JP2009513330A5 - - Google Patents

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Claims (30)

  1. プロセス室から排出されるガスの処理方法であって、
    排気ガスを真空ポンプに運ぶステップと、
    ポンプからの排気ガスを除害装置に運ぶステップと、を含み、
    パージガスを、除害装置の上流で排気ガスに加え、排気ガスに加えられるパージガスの量を、排気ガスの除害を最適にするように制御する、
    ことを特徴とするプロセス室から排出されるガスの処理方法。
  2. 排気ガスに加えられるパージガスの量を、プロセス室に供給され、またはプロセス室から排出されるガスの組成の変化に応答して調整する、
    請求項1に記載の方法。
  3. 室に供給され、または室から排出されるガスがフッ素含有成分を含むとき、排気ガスに加えられるパージガスの量を減ずる、
    請求項1又は2に記載の方法。
  4. 第1ガス及び第2ガスが異なる時間に供給され、第2ガスがフッ素含有成分を含む、プロセス室から排出されるガスの処理方法であって、
    排気ガスを真空ポンプに運ぶステップと、
    ポンプからの排気ガスを除害装置に運ぶステップと、を含み、
    パージガスを、除害装置の上流で排気ガスに加え、排気ガスに加えられるパージガスの量は、第1ガスがプロセス室に供給されるとき、第1の値、及び第2ガスがプロセス室に供給されるとき、第1の値より低い第2の値を有する、
    ことを特徴とするプロセス室から排出されるガスの処理方法。
  5. フッ素含有成分は、F2及びペルフルオロ化合物のうちの1つを含む、
    請求項3又は4に記載の方法。
  6. 排気ガスに加えられるパージガスの量を、前記フッ素含有成分が室に供給されない、または室から排出されないとき、その後増加させる、
    請求項3から5の何れか1項に記載の方法。
  7. 排気ガスに加えられるパージガスの量を、排気ガスが1つまたはそれ以上の凝縮可能な種を含むとき、その後増加させる、
    請求項3から6の何れか1項に記載の方法。
  8. 排気ガスに加えられるパージガスの量を、プロセス室に供給され、またはプロセス室から排出されるガスの組成の変化を示すデータの受取りに応答して調整する、
    請求項1から7の何れか1項に記載の方法。
  9. 排気ガスは、プロセスツールのプロセス室からの排気であり、前記組成の変化を示すデータは、プロセスツールによって供給される、
    請求項8に記載の方法。
  10. 前記組成の変化を示すデータを、プロセス室にガスを供給するのに使用される1つまたはそれ以上の可変流量制御装置を監視することによって得る、
    請求項8または9に記載の方法。
  11. 排気ガスに加えられるパージガスの量を、パージガスが排気ガスに供給される流量を変更することによって調整する、
    請求項1から10の何れか1項に記載の方法。
  12. 排気ガスに加えられるパージガスの量を、5ないし15slmの値より上に維持する、 請求項1から11の何れか1項に記載の方法。
  13. パージガスを、ポンプの上流で排気ガスに加える、
    請求項1から12の何れか1項に記載の方法。
  14. ポンプは、多段ポンプであり、パージガスは、ポンプの段の間で排気ガスに加えられる、
    請求項1から13の何れか1項に記載の方法。
  15. パージガスを、ポンプの下流で排気ガスに加える、
    請求項1から14の何れか1項に記載の方法。
  16. ポンプの下流で排気ガスに加えられるパージガスの量を、ポンプの上流またはポンプの段の間で排気ガスに加えられるパージガスの量に応じて調整する、
    請求項15に記載の方法。
  17. プロセス室から排出されるガスの処理装置であって、
    プロセス室からの排気ガスを受けるための真空ポンプと、
    ポンプからの排気ガスを受け入れるための除害装置と、
    除害装置の上流で排気ガスにパージガスを加えるためのパージガス供給システムと、排気ガスの除害を最適にするように、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するための制御システムと、を含む、
    ことを特徴とするプロセス室から排出されるガスの処理装置。
  18. 制御システムは、プロセス室に供給される、またはプロセス室から排出されるガスの組成の変化に応答して、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するように構成されている、
    請求項17に記載の装置。
  19. 制御システムは、排気ガスがフッ素含有成分を含むとき、パージガスを排気ガスに供給する流量を減ずるように構成されている、
    請求項17または18に記載の装置。
  20. 第1ガス及び第2ガスが異なる時間に供給され、第2ガスがフッ素含有成分を含む、プロセス室から排出されるガスの処理装置であって、
    プロセス室からの排気ガスを受けるための真空ポンプと、
    ポンプからの排気ガスを受け入れるための除害装置と、
    除害装置の上流で排気ガスにパージガスを加えるためのパージガス供給システムと、
    排気ガスに加えられるパージガスの量が、第1ガスがプロセス室に供給されるとき、第1の値、及び第2ガスがプロセス室に供給されるとき、第1の値より低い第2の値を有するように、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するための制御システムと、を含む、
    ことを特徴とするプロセス室から排出されるガスの処理装置。
  21. 制御システムは、排気ガスが、1つまたはそれ以上の凝縮可能な種を含むとき、パージガスが排気ガスに供給される流量を増加させるように構成されている、
    請求項19又は20に記載の装置。
  22. 制御システムは、プロセス室に供給される、またはプロセス室から排出されるガスの組成の変化を示すデータを受け、それに応答して排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するためのコントローラを含む、
    請求項17から21の何れか1項に記載の装置。
  23. 制御システムは、パージガスを排気ガスに供給する流量を変更するための可変流量制御装置を含み、コントローラは、前記組成の変化で可変流量制御装置を制御するように構成されている、
    請求項22に記載の装置。
  24. 制御システムは、パージガスを前記組成に応じて、10乃至40slmの間で、排気ガスに供給する流量を変更するように構成されている、
    請求項22又は23に記載の装置。
  25. 制御システムは、除害装置によって受け入れられた排気ガス内のパージガスの量を、5乃至15slmの間の値より上に維持するように構成されている、
    請求項17から24の何れか1項に記載の装置。
  26. パージガス供給システムは、ポンプの上流で排気ガスにパージガスを加えるように構成されている、
    請求項17から25の何れか1項に記載の装置。
  27. ポンプは、多段ポンプであり、パージガス供給システムは、ポンプの段の間で排気ガスにパージガスを加えるように構成されている、
    請求項17から26の何れか1項に記載の装置。
  28. パージガス供給システムは、ポンプの下流で排気ガスにパージガスを加えるように構成されている、
    請求項17から27の何れか1項に記載の装置。
  29. 制御システムは、ポンプの上流またはポンプ内で排気ガスに加えられるパージガスの量に依存して、ポンプの下流で排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するように構成されている、
    請求項28に記載の装置。
  30. 除害装置は、プラズマ除害装置である、
    請求項17から29の何れか1項に記載の装置。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080104372A (ko) * 2006-03-16 2008-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전자 장치 제조 시스템의 압력 제어 방법 및 장치
FR2932059A1 (fr) * 2008-05-28 2009-12-04 Air Liquide Systeme de traitement par plasma d'un fluide ou melange de fluides
CN102089857A (zh) * 2008-07-11 2011-06-08 应用材料公司 用于减弱电子装置制造过程排出物的方法和设备
JP2011163150A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Toyota Industries Corp 水素ガスの排気方法及び真空ポンプ装置
US9625168B2 (en) * 2010-08-05 2017-04-18 Ebara Corporation Exhaust system
KR101230513B1 (ko) * 2010-12-27 2013-02-06 (주)엘오티베큠 배기 유체 처리 장치
JP5877702B2 (ja) * 2011-12-14 2016-03-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
GB2501735B (en) * 2012-05-02 2015-07-22 Edwards Ltd Method and apparatus for warming up a vacuum pump arrangement
KR20140107758A (ko) 2013-02-28 2014-09-05 삼성전자주식회사 반응 부산물 처리기 및 반응 부산물의 처리방법과 반응 부산물 처리기를 구비하는 반도체 소자 제조설비
JP6154953B2 (ja) * 2013-03-14 2017-06-28 エムケイエス インストゥルメンツ, インコーポレイテッド 環状プラズマ除害装置および方法
JP6151945B2 (ja) * 2013-03-28 2017-06-21 株式会社荏原製作所 除害機能付真空ポンプ
JP6153754B2 (ja) * 2013-03-28 2017-06-28 株式会社荏原製作所 除害機能付真空ポンプ
GB2513300B (en) 2013-04-04 2017-10-11 Edwards Ltd Vacuum pumping and abatement system
JP6368458B2 (ja) * 2013-05-24 2018-08-01 株式会社荏原製作所 除害機能付真空ポンプ
JP6166102B2 (ja) * 2013-05-30 2017-07-19 株式会社荏原製作所 除害機能付真空ポンプ
GB2515017B (en) * 2013-06-10 2017-09-20 Edwards Ltd Process gas abatement
US20150211114A1 (en) * 2014-01-30 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Bottom pump and purge and bottom ozone clean hardware to reduce fall-on particle defects
JP5808454B1 (ja) 2014-04-25 2015-11-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
KR20230051311A (ko) * 2014-09-12 2023-04-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 프로세싱 장비 유출물의 처리를 위한 제어기
CN104480468A (zh) * 2014-12-31 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 干式蚀刻机及用于捕集气体中磁性颗粒的捕集装置
GB2535703B (en) * 2015-02-23 2019-09-18 Edwards Ltd Gas supply apparatus
JP6749090B2 (ja) * 2015-11-12 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 ハロゲン系ガスを用いる処理装置における処理方法
US20190282948A1 (en) * 2016-01-27 2019-09-19 Imad Mahawili Semiconductor processing system
WO2020069206A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 Lam Research Corporation Vacuum pump protection against deposition byproduct buildup
CN109821657B (zh) * 2019-03-12 2024-03-22 华南理工大学 燃煤电厂电除尘器绝缘子室的吹扫装置
EP3991210A4 (en) 2019-06-06 2023-08-16 Edwards Vacuum LLC LIQUID FILTER APPARATUS FOR GAS/SOLID SEPARATION FOR PROCESSING SEMICONDUCTORS
GB2588906A (en) * 2019-11-13 2021-05-19 Edwards Ltd Gas purged valve
JP7361640B2 (ja) * 2020-03-09 2023-10-16 エドワーズ株式会社 真空ポンプ
US20210402351A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Zimmer, Inc. Vacuum generation process for deposition of biomedical implant materials
US11931682B2 (en) 2020-09-22 2024-03-19 Edwards Vacuum Llc Waste gas abatement technology for semiconductor processing

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5453125A (en) * 1994-02-17 1995-09-26 Krogh; Ole D. ECR plasma source for gas abatement
IE80909B1 (en) * 1996-06-14 1999-06-16 Air Liquide An improved process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases
US6153260A (en) * 1997-04-11 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Method for heating exhaust gas in a substrate reactor
JP3050195B2 (ja) * 1997-12-09 2000-06-12 日本電気株式会社 Cvd装置の排気ガス処理方法及び装置
US6468490B1 (en) * 2000-06-29 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Abatement of fluorine gas from effluent
US6689252B1 (en) * 1999-07-28 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Abatement of hazardous gases in effluent
US6423284B1 (en) * 1999-10-18 2002-07-23 Advanced Technology Materials, Inc. Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
JP2001252527A (ja) 2000-03-13 2001-09-18 Seiko Epson Corp Pfcの処理方法および処理装置
US6592817B1 (en) * 2000-03-31 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Monitoring an effluent from a chamber
JP4796733B2 (ja) 2000-05-29 2011-10-19 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー ガス分解装置およびそれを用いたプラズマ設備
US6514471B1 (en) 2000-10-31 2003-02-04 Air Products And Chemicals, Inc. Removing fluorine from semiconductor processing exhaust gas
US6955707B2 (en) 2002-06-10 2005-10-18 The Boc Group, Inc. Method of recycling fluorine using an adsorption purification process
JP2004223365A (ja) 2003-01-21 2004-08-12 Rohm Co Ltd ガス処理装置
GB0412623D0 (en) * 2004-06-07 2004-07-07 Boc Group Plc Method controlling operation of a semiconductor processing system
US7368000B2 (en) 2004-12-22 2008-05-06 The Boc Group Plc Treatment of effluent gases
GB0509163D0 (en) 2005-05-05 2005-06-15 Boc Group Plc Gas combustion apparatus
JP2006332339A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Sharp Corp 真空装置及び除害システム

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