面を含むことができる。面は各対が山に接触する、複数対の隣接面を含むことができる。面は、カバー外面に垂直な線に対してフェース角で傾斜する2セットの一致面を含むことができる。フェース角は、等しいまたは異なる大きさであってもよい。
2セットの面のうち一方が正のフェース角がついた面を備え、2セットの面のうち他方が負のフェース角がついた面を備え、正の角度面が山で負の角度面と接触する。
複数の面間で隣接する山は、約10ミクロン〜300ミクロン、好ましくは約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てることができる。
傾斜面、カバー、および吸収体は、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光が、カバー外面に垂直な線に対して約42度より大きな内部インターフェース角でカバーの外面に反射しぶつかるように調整することができる。
面は、バス線の延長規模に対して略平行または傾斜して延在する溝を備えるパターン状に調整することができる。
面は、複数のV字状溝または複数のピラミッドを備えるパターン状に調整することができる。面は、複数対のV字状溝を備え、少なくとも1対が山型を形成するパターン状に調整することができる。
フェース角は、50度〜70度、好ましくは55度〜65度とすることができる。
バス線は、圧延面、あるいは圧搾、型押し、押出し、または延伸された面を備えることができる。バス線光反射面は、バス線を吸収体に接触させる前に面が貼着された面を備えることができる。
バス線をメタライゼーションに接触させるステップは、はんだ付けを含むことができる。
メタライゼーションはバスバーを含むことができ、バス線を配置するステップは、バス線がバスバーに接触し、バスバーを少なくとも部分的に覆うようにバス線を配置することを含むことができる。メタライゼーションはグリッド線のネットワークを含むことができ、バス線を配置するステップは、バス線が少なくとも1つのグリッド線に接触しそれを覆うようにバス線を配置することを含むことができる。反射面は、めっきでもよい銀を含むことができる。
光起電装置は太陽電池を含むことができる。
同様の本発明は、バス線を吸収体に配置するステップが、面をバス線反射面上に形成するステップの後に実行される方法である。
本発明の関連方法は、上述の方法によって作製される第2の光起電装置を設けるステップと、第1の光起電装置のバス線から第2の光起電装置までの電気的導通を確立して光起電装置のストリングを形成することによって、第2の光起電装置を第1の光起電装置に電気的に接続するステップとをさらに備える。
さらに別の関連方法は、上述の方法によって作製される第3の光起電装置を設けるステップと、光起電装置の第1のストリングのバス線から第3の光起電装置までの電気的導通を確立することによって、第3の光起電装置を光起電装置の第1のストリングに電気的に接続するステップとをさらに備える。
さらに別の本発明は、メタライゼーションが接触される光吸収体を設けるステップと、光反射面および表側ベース面と、互いに対して傾斜する複数の面を有する反射面と、を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線を設けるステップと、メタライゼーションに接触する光吸収素子にバス線を配置するステップと、面がカバーの外面に対してフェース角でそれぞれ傾斜するように、バス線および吸収体上に封入剤と外面を有する光透過性カバーとを配置するステップと、を備える光起電装置の製造方法であって、カバー面に垂直な線に対して27度未満の外部インターフェース角でカバー外面にぶつかる光のほぼすべてが、バス線からカバーと外部環境間のインターフェースに反射し、吸収体へのTIRを受けるように、面、カバー、および吸収体が配置され、カバーの屈折率と封入剤が選択される方法である。
本発明のさらに追加の有益な実施形態は、メタライゼーションが接触される光吸収体を設けるステップと、光反射面および表側ベース面と、互いに対して傾斜する複数の面を有する反射面と、を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線を設けるステップと、メタライゼーションに接触する光吸収素子にバス線を配置するステップと、面がカバーの外面に対してフェース角でそれぞれ傾斜するように、バス線および吸収体上に封入剤と外面を有する光透過性カバーとを配置するステップと、を備える光起電装置の製造方法であって、全方位照明としてバス線にぶつかる光の50%が、バス線からカバーと外部環境間のインターフェースに反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように、面、カバー、および吸収体が配置され、カバーの屈折率と封入剤が選択される方法である。
上述のフェース角、山の配置、面を線に貼着する方法などに関する、より具体的な詳細は、これらの上記2つの関連実施形態の特徴であってもよい。
本発明のさらに別の好適な実施形態は、メタライゼーションが接触される光吸収体と、光反射面および表側ベース面とを有する少なくとも1つの事前成形細長バス線とを備え、反射面が複数の傾斜面を有する光起電装置である。少なくとも1つのバス線および吸収体は、封入剤と、少なくとも2つの面がフェース角で傾斜する外面を有する光透過性カバーとに重ねられる。傾斜面、カバー、および吸収体のすべてが、カバー外面に垂直な線に沿って導体にぶつかる光が、バス線からカバーおよび外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整される。
関連実施形態では、面および吸収体が、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光の少なくとも20%が吸収体に対するTIRを受けるように調整される。
本発明の光起電装置の関連実施形態は、前述の光起電装置の製造方法に関してこの概要セクションで上述した幾何的形状、面配置などの具体的な変形および説明のすべてを有する光起電装置を含む。
本発明の別の関連実施形態は、第1の光起電装置に電気的に接続される上述の第2の光起電装置を備え、第2の光起電装置は、第1の光起電装置のバス線から第2の光起電装置までの電気的導通を確立して光起電装置のストリングを形成することによって第1の光起電装置に接続される。
さらに、上述したように光起電装置のストリングに電気的に接続される第3の光起電装置を設けることもでき、第3の光起電装置は、光起電装置の第1のストリングのバス線から第3の光起電装置までの電気的導通によって光起電装置の第1のストリングに電気的に接続される。
本装置の関連実施形態の場合、第1の光起電装置のバス線から第2の光起電装置までの電気的導通は、第1および第2の光起電装置のうち少なくとも1つのバス線の端部を含むことができる。第1および第2の光起電装置のうち少なくとも1つのバス線の端部は、傾斜面を有していてもよい。もしくは、第1および第2の光起電装置のうち少なくとも1つのバス線の端部は、傾斜面を有していなくともよい。
別の重要な好適な実施形態は、第1の面とベース面を画定する表側ベース面とを有する線を設けるステップと、第1の面に、ベース面に垂直な線に対して50度〜70度のフェース角で傾斜する複数の鏡面光反射面を形成するステップと、を備えるバス線の形成方法である。
バス線の形成方法に関しては、複数の面の隣接面は、約5ミクロン〜300ミクロン、好ましくは約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられた山に接触することができる。面寸法は、一般でも好適にでも、同じ範囲内にあってもよい。
バス線の形成方法の本実施形態では、面は、導体の延長規模に沿って延在する略平行溝を備えるパターン状に調整することができる。あるいは、平行溝は、導体の延長規模に対して傾斜させることができる。面は、複数のV字状溝または複数対のV字状溝を備えるパターン状に調整することができ、少なくとも1つの対は山型パターンを形成することができる。面は、複数のピラミッドを備えるパターン状に調整することもできる。
バス線を形成する本発明の関連方法は、面が平坦面または非平坦面であるバス線を形成するステップを備える。面は、複数対の隣接面が山で接触するように調整することができる。
バス線の形成方法のさらに別の実施形態によると、面を形成するステップは、ベース面に垂直な線に対して傾斜する2セットの一致面を有する面を形成することを備えることができる。フェース角は同じ大きさでも異なる大きさであってもよい。
本発明の方法の好適な実施形態では、面を形成するステップは、線に沿ってツールを圧延することを含むことができる。もしくは、あるいはさらに、面を形成するステップは、線の第1の面に面を圧搾することを備えることができる。
本発明の方法のさらに別の関連実施形態は、第1の面上の線に銀を塗布するステップをさらに備え、該塗布ステップはめっきによってもよい。
本発明の方法のいくつかの実施形態では、面を形成するステップは、面を保持する線と面を保持しない線とを交互の長さで形成することを含むことができる。
本発明の別の重要で好適な実施形態は、光反射面とベース面を画定する表側ベース面とを有する独立細長電気導体を備えるバス線であって、反射面が、ベース面に垂直な線に対して50度〜70度のフェース角で傾斜する複数の鏡面を備えるバス線である。
上述のおよび他の方法の実施形態と同様、複数の面の隣接面は、約5ミクロン〜300ミクロン、好ましくは約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられる山で接触することができる。
面は、50度〜70度のフェース角で傾斜する鏡面光反射面を有するバス線を、導体の延長規模に沿って、またはそれに対して傾斜して延在する略平行溝を有するパターンで形成する方法に関連して上述された様式で構成および調整することができる。面は、平坦面および非平坦面を備えることができる。フェース角は同じ大きさでも異なる大きさであってもよい。面は、複数のV字状溝、複数のピラミッド、少なくとも1対が山型を形成する複数対のV字状溝を備えるパターン状に調整することができる。バス線は、圧延面、圧搾面、型押し面、押出し面、または延伸面を備えることができる。面は、面が追加された、あるいは押出しまたは延伸などによって面が形成される際、原位置で面を形成された面であってもよい。反射面はめっきでもよい銀を含むことができる。反射面は、面を保持して、および面を保持せずに交互の長さを有することができる。
本発明の方法のさらに別の実施形態は、第1の面および表側ベース面を有する少なくとも1つの細長線を設けるステップと、互いに対して傾斜する複数の鏡面光反射面を第1の面に形成するステップと、を備える、メタライゼーションが接触する光吸収体を有する光起電装置とともに使用されるバス線の製造方法である。面は、形成されたバス線がメタライゼーションに接触する表側面を有する吸収体上に配置される際、および、少なくとも2つの面がカバー外面に対してフェース角で傾斜するように、封入剤と外面を有する光透過性カバーとがバス線および吸収体上に配置される際、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光が、バス線からカバーおよび外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整される。
関連実施形態では、面は、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光の少なくとも20%が吸収体に対するTIRを受けるように調整される。さらに別の関連方法では、面は、全方位照明としてバス線にぶつかる光の少なくとも50%が吸収体に対するTIRを受けるように調整される。
本概要セクションで上述した方法および装置の実施形態のすべてではないにせよ大半と同様、光起電装置とともに使用されるバス線の製造方法については多くの関連するより具体的な記載がある。
面は平坦面および/または非平坦面を含むことができる。隣接面は、5ミクロン〜300ミクロン、好ましくは50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられる山で接触することができる。フェース角は、50度〜70度、好ましくは55度〜65度の同じ大きさであっても、異なる大きさであってもよい。傾斜面は、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光が、カバー外面に垂直な線に対して約42度より大きな内部インターフェース角でカバーの外面に反射しぶつかるように調整することができる。
面は、バス線の延長規模と略平行に延在する、あるいはバス線の延長規模に対して傾斜する溝を備えるパターン状に調整することができる。面は、複数のV字状溝または複数対のV字状溝を備えて、少なくとも1つの山型を形成するパターン状に調整することができる。
面を形成するステップは、線に沿った連続面形成部または面形成部および平坦部を有するツールで、線に沿ってツールを圧延することを備えることができる。圧延の代わりに、面は、圧搾、型押し、押出し、または延伸、あるいはその組み合わせのステップによって形成することができる。
別の関連実施形態は、光吸収体、封入剤、および外面を有する光透過性カバーを有する光起電装置とともに使用されるバス線に関し、該バス線は、光反射面および表側ベース面を有する独立細長電気導体を備える。反射面は、ベース面が吸収体に接触し、封入剤とカバーが導体および吸収体に重なる際、カバーの外面に垂直な線に沿って導体にぶつかる光が導体からカバーと外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体へのTIRを受けるように、互いに対して傾斜する複数の鏡面を備える。
本概要セクションで上述される他の主要な実施形態と同様、構成要素およびステップの同様の追加の具体的な実施形態が、この関連実施形態で存在する。
本明細書に開示されるさらに別の発明は、地理的位置に光起電装置を設置する方法である。該方法は、光吸収体およびそれに接触されるメタライゼーションを備える光起電装置を設けるステップと、少なくとも1つの細長バス線を、メタライゼーションで吸収体に接触させるステップとを備える。バス線は、光反射面および表側ベース面を備え、反射面は、バス線の延長規模と略平行に延在する溝を有するパターン状に調整される複数の傾斜面を備える。少なくとも1つのバス線と吸収体は、封入剤と面の少なくとも2つがフェース角で傾斜する外面を有する光透過性カバーとに重ね合わされている。傾斜面、カバー、および吸収体はすべて、カバーの外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる入射光がバス線からカバーと外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整される。いったん提供されれば、設置する方法は、溝が該位置で略水平になるように光起電装置を並べることをさらに備える。
上述の発明に関連する発明は、メタライゼーションが接触される光吸収体を設けるステップと、光反射面および表側ベース面と、互いに対して傾斜する複数の面を有する反射面とを有する少なくとも1つの事前成形細長バス線を設けるステップと、メタライゼーションに接触する吸収体に事前成形バス線を配置するステップと、を備える光起電装置の製造方法である。面および吸収体は、面および吸収体は、少なくとも2つの面がカバー外面に対してフェース角で傾斜するように、封入剤と外面を有する光透過性カバーとがバス線および吸収体上に配置される際、カバーの外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光がバス線からカバーと外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整される
本発明の最後の関連実施形態は、メタライゼーションが接触される光吸収体と、メタライゼーションに接触し、光反射面および表側ベース面を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線とを備え、反射面が複数の傾斜面を備える光起電装置である。面および吸収体はすべて、封入剤と外面を有する光透過性カバーとが少なくとも1つのバス線および吸収体に重ね合わされ、面がカバー外面に垂直な線に対してフェース角で傾斜する際、カバーの外面に垂直な線に沿ってバス線面にぶつかる光が面からカバーと外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体へのTIRを受けるように調整される。
発明の多くの技術と側面を本明細書で説明した。当業者であれば、たとえ一緒での使用が具体的に記載されていないとしても、これらの技術の多くは開示される他の技術とともに使用できることを了解するであろう。たとえば、面または溝の様々な形状のいずれも、個々にあるいは組み合わせて使用することができる。圧延、圧搾、型押し、延伸、および押出しなどの成形面を形成する技術のいずれも形成可能な形状を形成するのに利用することができる。面の表面は鏡面であってもなくても、被覆されていてもいなくてもよい。
本開示は、2つ以上の発明を説明し、開示している。発明は、出願されているだけではなく、本開示に基づく特許出願の手続き中に作成されている本文献および関連文献の請求項に記載されている。発明者らは、後で判定されるように、先行技術によって容認される限定に対して様々な発明のすべてを請求することを目的とする。本明細書に記載の特徴は、本明細書に開示される各発明に必須ではない。よって、発明者らは、本明細書に開示されるが、本開示に基づく特許の特定の請求項では請求されていない特徴は、上記請求に組み込むべきではない。
ハードウェアのいくつかのアセンブリ、またはステップ群を本明細書で発明と称する。ただし、上記アセンブリまたは群は必ずしも、特に、単独の特許出願で研究される発明の数、すなわち発明の単一性に関する法規則によって企図されるような、特許可能な明確な発明であるとは認められない。発明の実施形態を語る簡潔な方法であることが目的とされる。
要約を本明細書とともに提出する。この要約は、研究者やその他のサーチャーが技術上の開示の主題を迅速に確認できるように要約書を要求する規則を遵守するために提供されることが強調される。要約は、特許庁規則によって保証されるように、請求項の範囲または意味を解釈または制限するために使用されないという合意とともに提供される。
上記の説明は例示として理解すべきであって、いかなる意味でも限定的に解釈してはならない。発明は好適な実施形態を参照して具体的に図示され説明されているが、当業者であれば、形式や細部は請求項によって定義される発明の精神と範囲を逸脱せずに様々に変更することができると理解するであろう。
以下の請求項におけるすべての手段またはステッププラス機能要素の対応する構造、材料、行為、および等価物は、具体的に請求される他の請求要素と組み合わせて機能を実行するための構造、材料、または行為を含むように意図される。
吸収体、上に連続パターンを有するバス線、グリッド線、およびバス線の接続部を含む太陽電池の概略図であり、下のバスバーを明らかにするために1つのバス線が取り外されている。 短いストリングを形成するように共に一連にされた2つの太陽電池の概略図である。 線A−Aに沿った、図2の1部の概略断面図で、パターン成形されたバス線からの光捕獲も示す。 内部全反射(TIR)が行われず、光がモジュールから逃げるある種類の限定的なケースを示す概略図で、入射光線と光線のぶつかる面への法線の両方が外側カバー面への法線の同じ側である図4A(TIR)と、図4B(光が逃げる)との2つの部分で示される。 パターン成形されたバス線にぶつかる1セットの光線を概略的に示し、その光線はバス線の溝の伸張規模に垂直な面に位置する。 パターン成形されたバス線にぶつかる1セットの光線を概略的に示し、その光線はバス線の溝の伸張規模に平行な面に位置する。 太陽光がぶつかるモジュールを示す。 入射光線と光線のぶつかる面への法線とが外側カバー面への法線の逆の側である別の種類の限定的なケースを示す概略図で、図8A、8B、および8Dに示されるケースではTIRが発生し、図8Cおよび8Eに示されるケースでは光が逃げる。 図2の線A−Aに沿ったバス線の切断断面の概略図である。 本明細書に開示された発明の有効性を確認するためのテストセル構造の概略図である。 バス線に当たり、TIRによって図10に示されるテスト回収セル面に方向を変えられるレーザ光の概略図である。 図10に示されるテストセルに関して、入射角の関数として再捕獲比を示すグラフである。 角度の関数としてパターン成形バス線の反射強度を示すグラフである。 パターン成形領域および未パターン成形領域を有する本発明のバス線を概略的に示す。 バス線をパターン成形するために周囲に溝を有する心棒を概略的に示す。 周囲に溝部と非溝部とを有し、平坦部によって中断される溝を有するバス線を形成する心棒を概略的に示す。 平坦でない面に溝を有するバス線を概略的に示し、図17Aは線A−Aでの断面を示す。 様々な角度のV字状溝を有するバス線を概略的に示し、図18Aは線A−Aでの断面を示す。 平坦でない面に溝を有するバス線を概略的に示し、図19Aは線A−Aでの断面を示す。 バス線の長軸に対して45度傾斜する溝を有するバス線を概略的に示す。 バス線の長軸に沿って並ぶ頂点を有する山型バス線溝を概略的に示す。 バス線からの略ピラミッド状の突出部とその間の対応する凹部とによるパターンを概略的に示す。 パターン成形されたバス線にぶつかる光線がカバーに反射しTIRを受けるような半角Cを有する円錐を概略的に示す。

Claims (99)

  1. a.メタライゼーションが接触される光吸収体を設けるステップと、
    b.
    i.光反射面および表側ベース面と、
    ii.互いに対して傾斜する複数の面を有する反射面と、
    を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線を設けるステップと、
    c.メタライゼーションに接触する吸収体にバス線を配置するステップと、
    d.面の少なくとも2つがカバーの外面に対してフェース角で傾斜するように、バス線および吸収体上に封入剤と外面を有する光透過性カバーとを配置するステップと、
    を備える光起電装置の製造方法であって、
    カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光が、バス線からカバーと外部環境間のインターフェースに反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように、面、カバー、および吸収体が配置され、カバーの屈折率と封入剤が選択されることを特徴とする方法。
  2. 面および吸収体が、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光の少なくとも20%が吸収体に対するTIRを受けるように調整されることを特徴とする請求項1の光起電装置の製造方法。
  3. 面および吸収体が、全方位照明としてバス線にぶつかる光の少なくとも50%が吸収体に対するTIRを受けるように調整されることを特徴とする請求項1の方法。
  4. 面が非平坦面を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  5. 面が複数対の隣接面を備え、各対が山で接触することを特徴とする請求項1の方法。
  6. 面が、カバー外面に垂直な線に対してフェース角で傾斜する2セットの一致面を含むことを特徴とする請求項1の方法。
  7. フェース角が異なる大きさであることを特徴とする請求項1の方法。
  8. フェース角が略等しい大きさであることを特徴とする請求項1の方法。
  9. 2セットの面のうち一方が正のフェース角がついた面を備え、2セットの面のうち他方が負のフェース角がついた面を備え、正の角度面が山で負の角度面と接触することを特徴とする請求項6の方法。
  10. 傾斜面、カバー、および吸収体が、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光が、カバー外面に垂直な線に対して約42度よりも大きな内部インターフェース角でカバーの外面に反射しぶつかるように調整されることを特徴とする請求項1の方法。
  11. パターン状に配列される面が、バス線の延長規模に略平行に延在する溝を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  12. フェース角が50度〜70度であることを特徴とする請求項1の方法。
  13. フェース角が55度〜65度であることを特徴とする請求項1の方法。
  14. パターン状に配列される面が、バス線の延長規模に対して傾斜する平行溝を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  15. パターン状に配列される面が、複数のV字状溝を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  16. パターン状に配列される面が複数のピラミッドを備えることを特徴とする請求項1の方法。
  17. パターン状に配列される面が複数対のV字状溝を備え、少なくとも1対が山型を形成することを特徴とする請求項1の方法。
  18. バス線が圧延面を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  19. バス線が圧搾面を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  20. バス線が押出し面を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  21. バス線が延伸面を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  22. バス線光反射面が、バス線を吸収体に接触させる前に面が貼着される面を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  23. バス線をメタライゼーションに接触させるステップがはんだ付けを含むことを特徴とする請求項1の方法。
  24. 複数の面間で隣接する山が約10ミクロン〜300ミクロンの間隔で隔てられることを特徴とする請求項5の方法。
  25. 複数の面間で隣接する山が約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられることを特徴とする請求項5の方法。
  26. 複数の面が約25ミクロン〜100ミクロンの寸法であることを特徴とする請求項1の方法。
  27. メタライゼーションがバスバーをさらに備え、バス線を配置するステップが、バス線がバスバーに接触し、バスバーを少なくとも部分的に覆うようにバス線を配置することを備えることを特徴とする請求項1の方法。
  28. メタライゼーションがグリッド線のネットワークをさらに備え、バス線を配置するステップが、バス線が少なくとも1つのグリッド線に接触し覆うように配置することを備えることを特徴とする請求項1の方法。
  29. 光起電装置が太陽電池を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  30. バス線の面が鏡面を備えることを特徴とする請求項1の方法。
  31. 反射面が銀を含むことを特徴とする請求項1の方法。
  32. 銀がめっきを含むことを特徴とする請求項31の方法。
  33. バス線を吸収体に配置するステップが、面をバス線反射面上に形成するステップの後で実行されることを特徴とする請求項1の方法。
  34. a.請求項201の第2の光起電装置を設けるステップと、
    b.第1の光起電装置のバス線から第2の光起電装置までの電気的導通を確立して光起電装置のストリングを形成することによって、第2の光起電装置を第1の光起電装置に電気的に接続するステップと、
    をさらに備えることを特徴とする請求項1の方法。
  35. a.請求項1の第3の光起電装置を設けるステップと、
    b.光起電装置の第1のストリングのバス線から第3の光起電装置までの電気的導通を確立することによって、第3の光起電装置を光起電装置の第1のストリングに電気的に接続するステップと、
    をさらに備えることを特徴とする請求項34の方法。
  36. a.メタライゼーションが接触される光吸収体を設けるステップと、
    b.
    i.光反射面および表側ベース面と、
    ii.互いに対して傾斜する複数の面を有する反射面と、
    を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線を設けるステップと、
    c.メタライゼーションに接触する光吸収素子にバス線を配置するステップと、
    d.面がカバーの外面に対してフェース角でそれぞれ傾斜するように、バス線および吸収体上に封入剤と外面を有する光透過性カバーとを配置するステップと、
    を備える光起電装置の製造方法であって、
    カバー面に垂直な線に対して27度未満の外部インターフェース角でカバー外面にぶつかる光のほぼすべてが、バス線からカバーと外部環境間のインターフェースに反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように、面、カバー、および吸収体が配置され、カバーの屈折率と封入剤が選択されることを特徴とする方法。
  37. a.メタライゼーションが接触される光吸収体を設けるステップと、
    b.
    i.光反射面および表側ベース面と、
    ii.互いに対して傾斜する複数の面を有する反射面と、
    を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線を設けるステップと、
    c.メタライゼーションに接触する光吸収素子にバス線を配置するステップと、
    d.面がカバーの外面に対してフェース角でそれぞれ傾斜するように、バス線および吸収体上に封入剤と外面を有する光透過性カバーとを配置するステップと、
    を備える光起電装置の製造方法であって、
    全方位照明としてバス線にぶつかる光の50%が、バス線からカバーと外部環境間のインターフェースに反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように、面、カバー、および吸収体が配置され、カバーの屈折率と封入剤が選択されることを特徴とする方法。
  38. a.メタライゼーションが接触される光吸収体と、
    b.メタライゼーションに接触し、
    i.光反射面および表側ベース面と、
    ii.複数の傾斜面を有する反射面と、
    を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線と、
    c.少なくとも1つのバス線および吸収体に重ね合わされる、封入剤、および少なくとも2つの面がフェース角で傾斜する外面を有する光透過性カバーと、
    を備える光起電装置であって、
    傾斜面、カバー、および吸収体のすべてが、カバー外面に垂直な線に沿って導体にぶつかる光が、バス線からカバーおよび外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整されることを特徴とする光起電装置。
  39. 面および吸収体が、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光の少なくとも20%が吸収体に対するTIRを受けるように調整されることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  40. 面および吸収体が、全方位照明としてバス線にぶつかる光の少なくとも50%が吸収体に対するTIRを受けるように調整されることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  41. 面が非平坦面を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  42. 面が複数対の隣接面を備え、各対が山で接触することを特徴とする請求項38の光起電装置。
  43. 面は、カバー外面に垂直な線に対してフェース角で傾斜する2セットの一致面を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  44. フェース角が異なる大きさであることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  45. フェース角が略等しい大きさであることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  46. 2セットの面のうち一方が正のフェース角がついた面を備え、2セットの面のうち他方が負のフェース角がついた面を備え、正の角度面が山で負の角度面と接触することを特徴とする請求項43の光起電装置。
  47. 傾斜面、カバー、および吸収体が、カバー外面に垂直な線に沿って傾斜面にぶつかる光が、カバー外面に垂直な線に対して約42度よりも大きな内部インターフェース角でカバーと外部環境間のインターフェースに反射しぶつかるように調整され、屈折率を有することを特徴とする請求項38の光起電装置。
  48. パターン状に配列される面が、バス線の延長規模と略平行に延在する溝を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  49. フェース角が50度〜70度であることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  50. フェース角が55度〜65度であることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  51. パターン状に配列される面が、バス線の延長規模に対して傾斜する平行溝を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  52. パターン状に配列される面が、複数のV字状溝を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  53. パターン状に配列される面が複数のピラミッドを備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  54. パターン状に配列される面が複数対のV字状溝を備え、少なくとも1対が山型を形成することを特徴とする請求項38の光起電装置。
  55. バス線が圧延面を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  56. バス線が圧搾面を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  57. バス線が延伸面を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  58. バス線光反射面が、バス線をメタライゼーションに接触させる前に面が貼着される面を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  59. 複数の面の隣接する山が、約10ミクロン〜300ミクロンの間隔で隔てられることを特徴とする請求項42の光起電装置。
  60. 複数の面間で隣接する山が、約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられることを特徴とする請求項42の光起電装置。
  61. 複数の面が約25ミクロン〜100ミクロンの寸法であることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  62. メタライゼーションがグリッド線のネットワークを備え、バス線が少なくとも1つのグリッド線を覆うことを特徴とする請求項38の光起電装置。
  63. メタライゼーションがバスバーを備え、バス線がバスバーの少なくとも1部に接触し覆うことを特徴とする請求項38の光起電装置。
  64. 光起電装置が太陽電池を含むことを特徴とする請求項38の光起電装置。
  65. バス線面が鏡面を含むことを特徴とする請求項38の光起電装置。
  66. 反射面が銀を含むことを特徴とする請求項38の光起電装置。
  67. 銀がめっきを含むことを特徴とする請求項66の光起電装置。
  68. バス線がメタライゼーションに接触される前に、バス線が、面がその上に形成される事前成形バス線を備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  69. a.請求項38の光起電装置に電気的に接続される請求項38の第2の光起電装置と、
    b.第1の光起電装置のバス線から第2の光起電装置までの電気的導通によって 第1の光起電装置に電気的に接続され、光起電装置のストリングを形成する第2の光起電装置と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項38の光起電装置。
  70. a.請求項69の光起電装置のストリングに電気的に接続される請求項38の第3の光起電装置と、
    b.光起電装置の第1のストリングのバス線から第3の光起電装置までの電気的導通によって、光起電装置の第1のストリングに電気的に接続される第3の光起電装置と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項69の光起電装置。
  71. 第1の光起電装置のバス線から第2の光起電装置までの電気的導通は、第1および第2の光起電装置のうち少なくとも1つのバス線の端部を含むことを特徴とする請求項69の光起電装置。
  72. 第1および第2の光起電装置のうち少なくとも1つのバス線の端部が傾斜面を有することを特徴とする請求項71の光起電装置。
  73. 第1および第2の光起電装置のうち少なくとも1つのバス線の端部が傾斜面を持たないことを特徴とする請求項71の光起電装置。
  74. a.第1の面とベース面を画定する表側ベース面とを有する線を設けるステップと、
    b.第1の面に、ベース面に垂直な線に対して50度〜70度のフェース角で傾斜する複数の鏡面光反射面を形成するステップと、
    を備えることを特徴とするバス線の形成方法。
  75. 複数の面の隣接面が、約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられる山で接触することを特徴とする請求項74のバス線の形成方法。
  76. パターン状に配列される面が、導体の延長規模に沿って延在する略平行溝を備えることを特徴とする請求項74のバス線の形成方法。
  77. 面を形成するステップが、線に沿ってツールを圧延することを備えることを特徴とする請求項74のバス線の形成方法。
  78. 光反射面とベース面を画定する表側ベース面とを有する独立細長電気導体を備えるバス線であって、反射面は、ベース面に垂直な線に対して50度〜70度のフェース角で傾斜する複数の鏡面を備えることを特徴とするバス線。
  79. 複数の面の隣接面が、約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられる山で接触することを特徴とする請求項78のバス線。
  80. パターン状に配列される面が、導体の延長規模に沿って延在する略平行溝を備えることを特徴とする請求項78のバス線。
  81. バス線が圧延面を含むことを特徴とする請求項78のバス線。
  82. a.第1の面および表側ベース面を有する少なくとも1つの細長線を設けるステップと、
    b.互いに対して傾斜する複数の鏡面光反射面を第1の面に形成するステップと、
    を備える、メタライゼーションが接触する光吸収体を有する光起電装置とともに使用されるバス線の製造方法であって、
    面は、形成されたバス線がメタライゼーションに接触する表側面を有する吸収体上に配置される際、および、少なくとも2つの面がカバー外面に対してフェース角で傾斜するように、封入剤と外面を有する光透過性カバーとがバス線および吸収体上に配置される際、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光が、バス線からカバーおよび外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整されることを特徴とする方法。
  83. 傾斜面、カバー、および吸収体は、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光が、カバー外面に垂直な線に対して約42度より大きな内部インターフェース角でカバー外面に反射しぶつかるように調整されることを特徴とする請求項82の方法。
  84. パターン状に配列される面が、バス線の延長規模と略平行に延在する溝を備えることを特徴とする請求項82の方法。
  85. フェース角が55度〜65度であることを特徴とする請求項82の方法。
  86. 面を形成するステップが、線に沿ってツールを圧延することを備えることを特徴とする請求項82の方法。
  87. 隣接面が、約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられる山で接触することを特徴とする請求項82の方法。
  88. 光吸収体、封入剤、外面を有する光透過性カバーを有する光起電装置とともに使用されるバス線であって、
    a.光反射面および表側ベース面を有する独立細長電気導体と、
    b.ベース面が吸収体に接触し、封入剤とカバーが導体および吸収体に重なる際、カバーの外面に垂直な線に沿って導体にぶつかる光が導体からカバーと外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように、互いに対して傾斜する複数の鏡面を有する反射面と、
    を備えることを特徴とするバス線。
  89. 面は、吸収体とカバーが存在する際、カバー外面に垂直な線に沿って導体にぶつかる光が、カバー外面に垂直な線に対して約42度より大きな内部インターフェース角でカバーと外部環境間のインターフェースに反射しぶつかるように調整されることを特徴とする請求項88のバス線。
  90. パターン状に配列される面が、導体の延長規模に略平行に延在する溝を備えることを特徴とする請求項88のバス線。
  91. 面がカバー外面に垂直な線に対してフェース角で傾斜され、フェース角が55度〜65度であることを特徴とする請求項88のバス線。
  92. 細長導体が圧延面を備えることを特徴とする請求項88のバス線。
  93. 細長導体の光反射面が、導体を吸収体に接触させる前に面が設けられる面を備えることを特徴とする請求項88のバス線。
  94. 複数の面の隣接面は、約50ミクロン〜200ミクロンの間隔で隔てられる山で接触することを特徴とする請求項88のバス線。
  95. a.
    i.光吸収体およびそれに接触されるメタライゼーションと、
    ii.メタライゼーションで吸収体に接触し、
    A.光反射面および表側ベース面と、
    B.バス線の延長規模と略平行に延在する溝を有するパターン状に調整された複数の傾斜面を備える反射面と、
    を有する少なくとも1つの細長バス線と、
    iii.少なくとも1つのバス線および吸収体に重ね合わされる、封入剤、および面の少なくとも2つがフェース角で傾斜される外面を有する光透過性カバーと、
    iv.カバーの外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる入射光がバス線からカバーと外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整される傾斜面、カバー、および吸収体と、
    を備える光起電装置を設けるステップと、
    b.溝が該位置で略水平になるように光起電装置を並べるステップと、
    を備えることを特徴とする地理的位置に光起電装置を設置する方法。
  96. a.メタライゼーションが接触される光吸収体を設けるステップと、
    b.
    i.光反射面および表側ベース面と、
    ii.互いに対して傾斜する複数の面を有する反射面と、
    を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線を設けるステップと、
    c.メタライゼーションと接触する吸収体に事前成形バス線を配置するステップと、
    を備える光起電装置の製造方法であって、
    面および吸収体が、少なくとも2つの面がカバー外面に対してフェース角で傾斜するように、封入剤と外面を有する光透過性カバーとがバス線および吸収体上に配置される際、カバーの外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光がバス線からカバーと外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整されることを特徴とする方法。
  97. 面および吸収体が、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光の少なくとも20%が吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整されることを特徴とする請求項96の光起電装置の製造方法。
  98. a.メタライゼーションが接触される光吸収体と、
    b.メタライゼーションに接触し、
    i.光反射面および表側ベース面と、
    ii.複数の傾斜面を有する反射面と、
    を有する少なくとも1つの事前成形細長バス線と、
    を備える光起電装置であって、
    面および吸収体がすべて、封入剤と外面を有する光透過性カバーとが少なくとも1つのバス線および吸収体に重ね合わされ、面がカバー外面に垂直な線に対してフェース角で傾斜する際、カバーの外面に垂直な線に沿ってバス線面にぶつかる光が面からカバーと外部環境間のインターフェースまで反射し、吸収体への内部全反射(TIR)を受けるように調整されることを特徴とする光起電装置。
  99. 面および吸収体が、カバー外面に垂直な線に沿ってバス線にぶつかる光の少なくとも20%が吸収体に対するTIRを受けるように調整されることを特徴とする請求項98の光起電装置。
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