JP3050195B2 - Ｃｖｄ装置の排気ガス処理方法及び装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置の排気ガス処理方法及び装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体製
造におけるＣＶＤ装置の排気ガスを処理する方法及び装
置に関するものである。
造におけるＣＶＤ装置の排気ガスを処理する方法及び装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】排気ガス処理方法の従来例を図５に示
す。ＣＶＤ装置１は、通常、成膜条件（ＳｉＨ4ガスな
ど）とクリーニング条件（ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6ガスなど）の
２つの条件を交互に繰り返して使用され、配管２には交
互にＳｉＨ4ガスとＮＦ3ガスが流れることとなる。
す。ＣＶＤ装置１は、通常、成膜条件（ＳｉＨ4ガスな
ど）とクリーニング条件（ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6ガスなど）の
２つの条件を交互に繰り返して使用され、配管２には交
互にＳｉＨ4ガスとＮＦ3ガスが流れることとなる。
【０００３】濃度の濃いＳｉＨ4ガス、およびＳｉＨ4ガ
スとＮＦ3ガスの混合は爆発の危険性があるため、配管
２に窒素配管４より、毎分で十〜数百リットルの窒素ガ
スを排気ガスに混入し、配管５に送られる。排気ガスは
切換弁６により、排気ガスがＳｉＨ4ガスの場合は配管
７ａ→排気ガス処理装置８ａを経由し、ＳｉＨ4成分を
とり除いてから排気配管９ａへと排気ガスを放出する。
スとＮＦ3ガスの混合は爆発の危険性があるため、配管
２に窒素配管４より、毎分で十〜数百リットルの窒素ガ
スを排気ガスに混入し、配管５に送られる。排気ガスは
切換弁６により、排気ガスがＳｉＨ4ガスの場合は配管
７ａ→排気ガス処理装置８ａを経由し、ＳｉＨ4成分を
とり除いてから排気配管９ａへと排気ガスを放出する。
【０００４】一方、排気ガスがＮＦ3ガスの場合は、配
管７ｂ→排ガス処理装置８ｂを経由し、ＮＦ3成分をと
り除いてから排気配管９ｂへと排気ガスを放出する。
管７ｂ→排ガス処理装置８ｂを経由し、ＮＦ3成分をと
り除いてから排気配管９ｂへと排気ガスを放出する。
【０００５】ＣＶＤ装置のクリーニング条件が、Ｃ2Ｆ6
ガスの場合は、現状の法規制上では、希釈されていれば
問題がないため、切換弁６、排気ガス処理装置８ｂが不
要であり、常時、排気ガス処理装置８ａ側にＣＶＤ装置
の排気ガスが流れる形となっていた。
ガスの場合は、現状の法規制上では、希釈されていれば
問題がないため、切換弁６、排気ガス処理装置８ｂが不
要であり、常時、排気ガス処理装置８ａ側にＣＶＤ装置
の排気ガスが流れる形となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】第一の問題点は、従来
の技術においては、ＣＶＤ装置以降の排気ガスは希釈用
の窒素ガスが大半であり、排ガス処理装置の処理能力を
大きくしている点である。
の技術においては、ＣＶＤ装置以降の排気ガスは希釈用
の窒素ガスが大半であり、排ガス処理装置の処理能力を
大きくしている点である。
【０００７】その理由は、安全性の問題であり、特に成
膜条件に使用するガスが、可燃性、毒性ガスが多いこと
と、希釈用の窒素ガスが常時大量に流れているためであ
る。
膜条件に使用するガスが、可燃性、毒性ガスが多いこと
と、希釈用の窒素ガスが常時大量に流れているためであ
る。
【０００８】第２の問題点は、クリーニング条件で使用
されていたフロンガス（ＣＦ4,Ｃ2Ｆ6，ＮＦ3，ＳＦ6，
など）をとり除くことについてはあまり考慮していない
点である。
されていたフロンガス（ＣＦ4,Ｃ2Ｆ6，ＮＦ3，ＳＦ6，
など）をとり除くことについてはあまり考慮していない
点である。
【０００９】その理由は、従来フロンガスは希釈放出す
ればよかったが、今後は環境上の問題で、地球温暖化に
影響度の高いフロンガス（Ｃ2Ｆ6，ＣＦ4，ＳＦ6，ＮＦ
3，など）は、放出規制の要求があり、排気ガス処理が
必要となってくる。
ればよかったが、今後は環境上の問題で、地球温暖化に
影響度の高いフロンガス（Ｃ2Ｆ6，ＣＦ4，ＳＦ6，ＮＦ
3，など）は、放出規制の要求があり、排気ガス処理が
必要となってくる。
【００１０】よって、本発明は、ＣＶＤ装置の排気ガス
に混入させる希釈ガスの量を最適化することにより、効
率の良い排気ガス処理が行えるようにすることを主たる
目的とする。
に混入させる希釈ガスの量を最適化することにより、効
率の良い排気ガス処理が行えるようにすることを主たる
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、ＣＶＤ装置の反応室内から交互に排出
される異種の排気ガスに対して窒素などの希釈ガスを混
入しつつ、排気ガス処理装置で処理する方法であって、
排気ガスの状態に合わせて前記希釈ガスの混入量を制御
する方法とした。ここで、ＣＶＤ装置を半導体製造に用
いていることもできる。また、反応室内から交互に排出
される異種の排気ガスの一方の排気ガスを第１排気ガス
処理装置で処理し、他方の排気ガスを第２排気ガス処理
装置で処理することもできる。その場合、排気ガスの成
分又は濃度に基づいて、希釈ガスの混入量を制御するこ
ともできる。一方、本発明の装置は、ＣＶＤ装置の反応
室内から交互に排出される異種の排気ガスに対して窒素
などの希釈ガスを混入しつつ、排気ガス処理装置で処理
する装置であって、排気ガスの状態に合わせて前記希釈
ガスの混入量を制御する手段を含む構成とした。ここ
で、ＣＶＤ装置としては、半導体製造に用いることもで
きる。また、反応室内から交互に排出される異種の排気
ガスの一方の排気ガスを処理する第１排気ガス処理装置
と、他方の排気ガスを処理する第２排気ガス処理装置と
を含む構成とすることもできる。その場合、排気ガスの
成分又は濃度のうちの少なくとも濃度を検出する手段を
含み、その検出結果に基づいて前記希釈ガスの混入量を
制御する機能を有するように構成することもできる。ま
た、本発明では、半導体製造時に反応室内から異種の排
気ガスを交互に排出するＣＶＤ装置と、異種の排気ガス
の一方の排気ガスを処理するための第１排気ガス処理装
置と、他方の排気ガスを処理するための第２排気ガス処
理装置と、ＣＶＤ装置からの排気ガスを第１排気ガス処
理装置及び第２排気ガス処理装置へと導く配管と、排気
ガスに対して窒素などの希釈ガスを混入する手段と、排
気ガスの状態に合わせて希釈ガスの混入量の制御を行う
排気ガスコントローラーとを備える構成とした。その場
合、配管の途中に、ＣＶＤ装置からの排気ガス流路第１
排気ガス処理装置又は第２排気ガス処理装置の何れか一
方へ交互に切換可能な切換弁があり、その切換弁は排気
ガスコントローラにより制御される構成とすることもで
きる。また、配管に接続した複数の流量コントローラを
介して希釈ガスを配管内に供給する構成とすることもで
きる。さらに、ＣＶＤ装置からの排気ガスの成分及び濃
度を検出し、その検出結果を排気ガスコントローラに送
るガス分析装置を含む構成とすることもできる。
め、本発明では、ＣＶＤ装置の反応室内から交互に排出
される異種の排気ガスに対して窒素などの希釈ガスを混
入しつつ、排気ガス処理装置で処理する方法であって、
排気ガスの状態に合わせて前記希釈ガスの混入量を制御
する方法とした。ここで、ＣＶＤ装置を半導体製造に用
いていることもできる。また、反応室内から交互に排出
される異種の排気ガスの一方の排気ガスを第１排気ガス
処理装置で処理し、他方の排気ガスを第２排気ガス処理
装置で処理することもできる。その場合、排気ガスの成
分又は濃度に基づいて、希釈ガスの混入量を制御するこ
ともできる。一方、本発明の装置は、ＣＶＤ装置の反応
室内から交互に排出される異種の排気ガスに対して窒素
などの希釈ガスを混入しつつ、排気ガス処理装置で処理
する装置であって、排気ガスの状態に合わせて前記希釈
ガスの混入量を制御する手段を含む構成とした。ここ
で、ＣＶＤ装置としては、半導体製造に用いることもで
きる。また、反応室内から交互に排出される異種の排気
ガスの一方の排気ガスを処理する第１排気ガス処理装置
と、他方の排気ガスを処理する第２排気ガス処理装置と
を含む構成とすることもできる。その場合、排気ガスの
成分又は濃度のうちの少なくとも濃度を検出する手段を
含み、その検出結果に基づいて前記希釈ガスの混入量を
制御する機能を有するように構成することもできる。ま
た、本発明では、半導体製造時に反応室内から異種の排
気ガスを交互に排出するＣＶＤ装置と、異種の排気ガス
の一方の排気ガスを処理するための第１排気ガス処理装
置と、他方の排気ガスを処理するための第２排気ガス処
理装置と、ＣＶＤ装置からの排気ガスを第１排気ガス処
理装置及び第２排気ガス処理装置へと導く配管と、排気
ガスに対して窒素などの希釈ガスを混入する手段と、排
気ガスの状態に合わせて希釈ガスの混入量の制御を行う
排気ガスコントローラーとを備える構成とした。その場
合、配管の途中に、ＣＶＤ装置からの排気ガス流路第１
排気ガス処理装置又は第２排気ガス処理装置の何れか一
方へ交互に切換可能な切換弁があり、その切換弁は排気
ガスコントローラにより制御される構成とすることもで
きる。また、配管に接続した複数の流量コントローラを
介して希釈ガスを配管内に供給する構成とすることもで
きる。さらに、ＣＶＤ装置からの排気ガスの成分及び濃
度を検出し、その検出結果を排気ガスコントローラに送
るガス分析装置を含む構成とすることもできる。
【００１２】
【作用】ＣＶＤ装置の排気ガスに混ぜる希釈ガスの量
を、排気ガスの状態に合わせて変える機能を有してい
る。このため、排気ガス処理装置側に供給する総排気量
を削減できる。
を、排気ガスの状態に合わせて変える機能を有してい
る。このため、排気ガス処理装置側に供給する総排気量
を削減できる。
【００１３】切換弁において、ＣＶＤ装置の排気とつな
がっていない側の配管に対し、適量の希釈ガスを供給す
ることにより、ＣＶＤ装置を異なる条件で使用してお
り、混合させたくないガス同士が混ざらないようになっ
ている。
がっていない側の配管に対し、適量の希釈ガスを供給す
ることにより、ＣＶＤ装置を異なる条件で使用してお
り、混合させたくないガス同士が混ざらないようになっ
ている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本
発明の実施の形態を示す排気ガス処理装置の構成図であ
る。
について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本
発明の実施の形態を示す排気ガス処理装置の構成図であ
る。
【００１５】本実施の形態に係る排気ガス処理技術は、
排気ガスの状態に合わせてＣＶＤ装置の排気ガスへの希
釈ガスの混入量を制御する。より具体的には、ＣＶＤ装
置排気ガスへの希釈ガス供給量を可変できる手段と、Ｃ
ＶＤ装置、排気ガス処理装置、切換弁、流量コントロー
ラーを制御する手段とを有する。また、切換弁での排気
ガスの置換を効率よく行うための手段を含む。
排気ガスの状態に合わせてＣＶＤ装置の排気ガスへの希
釈ガスの混入量を制御する。より具体的には、ＣＶＤ装
置排気ガスへの希釈ガス供給量を可変できる手段と、Ｃ
ＶＤ装置、排気ガス処理装置、切換弁、流量コントロー
ラーを制御する手段とを有する。また、切換弁での排気
ガスの置換を効率よく行うための手段を含む。
【００１６】次いで、これらの詳細について説明する
と、ＣＶＤ装置１は、反応室を内部に保有しており、成
膜条件時には、ＳｉＨ4などの反応ガスを反応室に送り
込み、プラズマ反応により反応室内にあるシリコンウェ
ハー上に膜を成長させる。
と、ＣＶＤ装置１は、反応室を内部に保有しており、成
膜条件時には、ＳｉＨ4などの反応ガスを反応室に送り
込み、プラズマ反応により反応室内にあるシリコンウェ
ハー上に膜を成長させる。
【００１７】膜成長が終了した後、シリコンウェハーを
反応室からとり出し、次に反応室内の不要生成物を除く
ため、ＮＦ3などのクリーニング処理ガスを反応室に送
り込み、プラズマ反応により、不要生成物をとり除く処
理を行う。この成膜処理とクリーニング処理が交互に行
われ、ＳｉＨ4などのガスと、ＮＦ3などのガスが反応室
からポンプにより交互に排気配管２に放出される。
反応室からとり出し、次に反応室内の不要生成物を除く
ため、ＮＦ3などのクリーニング処理ガスを反応室に送
り込み、プラズマ反応により、不要生成物をとり除く処
理を行う。この成膜処理とクリーニング処理が交互に行
われ、ＳｉＨ4などのガスと、ＮＦ3などのガスが反応室
からポンプにより交互に排気配管２に放出される。
【００１８】窒素配管４ａは、流量コントローラー１０
ｂにより、０〜２００リットル／分の窒素ガスが供給で
きるラインであり、配管２に送られてくるＣＶＤ装置１
からの排気ガスを窒素ガスで希釈し、配管５に送る。
ｂにより、０〜２００リットル／分の窒素ガスが供給で
きるラインであり、配管２に送られてくるＣＶＤ装置１
からの排気ガスを窒素ガスで希釈し、配管５に送る。
【００１９】切換弁６は、排気ガスがＳｉＨ4などのガ
スの場合は排気ガス処理装置（第１排気ガス処理装置）
８ａ側へ、排気ガスがＮＦ3などのガスの場合は排気ガ
ス処理装置（第２排気ガス処理装置）８ｂ側へ配管５を
つなぐ役割を果たす。
スの場合は排気ガス処理装置（第１排気ガス処理装置）
８ａ側へ、排気ガスがＮＦ3などのガスの場合は排気ガ
ス処理装置（第２排気ガス処理装置）８ｂ側へ配管５を
つなぐ役割を果たす。
【００２０】配管５につながっていない側には、流量コ
ントローラー１０ａにより０〜１０リットル／分の窒素
が配管４ｂより送られる。排気配管９ａ，９ｂは、排気
ガス処理装置８ａ，８ｂにより排気ガスのＳｉＨ4，Ｎ
Ｆ3ガス成分を除去したガスが放出される。
ントローラー１０ａにより０〜１０リットル／分の窒素
が配管４ｂより送られる。排気配管９ａ，９ｂは、排気
ガス処理装置８ａ，８ｂにより排気ガスのＳｉＨ4，Ｎ
Ｆ3ガス成分を除去したガスが放出される。
【００２１】排気ガスコントローラー３は、ＣＶＤ装置
１、排気ガス処理装置８ａ，８ｂの状態を管理し、切換
弁６、流量コントローラ１０ａ，１０ｂを制御してい
る。
１、排気ガス処理装置８ａ，８ｂの状態を管理し、切換
弁６、流量コントローラ１０ａ，１０ｂを制御してい
る。
【００２２】流量コントローラー１０ａ，１０ｂは、窒
素ガスの流量を増減する機能と、実際に流れている流量
をモニターする機能を有している。
素ガスの流量を増減する機能と、実際に流れている流量
をモニターする機能を有している。
【００２３】次に、動作について、図１、図２を参照し
て説明する。図２は、ＣＶＤ装置に供給されるＳｉＨ4
ガス流量およびＮＦ3ガス流量、ＣＶＤ装置１の排気ガ
スに窒素配管４ａから加えられる希釈窒素ガス流量、切
換弁６に窒素配管４ｂから加えられる希釈置換のための
窒素ガス流量、ＣＶＤ装置１の反応室内圧力のタイミン
グチャートである。
て説明する。図２は、ＣＶＤ装置に供給されるＳｉＨ4
ガス流量およびＮＦ3ガス流量、ＣＶＤ装置１の排気ガ
スに窒素配管４ａから加えられる希釈窒素ガス流量、切
換弁６に窒素配管４ｂから加えられる希釈置換のための
窒素ガス流量、ＣＶＤ装置１の反応室内圧力のタイミン
グチャートである。
【００２４】ＳｉＨ4ガスとＮＦ3ガスは、混合すると爆
発の可能性があるため、ＣＶＤ装置１に混入して流され
ることはない。ＳｉＨ4ガスが供給ストップとなり、Ｃ
ＶＤ装置１反応室内が充分真空に排気されてから、ＮＦ
3ガスがＣＶＤ装置１反応室内に供給される形となる。
発の可能性があるため、ＣＶＤ装置１に混入して流され
ることはない。ＳｉＨ4ガスが供給ストップとなり、Ｃ
ＶＤ装置１反応室内が充分真空に排気されてから、ＮＦ
3ガスがＣＶＤ装置１反応室内に供給される形となる。
【００２５】最初の状態は、ＳｉＨ4ガスもＮＦ3ガスも
ＣＶＤ装置１には供給されておらず、ＣＶＤ装置１反応
室は高真空度に真空引きされている。窒素配管４ａ，４
ｂにはそれぞれ１０リットル／分、２リットル／分の窒
素ガスが流れている。切換弁６は、配管５−配管７ａ、
窒素配管４ｂ−配管７ｂをつないでいる。
ＣＶＤ装置１には供給されておらず、ＣＶＤ装置１反応
室は高真空度に真空引きされている。窒素配管４ａ，４
ｂにはそれぞれ１０リットル／分、２リットル／分の窒
素ガスが流れている。切換弁６は、配管５−配管７ａ、
窒素配管４ｂ−配管７ｂをつないでいる。
【００２６】ＣＶＤ装置１が成膜条件状態になると、Ｓ
ｉＨ4ガスが５０cc／分供給され、同時に窒素配管４ａ
に３０リットル／分の窒素ガスが供給される。切換弁６
は、配管５と配管７ａをつないでおり、ＣＶＤ装置１の
排気ガスは、排気ガス処理装置８ａに供給されている。
ｉＨ4ガスが５０cc／分供給され、同時に窒素配管４ａ
に３０リットル／分の窒素ガスが供給される。切換弁６
は、配管５と配管７ａをつないでおり、ＣＶＤ装置１の
排気ガスは、排気ガス処理装置８ａに供給されている。
【００２７】ＣＶＤ装置１が成膜条件状態終了となる
と、ＳｉＨ4ガスの供給がストップとなり、ＣＶＤ装置
１の反応室の反力は高真空状態へと移行する。反応室圧
力が１０−１Ｐａになった時点で、窒素配管４ｂに供給
される窒素ガスは１０リットル／分に減少される。窒素
配管４ａの窒素ガスが１０リットル／分になって２０秒
後、切換弁６は、配管５−配管７ｂ、窒素配管４ｂ−配
管７ａを接続する。直後、窒素配管４ｂに流す窒素ガス
流量を２分間６リットル／分に増やし、配管７ａを希釈
・置換する。２分後、窒素配管４ｂに流す窒素ガス流量
は２リットル／分に戻る。
と、ＳｉＨ4ガスの供給がストップとなり、ＣＶＤ装置
１の反応室の反力は高真空状態へと移行する。反応室圧
力が１０−１Ｐａになった時点で、窒素配管４ｂに供給
される窒素ガスは１０リットル／分に減少される。窒素
配管４ａの窒素ガスが１０リットル／分になって２０秒
後、切換弁６は、配管５−配管７ｂ、窒素配管４ｂ−配
管７ａを接続する。直後、窒素配管４ｂに流す窒素ガス
流量を２分間６リットル／分に増やし、配管７ａを希釈
・置換する。２分後、窒素配管４ｂに流す窒素ガス流量
は２リットル／分に戻る。
【００２８】次に、ＣＶＤ装置１はクリーニング条件状
態になり、ＮＦ3ガスが１０cc／分供給される。同時
に、窒素配管４ａに供給される窒素ガスは２０リットル
／分に増加される。
態になり、ＮＦ3ガスが１０cc／分供給される。同時
に、窒素配管４ａに供給される窒素ガスは２０リットル
／分に増加される。
【００２９】ＣＶＤ装置１がクリーニング条件終了にな
ると、ＮＦ3ガスの供給がストップとなり、ＣＶＤ装置
１の反応室の圧力は高真空状態へと移行し、１０−１Ｐ
ａになった所で窒素配管４ａに供給される窒素ガス流量
は１０リットル／分に減少される。窒素配管４ａの窒素
ガス流量が１０リットル／分になって２０秒後、切換弁
６は、配管５−配管７ａ、窒素配管４ｂ−配管７ｂを接
続する。直後、窒素配管４ｂに流す窒素ガス流量を２分
間６リットル／分に増やす。２分後、窒素配管４ａに流
す窒素ガス流量は２リットル／分に戻す。
ると、ＮＦ3ガスの供給がストップとなり、ＣＶＤ装置
１の反応室の圧力は高真空状態へと移行し、１０−１Ｐ
ａになった所で窒素配管４ａに供給される窒素ガス流量
は１０リットル／分に減少される。窒素配管４ａの窒素
ガス流量が１０リットル／分になって２０秒後、切換弁
６は、配管５−配管７ａ、窒素配管４ｂ−配管７ｂを接
続する。直後、窒素配管４ｂに流す窒素ガス流量を２分
間６リットル／分に増やす。２分後、窒素配管４ａに流
す窒素ガス流量は２リットル／分に戻す。
【００３０】これらの動作を繰り返すことにより、効果
的な排気ガス処理を行うことが可能となる。
的な排気ガス処理を行うことが可能となる。
【００３１】前記説明における窒素ガス流量は一例であ
り、ＣＶＤ装置に供給するガス種、ガス流量、設定希釈
濃度により流量設定を変えて使用する。
り、ＣＶＤ装置に供給するガス種、ガス流量、設定希釈
濃度により流量設定を変えて使用する。
【００３２】この例は、１台のＣＶＤ装置に対し２台の
排気ガス処理装置をつなげている処理方法について説明
したが、複数台のＣＶＤ装置を２台の排気ガス処理装置
に同様にして接続することも可能である。例えば、排気
ガス処理装置の処理排気ガス能力がそれぞれ２００リッ
トル／分であれば、この実施例の場合、ＳｉＨ4の排気
ガス処理はＣＶＤ装置６台分、ＮＦ3の排気ガス処理は
ＣＶＤ装置９台分処理できる計算となる。
排気ガス処理装置をつなげている処理方法について説明
したが、複数台のＣＶＤ装置を２台の排気ガス処理装置
に同様にして接続することも可能である。例えば、排気
ガス処理装置の処理排気ガス能力がそれぞれ２００リッ
トル／分であれば、この実施例の場合、ＳｉＨ4の排気
ガス処理はＣＶＤ装置６台分、ＮＦ3の排気ガス処理は
ＣＶＤ装置９台分処理できる計算となる。
【００３３】排気ガスコントローラー３は、複数台のＣ
ＶＤ装置、排気ガス装置の状態をモニターし、状態に合
った動作を切換弁、流量コントローラーに対して行う。
ＶＤ装置、排気ガス装置の状態をモニターし、状態に合
った動作を切換弁、流量コントローラーに対して行う。
【００３４】流量コントローラー１０ａ，１０ｂは、実
際に流れているガス量をモニターする機能も有している
ため、排気ガスコントローラー３より要求された窒素ガ
ス量が流れていない場合は、排気ガスコントローラー３
に情報を送り、ＣＶＤ装置に供給しているＳｉＨ4、Ｎ
Ｆ3ガスを停止させる。
際に流れているガス量をモニターする機能も有している
ため、排気ガスコントローラー３より要求された窒素ガ
ス量が流れていない場合は、排気ガスコントローラー３
に情報を送り、ＣＶＤ装置に供給しているＳｉＨ4、Ｎ
Ｆ3ガスを停止させる。
【００３５】次に、本発明の他の実施の形態について説
明する。図３に他の実施の形態に係る排気ガス処理装置
の構成図を示す。図１の実施例に対しＣＶＤ装置１の排
気ガスが流れる配管２にガス分析装置１１を取り付けた
形となっている。配管２に流れる排気ガスの成分を分析
し、希釈対象ガスであるＳｉＨ4，ＮＦ3などの濃度をモ
ニターし、情報を排気ガスコントローラー３に送る。排
気ガスコントローラー３は、排気ガスの希釈対象ガスの
濃度に合わせて、流量コントローラー１０ｂをコントロ
ールし、希釈窒素を窒素配管４ａに流す。
明する。図３に他の実施の形態に係る排気ガス処理装置
の構成図を示す。図１の実施例に対しＣＶＤ装置１の排
気ガスが流れる配管２にガス分析装置１１を取り付けた
形となっている。配管２に流れる排気ガスの成分を分析
し、希釈対象ガスであるＳｉＨ4，ＮＦ3などの濃度をモ
ニターし、情報を排気ガスコントローラー３に送る。排
気ガスコントローラー３は、排気ガスの希釈対象ガスの
濃度に合わせて、流量コントローラー１０ｂをコントロ
ールし、希釈窒素を窒素配管４ａに流す。
【００３６】次に、動作について図３，図４を参照して
説明する。図４は、図３に示す例の構成図におけるガス
分析装置１１によって測定された配管２内のＳｉＨ4ガ
ス濃度と、流量コントローラー１０ｂによって制御され
ている希釈窒素ガス流量のタイミングチャートである。
説明する。図４は、図３に示す例の構成図におけるガス
分析装置１１によって測定された配管２内のＳｉＨ4ガ
ス濃度と、流量コントローラー１０ｂによって制御され
ている希釈窒素ガス流量のタイミングチャートである。
【００３７】本実施例においては、ＳｉＨ4ガスによる
成膜条件は、２種類の流量条件が連続に続いている成膜
条件を例として示した。
成膜条件は、２種類の流量条件が連続に続いている成膜
条件を例として示した。
【００３８】まず、ＣＶＤ装置１が待機状態にある場合
は、窒素配管４ａには１０リットル／分の窒素ガスが流
れている。ＣＶＤ装置１が成膜条件の状態に入った時
に、窒素配管４ａの窒素ガスは２０リットル／分にな
る。ＣＶＤ装置１がＳｉＨ4ガスを流し始めると、窒素
配管４ａの窒素ガスは６０リットル／分に増す。
は、窒素配管４ａには１０リットル／分の窒素ガスが流
れている。ＣＶＤ装置１が成膜条件の状態に入った時
に、窒素配管４ａの窒素ガスは２０リットル／分にな
る。ＣＶＤ装置１がＳｉＨ4ガスを流し始めると、窒素
配管４ａの窒素ガスは６０リットル／分に増す。
【００３９】ＣＶＤ装置１がＳｉＨ4ガスの流量を少な
くする条件へと移行した時、ガス分析装置１１の分析値
がＳｉＨ4ガス濃度の１０ｐｐｍを下まわった時点より
１０秒後、窒素配管４ａの窒素ガスは、２４リットル／
分に減少する。
くする条件へと移行した時、ガス分析装置１１の分析値
がＳｉＨ4ガス濃度の１０ｐｐｍを下まわった時点より
１０秒後、窒素配管４ａの窒素ガスは、２４リットル／
分に減少する。
【００４０】ＣＶＤ装置１の、ＳｉＨ4 ガス供給が停止
し、ＳｉＨ4 ガス濃度１ｐｐｍを下まわって１０秒後、
窒素配管４ａの窒素ガスは２０リットル／分に減少す
る。
し、ＳｉＨ4 ガス濃度１ｐｐｍを下まわって１０秒後、
窒素配管４ａの窒素ガスは２０リットル／分に減少す
る。
【００４１】ＣＶＤ装置１が、ＳｉＨ4 ガスによる成膜
条件状態を終了した時点で、窒素配管４ａの窒素ガス
は、１０リットル／分に減少する。
条件状態を終了した時点で、窒素配管４ａの窒素ガス
は、１０リットル／分に減少する。
【００４２】このように、ガス分析装置１１により、Ｃ
ＶＤ装置１から放出されるガスの濃度をモニターし、濃
度に合わせた希釈窒素を混入することにより、希釈用窒
素ガスの使用量を削減でき、排気ガス処理装置の処理能
力の負荷を軽減できる。
ＶＤ装置１から放出されるガスの濃度をモニターし、濃
度に合わせた希釈窒素を混入することにより、希釈用窒
素ガスの使用量を削減でき、排気ガス処理装置の処理能
力の負荷を軽減できる。
【００４３】
【発明の効果】第一の効果は、ＣＶＤ装置の排気ガスの
量を最小化できるということである。これにより、排気
ガス処理装置が小さなもので対応できるようになる。
量を最小化できるということである。これにより、排気
ガス処理装置が小さなもので対応できるようになる。
【００４４】その理由は、特にクリーニング条件でＣＶ
Ｄ装置を使用していた場合、必要以上の希釈ガスを大量
に混ぜていたが、本発明処理方法により、安全に希釈ガ
スを減らすことが可能になるからである。
Ｄ装置を使用していた場合、必要以上の希釈ガスを大量
に混ぜていたが、本発明処理方法により、安全に希釈ガ
スを減らすことが可能になるからである。
【００４５】第２の効果は、排気ガスの濃度が高い状態
で排気ガス処理装置に供給することができるようにな
る。これにより、排気ガスの処理効率を向上することが
可能となる。一般的に、クリーニング条件に使用してい
るＣ2Ｆ6、ＮＦ3、などのガスを燃焼除害処理する場
は、濃度が濃い方が除去効率が高いからである。
で排気ガス処理装置に供給することができるようにな
る。これにより、排気ガスの処理効率を向上することが
可能となる。一般的に、クリーニング条件に使用してい
るＣ2Ｆ6、ＮＦ3、などのガスを燃焼除害処理する場
は、濃度が濃い方が除去効率が高いからである。
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態に係る排気ガス処理装置の
構成図である。
構成図である。
【図２】図１の排気ガス処理装置における各ガス流量，
ＣＶＤ装置反応室内圧力のタイミングチャートである。
ＣＶＤ装置反応室内圧力のタイミングチャートである。
【図３】本発明の他の実施の形態に係る排気ガス処理装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図４】図３の実施の形態におけるＳｉＨ4の濃度と希
釈窒素流量のタイミングチャートである。
釈窒素流量のタイミングチャートである。
【図５】従来の排気ガス処理装置の構成図である。
１ ＣＶＤ装置 ２ 配管 ３ 排気ガスコントローラー ４，４ａ，４ｂ 窒素配管 ５ 配管 ６ 切換弁 ７ａ，７ｂ 配管 ８ａ，８ｂ 排気ガス処理装置 ９ａ，９ｂ 排気配管 １０ａ，１０ｂ 流量コントローラー １１ ガス分析装置
Claims (12)
- 【請求項１】 ＣＶＤ装置の反応室内から交互に排出さ
れる異種の排気ガスに対して窒素などの希釈ガスを混入
しつつ、排気ガス処理装置で処理する方法であって、前
記排気ガスの状態に合わせて前記希釈ガスの混入量を制
御することを特徴とする、ＣＶＤ装置の排気ガス処理方
法。 - 【請求項２】 前記ＣＶＤ装置を半導体製造に用いてい
ることを、特徴とする、請求項１記載のＣＶＤ装置の排
気ガス処理方法。 - 【請求項３】 前記反応室内から交互に排出される異種
の排気ガスの一方の排気ガスを第１排気ガス処理装置で
処理し、他方の排気ガスを第２排気ガス処理装置で処理
することを特徴とする、請求項１又は２記載のＣＶＤ装
置の排気ガス処理方法。 - 【請求項４】 前記排気ガスの成分又は濃度に基づい
て、前記希釈ガスの混入量を制御することを特徴とす
る、請求項１〜３に記載のＣＶＤ装置の排気ガス処理方
法。 - 【請求項５】 ＣＶＤ装置の反応室内から交互に排出さ
れる異種の排気ガスに対して窒素などの希釈ガスを混入
しつつ、排気ガス処理装置で処理する装置であって、前
記排気ガスの状態に合わせて前記希釈ガスの混入量を制
御する手段を含むことを特徴とする、ＣＶＤ装置の排気
ガス処理装置。 - 【請求項６】 前記ＣＶＤ装置が、半導体製造に用いる
装置であることを特徴とする、請求項５記載のＣＶＤ装
置の排気ガス処理方法。 - 【請求項７】 前記反応室内から交互に排出される異種
の排気ガスの一方の排気ガスを処理する第１排気ガス処
理装置と、他方の排気ガスを処理する第２排気ガス処理
装置とを含むことを特徴とする、請求項５又は６記載の
ＣＶＤ装置の排気ガス処理装置。 - 【請求項８】 前記排気ガスの成分又は濃度のうちの少
なくとも濃度を検出する手段を含み、その検出結果に基
づいて前記希釈ガスの混入量を制御する機能を有する構
成としたことを特徴とする、請求項５〜７に記載のＣＶ
Ｄ装置の排気ガス処理装置。 - 【請求項９】 半導体製造時に反応室内から異種の排気
ガスを交互に排出するＣＶＤ装置と、異種の排気ガスの
一方の排気ガスを処理するための第１排気ガス処理装置
と、他方の排気ガスを処理するための第２排気ガス処理
装置と、ＣＶＤ装置からの排気ガスを第１排気ガス処理
装置及び第２排気ガス処理装置へと導く配管と、前記排
気ガスに対して窒素などの希釈ガスを混入する手段と、
前記排気ガスの状態に合わせて希釈ガスの混入量の制御
を行う排気ガスコントローラーとを備えることを特徴と
する、ＣＶＤ装置の排気ガス処理装置。 - 【請求項１０】 前記配管の途中に、前記ＣＶＤ装置か
らの排気ガス流路第１排気ガス処理装置又は第２排気ガ
ス処理装置の何れか一方へ交互に切換可能な切換弁があ
り、その切換弁は前記排気ガスコントローラにより制御
されることを特徴とする、請求項９記載のＣＶＤ装置の
排気ガス処理装置。 - 【請求項１１】 前記配管に接続した複数の流量コント
ローラを介して前記希釈ガスを配管内に供給する構成と
したことを特徴とする、請求項９又は１０記載のＣＶＤ
装置の排気ガス処理装置。 - 【請求項１２】 前記ＣＶＤ装置からの排気ガスの成分
及び濃度を検出し、その検出結果を排気ガスコントロー
ラに送るガス分析装置を含むことを特徴とする、請求項
９〜１１に記載のＣＶＤ装置の排気ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9354054A JP3050195B2 (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | Ｃｖｄ装置の排気ガス処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9354054A JP3050195B2 (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | Ｃｖｄ装置の排気ガス処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172440A JPH11172440A (ja) | 1999-06-29 |
| JP3050195B2 true JP3050195B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=18434990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9354054A Expired - Lifetime JP3050195B2 (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | Ｃｖｄ装置の排気ガス処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3050195B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332339A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 真空装置及び除害システム |
| GB0521944D0 (en) * | 2005-10-27 | 2005-12-07 | Boc Group Plc | Method of treating gas |
| JP6209786B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-10-11 | 大陽日酸株式会社 | 排気ガス処理システム |
-
1997
- 1997-12-09 JP JP9354054A patent/JP3050195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11172440A (ja) | 1999-06-29 |
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