JP2009506969A - 半導体ウェハの横方向に分断する方法およびオプトエレクトロニクス構成素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図1A,1Bおよび1Cは、本発明の第1実施例による方法の中間ステップにおける半導体ウェハの断面を略示しており、
図2は、本発明の第2の実施例による方法の中間ステップにおける半導体ウェハの断面を略示しており、
図3は、本発明の第3の実施例による方法の中間ステップにおける半導体ウェハの断面を略示しており、
図4は、本発明の第4の実施例による方法の中間ステップにおける半導体ウェハの断面を略示しており、
図5は、本発明の第5の実施例による方法の中間ステップにおける半導体ウェハの断面を略示しており、
図6A〜6Fは、本発明の第6実施例による方法の中間ステップにおける半導体ウェハの断面を略示している。
以下では図6A〜6Fに略示した中間ステップに基づいて本発明の別の有利な実施形態を説明する。
Claims (23)
- 成長基板(2)および半導体層列(3)を含む半導体ウェハ(1)を横方向に分断する方法において、
該方法は、
− 成長基板(2)を準備するステップと、
− 当該の成長基板(2)に半導体層列(3)をエピタキシ成長させるステップとを有しており、ここで半導体層列(3)には、分離層(4)として設けられた層と、成長方向に見て当該の分離層(4)に続く少なくとも1つの機能半導体層(5)とが含まれており、
上記の方法にはさらに、
− 当該の機能半導体層(5)を通して前記の分離層(4)にイオンを打ち込むステップと、
− 前記の半導体ウェハ(1)を分断するステップとを有しており、
前記の成長基板(2)を含む半導体ウェハ(1)の部分(1a)を前記の分離層(4)に沿って切り離すことを特徴する、
半導体ウェハ(1)を横方向に分断する方法。 - 前記の分断を温度処理によって行う、
請求項1に記載の方法。 - 前記の温度処理を300℃〜1200℃の範囲の温度の下で行う、
請求項1または2に記載の方法。 - 前記の成長基板(2)は、GaN基板またはAlN基板である、
請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記の半導体層列(3)は、窒化物化合物半導体材料ベースである、
請求項1から4いずれか1項に記載の方法。 - 前記のイオン打込みでは、水素イオン、ヘリウムイオン、水素イオンとヘリウムイオン、または水素イオンとホウ素イオンを打ち込む、
請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記のイオン打ち込みの後、半導体層列(3)の熱的なアニーリングを行う、
請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記分離層(4)は、ガリウムよりも原子番号が大きい少なくとも1つの元素を有する、
請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記の分離層(4)にはインジウムが含まれている、
請求項8に記載の方法。 - 前記の半導体層列(3)には、打ち込まれたイオンに対する少なくとも1つの拡散バリア層(10,11)が含まれており、
該拡散バリア層は、分離層(4)に隣接する、
請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記の拡散バリア層(10,11)は、Zn,FeまたはSiがドーピングされた窒化物化合物半導体である、
請求項10に記載の方法。 - 前記の半導体層列(3)は、分離層(4)の両側にイオン打込み用の拡散バリア層(10,11)を含んでいる、
請求項10または11に記載の方法。 - 前記の分離層(4)は、引張応力が加えられた層である、
請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記の引張応力の加わった分離層(4)は、アルミニウムを含む窒化物化合物半導体である、
請求項13に記載の方法。 - 前記の引張応力の加わった分離層(4)は、Siがドーピングされた窒化物化合物半導体である、
請求項13または14に記載の方法。 - 前記分離層(4)は、横方向のエピタキシャル成長(ELOG)によって作製される半導体層である、
請求項1から15までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記分離層(4)は、半導体材料から形成されており、
当該半導体材料では、前記の打込まれたイオンが、当該分離層(4)に隣接している層よりも大きな拡散係数を有する、
請求項1から16までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記分離層(4)は、p形ドーピングされた窒化物化合物半導体層である、
請求項17に記載の方法。 - 前記の半導体ウェハ(1)は分断の前、成長基板(2)とは反対側の表面が支持体基板(8)に接合される、
請求項1から18までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記機能半導体層(5)は、ビーム発光層またはビーム検出層である、
請求項1から19までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記機能半導体層(5)は、InxAlyGa1−x−yNを有しており、
ただし0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1である、
請求項1から20までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記の半導体層列(3)には、成長方向に見て前記分離層(4a)に続く別の複数の分離層(4b,4c)が含まれており、
前記の分離層(4a)へのイオン打ち込みのステップの前に以下のステップ、すなわち、a) 上側の分離層(4c)にイオン打ち込みを行うステップを実行し、ここで当該の上側の分離層(4c)は、別の分離層(4b,4c)のうちで成長基板(2)から最大の距離を有する分離層であり、
上記の方法ではさらに
b) 当該の上側の分離層(4c)に沿って半導体ウェハを分断するステップを実行し、
c) 場合によってはステップa)およびb)を繰り返すステップを実行し、ここで当該の繰り返しの回数は、前記の別の分離層(4b,4c)の数と等しい、
請求項1から21までのいずれか1項に記載の方法。 - 機能半導体層(5)を有する半導体層列(3)を備えたオプトエレクトロニクス構成素子において、
当該半導体層列(3)が、請求項1から22までのいずれか1項に記載の方法によって成長基板(2)から切り離されたことを特徴とする
オプトエレクトロニクス構成素子。
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