JP2009505392A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図9
Description
かかる問題を解消するために、近年、フリップチップ状の発光素子への関心がますます高まってきている。
図1を参照すると、所定の基板1の上に発光層、すなわち、N型半導体層5と、活性層6及びP型半導体層7を順次に形成する。P型半導体層7と活性層6の一部をエッチングしてN型半導体層5を露出させることにより発光セルを製造する。
このとき、前記発光セルブロックは、前記第2のノードと前記第4のノードとの間に接続され、電源が前記第1のノードと前記第3のノードとの間に接続されることが好ましい。
前記サブマウント基板は、互いに離隔して形成された第1及び第2の接続パッドと第1及び第2の電源パッドを備え、前記第1のダイオードブロックと第2のダイオードブロックとの間に第1の電源パッドが接続され、前記第3のダイオードブロックと第4のダイオードブロックとの間に第2の電源パッドが接続され、前記第1のダイオードブロックと第3のダイオードブロックとの間に第1の接続パッドが接続され、前記第2のダイオードブロックと第4のダイオードブロックとの間に第2の接続パッドが接続され、前記発光セルブロックの両端は第1の接続パッドと第2の接続パッドに接続されることが好ましい。
前記発光セルブロックの複数の発光セルはそれぞれN型半導体層とP型半導体層を含み、隣り合う発光セルのN型半導体層とP型半導体層が電気的に接続され、一端の発光セルのN型半導体層の上にN型ボンディングパッドが形成され、他端の発光セルのP型半導体層の上にP型ボンディングパッドが形成されることが好ましい。
前記第1の半導体基板または第2の半導体基板の少なくとも一方の面には凹凸が形成されるのが好ましい。
前記第2の半導体基板を設けるステップは、前記第2の基板の一方の面に各々が少なくとも一つ以上の発光セルを備える4個のダイオードブロックを形成するステップを含むことが好ましい。
前記ダイオードブロックを形成するステップは、前記第2の基板の一方の面に複数の発光セルを形成するステップと、ブリッジ配線を介して一方の発光セルのN型半導体層とそれと隣り合う他方の発光セルのP型半導体層との間を接続するステップと、一端のダイオードブロックにある発光セルのN型半導体層の上にN型ボンディングパッドを形成し、他端のダイオードブロックにある発光セルのP型半導体層の上にP型ボンディングパッドを形成するステップとを含むことが好ましい。
前記ブリッジ配線は、ブリッジ工程またはステップカバレッジ工程により一方のセルのN型半導体層と隣り合う他方の発光セルのP型半導体層との間を接続することが好ましい。
前記第1の半導体基板を設けるステップ前に、前記第1の基板の一方の面に凹凸を形成するステップをさらに有することが好ましい。
しかし、本発明は後述する実施の形態に限定されるものではなく、相異なる形で実現可能であり、これらの実施の形態は、単に本発明の開示をするものであり、且つ、この技術分野における通常の知識を持った者に発明の範疇を完全に報知するために提供されるものである。なお、図中、同じ要素には同じ符号を付してある。
図3を参照すると、発光素子は、複数の発光セル1000がシリアル(直列)接続された発光セルブロック2000と、発光セルブロック2000に所定の電流を印加するための整流ブリッジ部3000とを備えている。この実施形態においては、複数の発光セル1000がシリアル接続された発光セルブロック2000が外部の電源と直接的に接続されることなく、整流ブリッジ部3000を介して外部の電源と電気的に接続される。
ここで、第1のノードN1と第3のノードN3は交流の電源に接続される。また、上記の発光セルブロック2000は整流ブリッジ部3000の第2のノードN2と第4のノードN4との間に接続される。
交流電源の下での駆動時に、第1のノードN1に正の電圧(+)が印加され、且つ、第3のノードN3に負の電圧(−)が印加される場合に、電流が第1のノードN1、第2のダイオードD2、発光セルブロック2000、第3のダイオードD3及び第3のノードN3を介して流れて発光セルブロック2000を発光させる。
逆に、第3のノードN3に正の電圧(+)が印加され、且つ、第1のノードN1に負の電圧(−)が印加される場合に、電流が第3のノードN3、第4のダイオードD4、発光セルブロック2000、第1のダイオードD1及び第1のノードN1を介して流れて発光セルブロック2000を発光させる。このように外部より印加される交流の電源によらずに、整流ブリッジ部3000により発光セルブロック2000は発光する。
図3を参照すると、発光セル1000は、基板10と、基板10の上に順次に積層されたN型半導体層11と、活性層12及びP型半導体層13を備えている。
基板10とは、発光素子を製作するための通常のウェーハが適用され、この実施形態においては、サファイア製の透明基板が用いられている。
このとき、N型ボンディングパッド50の下部とP型ボンディングパッド55の下部のそれぞれにN型オーミックコンタクト膜(図示せず)及びP型オーミックコンタクト膜(図示せず)をさらに備えることができる。また、P型半導体層13とP型ボンディングパッド55との間に透明電極層(図示せず)をさらに備えることができる。
また、図11は、第2の半導体基板に形成された整流ブリッジ部の概念図であり、図12は、サブマウント基板に形成された電源パッド及び接続パッドを示す概略図である。
図4を参照すると、第1の基板10の上に電気的に絶縁された複数の発光セル1000を形成する。このために、まず、第1の基板10の上に発光層、すなわち、N型半導体層11と、活性層12及びP型半導体層13を順次に形成する。
上述した物質層は、有機金属化学蒸着法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、化学蒸着法(CVD:Chemical Vapor Deposition)、プラズマ化学蒸着法(PCVD:Plasma−enhanced Chemical Vapor Deposition)、分子線成長法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)、水素化物気相成長法(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)などをはじめとする種々の蒸着及び成長方法により形成される。
しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、工程上の便宜のために種々に変更可能である。
配線75としては、金属に加えて、伝導性を有するあらゆる物質が使用可能である。
この実施形態においては、単一の発光セル1000を駆動するための電圧/電流と発光素子に印加される交流駆動電圧に応じて、シリアル接続される発光セル1000の数を種々に変更可能である。
このとき、第1〜第4のダイオードブロック210〜240のそれぞれは少なくとも1以上のダイオードを備えてなる。
図6を参照すると、第1の半導体基板100と同様に、第2の基板20の上に複数の発光セルが形成された第2の半導体基板200を設ける。ただし、第2の半導体基板200は、上述したように、少なくとも一つ以上のダイオードよりなるダイオードブロックを4個形成する。この実施形態においては、ダイオードとして発光セルを用いている。
すなわち、少なくとも一つの発光セルを備えるダイオードブロックを4個形成する。
また、各ダイオードブロックのP型及びN型ボンディングパッド65、60とP型半導体層23の上にバンピング用に形成された金属バンプ40を備える。金属バンプ40としては、Pb、Sn、Au、Ge、Cu、Bi、Cd、Zn、Ag、Ni及びTiのうちの少なくともいずれか1種を用いる。
発光層が形成されない第1の基板10の背面と第2の基板20の背面が互いに接するようにボンディングを行う。このために、ボンディングされる面を一定の厚さエッチングした後、常温下で圧力を加えたり、熱と共に圧力を加えて接合する。2枚の半導体基板のボンディングは真空雰囲気下で行われることが好ましく、種々のボンディング方法によりボンディング可能である。
図8を参照すると、サブマウント基板300は、基板30の上に形成された複数のボンディング層70と、基板30の一方の端部に位置する第1の接続パッド80と、他方の端部に位置する第2の接続パッド85とを備える。
図8は、接続パッド80、85を備える一つの断面図のみを示しており、図12から見られるように、接続パッド80、85から離隔して形成された第1の電源パッド90と第2の電源パッド95をさらに備える。
図10に示すように、第1の半導体基板100は、第1の発光ノードLN10と第2の発光ノードLN20との間に複数の発光セル1000がシリアル接続された発光セルブロック2000が形成され、発光セルブロック2000のアノードは第1の発光ノードLN10に接続され、発光セルブロック2000のカソードは第2の発光ノードLN20に接続される。
これにより、整流ブリッジ部の形成された第2の半導体基板がサブマウント基板の上にフリップチップボンディングされる構造上に、整流ブリッジ部により電圧を印加された発光セルブロックが形成された第1の半導体基板がさらに設けられるような形の発光素子を製造することができる。
図13を参照すると、本発明の発光素子は、凹凸の設けられた第2の基板25の上に整流ブリッジ部が形成された第2の半導体基板と、第2の半導体基板がフリップチップボンディングされるサブマウント基板と、第2の基板25の背面にボンディングされて複数の発光セルがシリアル接続された発光セルブロックが形成された第1の半導体基板とを備えている。
この実施形態によれば、従来のフラットな表面において反射されていた光子が凹凸により種々の角度を有する表面で反射されずに外部に抜け出ることから、高い輝度と発光効率が得られるというメリットがある。
12、22 活性層
13、23 P型半導体層
40 金属バンプ
50、60 N型ボンディングパッド
55、65 P型ボンディングパッド
70 ボンディング層
75 導電性配線
80、85 接続パッド
90、95 電源パッド
100 第1の半導体基板
150 発光基板
200 第2の半導体基板
210、220、230、240 ダイオードブロック
300 サブマウント基板
1000 発光セル
2000 発光セルブロック
3000 整流ブリッジ部
Claims (12)
- 一方の面に複数の発光セルが直列接続された発光セルブロックを備える第1の半導体基板と、
一方の面に整流ブリッジ部を備え、且つ、他方の面が前記第1の半導体基板の他方の面とボンディングされる第2の半導体基板と、
前記第2の半導体基板の一方の面に接するように第2の半導体基板とフリップチップボンディングされるサブマウント基板とを備え、
前記発光セルブロックには、前記整流ブリッジ部により所定の整流電源が印加されることを特徴とする発光素子。 - 前記整流ブリッジ部は、第1及び第2のノード間に接続される第1のダイオードブロックと、
前記第1及び第4のノード間に接続される第2のダイオードブロックと、
前記第2及び第3のノード間に接続される第3のダイオードブロックと、
前記第3及び前記第4のノード間に接続される第4のダイオードブロックとを備えることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記発光セルブロックは、前記第2のノードと前記第4のノードとの間に接続され、電源が前記第1のノードと前記第3のノードとの間に接続されることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
- 前記サブマウント基板は、互いに離隔して形成された第1及び第2の接続パッドと第1及び第2の電源パッドとを備え、
前記第1のダイオードブロックと第2のダイオードブロックとの間に第1の電源パッドが接続され、前記第3のダイオードブロックと第4のダイオードブロックとの間に第2の電源パッドが接続され、前記第1のダイオードブロックと第3のダイオードブロックとの間に第1の接続パッドが接続され、前記第2のダイオードブロックと第4のダイオードブロックとの間に第2の接続パッドが接続され、前記発光セルブロックの両端は第1接続パッドと第2の接続パッドに接続されることを特徴とする請求項2又は3に記載の発光素子。 - 前記発光セルブロックの複数の発光セルはそれぞれN型半導体層とP型半導体層を含み、
隣り合う発光セルのN型半導体層とP型半導体層が電気的に接続され、一端の発光セルのN型半導体層の上にN型ボンディングパッドが形成され、他端の発光セルのP型半導体層の上にP型ボンディングパッドが形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記第1の半導体基板または第2の半導体基板の少なくとも一方の面には凹凸が形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の発光素子。
- 第1の基板の一方の面に複数の発光セルが接続される発光セルブロックを形成して第1の半導体基板を設けるステップと、
第2の基板の一方の面に整流ブリッジ部を形成して第2の半導体基板を設けるステップと、
前記第1の基板の他方の面と前記第2の基板の他方の面が接するようにボンディングするステップと、
前記第2の半導体基板の整流ブリッジ部に接続されるように前記第2の基板とサブマウント基板とのボンディングを行い、前記発光セルブロックと前記整流ブリッジ部との間を接続するステップとを有することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記第1の半導体基板を設けるステップは、前記第1の基板の一方の面にN型半導体層及びP型半導体層を順次に形成するステップと、
前記N型半導体層及びP型半導体層の一部を除去して複数の発光セルを形成するステップと、
ブリッジ配線を介して一方の発光セルのN型半導体層とそれと隣り合う他方の発光セルのP型半導体層との間を接続するステップとを含むことを特徴とする請求項7に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第2の半導体基板を設けるステップは、前記第2の基板の一方の面に各々が少なくとも一つ以上の発光セルを備える4個のダイオードブロックを形成するステップを含むことを特徴とする請求項7に記載の発光素子の製造方法。
- 前記ダイオードブロックを形成するステップは、前記第2の基板の一方の面に複数の発光セルを形成するステップと、
ブリッジ配線を介して一方の発光セルのN型半導体層とそれと隣り合う他方の発光セルのP型半導体層との間を接続するステップと、
一端のダイオードブロックにある発光セルのN型半導体層の上にN型ボンディングパッドを形成し、他端のダイオードブロックにある発光セルのP型半導体層の上にP型ボンディングパッドを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項9に記載の発光素子の製造方法。 - 前記ブリッジ配線は、ブリッジ工程またはステップカバレッジ工程により一方の発光セルのN型半導体層と隣り合う他方の発光セルのP型半導体層との間を接続することを特徴とする請求項8から10のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1の半導体基板を設けるステップ前に、前記第1の基板の一方の面に凹凸を形成するステップをさらに有することを特徴とする請求項7から10のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
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