JP2009517895A - ゼロオフセット性能を備えたオペアンプ回路 - Google Patents

ゼロオフセット性能を備えたオペアンプ回路 Download PDF

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Abstract

【課題】 オペアンプ回路の入力端子間の電圧オフセットが低減され、それにより、パワーステージにおける出力電流検出精度を改善する回路を提供する。
【解決手段】 オペアンプ回路の反転入力端子と非反転入力端子間の電圧オフセットを最小化する回路であって、オペアンプ回路の入力端子に接続されているチョッパ回路を備えている。チョッパ回路は、差動出力を有する増幅回路及びスイッチング回路を備えており、このスイッチング回路は、入力端子を増幅回路に周期的に入れ替えて接続し、かつ、増幅回路の出力端子を周期的に入れ替えて接続して、出力信号を、オフセット調整信号としてオペアンプ回路に供給し、オペアンプ回路のオフセットを調整する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、オペアンプ回路、より詳しく言うと、入力端子間の電圧オフセットがゼロであるオペアンプ回路に関する。
オペアンプ回路の入力端子間の電圧オフセット値は重要である。と言うのは、1mV程度の電圧オフセットがあると、出力段階において、オン抵抗RDSON5mΩの電流検出パワーMOSFETでは、0.4Aの電流オフセットの標準偏差を生み出すからである。
本発明の目的は、オペアンプ回路の入力端子間の電圧オフセットを、例えば10%低減させ、それにより、パワーステージにおける出力電流検出精度を改善する回路を提供することである。
本発明によると、オペアンプ回路の反転入力端子と非反転入力端子間の電圧オフセットを最小化する回路が提供される。この回路は、オペアンプ回路の入力端子に接続されているチョッパ回路を備えている。チョッパ回路は、増幅回路及びスイッチング回路を備えており、このスイッチング回路は、入力端子を増幅回路に周期的に入れ替えて接続し、かつ、増幅回路の出力端子を周期的に入れ替えて接続して、出力信号を、オフセット調整信号としてオペアンプ回路に供給し、オペアンプ回路のオフセットを調整するようになっている。
本発明の他の特徴及び利点については、添付の図面に基づいて、以下に説明するところにより、明らかになると思う。
図1に示すように、パワーMOSFETQ2は、センス電流セルQ2A及びメイン電流セルQ2Bを備えている。パワーMOSFETQ2は、正電源(V+)から延びている負荷を駆動する。パワーMOSFETQ2は、終端ゲート(GATE)にある、図示されていないドライバ回路によって駆動される。
オペアンプ回路10は、トランジスタQ1を駆動して、センス電流セルQ2Aの電流を調整するようになっている。オペアンプ回路10の反転入力端子10aと、非反転入力端子10b間のオフセット電圧は、トランジスタQ1を流れる電流を調整し、パワーMOSFETQ2の電流を正確に検出しうるように、できるだけ低圧であることが重要である。
このために、チョッパ回路20が設けられている。
図1に示すように、オペアンプ回路10の、反転入力端子10aと非反転入力端子10bとの間には、オフセット電圧がある。オペアンプ回路10の出力は、トランジスタQ1のゲートに接続され、トランジスタQ1を駆動して、抵抗RAの電流を調整し、従ってセンス電流セルQ2Aの電流を調整するようになっている。
上述したように、オペアンプ回路10の、パワーMOSFETQ2のISENSに接続されている反転入力端子10aと、パワーMOSFETQ2のソースに接続されている非反転入力端子10bとの間のオフセット電圧を最小化することは重要である。このため、すなわちオペアンプ回路10の反転入力端子10aと非反転入力端子10bとの間のオフセット電圧を最小化するために、反転入力端子10a及び非反転入力端子10bは、チョッパ回路20に接続されている。チョッパ回路20は、差動増幅回路22と、この回路の入力側にある第1スイッチング回路24と、出力側にある第2スイッチング回路25と、抵抗R及びキャパシタC1を有するRCノイズフィルタ回路とを備えている。
第1スイッチング回路24は、電子レベルで実装され、ISENS信号及びソース信号入力を、差動増幅回路22に交互に接続している。第2スイッチング回路25は、差動出力を交互に接続している。クロック信号により始動させると、接続の入れ替えは周期的に実行される。従って、クロック信号がスイッチ14a及び14bを動作させると、ISENS信号は、差動増幅回路22の非反転入力に、ソース信号は、差動増幅回路22の反転入力に供給される。出力においては、スイッチ14cは、差動増幅回路22の+側出力をRCノイズフィルタ回路に接続する。
次に、クロック信号は、スイッチ15a及び15bを動作させるために使用される。スイッチ15aはISENS信号を、スイッチ15bはソース信号を、差動増幅回路22に入力する。同時に、スイッチ15cは、差動増幅回路22の−側出力を、RCノイズフィルタ回路に接続する。この入力及び出力スイッチング動作により、チョッパ回路20は出力を生じ、RCノイズフィルタ回路への入力において、正負両方向に振幅する方形波Bを構成する。この方形波Bは、RCノイズフィルタ回路により、フィルタにかけられて、DC信号となり、オペアンプ回路10のオフセットを調整する。次に、オペアンプ回路10の出力は、トランジスタQ1のゲートに供給され、センス電流セルQ2Aの電流を調整する。
差動増幅回路22そのものは、差動増幅回路22の内部回路に起因する入力オフセット電圧を有している。差動増幅回路22のオフセットは、第2スイッチング回路25を通った後、正、若しくは負側に増幅された、差動増幅回路22からの出力信号となる。フィルタの後、クロック信号によって設定された差動増幅回路22のデューティサイクルが50%であると、差動増幅回路22のオフセット平均はゼロとなる。スイッチトキャパシタ若しくはオートキャリブレーションのような、他の技術を使用して、差動増幅回路22のオフセットを除去することもできる。
反転入力端子10aと非反転入力端子10b間におけるオペアンプ回路10のオフセット信号は、チョッパ回路20の第1スイッチング回路24の前にあるため、このオフセット信号は、第1スイッチング回路24及び第2スイッチング回路25によって2度反転される。従って、このオフセット信号の極性はいつも同じである。チョップされた方形波Bは、RCノイズフィルタ回路によってフィルタにかけられた後、均一化されたDC信号を有し、このDC信号は、オペアンプ回路10のオフセット電圧を補償する。
従って、チョッパ回路20の平均出力値は、差動増幅回路22のオフセット電圧に依存しない。従って、オペアンプ回路10のオフセット電圧が増大する時、差動増幅回路22のチョップされた出力は増大し、オペアンプ回路10のオフセットを、より低い値へ駆動する。回路5は閉ループで動作するので、オペアンプ回路10の反転入力端子10aと非反転入力端子10b間に発生する電圧はゼロである。
図2は、図1の回路5の実装概略図である。図2では、パワーMOSFETQ2は示されていない。図2の回路は、通常の閉ループ増幅システムである。図1に示すように、オペアンプ回路10への入力は、ISENS信号及びソース信号で示されている。回路5が示すように、オペアンプ回路10の入力(出力/ゲイン)間のオフセット電圧はゼロに近い。上述したように、チョッパ回路20がないと、オペアンプ回路10の約1mVのオフセット電圧は、5mΩのオン抵抗(RDSON)を有している電流検出パワーMOSFETQ2において、0.4Aの電流オフセットの標準偏差を発生させることとなる。
図1の回路は、簡略化してあるが、図2の回路は、実際の実装における付属コンポーネントを示している。例えば、パワーMOSFETQ2からのISENS信号は、トランジスタQ3を通って供給され、入力信号sensbとなり、ソース信号は、トランジスタQ4を通って供給され、入力信号sbとなって、チョッパ回路20の入力に供給される。チョッパ回路20は、図2においてはブラックボックスで示されており、その内部実装は、図3において示されている。
図2の回路は、例えば10KHz若しくは20KHzの、デューティサイクル50%のクロック発振回路34を備えている。チョッパ回路20の入力信号sensbは、オペアンプ回路10のトランジスタQ5のソースに、同じく入力信号sbは、オペアンプ回路10のトランジスタQ6のソースに接続されている。チョッパ回路20からの出力(OUT)は、効率的にオペアンプ回路10のオフセットを0.1mV未満に補正し、出力段階において、0.04A未満のオフセット誤差とする。このオフセットの大きさにより、出力電流オフセットにおいて10倍の改善が見られる。500KHzの帯域幅であるオペアンプ回路10の出力は、トランジスタQ7を介して、トランジスタQ1のゲートに供給される。端子Ifbには、パワーMOSFETQ2の電流に比例して、フィードバックされた電流が供給される。
この実施例では、例えば、キャパシタスイッチングのような通常の技術は、オペアンプ回路10に直接使用できない。出力信号が常に供給状態である必要があるからである。チョッパ回路20が動作するのは、オペアンプ回路10の入力電圧がオフセットであり、オペアンプ回路10が閉ループシステムで使用される時だけである。
図2の回路において、トランジスタQ8及びQ9を備え、チョッパ回路20から出力(OUT)を受け取る、カレントミラー回路のサイズは、オペアンプ回路10の3mVの系統的なオフセットを作り出すものとは、意図的に不相応なものとしてある。系統的なオフセットは、図示されているオペアンプ回路10の最大オフセットより大きくなるように設計される。チョッパ回路20は、トランジスタQ8に電流を印加し、トランジスタQ9のサイズと比較して小さいトランジスタQ8のサイズを補正する。
トランジスタQ8及びQ9を備えているカレントミラー回路は、オペアンプ回路10のオフセット調整を行う。トランジスタQ5及びQ6からのオペアンプ回路10の出力は、トランジスタQ7によってトランジスタQ1のゲートに供給される。
図3は、図1のチョッパ回路20を示している。チョッパ回路20は、多くのスイッチを備えており、入力増幅スイッチQ10、Q11、Q12、及びQ13が、図1の第1スイッチング回路24として、出力増幅スイッチQ14、Q15、Q16、及びQ17が、図1の第2スイッチング回路25としての機能を果たす。入力増幅スイッチQ10、Q11、Q12、及びQ13は、入力を差動増幅回路22の差動入力であるペアトランジスタQ18及びQ19に直接接続されるか、若しくは入れ替えて接続される。トランジスタQ18はトランジスタQ20に、トランジスタQ19はトランジスタQ21に接続されており、トランジスタQ20及びQ21は、カレントミラー回路を構成している。4つのトランジスタQ18、Q19、Q20、及びQ21を備えている差動増幅回路22は、約200のゲインがある。この4つのトランジスタQ18、Q19、Q20、及びQ21は、抵抗を使用せずに、0.1μA程度のきわめて低いバイアス電流を供給し、キャパシタC1をRCノイズフィルタ回路に供給する。出力増幅スイッチQ14、Q15、Q16、及びQ17は、差動増幅回路22の出力を周期的に入れ替える。
より詳しく言うと、入力増幅スイッチQ10、Q11、Q12、及びQ13側においては、Pチャネル形トランジスタである入力増幅スイッチQ10は、クロック信号clkbを受け取るべく接続されているゲートと、入力信号sensbを受け取るべく接続されているソースと、トランジスタQ22のベースに接続されているドレインとを備えている。Pチャネル形トランジスタである入力増幅スイッチQ11は、クロック信号clkを受け取るべく接続されているゲートと、入力信号sensbを受け取るべく接続されているソースと、トランジスタQ23のベースに接続されているドレインとを備えている。Pチャネル形トランジスタである入力増幅スイッチQ12は、クロック信号clkを受け取るべく接続されているゲートと、入力信号sbを受け取るべく接続されているソースと、トランジスタQ22のベースに接続されているドレインとを備えている。Pチャネル形トランジスタである入力増幅スイッチQ13は、クロック信号clkbを受け取るべく接続されているゲートと、入力信号sbを受け取るべく接続されているソースと、トランジスタQ23のベースに接続されているドレインとを備えている。
出力スイッチ側においては、さらに、チョッパ回路20は、Pチャネル形トランジスタである出力増幅スイッチQ14、Q15、Q16、及びQ17を備えている。出力増幅スイッチQ14は、クロック信号clkを受け取るべく接続されているゲートと、トランジスタQ19及びQ21のドレインに接続されているソースと、トランジスタQ18及びQ19のゲートに接続されているドレインとを備えている。出力増幅スイッチQ15は、クロック信号clkbを受け取るべく接続されているゲートと、トランジスタQ19及びQ21のドレインに接続されているソースと、キャパシタC1に接続されているドレインとを備えている。出力増幅スイッチQ16は、クロック信号clkbを受け取るべく接続されているゲートと、トランジスタQ18及びQ20のドレインに接続されているソースと、トランジスタQ18及びQ19のゲートに接続されているドレインとを備えている。出力増幅スイッチQ17は、クロック信号clkを受け取るべく接続されているゲートと、トランジスタQ18及びQ20のドレインに接続されているソースと、RCノイズフィルタ回路のキャパシタC1に接続されているドレインとを備えている。
入力増幅スイッチQ10、Q11、Q12、及びQ13と、出力増幅スイッチQ14、Q15、Q16、及びQ17は、図2及び図4で図示しているクロック発振回路34によって供給される、相補する2つのクロック信号clk及びclkbの、特定のクロック周波数においてスイッチされる。従って、入力増幅スイッチQ10、Q11、Q12、及びQ13及び出力増幅スイッチQ14、Q15、Q16、及びQ17は、信号情報が続けば、周期的に入れ替えて接続する。
チョッパ回路20は、RCノイズフィルタ回路を備えている第2段も有しており、RCノイズフィルタ回路は、例えば1msのフィルタ、すなわち0.1μA程度の第1段の増幅により多少極性化された電流で蓄電された2.3pFのキャパシタC1を備えている。従って、長い時定数のフィルタが必要である。このようなフィルタ時定数は、10KHz若しくは20KHzの、チョッパ回路20の帯域幅よりも相当に大きいクロック発振回路34の周期よりも、はるかに大きくなければならない。トランジスタQ25に接続されているトランジスタQ24は、入力信号sensb及びsbの間の差を増幅させて、この差に比例した電流を発生させ、この電流を第3段に供給する。
第3段では、トランジスタQ24のドレインからの信号は、フォロワトランジスタQ26及び抵抗R1を通って変換される。電流は、カレントミラーによってトランジスタQ27及びQ28の電流に写され、図2で示されている、オペアンプ回路10のトランジスタQ8の微小電流に印加され、オペアンプ回路10のオフセットを調整する。閉ループでは、チョッパ回路20はオペアンプ回路10の電流を調整するので、オペアンプ回路10の入力端子間の差(オフセット)はゼロである。チョッパ回路20が使用されるとき、0.1mVの標準偏差のオフセットとなる。それに対し、同じサイズのカレントミラー回路のペアトランジスタQ8及びQ9と共に、オペアンプ回路10が単体で使用されるとき、標準オフセットは1mVとなる。
シリコンからなる回路面積を低減させるために、ミラー効果が用いられる。キャパシタC1は、トランジスタQ24のゲートとトランジスタQ29のドレインの間に接続されている。トランジスタQ24のゲートと電源の間に接続すると、100倍も大容量のキャパシタが必要となる。このようにして、小容量のキャパシタC1で、きわめて長い時定数が得られることがわかる。他の利点は、チョッパ回路20は、飽和状態に近づくまで、高速で動作するということである。従って、トランジスタQ24の出力が飽和状態を前後する限り、ミラー効果が起きることはなく、チョッパ回路20は100倍速く応答する。
キャパシタC1のpcap側は、フォロワトランジスタQ30を介して間接的に駆動される。キャパシタC1のpcap側は、漏れ電流があるかもしれないため、キャパシタC1とトランジスタQ30の接点では、低インピーダンスでなければならない。トランジスタQ24のドレインに直接接続した場合、0.1μAより大きい漏れ電流、すなわちトランジスタQ24のバイアス電流は、暑い時若しくは大きい負荷の時に、チョッパ回路20を機能させなくする。キャパシタC1のpoly側には、漏れ電流の問題はない。
クロック発振回路34を実装するために、様々な回路設計が使用できる。詳細に、図4は、チョッパ回路20を駆動するクロック発振回路34を示している。クロック発振回路34は、キャパシタCAPを蓄電する、若しくは蓄電しないことにより発振するのこぎり波を供給する。のこぎり波状のクロック信号は、a及びbの2つの入力を有する増幅器45によって増幅される。増幅器45の出力は、複数のCMOSゲインステージ50に供給される。全オフセットを除去するために、デューティサイクルは正確に50%でなければならないため、2分周器が必要である。CMOSゲインステージ50によって、信号は、ゲート回路NAND1及びNAND2に供給され、その後インバータ51及び52へと続き、2分周ステージに入り、最終的にクロック信号clk及びclkbとなる。
クロック発振回路34は、180°位相のずれた、2つの相補するクロック信号clk及びclkbを出力する。
以上本発明を、特定の実施例に基づき説明したが、本発明は、特許請求の範囲を逸脱しない限り、当業者にとって明白な他の変形例も含むものである。すなわち本発明は、明細書における実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲のみによって限定されるものである。
本発明による、オペアンプ回路10及びオフセット調整回路を備えている簡略化した回路図である。
図1の回路の実装図である。
図1のチョッパ回路20の実装図である。
図1のチョッパ回路20駆動用のクロック発振回路34の実装図である。
符号の説明
5:回路
10:オペアンプ回路
10a:反転入力端子
10b:非反転入力端子
14a、14b、14c:スイッチ
20:チョッパ回路
22;差動増幅回路
24:第1スイッチング回路
25:第2スイッチング回路
34:クロック発振回路
45:増幅器
50:CMOSゲインステージ
51、52:インバータ
B:方形波
C1、CAP:キャパシタ
clk、clkb:クロック信号
Ifb:端子
NAND1、NAND2:ゲート回路
1、Q3〜Q9、Q18〜Q30:トランジスタ
2:パワーMOSFET
10〜Q13:入力増幅スイッチ
14〜Q17:出力増幅スイッチ
2A:センス電流セル
2B:メイン電流セル
A、R、R1:抵抗
sensb、sb:入力信号

Claims (10)

  1. オペアンプ回路の反転入力端子及び非反転入力端子に接続され、かつ、
    差動出力を有する増幅回路と、
    この増幅回路に入力端子を周期的に入れ替えて接続し、かつ、この増幅回路の出力端子を周期的に入れ替えて接続し、オフセット調整信号となる出力信号を前記オペアンプ回路に供給し、このオペアンプ回路のオフセットを調整するスイッチング回路とを有するチョッパ回路とを備え、
    前記オペアンプ回路の反転入力端子と非反転入力端子との間の電圧オフセットを最小化する回路。
  2. 前記スイッチング回路は、前記オペアンプ回路の入力端子を前記増幅回路に接続している第1スイッチング回路と、前記増幅回路の出力をオフセット調整信号として接続している第2スイッチング回路とを備えている、請求項1記載の回路。
  3. スイッチを周期的に動作させる前記スイッチング回路に、クロック信号を供給するクロック発振回路を備えている、請求項2記載の回路。
  4. 前記チョッパ回路の出力に接続され、DC信号を前記オフセット調整信号として供給するフィルタ回路を備えている、請求項3記載の回路。
  5. 前記オペアンプ回路の前記反転入力端子と前記非反転入力端子間の電圧オフセットが増大するとき、前記オフセット調整信号が増大し、前記オペアンプ回路の前記反転入力端子と前記非反転入力端子間の電圧オフセットを、より低い値まで駆動するようになっている、請求項4記載の回路。
  6. 前記増幅回路は、差動増幅回路を備え、第2スイッチング回路が前記出力を交互にオペアンプ回路に供給するようになっている、請求項2記載の回路。
  7. 前記オペアンプ回路は、その入力間のオフセット電圧を調整する前記オフセット調整信号を受け取る、カレントミラー回路を備えている、請求項1記載の回路。
  8. 前記カレントミラー回路は、サイズの異なる2つのトランジスタを備え、それにより、前記オフセット調整信号によって補正された、前記オペアンプ回路の系統的なオフセットを作り出すようになっている、請求項7記載の回路。
  9. 前記フィルタ回路は、クロック信号のクロック周期に比べて長い時定数を有し、このクロック周期は、前記チョッパ回路の帯域幅に対応する周期に比べて長い、請求項4記載の回路。
  10. 前記フィルタ回路は、抵抗及びキャパシタを有するRCフィルタを備え、キャパシタンスは、トランジスタステージによって電源電圧に接続されている前記キャパシタによって供給される、請求項9記載の回路。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100608111B1 (ko) * 2005-02-07 2006-08-02 삼성전자주식회사 센싱온도를 조절할 수 있는 온도센서
EP2068445B1 (en) 2007-12-04 2015-05-06 ams AG Filtering arrangement, filtering method and current sensing arrangement
GB2457683A (en) * 2008-02-21 2009-08-26 Toumaz Technology Ltd A CMOS operational amplifier with chopper stabilization and a switched output
US7973684B2 (en) * 2008-10-27 2011-07-05 Microchip Technology Incorporated Self auto-calibration of analog circuits in a mixed signal integrated circuit device
US8018274B1 (en) * 2010-03-12 2011-09-13 Maxim Integrated Products, Inc. Switched capacitor amplifier circuit with clamping
US8605521B2 (en) 2011-05-12 2013-12-10 Micron Technology, Inc. Sense amplifiers, memories, and apparatuses and methods for sensing a data state of a memory cell
RU2615071C1 (ru) * 2015-12-22 2017-04-03 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Биполярно-полевой мультидифференциальный операционный усилитель
CN109510600A (zh) * 2018-12-28 2019-03-22 西安交通大学 一种大功率线性高频放大器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931745A (en) * 1988-12-22 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Low noise chopper stabilized amplifier and method of operation
JPH03117908A (ja) * 1989-09-20 1991-05-20 Deutsche Itt Ind Gmbh オフセット電圧平衡演算増幅器
US5959498A (en) * 1997-03-03 1999-09-28 National Semiconductor Corporation Chopper-stabilized operational amplifier including low-noise chopper switch
JP2002530916A (ja) * 1998-11-12 2002-09-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 増幅器により発生するdcオフセット及びノイズを減少させる手段を有する回路
US20030189461A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Huijsing Johan Hendrik Chopper chopper-stabilized operational amplifiers and methods
JP2005086489A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Seiko Epson Corp 増幅回路およびこれを用いた半導体集積装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4423385A (en) * 1981-06-10 1983-12-27 Intersil, Inc. Chopper-stabilized amplifier
US6002299A (en) * 1997-06-10 1999-12-14 Cirrus Logic, Inc. High-order multipath operational amplifier with dynamic offset reduction, controlled saturation current limiting, and current feedback for enhanced conditional stability
US7292095B2 (en) * 2006-01-26 2007-11-06 Texas Instruments Incorporated Notch filter for ripple reduction in chopper stabilized amplifiers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931745A (en) * 1988-12-22 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Low noise chopper stabilized amplifier and method of operation
JPH03117908A (ja) * 1989-09-20 1991-05-20 Deutsche Itt Ind Gmbh オフセット電圧平衡演算増幅器
US5959498A (en) * 1997-03-03 1999-09-28 National Semiconductor Corporation Chopper-stabilized operational amplifier including low-noise chopper switch
JP2002530916A (ja) * 1998-11-12 2002-09-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 増幅器により発生するdcオフセット及びノイズを減少させる手段を有する回路
US20030189461A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Huijsing Johan Hendrik Chopper chopper-stabilized operational amplifiers and methods
JP2005086489A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Seiko Epson Corp 増幅回路およびこれを用いた半導体集積装置

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