TWI463675B - 封裝結構及具有此封裝結構的太陽能電池 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種太陽能電池技術，且特別是有關於一種具有減少電極遮蔽效果(gridline shading)的封裝結構及具有此封裝結構的太陽能電池。
矽晶太陽能電池光學損失有三種主要途徑：第一種是矽晶圓表面反射，目前的解決方式是於正面製作粗糙結構及抗反射膜來降低反射率；第二種是背板反射與吸收，由於矽在長波長的吸收較差，因此長波長的光在鋁背板的部份會被吸收及反射。
第三種是因為電極遮蔽所導致入射光的損失。這是因為一般矽晶太陽能電池為了能夠有效地收集所激發的載子形成光電流，會在基板正、反兩面各自利用銀膠以及銀鋁膠網印電極來收集載子。其中正面利用銀膠所網印成的指叉電極，會遮蔽入射光進入太陽能電池，入射至電極上的光會直接被反射回去或被電極所吸收，僅有少部分的光能因為大角度而被封裝材料全反射進入太陽能電池被吸收。
為了能夠減少電極遮蔽的面積，目前所採用的方式有兩種，第一種是改變電極的形狀與尺寸，雖然縮小電極的形狀與尺寸能夠有效減少遮蔽面積，但是必須搭配目前網印所能印刷之最小線寬。第二種是改變電池的整體架構，將正面電極連接至背面進而使正面完全無電極遮蔽的問題，如射極穿透式背電極(Emitter Wrap-Through，EWT)太陽能電池、PUM(Pin-Up Module)太陽能電池、交指式背電極(Interdigitated Back Contact，IBC)太陽能電池等。然而這類型的太陽能電池需要複雜的製程，不易量產。
目前已有美國專利US 4,711,972、US 5,110,370、US 5,228,926等在封裝材料與空氣的界面上製作光導向的結構，以利用封裝材料與空氣的折射率差異及其結構形狀，使原先會直接入射至電極的入射光，經由折射至未受遮蔽的區域，增加入射光量。然而，上述結構是位在封裝材料與空氣界面，當電池模組放置於室外會有灰塵及髒污的問題，容易使得灰塵沉積在製作結構處，因而降低整體入射光通量。
另外，美國專利US 5,076,857與US 5,554,229則是將光導向的結構製作在電池接觸面上，以使光產生全反射。然而，這種設計因為與太陽能電池接觸，因此可能在電性上會對電池產生影響。
本發明提供一種封裝結構，具有能將光的行徑方向改變的微結構。
本發明提供一種太陽能電池，能減少電極遮蔽效果(gridline shading)。
本發明提出一種封裝結構，包括一透明封裝塊材以及至少一能改變光方向的結構。所述結構位於透明封裝塊材內並與透明封裝塊材的表面相隔一段距離。
在本發明之一實施例中，上述能改變光方向的結構包括一V形反射結構以及填充在其內的填充材料。
在本發明之一實施例中，上述V形反射結構之頂角的半角(half angle)Ψ
範圍約為0<Ψ
≦60°。
在本發明之一實施例中，上述V形反射結構的厚度約大於50微米。
在本發明之一實施例中，上述V形反射結構之材料例如由貴重金屬、過渡金屬與貨幣金屬組成的群組之一或其合金中選擇的一種材料。
在本發明之一實施例中，上述填充材料例如是由貴重金屬、過渡金屬與貨幣金屬組成的群組之一或其合金中選擇的一種材料。
在本發明之一實施例中，上述填充材料例如乙烯-醋酸乙烯共聚物、矽氧樹脂、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酯、甲基丙烯酸甲酯與苯乙烯共聚合物、聚碳酸酯、聚乙烯、矽樹脂、碳酸鈣、二氧化矽或二氧化鈦及其化合物其中之一。
在本發明之一實施例中，上述填充材料與透明封裝塊材的材料可以是相同或者是不同的材料。
在本發明之一實施例中，上述能改變光方向的結構包括一光擴散層。
在本發明之一實施例中，上述光擴散層的形狀包括塊狀、三角形或半圓形。
在本發明之一實施例中，上述光擴散層的原料包括樹脂以及擴散粒子。
在本發明之一實施例中，上述擴散粒子之材料例如是選自包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酯、甲基丙烯酸甲酯與苯乙烯共聚合物、聚碳酸酯、聚乙烯、矽樹脂、碳酸鈣、二氧化矽、二氧化鈦及其化合物所組成的一種材料。
在本發明之一實施例中，上述擴散粒子之形狀包括圓形或不規則形狀。
在本發明之一實施例中，上述擴散粒子可為實心粒子或含孔洞(porous)的粒子。
在本發明之一實施例中，上述擴散粒子之粒徑約介於0.01微米~50微米之間。
在本發明之一實施例中，上述擴散粒子與上述樹脂的比例約為1/99~99/1，如1/6~3/1。
在本發明之一實施例中，上述光擴散層的原料還可包括一添加劑，如包含至少一種之非離子型分散劑或界面活性劑所構成者。
在本發明之一實施例中，上述非離子型分散劑包括含氟代脂肪族聚合酯類(fluoroaliphatic polymeric esters)結構的分散劑。
在本發明之一實施例中，上述非離子型分散劑的添加量對上述擴散粒子的總含量的比例約為0.005%至15%。
在本發明之一實施例中，上述透明封裝塊材的材料例如是選自包括乙烯-醋酸乙烯共聚物、矽氧樹脂及其化合物其中之一。
本發明另提出一種太陽能電池，具有以上的封裝結構。這種太陽能電池還有一光電轉換基材、至少一下電極以及數個上電極。下電極是位於光電轉換基材的背面，而上電極則是分別位於光電轉換基材的正面，其中上述封裝結構覆蓋光電轉換基材的正面與上電極，且封裝結構內的所述能改變光方向的結構是位於每一上電極正上方並與其相隔一設定距離。
在本發明之另一實施例中，上述能改變光方向的結構包括V形反射結構時，上述設定距離約小於
其中D1
為V形反射結構的高度，D2
為每一上電極的厚度，L為上電極的週期，w1
為每一上電極的寬度，ψ為V形反射結構之頂角的半角Ψ
，其範圍約為0<Ψ
≦60°。
在本發明之另一實施例中，上述V形反射結構的底邊的寬度至少與每一上電極的寬度相等。
在本發明之另一實施例中，上述封裝結構的厚度至少大於上述設定距離、V形反射結構的高度與每一上電極的厚度之總和。
在本發明之另一實施例中，上述能改變光方向的結構包括光擴散層時，上述設定距離的範圍為0<T3
<(T1
-D2
-D3
)其中T3
為設定距離，T1
為上述封裝結構的厚度，D2
為每一上電極的厚度，D3
為光擴散層的高度。
在本發明之另一實施例中，上述光擴散層的底邊寬度至少與每一上電極的寬度相等。
在本發明之另一實施例中，上述封裝結構的厚度至少大於上述設定距離、光擴散層的高度與每一上電極的厚度之總和。
在本發明之另一實施例中，上述光電轉換基材的材料譬如是選自單晶矽(monocrystalline silicon)、多晶矽(polycrystalline silicon)、非晶矽(amorphous silicon)、碲化鎘(CdTe)、銅銦硒(CIS)、銅銦鎵硒(CIGS)、鍺(Ge)、III-V族鋁銦砷鎵半導體組合、高分子太陽電池的主動層材料及其組合其中之一。
在本發明之另一實施例中，上述下電極的材料譬如是選自包括金、銀、銅、鋁及其合金其中之一；或是氧化錫(FTO)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎳(NiO)或導電膠。
在本發明之另一實施例中，上述上電極的材料譬如是選自包括金、銀、銅、鋁及其合金其中之一；或是氧化錫(FTO)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎳(NiO)或導電膠。
基於上述，本發明藉由封裝結構內設置能改變光方向的結構(如反射或擴散結構)，所以應用於太陽能電池時，能將原先被太陽能電池中的電極所反射及吸收的光，藉由全反射或是擴散機制，導入至太陽能電池表面吸收，可提升太陽能電池的光電流及效率。
為讓本發明之上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明之第一實施例之一種封裝結構的剖面示意圖。
請參照圖1，第一實施例之封裝結構100包括一透明封裝塊材102以及至少一個能改變光方向的結構104，其中結構104分別位於透明封裝塊材102內並與透明封裝塊材102的表面102a相隔一段距離。在本實施例中顯示3個能改變光方向的結構104，每個能改變光方向的結構104包括一V形反射結構106以及填充在其內的填充材料108。這種V形反射結構106之頂角106a的半角(half angle)Ψ
範圍約為0<Ψ
≦60°。而V形反射結構106的厚度D1
約大於50微米，譬如50微米~100微米。至於封裝結構102的厚度T1
勢必比D1
大。
在第一實施例中，V形反射結構106之材料例如由貴重金屬(如金、銀、鉑)、過渡金屬(如鐵、鈷、鎳)與貨幣金屬(如銅、鋁、鉻)組成的群組之一或其合金中選擇的一種材料。而填充材料108例如是由貴重金屬(如金、銀、鉑)、過渡金屬(如鐵、鈷、鎳)與貨幣金屬(如銅、鋁、鉻)組成的群組之一或其合金中選擇的一種材料；或填充材料108例如乙烯-醋酸乙烯共聚物、矽氧樹脂、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酯、甲基丙烯酸甲酯與苯乙烯共聚合物、聚碳酸酯、聚乙烯、矽樹脂、碳酸鈣、二氧化矽或二氧化鈦及其化合物其中之一。而且，填充材料108與透明封裝塊材102的材料可以是相同或者是不同的材料，如果是相同的材料，則製程上可採用高分子淋膜等方式製作，減少製程步驟，如果是不同的材料則可利用如電鍍方式填充，增加結構剛性，避免因後續製程影響結構形狀。上述透明封裝塊材102的材料例如是選自包括乙烯-醋酸乙烯共聚物、矽氧樹脂及其化合物其中之一。
圖2是依照本發明之第二實施例之一種封裝結構的剖面示意圖，其中使用與第一實施例相同的元件符號來代表相同構件。
請參照圖2，第二實施例與上一實施例的差別在於，封裝結構200中的能改變光方向的結構是光擴散層202。上述光擴散層202的形狀可為圖中所示的塊狀、三角形、或者半圓形。光擴散層202的原料可包含如樹脂以及擴散粒子。上述擴散粒子之形狀可為圓形或不規則形狀。擴散粒子可為實心或含孔洞的粒子。至於擴散粒子之粒徑則約介於0.01微米~50微米之間。
上述擴散粒子之材料例如是選自包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酯、甲基丙烯酸甲酯與苯乙烯共聚合物、聚碳酸酯、聚乙烯、矽樹脂、碳酸鈣、二氧化矽、二氧化鈦及其化合物所組成的一種材料。而擴散粒子與上述樹脂的比例約為1/99~99/1，較佳是1/6~3/1。光擴散層的厚度D3
基本上小於封裝結構的厚度T1
即可，並無特別限制。
上述光擴散層202的原料還可包括一添加劑，如包含至少一種之非離子型分散劑或界面活性劑所構成者。所述非離子型分散劑例如含氟代脂肪族聚合酯類(fluoro-aliphatic polymeric esters)結構的分散劑，且非離子型分散劑的添加量對擴散的粒子的總含量的比例約為0.005%至15%。
圖3是依照本發明之第三實施例之一種太陽能電池的剖面示意圖，其中使用與第一實施例相同的元件符號來代表相同構件。
請參照圖3，第三實施例之太陽能電池300具有如第一實施例之封裝結構100。這種太陽能電池300還有一光電轉換基材302、至少一下電極304以及數個上電極306。下電極304是位於光電轉換基材302的背面302a，而上電極306則是分別位於光電轉換基材302的正面302b，其中封裝結構100覆蓋光電轉換基材302的正面302b與上電極306，且封裝結構102內的能改變光方向的結構104是位於每一上電極306正上方並與其相隔一設定距離T2
。
當能改變光方向的結構104包括V形反射結構106時，上述設定距離T2
約小於下式的值：
其中D1
為V形反射結構106的高度，D2
為每一上電極306的厚度，L為上電極306的週期，w1
為每一上電極306的寬度，Ψ
為V形反射結構106之頂角的半角Ψ
，其範圍約為0<Ψ
≦60°。
本實施例的V形反射結構106的底邊106a的寬度w2
至少與每一上電極306的寬度w1
相等，如圖3所示的w2
是大於w1
。而封裝結構100的厚度T1
至少要大於設定距離T2
、V形反射結構的高度D1
與每一上電極的厚度D2
之總和。
至於光電轉換基材302的材料譬如是選自單晶矽(monocrystalline silicon)、多晶矽(polycrystalline silicon)、非晶矽(amorphous silicon)、碲化鎘(CdTe)、銅銦硒(CIS)、銅銦鎵硒(CIGS)、鍺(Ge)、III-V族鋁銦砷鎵半導體組合、高分子太陽電池的主動層材料及其組合其中之一。下電極304的材料譬如是選自包括金、銀、銅、鋁及其合金其中之一；或是氧化錫(FTO)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎳(NiO)或導電膠。上電極306的材料譬如是選自包括金、銀、銅、鋁及其合金其中之一；或是氧化錫、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎳或導電膠。
圖4是依照本發明之第四實施例之一種太陽能電池的剖面示意圖，其中使用與第二實施例相同的元件符號來代表相同構件。
請參照圖4，第四實施例之太陽能電池400具有如第二實施例之封裝結構200。這種太陽能電池300還有一光電轉換基材402、至少一下電極404以及數個上電極406。下電極404是位於光電轉換基材402的背面402a，而上電極406則是分別位於光電轉換基材402的正面402b，其中封裝結構100覆蓋光電轉換基材402的正面402b與上電極406，且封裝結構200內的光擴散層202是位於每一上電極406正上方並與其相隔一設定距離T3
。T3
的範圍例如0<T3
<(T1
-D2
-D3
)，D3
是光擴散層202的高度。
本實施例的光擴散層202的寬度w3
需至少與每一上電極406的寬度w1
相等或如圖4所示大於寬度w1
。至於封裝結構200的厚度T1
至少大於設定距離T3
、光擴散層202的高度D3
與每一上電極406的厚度D2
之總和。在第四實施例中，光電轉換基材402、下電極404與上電極406的材料可參照第三實施例。
以下列舉幾個實驗結果來驗證上述實施例的效果。
實驗例一
圖5為實驗例一之結構示意圖。此結構包含一封裝材料乙烯-醋酸乙烯共聚物(Ethylene-vinyl acetate,EVA)膜500，其中封裝材料500上製作V型溝槽502，溝槽502內鍍有能使光產生全反射的V型反射結構504。太陽能電池506表面利用另一EVA膜508封裝，兩者之間利用折射率為1.5的光學液體510填充，以便後續進行對照組的實驗時，能對同一個太陽能電池506進行量測，並避免EVA膜500與508之間產生界面反射。具有能改變光方向的結構之封裝結構與太陽能電池增益效果的驗證如下所述。
利用封裝材料在高溫時具有可流動性的性質，使用熱壓來製作V型溝槽502。為了得到較精確的模具尺寸，可利用非等向性蝕刻矽晶圓來製作模具。一般太陽能電池指叉電極512寬度大約在100微米，因此利用光罩於鍍有氮化矽(SiNx)的矽晶圓上利用黃光製程製作數條開口寬度為100微米，長度為6.5公分的圖形。將光阻顯影後，利用反應離子蝕刻(Reactive ion etching)將開口處氮化矽移除。接著將晶圓放入重量比例為30%的氫氧化鉀(KOH)溶液中進行蝕刻，蝕刻的溫度為75度，蝕刻時間為6小時。最後將表面氮化矽移除，並利用電鑄將結構翻鑄成鎳模。利用表面輪廓儀掃描鎳模結構尺寸，得到其結構底部寬度為106微米，高度為70微米。
為了使熱壓時容易脫模，模具表面先鍍上一層氟矽烷(Fluoroalkylsilane，FAS)。接著將EVA與模具放入熱壓機中，首先抽真空3分鐘，接著利用100℃及150psi的壓力進行熱壓5分鐘，接著釋放壓力並回復溫度到40℃完成壓印。將完成的膜利用濺鍍機搭配遮罩蒸鍍的方式鍍上反射層銀200奈米，即完成具有V型反射結構504的EVA膜500。製作完成的EVA膜500厚度為300微米；V型反射結構504的寬度為106微米、高度為70微米。
為了量測圖5的效果，先將5公分×5公分大小的單晶矽太陽能電池506利用熱壓機封裝上200微米厚的EVA膜508，正面與背面利用鍍錫銅銲帶(Ribbon)將電極512接出。
對照組
對照例是沒有V型反射結構的EVA膜，利用折射率為1.5的光學液體(如圖5的512)與已封裝上EVA的太陽能電池(如圖5的506)貼合，以避免界面反射。
模擬
圖6為圖5的結構與對照組之模擬結果，其中，Ψ
為V形反射結構504的半角角度，橫軸上的對照組代表EVA膜500中間沒有任何結構。由模擬結果可得知，在0度入射、波長為400奈米到1000奈米的情況下，Ψ
在10度到60度皆能提升光電流密度，尤其當Ψ
在30度到40度之間能夠提升至5.5%。在實驗例一中，Ψ
為37.1度，符合模擬中最佳的條件。
量測
將實驗例一與對照組分別量測其外部量子效率(External quantum efficiency,EQE)及利用太陽光模擬器量測其光電流與效率變化。圖7為外部量子效率量測結果，由於銀在可見光及紅外光波段反射率很高，製作V型反射結構能使整體外部量子效率在400奈米到1000奈米波段皆提升。太陽光模擬器量測結果如表一所示，具有V型反射結構的太陽能電池比無結構的光電流能夠提升1.3%，效率能夠提升1.8%。
實驗例二
圖8為在透明封裝塊材800中加入光擴散層802的結構示意圖，光擴散層802所在的位置對應到電極804所在之處。此結構中，透明封裝塊材800為EVA材料，厚度設定為200微米。光擴散層802為壓克力樹脂，折射率為1.48，厚度設定為16微米。光擴散層802材料為聚苯乙烯(Polystyrene,PS)，折射率為1.59，所使用之擴散粒子的平均粒徑約為6微米，形狀為實心圓形。將樹脂與擴散粒子以1：0.83的比例混合，可製作出厚度為15~18微米的擴散層。其總穿透率(TT)為89.61%，霧度(Hz)為97.65%，擴散率(Df)為28.1%。
利用光追跡軟體模擬當光擴散層802與電極804之間的距離d為100微米的結果，如圖9所示。加入光擴散層802後，除了入射光會因為擴散使部分原先被電極804遮蔽的光線導入太陽能電池806中，另外被電極804所反射的光線也會因為再次入射至光擴散層802，而再一次被擴散入射至太陽能電池806，使整體反射率下降。在加入光擴散層802後，整體模擬的光電流密度相較於沒有光擴散層802能夠提升3.8%，顯示加入光擴散層802同樣能夠使反射率降低，進而提升電池效率。
綜上所述，本發明在不改變現有太陽能電池架構及製程情況下，藉由封裝材料中設置的結構將原先入射電極上的光線經由反射或擴散的方式導入未受電極遮蔽的太陽能電池，進而提升太陽能電池的效率。另外，位在封裝材料內的結構不會改變封裝材料與空氣界面間的形貌，也可以如原先太陽能電池封裝架構，在封裝材料與電池間為同一種材料緊密接合。因此可避免在與空氣表面間產生灰塵堆積，也可以確保封裝結構與太陽能電池之封裝面狀態與原先架構一致，電性上不會有差異。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200．．．封裝結構
102、800．．．透明封裝塊材
102a．．．表面
104．．．能改變光方向的結構
106、504．．．V形反射結構
106a．．．底邊
108．．．填充材料
202、802．．．光擴散層
300、400、506、806．．．太陽能電池
302、402．．．光電轉換基材
302a、402a．．．背面
302b、402b．．．正面
304、404．．．下電極
306、406、512、804．．．上電極
500、508．．．EVA膜
502．．．V型溝槽
510．．．光學液體
D1
、D3
．．．高度
T1
、D2
．．．厚度
T2
、T3
．．．設定距離
w1
、w2
、w3
．．．寬度
Ψ
．．．半角
圖1是依照本發明之第一實施例之一種封裝結構的剖面示意圖。
圖2是依照本發明之第二實施例之一種封裝結構的剖面示意圖。
圖3是依照本發明之第三實施例之一種太陽能電池的剖面示意圖。
圖4是依照本發明之第四實施例之一種太陽能電池的剖面示意圖。
圖5為實驗例一之結構的立體示意圖。
圖6為圖5的結構與對照組之光電流密度提升量之模擬曲線圖。
圖7為圖5的結構與對照組之外部量子效率量測曲線圖。
圖8為實驗例二之結構的剖面示意圖。
圖9為圖8的結構與對照組之反射率的模擬曲線圖。
100．．．封裝結構
102．．．透明封裝塊材
104．．．能改變光方向的結構
106．．．V形反射結構
108．．．填充材料
T1
．．．厚度
D1
．．．高度
Ψ
．．．半角
Claims (18)
- 一種封裝結構，包括：一透明封裝塊材；以及至少一能改變光方向的結構，位於該透明封裝塊材內並與該透明封裝塊材的表面相隔一第一距離，其中該至少一能改變光方向的結構包括：一V形反射結構；以及一填充材料，填充在該V形反射結構內。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該V形反射結構之頂角的半角ψ範圍為0<ψ≦60°。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該V形反射結構的厚度大於50微米。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該V形反射結構之材料是由貴重金屬、過渡金屬與貨幣金屬組成的群組之一或其合金中選擇的一種材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該填充材料是由貴重金屬、過渡金屬與貨幣金屬組成的群組之一或其合金中選擇的一種材料；或乙烯-醋酸乙烯共聚物、矽氧樹脂、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酯、甲基丙烯酸甲酯與苯乙烯共聚合物、聚碳酸酯、聚乙烯、矽樹脂、碳酸鈣、二氧化矽或二氧化鈦及其化合物其中之一。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該填充材料與該透明封裝塊材的材料是相同或不同的材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該透 明封裝塊材的材料是選自包括乙烯-醋酸乙烯共聚物、矽氧樹脂及其化合物其中之一。
- 一種太陽能電池，具有如申請專利範圍第1~7項中任一項所述之封裝結構，該太陽能電池更包括：一光電轉換基材；至少一下電極，位於該光電轉換基材的背面；以及多數個上電極，位於該光電轉換基材的正面，其中該封裝結構覆蓋該光電轉換基材的正面與該些上電極，且該封裝結構內的該至少一能改變光方向的結構位於每一上電極正上方並與其相隔一第二距離。
- 如申請專利範圍第8項所述之太陽能電池，其中該至少一能改變光方向的結構包括一V形反射結構時，該第二距離小於
- 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池，其中該V形反射結構之頂角的半角ψ的範圍為0<ψ≦60°。
- 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池，其中該V形反射結構的底邊的寬度至少與每一上電極的寬度相等。
- 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池，其中該 封裝結構的厚度至少大於該第二距離、該V形反射結構的高度與每一上電極的厚度之總和。
- 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池，其中該至少一能改變光方向的結構包括一光擴散層時，該第二距離的範圍為0<T3 <(T1 -D2 -D3 )，其中T3 為該第二距離，D2 為每一上電極的厚度，D3 為該光擴散層的高度。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池，其中該光擴散層的底邊寬度至少與每一上電極的寬度相等。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池，其中該封裝結構的厚度至少大於該第二距離、該光擴散層的高度與每一上電極的厚度之總和。
- 如申請專利範圍第8項所述之太陽能電池，其中該光電轉換基材的材料是選自單晶矽、多晶矽、非晶矽、碲化鎘、銅銦硒、銅銦鎵硒、鍺、III-V族鋁銦砷鎵半導體組合、高分子太陽電池的主動層材料及其組合其中之一。
- 如申請專利範圍第8項所述之太陽能電池，其中該下電極的材料是選自包括金、銀、銅、鋁及其合金其中之一；或是氧化錫、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎳或導電膠。
- 如申請專利範圍第8項所述之太陽能電池，其中該些上電極的材料是選自包括金、銀、銅、鋁及其合金其中之一；或是氧化錫、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎳或導電膠。
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Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
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| CN112133783A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-12-25 | 重庆神华薄膜太阳能科技有限公司 | 光伏发电装置及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWM366761U (en) * | 2009-05-19 | 2009-10-11 | Beyondpv Co Ltd | Solar cell module |
| TW201041162A (en) * | 2009-05-06 | 2010-11-16 | Ind Tech Res Inst | Solar energy module |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4053327A (en) | 1975-09-24 | 1977-10-11 | Communications Satellite Corporation | Light concentrating solar cell cover |
| US4711972A (en) | 1985-07-05 | 1987-12-08 | Entech, Inc. | Photovoltaic cell cover for use with a primary optical concentrator in a solar energy collector |
| US5076857A (en) | 1990-08-27 | 1991-12-31 | Spire Corporation | Photovoltaic cell and process |
| US5110370A (en) | 1990-09-20 | 1992-05-05 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic device with decreased gridline shading and method for its manufacture |
| US5228926A (en) | 1990-09-20 | 1993-07-20 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic device with increased light absorption and method for its manufacture |
| US5498297A (en) | 1994-09-15 | 1996-03-12 | Entech, Inc. | Photovoltaic receiver |
| US5554229A (en) * | 1995-02-21 | 1996-09-10 | United Solar Systems Corporation | Light directing element for photovoltaic device and method of manufacture |
| US20070125415A1 (en) | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Light capture with patterned solar cell bus wires |
| JP4282693B2 (ja) * | 2006-07-04 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| KR20090035355A (ko) | 2007-10-05 | 2009-04-09 | 한국전자통신연구원 | 고효율 태양전지 및 그 제조방법 |
| US8441735B2 (en) * | 2010-07-13 | 2013-05-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Optical element having internal inclusions configured for maximum conversion efficiency |
-
2011
- 2011-12-14 TW TW100146217A patent/TWI463675B/zh active
-
2012
- 2012-02-07 CN CN201210026054.6A patent/CN103165711B/zh active Active
- 2012-05-08 US US13/466,148 patent/US9136413B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201041162A (en) * | 2009-05-06 | 2010-11-16 | Ind Tech Res Inst | Solar energy module |
| TWM366761U (en) * | 2009-05-19 | 2009-10-11 | Beyondpv Co Ltd | Solar cell module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US9136413B2 (en) | 2015-09-15 |
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