JPWO2018055925A1 - 水素感知素子及び水素センサー - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態では、本発明の第1の実施形態に係る水素感知素子について説明する。
Y1−xMgx(0<x<0.4)・・・(1)
で表される化合物であることが好ましく、一般式
Y1−xMgx(0<x<0.25)・・・(2)
で表される化合物であることがより好ましい。また、マグネシウム・イットリウム合金は、1000回以上の安定した水素感知特性、即ち、繰り返し耐久性を示すため、一般式(1)で表される化合物であることが好ましい。
Y1−x―yMgxScy(0<x<0.4、0<y<0.6、x+y<1)・・・(3)
で表される化合物であることが好ましい。
Pd1−xRux(0<x<0.7)・・・(4)
で表される化合物であることが好ましい。
本実施形態では、本発明の第2の実施形態に係る水素感知素子について説明する。
Y1−xMgx(0≦x<0.25)・・・(5)
で表される化合物とする場合について説明する。この場合、水素感知層14に含まれるマグネシウム又はイットリウム・マグネシウム合金は、一般式
Y1−xMgx(0.35≦x≦1)・・・(6)
で表される化合物であることが好ましく、スイッチングの繰り返し耐久性を向上させるためには、一般式
Y1−xMgx(0.35≦x<0.5)・・・(7)
で表される化合物であることがより好ましい。
Y1−xMgx(0.5≦x≦1)・・・(8)
で表される化合物とする場合について説明する。この場合、水素感知層14に含まれるイットリウム又はイットリウム・マグネシウム合金は、一般式
Y1−xMgx(0≦x<0.5)・・・(9)
で表される化合物であることが好ましく、無水素化物、二水素化物及び三水素化物の状態の光学特性の明瞭な差を発現させるためには、一般式
Y1−xMgx(0≦x<0.25)・・・(10)
で表される化合物であることがより好ましい。
本実施形態では、本発明の第3の実施形態に係る水素感知素子について説明する。
本実施例では、透明基材40としての、ガラス基板上に、イットリウム又はイットリウム・マグネシウム合金からなる水素感知層10、タンタルからなる拡散防止層50、パラジウムからなる触媒層20が順次積層されている水素感知素子200を作製した。
Y1−xMgx(x=0.1、0.15、0.25)
で表わされるイットリウム・マグネシウム合金薄膜を成膜し、実施例1−1〜1−18の水素感知素子200における水素感知層10とした。
分光光度計を用いて、水素感知素子200の光学特性を評価した。具体的には、水素感知素子200の無水素化物状態(反射状態)(X)、二水素化物状態(反射状態)(XH2)、三水素化物状態(透明状態)(XH3)の各状態の波長550nmの光透過率(T)、透明基材40の側からの波長550nmの光反射率(Rb)を測定した。
本実施例では、イットリウム又はイットリウム・マグネシウム合金からなる水素感知層10の代わりに、マグネシウム(又はイットリウム)からなる水素感知層12及びイットリウム(又はイットリウム・マグネシウム合金)からなる水素感知層14の積層体を用いた以外は、実施例1と同様にして、水素感知素子300を作製した。すなわち、透明基材40としての、ガラス基板上に、マグネシウム(又はイットリウム)からなる水素感知層12、イットリウム(又はイットリウム・マグネシウム合金)からなる水素感知層14、タンタルからなる拡散防止層50、パラジウムからなる触媒層20が順次積層されている水素感知素子300を作製した。
Y0.55Mg0.45
で表わされるイットリウム・マグネシウム合金薄膜)を成膜し、実施例2−1〜2−5の水素感知素子300における水素感知層14とした。
前述と同様にして、得られた水素感知素子300の光学特性を評価した。
本実施例では、触媒層20として、パラジウム・ルテニウム合金薄膜を用いた以外は、実施例1と同様にして、水素感知素子200を作製した。すなわち、透明基材40としての、ガラス基板上に、イットリウム・マグネシウム合金からなる水素感知層10、タンタルからなる拡散防止層50、パラジウム・ルテニウム合金からなる触媒層20が順次積層されている水素感知素子200を作製した。
Y0.85Mg0.15
で表わされるイットリウム・マグネシウム合金薄膜(水素感知層10)を成膜した。このとき、スパッタ中のアルゴンガス圧を0.3Paとし、直流スパッタ法により、それぞれのターゲットに630秒間印加することでスパッタした。
Pd1−xRux(x=0.2、0.4、0.6)
で表わされるパラジウム・ルテニウム合金薄膜(触媒層20)を成膜し、実施例3−1〜3−3の水素感知素子200を作製した。
前述と同様にして、得られた水素感知素子200の光学特性を評価した。
20 触媒層
30 保護層
40 透明基材
50 拡散防止層
100、200、300、400、500 水素感知素子
Claims (11)
- 透明基材上に、三水素化物による透明状態と二水素化物による反射状態との間で状態が可逆的に変化する金属を含む水素感知層と、前記水素感知層における水素化及び脱水素化を促進する金属又は合金を含む触媒層とを備え、
前記水素感知層に含まれる金属は、光学特性の異なる、無水素化物、二水素化物及び三水素化物の状態を有することを特徴とする水素感知素子。 - 前記水素感知層が希土類金属を含むことを特徴とする請求項1に記載の水素感知素子。
- 前記水素感知層が、イットリウム又は一般式
Y1−xMgx(0<x<0.4)
で表されるイットリウム・マグネシウム合金を含むことを特徴とする請求項2に記載の水素感知素子。 - 前記触媒層は、パラジウム、パラジウム合金、白金及び白金合金からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項1に記載の水素感知素子。
- 前記触媒層が、パラジウム又は一般式
Pd1−xRux(0<x<0.7)
で表されるパラジウム・ルテニウム合金を含むことを特徴とする請求項4に記載の水素感知素子。 - 前記水素感知層と前記触媒層との間に、拡散防止層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の水素感知素子。
- 前記触媒層に対して、前記水素感知層とは反対側に、保護層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の水素感知素子。
- 前記水素感知層の厚さが、10nm以上1000nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の水素感知素子。
- 前記触媒層の厚さが、1nm以上20nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の水素感知素子。
- 前記透明基材は、ガラス基材又はプラスチック基材であることを特徴とする請求項1に記載の水素感知素子。
- 請求項1に記載の水素感知素子を備えることを特徴とする水素センサー。
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