TWI506818B - 發光模組及交流發光裝置 - Google Patents

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Description

發光模組及交流發光裝置
本發明係關於發光裝置(light-emitting devices)，且特別是關於使用不實體接觸螢光材料之發光二極體之發光模組及其應用之交流發光裝置。
目前市面上用於發出白光之發光模組中的發光二極體(light emitting diode,LED)具有如體積小之優點，因而可用於陣列封裝之照明使用。
一般所謂的「白光」通常係指一種多顏色的混合光，以人眼所見之白色光至少包括二種以上波長之色光所形成，例如：藍色光加黃色光可得到二互補色波長(complementary wavelength)之白光或由藍色光、綠色光、紅色光混合後可得到三波長之白光。
以下為目前已知之用於發出白光之兩種發光模組，包括：(一)、以藍光發光二極體晶片激發黃色螢光粉產生白光之發光模組。在藍光發光二極體晶片的外圍填充混有黃光螢光粉的透明光學膠，利用藍光發光二極體晶片所發出的光線激發黃光螢光粉產生黃光，同時有部份適當比例的藍光穿透出來，此部份藍光配合上螢光粉所發出之黃光，即形成藍黃混合之二互補色波長的白光；以及(二)．以紫外光發光二極體激發均勻混有一定比例之 藍色螢光粉、綠色螢光粉、紅色螢光粉以產生白光之發光模組。在紫外光發光二極體晶片的外圍填充有均勻混有一定比例之藍色螢光粉、綠色螢光粉、紅色螢光粉之透明光學膠，利用紫外光發光二極體晶片所發出的紫外光激發上述顏色之多種螢光粉以產生白光。此一結構類似日光燈原理，激發後可得到三波長之白光。
然而，於上述之可發出白光之發光模組中，由於混入有特定顏色螢光粉之透明光學膠係直接接觸了發光二極體晶片，故於發光模組操作時將受到發光二極體晶片所產生熱之影響，如此將會劣化混有螢光粉之透明光學膠。再者，螢光粉也有轉換效率問題，也會產生熱，進而影響到晶粒本身之效率與壽命。另外，由於發光二極體晶片一般係設置於面積較小之導線支架(lead frame)之上且為上述透明光學膠所包覆，因而導線支架對於逸散發光二極體晶片所產生之熱能效果有限。如此，隨著發光模組操作時間的增長，於其內之熱能的累積恐會造成其內發光二極體晶片發光波長的飄移與透明光學膠的劣化，進而影響發光模組的白光出射表現。
有鑑於此，為了改善上述改善習知問題，本發明提供了一種發光模組及其應用之交流電發光裝置。
依據一實施例，本發明提供了一種發光模組，實質上由以下構件組成： 一散熱基板，具有一平整表面；複數個絕緣層，分別設置於該散熱基板之該平整表面上；複數個導電層，分別設置於該些絕緣層之一之上；一連接層，設置於該散熱基板之上；一發光二極體晶片，設置於該連接層之上；複數個銲線，連結該發光二極體晶片與該些導電層；以及一透明外罩，設置於發光二極體晶片之上並實體連結於該散熱基板之數個側壁，含有螢光層，其中該螢光層實質上係設置於該透明外罩之相對該發光二極體晶片之一表面上且未實體接觸該發光二極體晶片。
依據又一實施例，本發明提供了一種發光模組，實質上由以下構件組成：一散熱基板，具有一平整表面；複數個連接層，分別設置於該散熱基板之該平整表面之不同部上；複數個絕緣層、複數個光反射層與複數個導電層，設置於該散熱基板之該平整表面之不同部上且與該些連接層交錯，其中該些光反射層具有數個光反射斜面；複數個發光二極體晶片，分別設置於該些連接層之一之上；複數個銲線，串聯地電性連結該些發光二極體晶片與該些導電層；以及一透明外罩，設置於該些發光二極體晶片之上並實體連結於該散熱基板之數個側壁，含有螢光層，其中該螢光層實質上係設置於該透明外罩之相對該些發光二極體晶片之一表面上且未實體接觸該些發光二極體晶片。
依據另一實施例，本發明提供了一種發光模組，實質上由以下構件組成：一散熱基板，具有一平整表面；複數個連接層，設置 於該散熱基板之該平整表面之不同部上；複數個發光二極體晶片，分別設置於該些連接層之一之上；複數個銲線，串聯地連結該些發光二極體晶片；以及一透明外罩，設置於發光二極體晶片之上，含有螢光層，其中該螢光層實質上係設置於該透明外罩之相對該些發光二極體晶片之一表面上且未實體接觸該些發光二極體晶片。
依據另一實施例，本發明提供了一種交流發光裝置，包括：如前述之發光模組；以及一橋式整流器，耦接於該發光模組，其中於操作時，該橋式整流器係耦接於一電流控制電子電路元件與一交流電源。
為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附的圖式，作詳細說明如下：
請參照第1圖，顯示了依據本發明一實施例之發光模組100，主要包括了一散熱基板10、一發光二極體晶片60、一透明外罩80、位於透明外罩80之一表面上之一螢光層90等主要構件。
如第1圖所示，於本實施例中散熱基板10係繪示為一平整基板，具有相對且平整之兩個表面A與B，而發光二極體晶片60係設置於散熱基板之表面B之上。在此，於散 熱基板10與發光二極體晶片60之間設置有一連接層30，透過連接層30的設置，可透過共晶或黏結等方式於將發光二極體晶片60穩固地設置於散熱基板10的表面B之上。此外，於散熱基板10之上更設置有數個絕緣層12，而於此些絕緣層12之上則分別設置有一導電層14，以作為導線或導電接墊之用。於絕緣層12與導電層14之間則設置於有光反射層13，光反射層13包括金屬、金屬合金、金屬氧化物、塑膠等表面具反光特性之材料。且光反射層13具有一梯型剖面，以及未為導電層14覆蓋而露出之數個光反射斜面13a，藉以反射發光二極體晶片60所發出之光線。
於一實施例中，發光二極體晶片60包括了一磊晶基板40，磊晶基板40係由如藍寶石(sapphire，Al2 O3 )之絕緣材料、矽基板或碳化矽(SiC)基板所形成，其亦可採用具有接近於形成於其上的發光元件(可包括III族與IV族元素，或為習知之III-V族化合物半導體材料)材料特性之材料。此外，於磊晶基板40之一部上形成有一發光二極體元件50，其包括了依序堆疊於磊晶基板40上之數個膜層44、46與48，其中膜層44為摻雜有第一導電性之第一摻質之一III族-氮膜層(group III-Nitride layer)，而膜層46則為一多重量子井(multiple quantum well，MQW)層，而膜層48則為摻雜有相反於第一導電性之第二導電性之第二摻質之一III族-氮膜層(group III-Nitride layer)。此外，於膜層48之上以及於膜層44之一部上則分別設置有一透明電極層52。於此些透明電極層52之上則分別設置有一導電接觸物54，以作為電性連結發光二極體晶片60與其他構件之接點 之用。另外，發光二極體晶片60內更包括一透明保護層56，其大體覆蓋了導電接觸物54、透明電極層52、發光二極體元件50等構件而僅部份露出了此些導電接觸物54之一部。藉由透明保護層56的使用，可免於發光二極體晶片60內之上述構件於操作時接觸到周遭空氣而產生氧化情形，且透明保護層56的表面可為一平滑表面或為經粗化處理之一粗糙表面。
於一實施例中，發光二極體元件50包括一n-氮化鎵層(摻雜有n型摻質之氮化鎵)44、一多重量子井(MQW)層46、一p-氮化鎵層(摻雜有p型摻質之氮化鎵)48。多重量子井46可由如InGaN所形成，且其可扮演用於發射光線之一主動層。上述膜層44、46、48係採用習知技術而形成，故在此不再描述其製作。
於一實施例中，而上述膜層44、46、48之形成方法包括磊晶成長。此外，透明電極層52可由銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、氧化鋅(ZnO)或其他透明導電材料所形成。
如第1圖所示，發光二極體晶片60上之導電接觸物54則分別藉由一銲線32與位於散熱基板10上之數個導電層14之一形成電性連結。而透明外罩80則設置於發光二極體晶片60之上並實體連結於散熱基板10之數個側壁，以大體覆蓋散熱基板10之表面B與包覆形成於其上之構件，進而於透明外罩80與散熱基板10之間定義出一密封空間70。在此，透明外罩80具有相對之兩個表面C與D，其中C為相對於發光二極體晶片60與散熱基板10之一表面，而於透明外罩80之表面C上則形成有一螢光層90，也可 以在透明外罩80中含有螢光材料。
基於發出白光目的，發光模組100內所應用之發光二極體晶片60為可發出波長為綠光到紫外光間之發光二極體晶片。而相應於發光二極體晶片60所發出之藍光，螢光層90可包括如摻入有如鈰摻雜釔鋁石榴石(YAG)螢光粉、鋱鋁石榴石(TAG)螢光粉或銪摻雜正矽酸(BOS)螢光粉等黃色螢光粉之環氧樹脂或矽膠材料。或相對應於發光二極體晶片60所發出之藍綠光，螢光層90可包括如摻入硫化物/或摻有銪之硫化鍶(SrS：Eu)螢光粉等。或者，相應於發光二極體晶片60所發出之紫外光，螢光層90可包括如摻入有藍色螢光粉、黃色螢光粉與紅色螢光粉之環氧樹脂或矽膠材料。
於一實施例中，散熱基板10可包括鋁(Al)、銅(Cu)、鐵(Fe)、銀(Ag)、金(Au)之金屬、上述材料之合金、其他合金材料、石墨粉末板、鑽石粉末板或其他高導熱性材料，其可具有介於10~6000的導熱係數，而連接層30則可包括銀膠(導熱係數約為4)、石墨膠(導熱係數約為8)、鑽石粉膠(導熱係數約為30)、其他金屬粉末膠或金屬合金之導熱材料，並具有大於2的導熱係數，且較佳地具有介於10~3000的導熱係數。透明保護層56可包括二氧化矽(SiO2 )、氮化矽(Si3 N4 )、矽(Silicon)、環氧樹脂(Epoxy)或其他透光材料之絕緣材料。而密封空間70內則可填充有如氮氣(N2 )、氦氣(He)、氬氣(Ar)、乾燥空氣、不易氧化之氣體或真空。透明外罩80可包括玻璃、壓克力、矽(Silicon)、環氧樹脂(Epoxy)、塑膠或其他透明之材料。
於如第1圖所示之發光模組100中，鑑於發光二極體晶片60並未實體接觸螢光層80，且上述構件之間為密封空間70內之填充氣體所相分隔，因此發光二極體晶片60於操作時所產生之熱能並不會造成螢光層的劣化。再者，由於發光二極體晶片60係透過具良好導熱特性之連接層30而直接地設置於散熱基板10之上，因而可透過連接層30與散熱基板10所具備之良好導熱特性而有效地逸散發光二極體晶片60於操作時所產生之熱能，進而降低於發光模組100內的熱能累積情形，並因而可改善發光模組100的白光出射表現與可靠度。
請參照第2圖，顯示了依據本發明另一實施例之發光模組100’。在此，如第2圖所示之發光模組100’係大體相似於如第1圖所示之發光模組100，而僅針對散熱基板10進行改良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件將採用相同標號表示。
如第2圖所示，於本實施例中，散熱基板10僅具有平整之一表面B，以用於設置發光二極體晶片60等主要構件，於散熱基板10之表面A(參見第1圖)處則可經過如微機械加工(micromachining)或蝕刻(etching)等方法之處理，進而於散熱基板10內形成數個相分隔之鰭狀物(fin)10b，而散熱基板10未經過上述方法處理之部分於第2圖內標示為一平整部10a，而連結於此平整部10a之鰭狀物10b則與平整部10a組成了本實施例中之散熱基板10。
於本實施例中，基於數個鰭狀物10b的設置，第2圖內所示之散熱基板10可較如第1圖所示之散熱基板10更 有效地逸散於操作時發光二極體晶片60所產生之熱能，進而降低於發光模組100’內的熱能累積情形，並因而可改善發光模組100’的白光出射表現與可靠度。
請參照第3圖，顯示了依據本發明又一實施例之發光模組200。在此，如第3圖所示之發光模組200係大體相似於如第1圖所示之發光模組100，而僅針對散熱基板10上的發光二極體晶片與導電層的設置進行改良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件將採用相同標號表示。
如第3圖所示，於本實施例中，於散熱基板10之表面B之上交錯地設置數個發光二極體晶片60A、60B與60C以及數個導電層14。同樣地，於此些導電層14與散熱基板10間則依序設置有一絕緣層12與一光反射層13，而此些發光二極體晶片60A、60B與60C仍透過具良好導熱特性之一連接層30而直接地設於散熱基板10之上。如第3圖所示，鑑於此些發光二極體晶片60A、60B與60C與此些導電層14間之交錯設置情形，因此發光二極體晶片60A、60B與60C可分透過銲線32而串聯地電性連結於此些導電層14之一，進而形成經電性地串聯之發光二極體晶片之陣列物。於本實施例中，透明外罩80與螢光層90的設置情形則大體相同於如第1圖所示情形，於第3圖中則僅部份繪示了透明外罩80與螢光層90，但並非以上述實施情形而限定本發明，於透明外罩80與散熱基板10間仍定義有一密封空間70，其內可填充有如氮氣(N2 )、氦氣(He)、氬氣(Ar)或乾燥空氣之一氣體。
於本實施例中，白光發光模組200內之數個發光二極 體晶片60A、60B與60C亦而可分別透過其下方之連接層30與散熱基板10所具備之良好導熱特性而有效地逸散發光二極體晶片60A、60B與60C於操作時所產生之熱能，進而降低於白光發光模組200內的熱能累積情形，並因而可改善白光發光模組200的白光出射表現與可靠度。
請參照第4圖，顯示了依據本發明另一實施例之白光發光模組200’。在此，如第4圖所示之發光模組200’係大體相似於如第3圖所示之發光模組200，而僅針對散熱基板10進行改良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件將採用相同標號表示。
如第4圖所示，於本實施例中，散熱基板10僅具有平整之一表面B，以用於設置發光二極僅具有平整之一表面B，以用於設置發光二極體晶片60A、60B與60C等主要構件，於散熱基板10之表面A(參見第3圖)處則可經過如微機械加工(micromachining)或蝕刻(etching)等方法之處理，進而於散熱基板10內形成數個相分隔之鰭狀物(fin)10b，而散熱基板10未經過上述方法處理之部分於第4圖內標示為一平整部10a，而連結於此平整部10a之鰭狀物10b則與平整部10a組成了本實施例中之散熱基板10。
於本實施例中，基於數個鰭狀物10b的設置，第4圖內所示之散熱基板10可較如第3圖所示之散熱基板10更有效地逸散於操作時發光二極體晶片60A、60B與60C所產生之熱能，進而降低於發光模組200’內的熱能累積情形，並因而可改善發光模組200’的白光出射表現與可靠度。
請參照第5圖，顯示了依據本發明另一實施例之發光 模組300。在此，如第5圖所示之發光模組300係大體相似於如第3圖所示之發光模組200，而僅針對於散熱基板10上的導電層、絕緣層以及光反射層等膜層的設置進行改良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件將採用相同標號表示。
如第5圖所示，於本實施例中，於散熱基板10之表面B之上僅設置有數個發光二極體晶片60A、60B與60C而不再設置有如導電層14、光反射層13與絕緣層1 2等其他膜層。而此些發光二極體晶片60A、60B與60C之間仍透過具良好導熱特性之一連接層30而直接地設於散熱基板10之上。另外，此些發光二極體晶片60A、60B與60C可分透過銲線32而串聯地電性連結位於發光二極體晶片60A、60B與60C上之連結於不同電性之透明電極層52之導電接觸物54(如第2圖所示)，進而形成經電性地串聯之發光二極體晶片之陣列物。於本實施例中，透明外罩80與螢光層90的設置情形則大體相同於如第3圖所示情形，於透明外罩80與散熱基板10間仍定義有一密封空間70，其內可填充有如氮氣(N2 )、氦氣(He)、氬氣(Ar)或乾燥空氣之一氣體。
請參照第6圖，顯示了依據本發明另一實施例之白光發光模組300’。在此，如第6圖所示之發光模組300’係大體相似於如第5圖所示之發光模組300，而僅針對散熱基板10進行改良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件將採用相同標號表示。
如第6圖所示，於本實施例中，散熱基板10僅具有平 整之一表面B，以用於設置發光二極僅具有平整之一表面B，以用於設置發光二極體晶片60A、60B與60C等主要構件，於散熱基板10之表面A(參見第3圖)處則可經過如微機械加工(micromachining)或蝕刻(etching)等方法之處理，進而於散熱基板10內形成數個相分隔之鰭狀物(fin)10b，而散熱基板10未經過上述方法處理之部分於第6圖內標示為一平整部10a，而連結於此平整部10a之鰭狀物10b則與平整部10a組成了本實施例中之散熱基板10。
於本實施例中，基於數個鰭狀物10b的設置，第6圖內所示之散熱基板10可較如第5圖所示之散熱基板10更有效地逸散於操作時發光二極體晶片60A、60B與60C所產生之熱能，進而降低於發光模組300’內的熱能累積情形，並因而可改善發光模組300’的白光出射表現與可靠度。
於前述實施情形中，所使用之發光二極體晶片內的發光二極體元件的實施情形並非限定於第1-2圖內所示情形。於另一實施例中，所使用之發光二極體晶片60、60A、60B與60C內可設置有複數個發光二極體元件(例如為位於磊晶基板上之複數個發光二極體元件50)，而其內之數個發光二極體元件之間可藉由適當之半導體製程而形成其間的電性連結關係(未顯示)，進而形成了包括複數個發光二極體單元之單一晶片形態之發光二極體晶片60、60A、60B或60C。
請參照第7圖，顯示了依據本發明一實施例之交流發光裝置500，其應用了如第3圖、第4圖、第5圖或第6圖所示之發光模組。
鑑於如第3~6圖所示之發光模組內數個電性串聯之數個發光二極體晶片60A、60B與60C的應用，藉由增加發光模組內經電阻串聯之發光二極體晶片的數量，本發明則可提供了一種適用於照明應用之交流發光裝置。
如第7圖所示，交流發光裝置500主要包括了如第3-6圖所示之一發光模組200/200’/300/300’、電流控制電子電路元件700以及一橋式整流器400。如第7圖所示，橋式整流器400可耦接於發光模組200/200’/300/300’之一正端與一負端。於交流發光裝置500操作時，橋式整流器400則係耦接於一交流電源600，交流電源600例如為110V或220V之交流電源。於橋式整流器400與發光模組200/200’/300/300’之一正端間則設置有電流控制電子電路元件700，藉以於操作時保護發光模組200/200’/300/300’。而交流發光裝置500之發光模組200/200’/300/300’內發光二極體晶片的設置數量則視其內每一發光二極體晶片之操作電壓以及所欲耦接之交流電源而定。
於一實施例中，當交流發光裝置500內白光發光模組200/200’/300/300’內之每一發光二極體晶片的操作電壓為約3.3V時，以及交流發光裝置500所欲耦接之交流電源為110V時，則可串聯地耦接30-40個之相同發光二極體晶片以形成此發光模組200/200’/300/300’。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧散熱基板
10a‧‧‧平整部
10b‧‧‧鰭狀物
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧光反射層
13a‧‧‧光反射斜面
14‧‧‧導電層
30‧‧‧連接層
32‧‧‧銲線
40‧‧‧磊晶基板
44‧‧‧摻雜有第一導電性之第一摻質之一III族-氮膜層
46‧‧‧多重量子井層
48‧‧‧摻雜有第二導電性之第二摻質之一III族-氮膜層
50‧‧‧發光二極體元件
52‧‧‧透明電極層
54‧‧‧導電接觸物
56‧‧‧透明保護層
60、60A、60B、60C‧‧‧發光二極體晶片
70‧‧‧密封空間
80‧‧‧透明外罩
90‧‧‧螢光層
100、100’、200、200’、300、300’‧‧‧發光模組
600‧‧‧交流電源
400‧‧‧橋式整流器
500‧‧‧交流發光裝置
700‧‧‧電流控制電子電路元件
A、B‧‧‧散熱基板之表面
C、D‧‧‧透明外罩之表面
第1圖顯示了依據本發明一實施例之發光模組；第2圖顯示了依據本發明另一實施例之發光模組；第3圖顯示了依據本發明又一實施例之發光模組；第4圖顯示了依據本發明另一實施例之發光模組；第5圖顯示了依據本發明又一實施例之發光模組；第6圖顯示了依據本發明另一實施例之發光模組；第7圖顯示了依據本發明一實施例之交流發光裝置，其用了如第3圖、第4圖、第5圖或第6圖所示之發光模組。
10‧‧‧散熱基板
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧光反射層
13a‧‧‧光反射斜面
14‧‧‧導電層
30‧‧‧連接層
32‧‧‧銲線
40‧‧‧磊晶基板
44‧‧‧摻雜有第一導電性之第一摻質之一III族-氮膜層
46‧‧‧多重量子井層
48‧‧‧摻雜有第二導電性之第二摻質之一III族-氮膜層
50‧‧‧發光二極體元件
52‧‧‧透明電極層
54‧‧‧導電接觸物
56‧‧‧透明保護層
60‧‧‧發光二極體晶片
70‧‧‧密封空間
80‧‧‧透明外罩
90‧‧‧螢光層
100‧‧‧發光模組
A、B‧‧‧散熱基板之表面
C、D‧‧‧透明外罩之表面

Claims (25)

  1. 一種發光模組，實質上由以下構件組成：一散熱基板，具有一平整表面；複數個絕緣層，分別設置於該散熱基板之該平整表面上；複數個導電層，分別設置於該些絕緣層之一之上；一連接層，設置於該散熱基板之該平整表面上；一發光二極體晶片，設置於該連接層之上；複數個銲線，連結該發光二極體晶片與該些導電層；以及一透明外罩，設置於發光二極體晶片之上並實體連結於該散熱基板之數個側壁，含有螢光層，其中該螢光層實質上係設置於該透明外罩之相對該發光二極體晶片之一表面上且未實體接觸該發光二極體晶片。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中於該透明外罩與該散熱基板間定義有一密封空間，且該發光二極體晶片係接觸該密封空間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該發光二極體晶片包括：一磊晶基板，設置於該連接層之上；一發光二極體元件，設置於該磊晶基板之一部分之表面上；一第一透明電極層，設置於該發光二極體元件之一部分之表面上； 一第二透明電極層，設置於該發光二極體元件之另一部分之表面上；一導電接觸物，分別設置該第一透明電極層與該第二透明電極層之上；以及一透明保護層，覆蓋該磊晶基板、該發光二極體元件、該第一透明電極層、該第二透明電極層與該導電接觸物，部份露出該導電接觸物之一表面，其中該透明保護層具有一平滑表面或一粗糙表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該散熱基板為一平整基板。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該散熱基板包括：一平整部，具有相對之一第三表面與一第四表面，其中該連接層與該些導電層係設置於該第三表面之上；以及複數個鰭狀物，設置於該平整部之該第四表面上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該散熱基板包括鋁、銅、鐵、銀、金、鎂、其合金或石墨粉。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該連接層包括銀膠、石墨膠、鑽石粉膠、碳粉膠或含金屬粉末膠。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之發光模組，其中該密封空間內填入有氮氣、氦氣、氬氣、乾燥空氣或真空。
  9. 一種發光模組，實質上由以下構件組成：一散熱基板，具有一平整表面；複數個連接層，分別設置於該散熱基板之該平整表面 之不同部分上；複數個絕緣層、複數個光反射層與複數個導電層，設置於該散熱基板之該平整表面之不同部分上且與該些連接層交錯，其中該些光反射層具有數個光反射斜面；複數個發光二極體晶片，分別設置於該些連接層之一之上；複數個銲線，串聯地電性連結該些發光二極體晶片與該些導電層；以及一透明外罩，設置於該些發光二極體晶片之上並實體連結於該散熱基板之數個側壁，含有螢光層，其中該螢光層實質上係設置於該透明外罩之相對該些發光二極體晶片之一表面上且未實體接觸該些發光二極體晶片。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中於該透明外罩與該散熱基板間定義有一密封空間，且該些發光二極體晶片係接觸該密封空間。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中該些發光二極體晶片分別包括：一磊晶基板，設置於該連接層之上；一發光二極體元件，設置於該絕緣基板之一部分之表面上；一第一透明電極層，設置於該發光二極體元件之一部分之表面上；一第二透明電極層，設置於該發光二極體元件之另一部分之表面上；一導電接觸物，分別設置該第一透明電極層與該第二 透明電極層之上；以及一透明保護層，覆蓋該磊晶基板、該發光二極體元件、該第一透明電極層、該第二透明電極層與該導電接觸物，部份露出該導電接觸物之一表面。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中該散熱基板為一平整基板。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中該散熱基板包括：一平整部，具有相對之一第三表面與一第四表面，其中該些連接層與該些導電層係設置於該第三表面之上；以及複數個鰭狀部，設置於該平整部之該第四表面上。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中該散熱基板包括鋁、銅、鐵、銀、金及其合金或石墨粉末板。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中該連接層包括銀膠、石墨膠、鑽石粉膠、碳粉膠或含金屬粉末膠。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之發光模組，其中該密封空間內填入有氮氣、氦氣、氬氣、乾燥空氣或真空。
  17. 一種發光模組，實質上由以下構件組成：一散熱基板，具有一平整表面；複數個連接層，設置於該散熱基板之該平整表面之不同部分上；複數個發光二極體晶片，分別設置於該些連接層之一之上； 複數個銲線，串聯地連結該些發光二極體晶片；以及一透明外罩，設置於發光二極體晶片之上並實體連結於該散熱基板之數個側壁，含有螢光層，其中該螢光層實質上係設置於該透明外罩之相對該些發光二極體晶片之一表面上且未實體接觸該些發光二極體晶片。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光模組，其中於該透明外罩與該散熱基板間定義有一密封空間，且該些發光二極體晶片係接觸該密封空間。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之發光模組，其中該些發光二極體晶片分別包括：一磊晶基板，設置於該連接層之上；一發光二極體元件，設置於該磊晶基板之一部分之表面上；一第一透明電極層，設置於該發光二極體元件之一部分之表面上；一第二透明電極層，設置於該發光二極體元件之另一部分之表面上；一導電接觸物，分別設置該第一透明電極層與該第二透明電極層之上；以及一透明保護層，覆蓋該磊晶基板、該發光二極體元件、該第一透明電極層、該第二透明電極層與該導電接觸物，部份露出該導電接觸物之一表面。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之發光模組，其中該散熱基板為一平整基板。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之發光模組，其中該 散熱基板包括：一平整部，具有相對之一第三表面與一第四表面，其中該些連接層係設置於該第三表面之上；以及複數個鰭狀部，設置於該平整部之該第四表面上。
  22. 如申請專利範圍第17項所述之發光模組，其中該散熱基板包括鋁、銅、鐵、銀、金及其合金。
  23. 如申請專利範圍第17項所述之發光模組，其中該連接層包括銀膠、石墨膠、鑽石粉膠、碳粉膠或含金屬粉末膠。
  24. 如申請專利範圍第18項所述之發光模組，其中該密封空間內填入有氮氣、氦氣、氬氣、乾燥空氣或真空。
  25. 一種交流發光裝置，包括：如申請專利範圍第9項或第17項所述之發光模組；以及一橋式整流器，耦接於該發光模組，其中於操作時，該橋式整流器係耦接於一電流控制電子電路元件與一交流電源。
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