JP2009516204A - 水素センサ - Google Patents
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- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/34—Metal hydrides materials
Abstract
Description
本発明によれば、光学的挙動に大きな変化をもたらすのに必要とされる「自己組織化」された二重層がもはや存在しない。本発明によれば、独立して設けられるとともに、遷移金属層を含む補助層によって、自己組織化二重層が置換される。先行技術とは対照的に、金属層と触媒層の間に補助層が設けられる。
更に、より良好なコントラストを得ることができ、かつ酸化に対する保護が一層向上することが判明した。
活性金属層は、水素の充填または非充填で光学特性が変化するあらゆる金属を含むことができる。遷移金属の例として、マグネシウム、または、マグネシウム基金属を挙げることができる。また、数種類の単体金属を組み合わせて用いることができ、あるいは、金属相中にある水素化イットリウム等の金属水素化物を用いることができる。活性層を用いる更なる可能性は、場合によっては遷移金属と組み合わせてもよいイットリウム、マグネシウム等を含む希土類とすることができる。別の好ましい選択肢は活性層としてのMg2Niの使用である。
補助層は、相互に重なって位置するとともに、異なる遷移金属(例えば、チタン、ニッケルおよび/またはニオブ等)を含む複数層を有することができる。また、積層物が水素の拡散を可能にし、かつ任意に反射する限り、異なる構造を有する異なる層を相互に積層することも可能である。
遷移金属層の遷移金属は、周期律表から知られているあらゆる遷移金属、より具体的にはチタンおよび/またはパラジウムを含むことができる。
同じことが、好ましくはニッケルを含むマグネシウム・遷移金属活性層の遷移金属に当てはまる。
基板上に前述の数種類の層を蒸着することにより、本発明の光スイッチ装置を製造することができる。この蒸着は、例えばマグネシウム・遷移金属層を得るために数種類の金属の同時スパッタリング等のスパッタリングを含むことができる。
前述の通り、本発明の光スイッチ装置には多くの用途がある。最も簡単なものは、黒色吸収相から反射相に切換えができるミラーとしての使用である。
図1において、本発明の光スイッチ装置の一例が全体的に1で引用される。いかなる材料であってもよい基板2が存在する。しかし、好ましくは光学装置で通例のガラスが用いられる。ガラスの上面には、活性層としてMg2Ni層等の30nmのマグネシウム・遷移金属層が設けられている。この活性層3の上面には、本発明の補助層4が配置されている。これはチタン層またはパラジウム層等の遷移金属層からなる。その厚さは、10nm以上であり、より好ましくは50〜200nmの範囲にある。補助層の上面には、例えば厚さが約10nmのパラジウム層からなる触媒層5が設けられている。
本発明によれば、層3,4を含む人為的な二重層が合成されている。Mg2NiH4は透明であり、一方、例えば層4に用いられる水素化されたチタンは反射性を保持している。
Claims (18)
- 基板(2)と、該基板上に設けられるとともに水素の充填/非充填で光学特性が異なる活性金属層(3)と、触媒層(5)とを有する光スイッチ装置(1)において、
前記活性金属層と前記触媒層の間に、遷移金属層を含むとともに、前記活性金属層の厚さよりも大きな厚さを有し、かつ、水素透過性である補助層(4)を設けたことを特徴とする光スイッチ装置。 - 前記補助金属層が遷移金属基材層である請求項1に記載された光スイッチ装置。
- 前記活性金属層が希土類基材層である請求項1に記載された光スイッチ装置。
- 前記活性金属層がMg基材層である請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載された光スイッチ装置。
- 黒色の切換え状態を含む請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載された光スイッチ装置。
- 前記活性金属層の厚さが最大で100nmである請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載された光スイッチ装置。
- 前記基板がガラスを含む請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載された光スイッチ装置。
- 前記触媒金属層の金属が、チタンおよび/またはパラジウムおよび/または銀を含む請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載された光スイッチ装置。
- 前記遷移金属層の厚さが10nm〜2μmである請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載された光スイッチ装置。
- 活性遷移金属層の遷移金属が、ニッケル、チタン、パラジウムを含む請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載された光スイッチ装置。
- 基板を用意し、その後、厚さ100nm未満の活性金属層、遷移金属層を含むとともに、厚さ10nmを超える補助層、および、触媒層を蒸着することを含む、光スイッチ装置の製造方法。
- 前記蒸着工程の少なくとも1つが(同時)スパッタリングを含む請求項11に記載された方法。
- 基板(2)と、該基板上に設けられるとともに水素の充填/非充填で光学特性が異なる活性金属層(3)と、触媒層(5)とを有する光スイッチ装置を含むミラーにおいて、
遷移金属層を含むとともに、前記活性金属層の厚さよりも大きな厚さを有し、かつ、水素透過性である補助層(4)を、前記活性金属層と前記触媒層の間に設けたことを特徴とするミラー。 - 基板(2)と、該基板上に設けられるとともに水素の充填/非充填で光学特性が異なる活性金属層(3)と、触媒層(5)とを有する光スイッチ装置を含む水素センサにおいて、
遷移金属層を含むとともに、前記活性金属層の厚さよりも大きな厚さを有し、かつ、水素透過性である補助層(4)を、前記活性金属層と前記触媒層の間に設けたことを特徴とする水素センサ。 - 前記光スイッチ装置の状態をモニターする光センサ(11)を含む請求項14に記載された水素センサ。
- 前記光スイッチ装置(6)と前記光センサ(11)の間に光ファイバー(7,9)が連結する請求項15に記載された水素センサ。
- 流体加熱器(18)と、該流体加熱器の前に入射する光(16)の方向に、基板(2)、該基板上に設けられるとともに水素の充填/非充填で光学特性が異なる活性金属層(3)、および触媒層(5)を有する光スイッチ装置(14)とを含むエネルギー変換組立体において、
遷移金属層を含むとともに、前記活性金属層の厚さよりも大きな厚さを有し、かつ、水素透過性である補助層(4)を、前記活性金属層と前記触媒層の間に設けたことを特徴とするエネルギー変換組立体。 - 太陽電池素子(13)を含み、入射光(16)の方向の使用位置で流体加熱器(18)が前記太陽電池素子の裏側にあり、前記スイッチ装置(14)が前記太陽電池素子と前記流体加熱器の間に配置される請求項17に記載されたエネルギー変換組立品。
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