JP6062675B2 - 発光装置及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置及び照明装置に関し、特に、発光素子を搭載した発光装置及びその発光装置を用いた照明装置に関する。

近年、照明装置の光源としてＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が多く用いられるようになってきている。ＬＥＤ（発光素子）を用いた照明装置の白色光を得る方法として、赤色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ及び緑色ＬＥＤの三種類のＬＥＤを用いる方法、青色ＬＥＤから発した励起光を変換して黄色光を発する蛍光体を用いる方法等がある。照明用光源としては、十分な輝度の白色光が要求されているために、ＬＥＤチップを複数個用いた照明装置が商品化されている。こうした照明装置は、通常、ＬＥＤを搭載した発光装置を備えている。

近年では、種々のタイプの照明装置が求められており、特に、より広範囲において光を出射する電球等のタイプの照明装置が求められるようになってきている。例えば、全方位型電球等がこれに当たる。このような照明装置を実現するためには、より広範囲に光を出射する発光装置が必要となる。

広範囲に光を出射するために、後掲の特許文献１は、透明基板上にＬＥＤチップを実装した発光装置を提案している。この発光装置において、透明基板上に実装されたＬＥＤチップは、蛍光体を含有する透光性部材によって封止されている。特許文献１に記載の発光装置では、ＬＥＤチップから出射された光は透明基板を透過して当該透明基板の裏面側にも出射されるため、広範囲に光が出射される。

特開２００７−１６５８１１号公報

しかし、特許文献１に記載の発光装置は、透明基板の裏面側にも光を出射することが可能であるものの、発光装置の上方側（透明基板の表面側）と発光装置の下方側（透明基板の裏面側）とに出射される光の光量が一意的に決まってしまうという問題がある。より自然なライティング及び用途に合わせたライティングを実現するためには、発光装置の上方側と発光装置の下方側とに出射される光の光量を制御できることが望ましい。

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の１つの目的は、広範囲に光を出射することが可能であり、かつ、上方側及び下方側に出射される光の光量を制御可能な発光装置及び照明装置を提供することである。

本発明のもう１つの目的は、効率よく光を出射できる発光装置及び照明装置を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明の第１の局面に係る発光装置は、一方の主面及び一方の主面とは反対側の他方の主面を有し、かつ、透光性を有する透明基体と、透明基体における一方の主面上に搭載される第１の発光素子と、透明基体における他方の主面上に搭載され、主面に直交する方向から見た場合に、第１の発光素子が搭載される位置からずれた位置に配される第２の発光素子とを含む。

透明基体の一方の主面上に第１の発光素子を搭載し、透明基体の他方の主面上に第２の発光素子を搭載する。第１の発光素子から出射された光は、第２の発光素子とは反対側に出射されるとともに、透明基体を透過して、第２の発光素子の側にも出射される。第２の発光素子から出射された光は、第１の発光素子とは反対側に出射されるとともに、透明基体を透過して、第１の発光素子の側にも出射される。したがって、第１の発光素子及び第２の発光素子から出射された光は、発光装置の上方側及び下方側に出射されるため、広範囲に光が出射される。

本発光装置では、透明基体の両面に発光素子が搭載される。第１の発光素子及び第２の発光素子により、発光装置の上方側及び下方側に出射される光の光量を容易に制御できる。さらに、第１の発光素子が搭載される位置からずれた位置に第２の発光素子を配することによって、第１の発光素子から透明基体側に出射された光が第２の発光素子で吸収されるのを抑制できる。同様に、第２の発光素子から透明基体側に出射された光が第１の発光素子で吸収されるのを抑制できる。したがって、第１の発光素子及び第２の発光素子からの光を効率よく外部に出射できる。

さらに、透明基体の両面に発光素子を搭載することにより、発光素子からの熱が透明基体の両面に均一に分散できるため、放熱性を改善して、発光素子の温度を低下させることができる。本発光装置ではさらに、第１の発光素子が搭載される位置からずれた位置に第２の発光素子が搭載されているため、放熱性をより改善して、発光素子の温度をより一層低下させることができる。

好ましくは、透明基体を主面に直交する方向から見た場合に、第１の発光素子と当該第１の発光素子に隣接する第２の発光素子とを隔てる距離が０より大きい。

これにより、透明基体を主面に直交する方向から見た場合に、第１の発光素子と第２の発光素子とが重ならないように各発光素子が配される。そのため、容易に、第１の発光素子及び第２の発光素子からの光を効率よく外部に出射できる。

より好ましくは、上記隔てる距離は５０μｍより大きい。

これにより、より容易に、第１の発光素子及び第２の発光素子からの光を効率よく外部に出射できる。

さらに好ましくは、発光装置は、蛍光体を含有し、第１の発光素子及び第２の発光素子を封止する透明樹脂層をさらに含む。

蛍光体を含有する透明樹脂層で第１の発光素子及び第２の発光素子を封止することによって、第１の発光素子及び第２の発光素子から出射された光を透明樹脂層に含有された蛍光体で波長変換できる。そのため、発光装置の出射光の色を容易に制御できる。

この場合において、好ましくは、透明樹脂層は、透明基体の一方の主面上及び他方の主面上に、それぞれ、一方の主面及び他方の主面を覆うように形成されている。

透明基体の一方の主面及び他方の主面を透明樹脂層で覆うことによって、透明基体内に入射された後に透明基体から取出される光を透明樹脂層に入射させることができる。ここで、透明基体の主面の一部に透明樹脂層で覆われていない部分が存在すると、透明樹脂層で覆われていない部分から、発光素子の発光色のままの光が外部に取出される。この場合、発光素子の発光色のままの光が多く出射されてしまうため色むらを引起こす。本発光装置では、上記のように、透明基体の一方の主面及び他方の主面が透明樹脂層で覆われているため、発光素子の発光色のままの光が多く出射されてしまうのを抑制できる。その結果、発光装置の色むらを抑制できる。

さらに好ましくは、透明基体の一方の主面上には、単数又は複数の第１の発光素子が搭載されており、透明基体の他方の主面上には、単数又は複数の第２の発光素子が搭載されており、第１の発光素子の搭載数と第２の発光素子の搭載数とが異なる。

第１の発光素子の搭載数と第２の発光素子の搭載数とを異ならせることにより、発光装置の上方側及び下方側に出射される光の光量をより容易に制御できる。

本発明の第２の局面に係る照明装置は、上記第１の局面に係る発光装置を含む。このように構成すれば、効率よく、かつ、広範囲に光を出射し、上方側及び下方側に出射される光の光量を制御可能な照明装置を実現できる。

好ましくは、照明装置は、第１の発光素子及び第２の発光素子を交流駆動するための交流駆動手段をさらに含む。

第１の発光素子及び第２の発光素子を交流駆動させることにより、例えば、第１の発光素子と第２の発光素子とを交互に発光させることができる。これにより、放熱性をさらに改善して、発光素子の温度をさらに一層低下させることができる。

以上より、本発明によれば、広範囲に光を出射することが可能であり、かつ、上方側及び下方側に出射される光の光量を制御可能な発光装置及び照明装置を容易に得ることができる。

また本発明によれば、効率よく光を出射できる発光装置及び照明装置を容易に得ることができる。

本発明の第１の実施の形態に係る照明装置の全体構成を示す図である。 図１に示す発光装置を側面から見た図である。 図１に示す発光装置の平面図である。 図３の４−４線に沿った断面図である。 図１に示す発光装置に搭載される発光素子の断面図（図６の５−５線に沿った断面に対応する図）である。 図１に示す発光装置に搭載される発光素子の平面図である。 図１に示す発光装置の光出射パターンを説明するための側面図（図１に示す発光素子を模式的に示す図）である。 透明基体の一部が封止樹脂層で覆われていない発光装置の平面図である。 図８に示す発光装置の光出射パターンを説明するための側面図である。 発光素子の配置を説明するための平面図である。 発光素子の配置を説明するための平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る発光装置を側面から見た図（第２の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す図）である。 本発明の第３の実施の形態に係る発光装置を側面から見た図（第３の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す図）である。 本発明の第４の実施の形態に係る照明装置の等価回路を模式的に示す図である。 本発明の変形例に係る発光装置を示す平面図である。

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の説明及び図面においては、同一の部品又は構成要素には同一の参照符号及び名称を付してある。それらの機能も同様である。したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。

（第１の実施の形態）
［全体構成］
図１を参照して、本実施の形態に係る照明装置５０は、電球型のＬＥＤランプである。照明装置５０は、透光性のバルブ６０と、発熱電球のフィラメントに代えて、バルブ６０の内部に配設された発光装置２００と、発光装置２００を支持（保持）する金属柱３００及び補助金属柱３１０と、給電用の口金部７０とを含む。

バルブ６０は例えばプラスチック、ガラス等の透光性を有する材料から構成された電球状の部材である。口金部７０は、例えば照明器具のソケット（図示せず。）と接続する部分である。この口金部７０がソケットと接続されることにより、口金部７０を介して発光装置２００に電力が供給される。

照明装置５０はさらに、発光装置２００からの光を反射する反射基体８０を含む。反射基体８０は、例えばＡｌ合金等の反射率の高い材料から構成されている。この反射基体８０はその反射面８２が発光装置２００側を向くようにして口金部７０の上部側（バルブ６０側）に取付けられている。反射基体８０はまた、バルブ６０の開口部分（図示せず。）を覆うように配置されており、発光装置２００から下部方向（下方側：口金部７０の方向）に出射された光を反射する。

本照明装置５０は、１つの金属柱３００と２つの補助金属柱３１０とを含む。金属柱３００及び補助金属柱３１０は、例えば反射率の高いＡｌ合金から構成されている。金属柱３００及び補助金属柱３１０はまた、発光装置２００を支持（保持）する機能に加えて、後述する発光素子１００で生じた熱を放熱するためのヒートシンクとしての機能、及び、発光素子１００を口金部７０と電気的に接続するためのリード端子（リード線（導入線））としての機能を有する。

発光装置２００は、金属柱３００及び補助金属柱３１０が反射基体８０側の部分に取付けられることによって照明装置５０の内部において浮かせたような状態で固定されている。照明装置５０の内部には図示しないＡＣ／ＤＣコンバータが搭載されており、ＡＣ／ＤＣコンバータによって変換された直流によって発光装置２００（発光素子１００）が直流駆動される。

《発光装置２００の構成》
図２を参照して、本実施の形態に係る発光装置２００は、透明基体２１０と、この透明基体２１０に搭載される複数の発光素子１００と、発光素子１００を封止する透明樹脂層である封止樹脂層２５０とを含む。

透明基体２１０は、搭載される発光素子１００からの光を７０％以上透過することが可能な支持基板である。透明基体２１０は、発光素子１００から発生した熱を金属柱３００及び補助金属柱３１０まで伝導することが可能な熱伝導性の高い材料から構成されている。具体的には、透明基体２１０はサファイアから構成されている。

透明基体２１０はまた、一方の主面（以下「表面」と記す。）２１２と、表面２１２の反対側の面である他方の主面（以下「裏面」と記す。）２１４とを有する。透明基体２１０における表面２１２及び裏面２１４は、それぞれ、非平滑面とされている。透明基体２１０の厚みｘは、放熱特性等を考慮した場合、２００μｍ以上であるのが好ましい。

図３を参照して、透明基体２１０は、平面図的に見て、一方向に延びる略矩形状に形成されている。透明基体２１０の表面２１２には、電極パッド２２０〜２２４が形成されている。電極パッド２２０は、透明基体２１０の中央部分に形成されている。電極パッド２２２及び２２４は、それぞれ、透明基体２１０の端部に形成されている。

透明基体２１０の裏面２１４にも、同様の電極パッドが形成されている。図４を参照して、透明基体２１０の裏面２１４には、電極パッド２３０〜２３４が形成されている。電極パッド２３０は、透明基体２１０の中央部分に形成されている。電極パッド２３２及び２３４は、それぞれ、透明基体２１０の端部に形成されている。一方の端部に形成された電極パッド２２２及び電極パッド２３２は、透明基体２１０の側面に形成された接続部２２６によって互いに電気的に接続されている。他方の端部に形成された電極パッド２２４及び電極パッド２３４は、透明基体２１０の側面に形成された接続部２２８によって互いに電気的に接続されている。

透明基体２１０の表面２１２に形成された電極パッド２２０〜２２４は、平面図的に見て、それぞれ、透明基体２１０の裏面２１４に形成された電極パッド２３０〜２３４と同じ位置に同様の形状及び同様の大きさで形成されている。中央部に形成された電極パッドは正又は負の電極パッドであり、端部に形成された電極パッドは負又は正の電極パッドである。すなわち、中央部に形成された電極パッドと端部に形成された電極パッドとは極性が逆になっている。

透明基体２１０の中央部及び端部には、透明基体２１０を厚み方向に貫通する貫通孔２１０ａ〜２１０ｃが形成されている。貫通孔２１０ａは、透明基体２１０の中央部において、電極パッド２２０及び電極パッド２３０を貫通するように形成されている。貫通孔２１０ｂは、透明基体２１０の一方の端部において、電極パッド２２２及び電極パッド２３２を貫通するように形成されている。貫通孔２１０ｃは、透明基体２１０の他方の端部において、電極パッド２２４及び電極パッド２３４を貫通するように形成されている。透明基体２１０の中央部に形成された貫通孔２１０ａには、上記した金属柱３００を固定するためのネジ３２０（図２参照）が挿入されて、金属柱３００がネジ止め固定される。透明基体２１０の端部に形成された貫通孔２１０ｂ及び２１０ｃには、それぞれ、上記した補助金属柱３１０を固定するためのネジ３２２（図２参照）が挿入されて、補助金属柱３１０がネジ止め固定される。

金属柱３００がネジ止め固定されることにより、電極パッド２２０及び電極パッド２３０が金属柱３００と電気的に接続される。一方の端部において補助金属柱３１０がネジ止め固定されることにより、電極パッド２２２及び電極パッド２３２が補助金属柱３１０と電気的に接続される。さらに、他方の端部において補助金属柱３１０がネジ止め固定されることにより、電極パッド２２４及び電極パッド２３４が補助金属柱３１０と電気的に接続される。これら金属柱３００及び補助金属柱３１０により、発光素子１００に外部からの電流印加が可能となり、素子を発光させることができる。

図２及び図３を参照して、発光素子１００は発光装置２００の光源として機能する。複数の発光素子１００は、いずれも、窒化物半導体を用いて形成された発光ダイオード素子（ＬＥＤ）からなる。これら複数の発光素子１００は、第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂを含む。第１の発光素子１００ａは、透明基体２１０の表面２１２上に搭載されており、第２の発光素子１００ｂは、透明基体２１０の裏面２１４上に搭載されている。すなわち、本実施の形態では、透明基体２１０の両面に、光源としての発光素子１００が搭載されている。

さらに、透明基体２１０の表面２１２上には複数の第１の発光素子１００ａが搭載されている。透明基体２１０の裏面２１４上には複数の第２の発光素子１００ｂが搭載されている。透明基体２１０に搭載される第１の発光素子１００ａの数と第２の発光素子１００ｂの数とは異なる。本実施の形態では、透明基体２１０の裏面２１４上に搭載される第２の発光素子１００ｂの数は、透明基体２１０の表面２１２上に搭載される第１の発光素子１００ａの数より少ない。

複数の発光素子１００は、ダイボンドペーストからなる接着層２４０を介して透明基体２１０上に実装されている。ダイボンドペーストには透光性を有するシリコーン樹脂が使用されている。透明基体２１０上に実装された発光素子１００は、金線等からなるワイヤ２４２を介して、電極パッドと電気的に接続されている。

複数の第１の発光素子１００ａはワイヤ２４２によって直並列に接続されている。複数の第２の発光素子１００ｂもワイヤ２４２によって直並列に接続されている。直列接続された発光素子１００の接続数はいずれも等しくなるように構成されているのが好ましい。

図３を参照して、透明基体２１０の裏面２１４上に搭載される第２の発光素子１００ｂは、表面２１２又は裏面２１４に直交する方向から見て（平面図的に見て）、透明基体２１０の表面２１２上に搭載される第１の発光素子１００ａが搭載される位置からずれた位置に搭載されている。換言すると、透明基体２１０を平面図的に見た場合に（第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが同一面上に搭載されていると仮定した場合に）、透明基体２１０の表面２１２上に搭載される第１の発光素子１００ａと透明基体２１０の裏面２１４上に搭載される第２の発光素子１００ｂとが全く重なり合っていない状態となっている。そのため、第１の発光素子１００ａの直下の領域には第２の発光素子１００ｂが搭載されていない（第２の発光素子１００ｂの直上の領域には第１の発光素子１００ａが搭載されていない。）。発光素子１００の詳細については後述する。

再び図２を参照して、封止樹脂層２５０は、透明基体２１０の表面２１２上に形成される第１の封止樹脂層２５０ａと、透明基体２１０の表面２１２上に形成される第２の封止樹脂層２５０ｂとを含む。封止樹脂層２５０は、耐熱性及び耐光性に優れた透明樹脂であるシリコーン樹脂からなる。封止樹脂層２５０には、発光素子１００からの光を波長変換する蛍光体が含有されている。すなわち、封止樹脂層２５０中には複数の蛍光粒子２６０が分散されている。第１の封止樹脂層２５０ａは、透明基体２１０の表面２１２上において、第１の発光素子１００ａ及びワイヤ２４２を封止する。第２の封止樹脂層２５０ｂは、透明基体２１０の裏面２１４上において、第２の発光素子１００ｂ及びワイヤ２４２を封止する。さらに、第１の封止樹脂層２５０ａは、透明基体２１０の表面２１２の全面を覆うように形成されている。第２の封止樹脂層２５０ｂは、透明基体２１０の裏面２１４の全面を覆うように形成されている。

蛍光体は、白色ＬＥＤでよく用いられているＹＡＧ（イットリウム・アルミ・ガーネット）蛍光体等を用いてもよい。さらに蛍光体としては、例えば、Ｃｅ：ＹＡＧ（セリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ，（Ｙ，Ｇｄ）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ等）、Ｅｕ：ＢＯＳＥ（ユーロピウム賦活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート）蛍光体、Ｅｕ：ＳＯＳＥ（ユーロピウム賦活ストロンチウム・バリウム・オルソシリケート）蛍光体、ユーロピウム賦活αサイアロン蛍光体、Ｃｅ：ＴＡＧ（セリウム附活テルビウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体（Ｔｂ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ等）、アルカリ土類（Ｅｕ附活Ｍ_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ，ＭＳｉ_１２Ｏ_２Ｎ_２：Ｅｕ等、Ｃｅ附活Ｃａ_３ＳＣ_２Ｓｉ_３Ｏ_１２）、カズン−Ｅｕ（Ｅｕ附活ＣａＡｌＳｉ_３Ｎ_３）、及び、Ｌａ酸窒化物−Ｃｅ Ｃｅ附活ＬａＡｌ（Ｓｉ_６−ｚＡｌ_２）Ｎ_１０−ｚ０、βサイアロン系等を適用できる。（Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ、Ｃａ_３（Ｓｃ，Ｍｇ）_２Ｓｉ_３Ｏ_１２：Ｃｅ等からなる緑色蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ等からなる赤色蛍光体、（Ｓｉ，Ａｌ）６（Ｏ，Ｎ）_８：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ等からなる黄色蛍光体等を用いてもよい。ナノ蛍光体等も好適に用いることができる。

《発光素子１００の構成》
図５を参照して、本実施の形態に係る発光素子１００は、自身が発する光に対して透光性を有する成長基板１１０を備えている。成長基板としては、一般的にサファイア基板やＧａＮ基板（窒化物半導体基板、ＡｌＩｎＧａＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＮ基板等）、ＳｉＣ基板、石英基板等の透光性を有する基板が好ましい。成長基板１１０は、主面１１０ａを有する。成長基板１１０の主面１１０ａ上には、半導体多層膜を含む多層構造体１５０が形成されている。この多層構造体１５０は、成長基板１１０側から順に形成された、ｎ型層１２０、ＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造を有するＭＱＷ発光層１３０、及び、ｐ型層１４０を含む。

本実施の形態では、成長基板１１０にサファイア基板を用いている。この成長基板１１０の厚みは例えば約１２０μｍである。ｎ型層１２０は、成長基板１１０の主面１１０ａ上に、バッファ層、下地層、ｎ型窒化物半導体層、低温ｎ型ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多層構造、及び、中間層である超格子層（以上、いずれも図示せず。）が主面１１０ａ側からこの順に形成されることによって構成されている。本実施の形態において、超格子層とは、非常に薄い結晶層を交互に積層することにより、その周期構造が基本単位格子よりも長い結晶格子からなる層を意味する。ｐ型層１４０は、ＭＱＷ発光層１３０上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層、ｐ型ＧａＮ層及び高濃度ｐ型ＧａＮ層（以上、いずれも図示せず。）がＭＱＷ発光層１３０側からこの順に形成されることによって構成されている。

バッファ層は、例えばＡｌ_ｓ０Ｇａ_ｔ０Ｎ（０≦Ｓ０≦１、０≦ｔ０≦１、ｓ０＋ｔ０≠０）からなる。バッファ層は、ＡｌＮ層又はＧａＮ層から構成されているとより好ましい。Ｎ（窒素）の極一部（例えば０．５％〜２％程度）をＯ（酸素）に置き換えてもよい。そうすることにより、成長基板１１０の主面１１０ａの法線方向に伸張するようにバッファ層が形成されるので、結晶粒の揃った柱状結晶の集合体からなるバッファ層が得られる。バッファ層の厚みは、特に限定されないが、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であればより好ましい。

下地層は、例えばＡｌ_ｓ１Ｇａ_ｔ１Ｉｎ_ｕ１Ｎ（０≦ｓ１≦１、０≦ｔ１≦１、０≦ｕ１≦１、ｓ１＋ｔ１＋ｕ１≠０）からなる。下地層は、Ａｌ_ｓ１Ｇａ_ｔ１Ｎ（０≦ｓ１≦１、０≦ｔ１≦１、ｓ１＋ｔ１≠１）から構成されているとより好ましく、ＧａＮ層から構成されているとさらに好ましい。下地層の厚みは、１μｍ以上８μｍ以下であるのが好ましい。

ｎ型窒化物半導体層は、例えばＡｌ_ｓ２Ｇａ_ｔ２Ｉｎ_ｕ２Ｎ（０≦ｓ２≦１、０≦ｔ２≦１、０≦ｕ２≦１、ｓ１＋ｔ１＋ｕ１≒１）にｎ型不純物がドーピングされた層からなる。ｎ型窒化物半導体層は、Ａｌ_ｓ２Ｇａ_１−ｓ２Ｎ（０≦ｓ２≦１、好ましくは０≦ｓ２≦０．５、より好ましくは０≦ｓ２≦０．１）にｎ型不純物がドーピングされた層から構成されているとより好ましい。ｎ型不純物にはＳｉが用いられている。ｎ型ドーピング濃度（キャリア濃度とは異なる）は、特に限定されないが、１×１０^１９ｃｍ^−３以下であるのが好ましい。

低温ｎ型ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多層構造は、ＭＱＷ発光層１３０に対する成長基板１１０及び下地層からの応力を緩和する機能を有する。この低温ｎ型ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多層構造は、約７ｎｍの厚みを有するｎ型ＩｎＧａＮ層、約３０ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮ層、約７ｎｍの厚みを有するｎ型ＩｎＧａＮ層、及び、約２０ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮ層を交互に積層した多層構造からなる。

超格子層は、ワイドバンドギャップ層とナローバンドギャップ層とが交互に積層された超格子構造を有している。その周期構造は、ワイドバンドギャップ層を構成する半導体材料の基本単位格子及びナローバンドギャップ層を構成する半導体材料の基本単位格子よりも長い。超格子層の一周期の長さ（ワイドバンドギャップ層の厚みとナローバンドギャップ層の厚みとの合計厚み）は、ＭＱＷ発光層１３０の一周期の長さよりも短い。超格子層の具体的な厚みは、例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。各ワイドバンドギャップ層は、例えばＡｌ_ａＧａ_ｂＩｎ_{（１−ａ−ｂ）}Ｎ（０≦ａ＜１、０＜ｂ≦１）からなる。各ワイドバンドギャップ層は、ＧａＮ層から構成されていると好ましい。各ナローバンドギャップ層は、ワイドバンドギャップ層よりバンドギャップが小さく、かつ、ＭＱＷ発光層１３０の各井戸層（図示せず）よりもバンドギャップが大きい半導体材料から構成されているのが好ましい。各ナローバンドギャップ層は、例えばＡｌ_ａＧａ_ｂＩｎ_{（１−ａ−ｂ）}Ｎ（０≦ａ＜１、０＜ｂ≦１）からなる。各ナローバンドギャップ層は、Ｇａ_ｂＩｎ_{（１−ｂ）}Ｎ（０＜ｂ≦１）から構成されていると好ましい。なお、ワイドバンドギャップ層及びナローバンドギャップ層の両方がアンドープであると駆動電圧が上昇するため、ワイドバンドギャップ層及びナローバンドギャップ層の少なくとも一方は、ｎ型不純物がドーピングされているのが好ましい。

ＭＱＷ発光層１３０は、バリア層及び井戸層（いずれも図示せず。）が交互に積層された多重量子井戸構造を有している。ＭＱＷ発光層１３０の一周期（バリア層の厚みと井戸層の厚みとの合計厚み）の長さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。各井戸層の組成は、半導体発光素子に求められる発光波長に合わせて調整される。例えば、各井戸層の組成は、Ａｌ_ｃＧａ_ｄＩｎ_{（１−ｃ−ｄ）}Ｎ（０≦ｃ＜１、０＜ｄ≦１）とすることができる。各井戸層の組成は、Ａｌを含まない、Ｉｎ_ｅＧａ_{（１−ｅ）}Ｎ（０＜ｅ≦１）であればより好ましい。各井戸層の組成は同じであるのが好ましい。そうすることにより、各井戸層において、電子とホールとの再結合により発光する波長を同じにできる。そのため、半導体発光素子の発光スペクトル幅を狭くできるため好ましい。各井戸層の厚みは、１ｎｍ以上７ｎｍ以下であるのが好ましい。

バリア層は、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい方が好ましい。各バリア層の組成は、Ａｌ_ｆＧａ_ｇＩｎ_{（１−ｆ−ｇ）}Ｎ（０≦ｆ＜１、０＜ｇ≦１）とすることができる。各バリア層の組成は、Ａｌを含まないＩｎ_ｈＧａ_{（１−ｈ）}Ｎ（０＜ｈ≦１）、又は、井戸層との格子定数をほぼ一致させたＡｌ_ｆＧａ_ｇＩｎ_{（１−ｆ−ｇ）}Ｎ（０≦ｆ＜１、０＜ｇ≦１）であればより好ましい。各バリア層の厚みは、小さいほど駆動電圧が低下する一方、極端に小さくすると発光効率が低下する傾向にある。そのため、各バリア層の厚みは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるのが好ましく、３ｎｍ以上７ｎｍ以下であればより好ましい。

井戸層及びバリア層には、ｎ型不純物がドーピングされている。ただし、井戸層及びバリア層には、ｎ型不純物がドーピングされていなくてもよい。

ｐ型層１４０は、例えばＡｌ_ｓ４Ｇａ_ｔ４Ｉｎ_ｕ４Ｎ（０≦ｓ４≦１、０≦ｔ４≦１、０≦ｕ４≦１、ｓ４＋ｔ４＋ｕ４≠０）にｐ型不純物がドーピングされた層からなる。ｐ型層１４０は、Ａｌ_ｓ４Ｇａ_１−ｓ４Ｎ（０＜ｓ４≦０．４、好ましくは０．１≦ｓ４≦０．３）にｐ型不純物がドーピングされた層から構成されていればより好ましい。ｐ型層１４０におけるキャリア濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上であるのが好ましい。ここで、ｐ型不純物の活性率は０．０１程度であることから、ｐ型層１４０におけるｐ型ドーピング濃度（キャリア濃度とは異なる）は１×１０^１９ｃｍ^−３以上であるのが好ましい。ただし、ＭＱＷ発光層１３０に近い層（例えばｐ型ＡｌＧａＮ層）では、ｐ型ドーピング濃度はこれより低くてもよい。ｐ型層１４０の厚み（３層の合計厚み）は、特に限定されないが、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。ｐ型層１４０の厚みを小さくすれば、その成長時における加熱時間を短縮できるため、ｐ型不純物のＭＱＷ発光層１３０への拡散を抑制できる。

上記多層構造体１５０はさらに、ｎ型層１２０の一部が露出された領域である露出部と、露出部の外側の領域であるメサ部とを含む。

図５及び図６を参照して、露出部の上面上（ｎ型層１２０上）には、ｎ側電極１６０が形成されている。このｎ側電極１６０は、ワイヤボンド領域であるパッド部１６０ａと、このパッド部１６０ａと一体に形成された電流拡散を目的とする細長い突出部１６０ｂ（枝電極）とを含む。メサ部の上面上（ｐ型層１４０上）には、透光性電極１７０を介してｐ側電極１８０が形成されている。透光性電極１７０は、メサ部上において、比較的広い範囲にわたって広面積に形成されている。ｐ側電極１８０は、透光性電極１７０上の一部の領域に形成されている。このｐ側電極１８０は、ワイヤボンド領域であるパッド部１８０ａと、このパッド部１８０ａと一体に形成された電流拡散を目的とする細長い突出部１８０ｂ（枝電極）とを含む。

ｎ側電極１６０は、ｎ型層１２０上に、例えばチタン層、アルミニウム層及び金層がこの順に積層された多層構造を有する。ｎ側電極１６０の厚みは例えば約１μｍである。ワイヤボンドを行なう場合の強度を想定すると、ｎ側電極１６０は１μｍ程度の厚みを有していればよい。

透光性電極１７０は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）から構成されている。その厚みは、例えば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。ｐ側電極１８０は、透光性電極１７０上に、例えばニッケル層、アルミニウム層、チタン層及び金層がこの順に積層された多層構造を有する。ｐ側電極１８０の厚みは例えば約１μｍである。ｐ側電極１８０においても、ワイヤボンドを行なう場合の強度を想定すると、その厚みは１μｍ程度であればよい。

発光素子１００の上面には、ＳｉＯ_２からなる絶縁性の透明保護膜１９０が設けられている。この透明保護膜１９０は、発光素子１００の上面のほぼ全体を覆うように形成されている。ただし、透明保護膜１９０は、ｐ側電極１８０のパッド部１８０ａ及びｎ側電極１６０のパッド部１６０ａを露出させるようにパターニングされている。

［発光装置２００の光出射パターン］
図７を参照して、本実施の形態に係る発光装置２００の光出射パターンについて説明する。本実施の形態に係る発光装置２００は、透明基体２１０の両面に発光素子１００が搭載されているため、光の出射パターンは複雑になる。本発光装置２００の代表的な光出射パターンとして、以下の光出射パターンが挙げられる。

光出射パターンは、透明基体２１０の表面２１２上に搭載された第１の発光素子１００ａから上方（上部方向）に出射されるパターン（パターンＡ及びパターンＢ）、第１の発光素子１００ａから下方（下部方向）に出射されるパターン（パターンＣ及びパターンＤ）、透明基体２１０の裏面２１４上に搭載された第２の発光素子１００ｂから上方（上部方向）に出射されるパターン（パターンＥ及びパターンＦ）、及び、第２の発光素子１００ｂから下方（下部方向）に出射されるパターン（パターンＧ及びパターンＨ）に大きく分類される。

パターンＡは、第１の発光素子１００ａから発光装置２００の上部方向に出射された光が、表面２１２側の第１の封止樹脂層２５０ａ中で蛍光体に吸収されずに第１の発光素子１００ａの発光色のまま外部に出射される光出射パターンである。パターンＢは、第１の発光素子１００ａから発光装置２００の上部方向に出射された光が、表面２１２側の第１の封止樹脂層２５０ａ中で蛍光体に吸収されて波長変換され、その波長変換された光が外部に出射される光出射パターンである。パターンＣは、第１の発光素子１００ａから発光装置２００の下部方向に出射された光が、透明基体２１０に入射し、さらに裏面２１４側の第２の封止樹脂層２５０ｂに入射し、第２の封止樹脂層２５０ｂ中の蛍光体に吸収されずに第１の発光素子１００ａの発光色のまま外部に出射される光出射パターンである。パターンＤは、第１の発光素子１００ａから発光装置２００の下部方向に出射された光が、透明基体２１０に入射し、さらに裏面２１４側の第２の封止樹脂層２５０ｂに入射し、第２の封止樹脂層２５０ｂ中の蛍光体に吸収されて波長変換され、その波長変換された光が外部に出射される光出射パターンである。

パターンＥは、第２の発光素子１００ｂから発光装置２００の上部方向に出射された光が、表面２１２側の第１の封止樹脂層２５０ａ中で蛍光体に吸収されずに第２の発光素子１００ｂの発光色のまま外部に出射される光出射パターンである。パターンＦは、第２の発光素子１００ｂから発光装置２００の上部方向に出射された光が、表面２１２側の第１の封止樹脂層２５０ａ中で蛍光体に吸収されて波長変換され、その波長変換された光が外部に出射される光出射パターンである。パターンＧは、第２の発光素子１００ｂから発光装置２００の下部方向に出射された光が、透明基体２１０に入射し、さらに裏面２１４側の第２の封止樹脂層２５０ｂに入射し、第２の封止樹脂層２５０ｂ中の蛍光体に吸収されずに第２の発光素子１００ｂの発光色のまま外部に出射される光出射パターンである。パターンＨは、第２の発光素子１００ｂから発光装置２００の下部方向に出射された光が、透明基体２１０に入射し、さらに裏面２１４側の第２の封止樹脂層２５０ｂに入射し、第２の封止樹脂層２５０ｂ中の蛍光体に吸収されて波長変換され、その波長変換された光が外部に出射される光出射パターンである。

このように、透明基体２１０の両面に発光素子１００を搭載することにより、透明基体２１０の表面２１２に搭載された第１の発光素子１００ａから発光装置２００の下部方向に出射された光がパターンＣ及びパターンＤのように、発光装置２００の下方に取出される。一方、透明基体２１０の裏面２１４に搭載された第２の発光素子１００ｂから発光装置２００の上部方向に出射された光がパターンＧ及びパターンＥ及びパターンＦのように、発光装置２００の上方に取出される。透明基体２１０の両面に搭載された発光素子１００から出射された光が、透明基体２１０を通してクロスして出射されるため、効率よく全方位型の光出射パッケージ（発光装置）を実現できる。

従来の発光装置では、光取出し効率を向上させるために、発光素子の搭載面に反射膜を形成している。発光素子搭載面に反射膜を形成した場合、反射膜の反射率は９０％程度となるため、反射ロスによる効率低下を起こす。本実施の形態に係る発光装置２００では、こうした反射膜を形成することなく、効率よく発光素子１００から光取出しを行なうことが可能となるため、反射膜を使用することなく広範囲において光を出射できる。

図８及び図９を参照して、本実施の形態に係る発光装置２００とは異なり、透明基体１２１０の表面１２１２及び裏面１２１４の一部が封止樹脂層２５０で覆われていない発光装置の光出射パターンについて説明する。

図８を参照して、この発光装置は、透明基体１２１０の一部に封止樹脂層２５０で覆われていない領域Ｓを有している。図９を参照して、このような発光装置では、上記したパターンＡ〜パターンＨ（図７参照）に加えて、パターンＫ及びパターンＬの光出射パターンを有する。パターンＫは、例えば発光素子１００から下部方向に出射され、透明基体１２１０に入射しそのまま透明基体１２１０から外部に出射される光出射パターンである。パターンＬは、例えば発光素子１００から上部方向に出射され、透明基体１２１０に入射し、透明基体１２１０の表面で反射してそのまま透明基体２１０から外部に出射される光出射パターンである。

このように、透明基体１２１０の一部に、蛍光体を含有した封止樹脂層２５０によって覆われていない領域Ｓが存在すると、この領域Ｓから出射パターンＫ及びＬといった経路をたどって発光素子１００の発光色のままの光が多く出射されてしまうため色むらが引起こされる。

本実施の形態に係る発光装置２００では、蛍光体を含有した封止樹脂層２５０によって透明基体２１０の表面２１２及び裏面２１４の全面が覆われているため、パターンＫ及びパターンＬのような光出射パターンを有さない。そのため、発光素子１００の発光色のままの光が多く出射されてしまうことに起因する色むらの発生を抑制できる。

上述したように、本実施の形態では、発光素子１００からの光が透明基体２１０を透過して発光装置２００の上部方向にも、下部方向にも出射される。この際、透明基体２１０側に出射される発光素子１００からの光の分布を見ると、発光素子１００直下の光が最も多い。発光層（活性層）から下方に出射された光は、成長基板１１０（図５参照）の裏面から接着層２４０（ダイボンドペースト）を通って透明基体２１０へと入射していく。こうした光の出射パターンは、図７に示すパターンＣ及びパターンＤ等に加えて、例えばパターンＪを有する場合がある。

図７を参照して、パターンＪは、第１の発光素子１００ａから発光装置２００の下部方向に出射された光が、第２の発光素子１００ｂの搭載されている領域から当該第２の発光素子１００ｂ中に成長基板を透過して入射し外部に出射される光出射パターンである。

光出射パターンＣ及びＤは、第１の発光素子１００ａから下方に出射され、第２の発光素子１００ｂが搭載されていない領域から、透明基体２１０の裏面２１４に形成された、蛍光体を含有する封止樹脂層２５０に出射される光となる。この場合、光のロス（吸収等）は非常に少なく、効率よく発光装置２００の外部に光が出射される。

一方、光出射パターンＪのような、第２の発光素子１００ｂ中に成長基板側から入射してしまう光は、第２の発光素子１００ｂの表面に形成されたｎ及びｐの両電極及びＩＴＯ電極等によって吸収されてしまう可能性がある。光出射パターンＪの経路で出射される光の中には、第２の発光素子１００ｂの電極等に吸収されずに取出される光もあるが、光出射パターンＣ及びＤ等に比べ、光出射パターンＪの光は吸収されてしまう確率が高い。

透明基体２１０に入射する光の面内分布としては、発光素子１００の直下が最も多いので、平面図的に見た場合に、第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが同じ位置に搭載されていると、光出射パターンＪの光量が増加して光の吸収につながるため好ましくない。

本実施の形態に係る発光装置２００では、透明基体２１０の表面２１２に搭載されている第１の発光素子１００ａと透明基体２１０の裏面２１４に搭載されている第２の発光素子１００ｂとの搭載位置がずれているため、こうした光の吸収が抑制される。

［発光素子１００の配置］
図１０及び図１１を参照して、発光素子１００の配置について説明する。本実施の形態では、透明基体２１０の裏面２１４に搭載されている第２の発光素子１００ｂが、透明基体２１０の表面２１２に搭載されている第１の発光素子１００ａの搭載位置からずれた位置に搭載されている。この場合、平面図的に見て、第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが全く重ならないように搭載されているのが好ましい。なお、図１０及び図１１では、第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂが透明基体２１０の面内において同じ方向に配置されているものとして説明する。

図１０を参照して、平面図的に見て、第１の発光素子１００ａと当該第１の発光素子１００ａに隣接する第２の発光素子１００ｂとを横方向に隔てる距離（チップ間横距離）をｄ、縦方向に隔てる距離（チップ間縦距離）をｔとした場合に、ｄ＞０、かつ、ｔ＞０であれば、平面図的に見て、第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが全く重ならない状態となる。

図１１を参照して、ｄ＜０及び／又はｔ＜０の場合は、平面図的に見て、第１の発光素子１００ａが隣接する第２の発光素子１００ｂに対して少なくとも一部が重なった状態となる。重なっている領域の横幅が例えば１０μｍ、縦幅が例えば５０μｍの場合、ｄ＝−１００（μｍ）、ｔ＝−５０（μｍ）となる。発光素子１００が複数個搭載されている場合に、全ての発光素子１００が全く重ならないように配置されているのが好ましいが、金属柱３００及び補助金属柱３１０の位置、パッケージレイアウト等によっては、第１の発光素子１００ａが隣接する第２の発光素子１００ｂに対して一部重なった状態となっていてもよいし、複数の発光素子１００のうちの一部の発光素子において、第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが重なり合った状態となっていてもよい。第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとは、平面図的に見て、完全に重なり合わないように搭載されているのが好ましく、全く重ならないように搭載されていればより好ましい。本実施の形態において「完全に重なり合う」とは、平面図的に見た場合に、同じ大きさ及び同じ形状の発光素子が、透明基体２１０の両面に、同じ向きで同じ位置に搭載されている状態をいう。

第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが重なって搭載された場合、チップ間横距離ｄ＜０とチップ間縦距離ｔ＜０の場合には、透明基体２１０の表面２１２に搭載された第１の発光素子１００ａから発せられた熱が、重なって搭載された裏面２１４の第２の発光素子１００ｂに伝わる。逆に、透明基体２１０の裏面２１４に搭載された第２の発光素子１００ｂから発せられた熱が、重なって搭載された表面２１２の第１の発光素子１００ａに伝わる。そのため、互いに熱の干渉を受けるため好ましくない。発熱による熱を放熱するという観点からは、ｄ＞０かつｔ＞０が好ましい。さらに好ましくは、ｄ＞５０（μｍ）、ｔ＞５０（μｍ）である。

［製造方法］
図１〜図４を参照して、本実施の形態に係る発光装置２００の製造方法について説明する。まず、図３に示すような透明基体２１０を準備する。透明基体２１０の表面２１２及び裏面２１４を非平滑面とする。例えば、透明基体２１０の表面２１２及び裏面２１４を研磨せずに、凹凸を残したままの面とする。その他、意図的にストライプ及びディンプル等の凹凸を設けてもよい。表面２１２及び裏面２１４を非平滑面とすることにより、透明基体２１０の表面２１２及び裏面２１４に別途透光性部材を設けなくても発光素子１００の下面から透明基体２１０に導光された光を効率よく外部に取出すことができる。

次に、透明基体２１０の所定の領域に金属柱３００及び補助金属柱３１０を固定するための貫通孔２１０ａ〜２１０ｃを形成する。各貫通孔が形成された領域に、電極パッドを形成する。電極パッドは、透明基体２１０の両面に形成する。なお、貫通孔を形成する工程の前に電極パッドを形成する工程を行ない、電極パッドを形成した後に、電極パッドの形成領域に貫通孔を形成するようにしてもよい。

その後、透明基体２１０の表面２１２上に第１の発光素子１００ａをダイボンドペーストにより実装する。具体的には、第１の発光素子１００ａをシリコーン樹脂からなるダイボンドペーストを用いて載置し、１５０℃で２〜３時間加熱することでダイボンドペーストを硬化させて第１の発光素子１００ａを透明基体２１０に接着する。同様に、透明基体２１０の裏面２１４上に第２の発光素子１００ｂをダイボンドペーストにより実装する。透明基体２１０の両面に発光素子１００を搭載した後、各発光素子１００をワイヤ２４２で結線する。

続いて、蛍光体を含有した透明樹脂を、透明基体２１０の片面に塗布し、オーブンにて１５０℃程度の温度で２時間程度加熱して透明樹脂を硬化させる。硬化して透明樹脂の形状が安定した後、残りの一面に蛍光体を含有した透明樹脂を塗布し、同じ条件で硬化させる。これにより、図４に示すように、透明基体２１０の両面に、蛍光体を含有した封止樹脂層２５０が形成され、この封止樹脂層２５０によって第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂが封止される。この際、透明基体２１０の表面２１２及び裏面２１４の全面が封止樹脂層２５０で覆われるように透明樹脂を塗布する。また、透明基体２１０の貫通孔２１０ａ〜２１０ｃは、後の工程で金属柱３００及び補助金属柱３１０を固定するために透明樹脂で埋まらないようにする。このように、透明基体２１０の両面に封止樹脂層２５０を形成する場合には、片面ずつ透明樹脂を塗布して硬化させることで、透明樹脂の形状を安定させて両面とも同じような形状の封止樹脂層２５０を形成できる。

これにより、本実施の形態に係る発光装置２００が製造される。こうして製造された発光装置２００に金属柱３００及び補助金属柱３１０を固定する。具体的には、図２に示すように、透明基体２１０の貫通孔２１０ａにネジ３２０を挿入して金属柱３００を透明基体２１０にネジ止め固定する。さらに、透明基体２１０の貫通孔２１０ｂ及び２１０ｃにそれぞれネジ３２２を挿入して補助金属柱３１０を透明基体２１０にネジ止め固定する。

図１を参照して、金属柱３００及び補助金属柱３１０が固定された発光装置２００を照明装置の本体部分に固定してバルブ６０を取付けることにより、電球型のＬＥＤランプに組立てる。これにより、本実施の形態に係る照明装置５０が製造される。

［本実施の形態の効果］
以上の説明から明らかなように、本実施の形態に係る発光装置２００及び照明装置５０は、以下に述べる効果を奏する。

透明基体２１０の表面２１２上に第１の発光素子１００ａを搭載し、透明基体２１０の裏面２１４上に第２の発光素子１００ｂを搭載する。第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂは透光性の接着層２４０を介して透明基体２１０に固定されている。第１の発光素子１００ａから出射された光は、第２の発光素子１００ｂとは反対側（上部方向）に出射されるとともに、第１の発光素子１００ａの下面から出射された光は、接着層２４０及び透明基体２１０を透過して、第２の発光素子１００ｂの側（下部方向）にも出射される。第２の発光素子１００ｂから出射された光は、第１の発光素子１００ａとは反対側（下部方向）に出射されるとともに、第２の発光素子１００ｂの下面から出射された光は、接着層２４０及び透明基体２１０を透過して、第１の発光素子１００ａの側（上部方向）にも出射される。したがって、第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂから出射された光は、発光装置２００の上方側及び下方側に出射されるため、広範囲に光が出射される。

本発光装置２００では、透明基体２１０の両面に発光素子１００が搭載される。第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂにより、発光装置２００の上方側及び下方側に出射される光の光量を容易に制御できる。さらに、第１の発光素子１００ａが搭載される位置からずれた位置に第２の発光素子１００ｂを配することによって、第１の発光素子１００ａから透明基体２１０側に出射された光が第２の発光素子１００ｂで吸収されるのを抑制できる。同様に、第２の発光素子１００ｂから透明基体２１０側に出射された光が第１の発光素子１００ａで吸収されるのを抑制できる。したがって、第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂからの光を効率よく外部に出射できる。

さらに、透明基体２１０の両面に発光素子１００を搭載することにより、発光素子１００からの熱が透明基体２１０の両面に均一に分散できるため、放熱性を改善して、発光素子１００の温度を低下させることができる。

例えば、透明基体の片面にのみ発光素子を搭載する場合、発光素子から発生する熱が透明基体の表面（発光素子搭載面）に集中し、発光素子搭載面の温度が上昇しやすくなり高温になる。発光素子を複数個搭載した場合、各発光素子からの熱により発光素子の温度が上昇しやすくなる。そのため、透明基体の片面にのみ発光素子を搭載した発光装置では、素子の温度上昇に起因して発光強度が低下することがある。

本実施の形態では、透明基体２１０の両面に発光素子１００を搭載するため、片面にのみ発光素子を搭載した発光装置と同じ明るさで発光素子１００を光らせた場合、素子からの熱が透明基体２１０の両面に均一に分散するため、素子温度を低下させることができる。本発光装置２００ではさらに、第１の発光素子１００ａが搭載される位置からずれた位置に第２の発光素子１００ｂが搭載されているため、放熱性をより改善して、発光素子１００の温度をより一層低下させることができる。

さらに、透明基体２１０の厚みｘを２００μｍ以上とすることにより、放熱特性を向上させることができるとともに、機械的強度を向上させることができる。透明基体２１０の厚みｘが２００μｍより小さい場合、表面２１２に搭載された第１の発光素子１００ａと裏面２１４に搭載された第２の発光素子１００ｂとの熱の干渉が強くなる場合がある。また、透明基体２１０の厚みｘが２００μｍより小さくなると、透明基体の機械的強度が低下して破損しやすくなる。

透明基体２１０を平面図的に見た場合に、第１の発光素子１００ａと当該第１の発光素子１００ａに隣接する第２の発光素子１００ｂとを隔てる距離を０より大きくすることによって、透明基体２１０を平面図的に見た場合に、第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが重ならないように各発光素子１００を配置できる。そのため、容易に、第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂからの光を効率よく外部に出射できる。加えて、放熱特性をより一層向上できる。

上記隔てる距離を５０μｍより大きくすることにより、より容易に、第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂからの光を効率よく外部に出射できる。加えて、放熱特性をさらに一層向上できる。

蛍光体を含有する封止樹脂層２５０で第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂを封止することによって、第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂから出射された光を封止樹脂層２５０に含有された蛍光体で波長変換できる。そのため、発光装置２００の出射光の色を容易に制御できる。

透明基体２１０の表面２１２及び裏面２１４の全面を封止樹脂層２５０で覆うことによって、透明基体２１０内に入射された後に透明基体２１０から取出される光を封止樹脂層２５０に入射させることができる。ここで、透明基体２１０の主面の一部に封止樹脂層２５０で覆われていない部分が存在すると、上述したように、封止樹脂層２５０で覆われていない部分から発光素子１００の発光色のままの光が外部に取出される。この場合、発光素子１００の発光色のままの光が多く出射されてしまうため色むらを引起こす。本発光装置２００では、上記のように、透明基体２１０の表面２１２及び裏面２１４の全面が封止樹脂層２５０で覆われているため、発光素子１００の発光色のままの光が多く出射されてしまうのを抑制できる。その結果、発光装置２００の色むらを抑制できる。

さらに、第１の発光素子１００ａの搭載数と第２の発光素子１００ｂの搭載数とを異ならせることにより、発光装置２００の上方側及び下方側に出射される光の光量をより容易に制御できる。

（第２の実施の形態）
図１２を参照して、本実施の形態に係る発光装置５００は、透明基体２１０の裏面２１４に搭載される発光素子の種類が第１の実施の形態とは異なる。なお、図１２では補助金属柱が省略されている。

本実施の形態では、透明基体２１０の表面２１２には青色光を出射する第１の発光素子１００ａ（１００）が搭載されており、透明基体２１０の裏面２１４には赤色光を出射する発光素子（ＬＥＤ）５１０が搭載されている。透明基体２１０の表面２１２上には、第１の発光素子１００ａを封止する第１の封止樹脂層２５０ａが形成されている。透明基体２１０の裏面２１４上には、第２の発光素子を封止する第２の封止樹脂層２５０ｂが形成されている。第１の封止樹脂層２５０ａ及び第２の封止樹脂層２５０ｂには、黄色蛍光体であるＹＡＧ蛍光体が含有されている。

青色光を出射する第１の発光素子１００ａ（青色ＬＥＤ）とＹＡＧ蛍光体との組合せは、赤色が弱いといった不都合があるものの、上記のように構成することによって、そうした不都合を改善できる。

（第３の実施の形態）
図１３を参照して、本実施の形態に係る発光装置６００は、上記第１の実施の形態に係る発光装置２００において、封止樹脂層２５０を被覆する透明封止樹脂層６５０をさらに含む。なお、図１３では補助金属柱が省略されている。

本実施の形態では、封止樹脂層２５０が透明封止樹脂層６５０で被覆されているため、発光素子１００を封止する封止樹脂層（透明樹脂層）が２層構造となっている。外側の透明封止樹脂層６５０は、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びガラス等によって形成されている。この透明封止樹脂層６５０には蛍光体が含有されていない。

さらに、透明封止樹脂層６５０の表面は、球状又は凸形状とされている。透明封止樹脂層６５０の表面をこのような形状とすることにより、発光素子１００から発する光、及び封止樹脂層２５０に含まれる蛍光体から発する光を、球状又は凸形状の透明封止樹脂層６５０で周囲に無指向に放出できる。

透明封止樹脂層６５０は光学レンズとして機能させることも可能である。これにより全方向へ均等な光を放出することが可能な発光装置６００が得られる。透明封止樹脂層６５０は、例えばトランスファー成型等により形成できる。透明封止樹脂層６５０の形成にトランスファー成型等の成型方法を用いることにより、透明封止樹脂層６５０の表面をあらゆる光学レンズ状の曲面に成型することが可能である。

なお、透明封止樹脂層６５０の屈折率は、蛍光体を含有する封止樹脂層２５０と同等かそれより小さい屈折率であるのが光取出しの観点からは好ましい。

（第４の実施の形態）
図１４を参照して、本実施の形態に係る照明装置７５０は、発光装置２００Ａを交流駆動するためのＡＣ駆動回路７６０を含む。すなわち、本実施の形態に係る照明装置７５０は、ＡＣ／ＤＣコンバータに代えて、ＡＣ駆動回路７６０を搭載することにより、時間とともに周期的に大きさとその正負が変化する交流で直接、発光装置２００Ａ（発光素子１００）を駆動する。なお、図１４では発光素子１００が直列接続された部分の等価回路を示している。

照明装置７５０に搭載される発光装置２００Ａは、第１の実施の形態に係る発光装置２００とほぼ同じ構成であるが、透明基体の表面に搭載される第１の発光素子１００ａと透明基体の裏面に搭載される第２の発光素子１００ｂとが極性が逆になるように接続されている。そのため、例えば、透明基体の表面に搭載した第１の発光素子１００ａは電圧が正のときに発光し、透明基体の裏面に搭載した第２の発光素子１００ｂは電圧が負のときに発光する。第１の発光素子１００ａ及び第２の発光素子１００ｂをこのように駆動することにより、発熱の発生箇所を空間的、時間的に分離できる。すなわち、表面側の第１の発光素子１００ａが発光しているときは、裏面側の第２の発光素子１００ｂは発光しておらず、放熱している。逆に、裏面側の第２の発光素子１００ｂが発光しているときは、表面側の第１の発光素子１００ａは発光しておらず、放熱している。このように、第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとを交互に発光させることにより、より放熱効果を高めることができる。

（変形例）
上記実施の形態では、電球型のＬＥＤランプに本発明を適用した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。電球型のＬＥＤランプ以外の照明装置に本発明を適用することもできる。

上記実施の形態では、サファイアからなる透明基体を用いた例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。透明基体の構成材料はサファイア以外であってもよい。透明基体の構成材料は、光透過性を有することに加えて、高い熱伝導性を有しているのが好ましい。このような熱伝導性の高い材料としては、例えば、サファイア、ＧａＮ、酸化ベリリウム（ベリリア）、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド及びルビー等の単結晶材料又は多結晶材料等、若しくはそれらの結晶体で形成されたセラミック材料等を用いることができる。

特に透明基体として導電性を有する部材を使用すると、発光素子の搭載面でも導通を得ることができるので、ワイヤボンディングは一方の電極のみで足りる。そのため、ワイヤの数を減らして製造コストの削減及び歩留まりを向上できる。したがって、透明基体に導電性を有する部材を用いることにより、信頼性の向上に寄与できる。特にワイヤは、これを封止する樹脂中で熱膨張係数の違い等によって断線するおそれがあるため、ワイヤの使用本数を減らすことでこのようなリスクを低減できる。

また、発光素子と透明基体との界面における反射を低減するために、これらの間の屈折率を調整することが好ましい。発光素子が成長基板上に素子構造体が支持されている場合、成長基板と透明基体との屈折率差が小さいことが好ましく、または成長基板の屈折率が透明基体の屈折率より大きくなるように両者の材質を決定することにより、光の反射を少なくすることができる。例えば、成長基板としてのサファイア基板上に半導体層を成長させた発光素子を用いる場合、透明基体はサファイアからなる透明基体を使用することが好ましい。サファイアの透明基体よりも屈折率の低い石英の透明基体を用いてもよい。成長基板を有さないＧａＮ系半導体素子であれば、ＧａＮからなる透明基体を用いることが好ましく、ＧａＮより屈折率の低いサファイア及び石英の透明基体を用いることが好ましい。

上記実施の形態では、透明基体の表面上に搭載された第１の発光素子の成長基板側から出射された光は、透明基体を通り、さらに透明基体の裏面上に形成された、蛍光体を含有する第２の封止樹脂層中に入射し、そのまま透過して発光装置の下方に出射されたり、第２の封止樹脂中の蛍光体によって、緑又は赤色の波長に波長変換されたりして、発光装置の下方に出射される。このため、透明基体の屈折率と封止樹脂層の屈折率差が小さいことが好ましい。このため、封止樹脂層を構成する透明樹脂としては、屈折率が１．３５〜１．５８程度のシリコーン樹脂が、透明基体としては、酸化アルミニウム（例えばサファイア等）の焼結体であるセラミック基体、サファイアの透明基体、石英の透明基体等が好適であると考えられる。屈折率の関係として、成長基板≧透明基体≧透明樹脂（封止樹脂層）の関係性が好ましい。

上記実施の形態では、透明基体の表面及び裏面を非平滑面とした例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。透明基体の表面及び裏面は平滑面としてもよいし、透明基体の表面及び裏面の一方を非平滑面としてもよい。さらに、透明基体の表面及び裏面を曲面にしてもよい。このようにすれば、透明基体の表面及び裏面で全反射される光の成分を低減できるので、透明基体の内部に光が閉じ込められて光取出しが抑制されるのを防ぐことができる。

上記実施の形態では、発光素子を固定するためのダイボンドペーストにシリコーン樹脂を用いた例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。上記実施の形態におけるダイボンドペーストとして、発光素子と透明基体とを固定するとともに、発光素子からの光を透過することが可能な材料であれば、特に限定されず、例えば、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂等の有機材料、無機材料、並びにこれらのハイブリッド材料を用いることができる。具体的には、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂、熱可塑性樹脂であるアクリル樹脂及びポリイミド樹脂、熱安定性が高いシリコーン樹脂等からなるダイボンドペーストが挙げられる。ダイボンドペースト（接着層）が、光及び熱等による劣化で着色すると光の取出し効率が低下するため、耐熱性、耐光性及び熱伝導性を備えることが望ましい。さらに、ダイボンドペーストの熱膨張率を調整するため、又は導電性を高めるために、これらの樹脂にフィラーを含有させることもできる。フィラーを入れることで、ダイボンドペースト内の光散乱効果をあげることができるため、光取出しに関して好ましい。

上記実施の形態では、金属柱及び補助金属柱をＡｌ合金から構成した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。例えば、熱伝導性と導電性に優れた素材の表面に発光素子からの光を反射することが可能な金属メッキを施した金属柱及び補助金属柱を用いることもできる。金属柱の構成材料（素材）であって、熱伝導性に優れた素材として、例えば銅、鉄・ニッケル・コバルトの合金であるコバール（商標）及び、コバールと銅の合金等が挙げられる。これらの素材は、通常の導電体よりも熱伝導性に優れているため、放熱性を向上して更なる高出力にも対応できる。特に、金属柱及び補助金属柱の素材として、耐食性、耐摩耗性、メッキ性、ろう付け性、耐応力腐食割れ性、導電性、熱伝導性に優れ、プレス、曲げ、絞り等の加工性にも優れたりん青銅を用いることが好ましい。また、上記の素材の表面にメッキを施す前に、予め銅ストライクメッキを施すことが好ましい。このように、素材の酸化物を除去し、活性化とメッキを同時に行なうことにより、素材が密着性のよい銅皮膜で覆われ、この後のメッキの付き回りが改善されると同時に、耐食性も向上することができる。さらに、メッキ浴中への素材金属の溶解も防ぐことができ、浴の汚染を防止することもできる。このように表面処理された素材に、発光素子からの光を反射することが可能なメッキを有していることが好ましい。特にメッキとして、光沢度が９０以上である導電性膜が設けられていることが好ましい。上記光沢度は、ＪＩＳ規格に基づき発光素子からの光を６０°で入射したときの鏡面反射率が８０％となる、屈折率１．５６７のガラス面を光沢度０と規定し、日本電色工業株式会社製ＶＳＲ３００Ａ微小面色差計にて測定した値を用いることができる。具体的なメッキ主材料として、Ａｕ，Ａｇ，及びＡｌ等が挙げられる。

上記実施の形態では、１つの金属柱と２つの補助金属柱とを用いて発光装置を支持する例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。例えば、２つの金属柱で発光装置を支持するようにしてもよい。

上記実施の形態では、発光素子を直流駆動又は交流駆動する例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。例えば、発光素子をパルス駆動してもよい。

上記実施の形態では、第１の発光素子及び第２の発光素子をそれぞれ複数個透明基体上に搭載した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。第１の発光素子及び第２の発光素子の少なくとも一方の搭載数は単数であってもよい。第１の発光素子及び第２の発光素子の搭載数は適宜設定できる。透明基体の表面上に搭載される第１の発光素子の数と、裏面上に搭載される第２の発光素子の数は同じ数であってもよいし、第１の発光素子の方が第２の発光素子より多くてもよい。さらに第２の発光素子の方が第１の発光素子より多くてもよい。

発光素子の形状、層構造、電極構造等により、発光素子から出射される光量及び出射方向が異なるため、それらの違いを考慮して、透明基体の表面に搭載する第１の発光素子の数と、透明基体の裏面に搭載する第２の発光素子の数を変えることができる。異なる数を搭載することで、自由に、発光装置の光量と、その出射方向を制御できる。上記実施の形態では、第１の発光素子の数を第２の発光素子の数より多くした例について示した。そのため、照明装置である電球の上部方向に出射される光を多くできる。逆に、透明基体の裏面上に搭載される第２の発光素子の数を表面上に搭載される第１の発光素子の数より多くすることにより、下部方向に出射される光を多くすることができる。

さらに、透明基体の表面と裏面とに異なる数の発光素子を搭載した場合に、発光素子の上に形成される、第１の封止樹脂層及び第２の封止樹脂層に含まれる蛍光体の量を変えることにより、発光装置の上部方向と下部方向に出射される光の色度をほぼ同じにすることもできる。このように色度を同じにすることで、より均一な発光色を有する広角度放射発光装置を作製できる。さらに、意図的に、第１の封止樹脂層と第２の封止樹脂層とに含まれる蛍光体の量を変えて、発光装置の上部方向と下部方向に出射される光の色度変えてもよい。第１の封止樹脂層と第２の封止樹脂層とに含まれる蛍光体が異なっていてもよい。例えば、上述した蛍光体群から選ばれた異なる蛍光体が含まれ、第１の封止樹脂層には緑色蛍光体、第２の封止樹脂層には赤色蛍光体等の異なる種類の蛍光体を含有させてもよい。

上記実施の形態において、透明基体に搭載される複数の発光素子は、全て同じ種類の発光素子としてもよいし、異なる種類の発光素子を含むようにしてもよい。

上記実施の形態では、透明基体に搭載される複数の発光素子を、透明基体の表面及び裏面においてそれぞれ直並列に接続した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。例えば、透明基体の表面に搭載される複数の第１の発光素子を全て直列接続にしてもよいし、全て並列接続にしてもよい。透明基体の裏面に搭載される複数の第２の発光素子についても、全て直列接続にしてもよいし、全て並列接続にしてもよい。なお、１つの駆動回路で第１の発光素子及び第２の発光素子を駆動する場合は、直接接続されている発光素子の接続数は同じになるように構成されているのが好ましい。

上記実施の形態において、透明基体の表面に搭載される第１の発光素子と裏面に搭載される第２の発光素子とを別系統で駆動させるようにしてもよい。すなわち、第１の発光素子と第２の発光素子とを別々の駆動回路で駆動させるようにしてもよい。この場合、透明基体の表面側の発光素子と裏面側の発光素子とで直列接続の接続数を異ならせることができる。第１の発光素子の搭載数と第２の発光素子の搭載数とが異なる場合でも容易に発光装置を作製することが可能となる。一例として、透明基体の表面上に第１の発光素子を１８個搭載し、透明基体の裏面上に第２の発光素子を８個搭載した発光装置を作製することができる。

上記実施の形態では、金属柱及び補助金属柱にリード端子（リード線（導入線））としての機能を持たせた例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。金属柱及び補助金属柱にリード端子としての機能を持たさずに、別途リード線（導入線）等を設けるようにしてもよい。このように構成した場合、第１の発光素子と第２の発光素子とを別々の駆動回路で容易に駆動させることができる。さらに、例えば金属柱にはリード端子としての機能を持たさずに、２つの補助金属柱にリード端子（導入線）としての機能を持たせた構成とすることもできる。

上記実施の形態では、平面図的に見て、第１の発光素子と第２の発光素子とが全く重ならないように各発光素子を搭載した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。例えば、平面図的に見て、第１の発光素子と第２の発光素子とが一部重なった状態で搭載されていてもよい。

上記実施の形態では、透明基体を、平面図的に見て略矩形状に形成した例について示したが本発明はそのような実施の形態には限定されない。透明基体の形状は矩形状以外の形状であってもよい。例えば、図１５に示すように、透明基体を平面図的に見て円形状に形成することもできる。図１５を参照して、本発明の変形例に係る発光装置は、円形状の透明基体８１０を含む。透明基体８１０の表面上には複数の第１の発光素子１００ａが搭載されている。透明基体８１０の裏面上には複数の第２の発光素子１００ｂが搭載されている。第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが同じ向きに搭載されていない場合、すなわち綺麗に並んでいない場合、チップ間距離は発光素子同士（チップ同士）の最も近い距離をＺとして規定する。この場合には、第１の発光素子１００ａと第２の発光素子１００ｂとが平面図的に見て完全に重なり合うことはないが、チップ間距離ＺはＺ＞０であるのが好ましい。なお、このような円形状の透明基体８１０を用いる場合、第１の発光素子及び第２の発光素子は図１５に示すような円形状（同心円状）に配置してもよい。

上記実施の形態では、透明基体に金属柱及び補助金属柱をネジ止め固体した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。金属柱及び補助金属柱の固定方法として、ネジ止め以外に、例えばリベット、かしめ、溶接、接着、係止、係合及び嵌合等の他の固定方法を用いてもよい。なお、上記実施の形態において、透明基体に形成された貫通孔の内側面上に、表面側の電極パッドと裏面側の電極パッドとを電気的に接続する接続部を形成する構成としてもよい。この場合、貫通孔に金属柱及び補助金属柱を挿入することによって、金属柱及び補助金属柱と電極パッドとを電気的に接続することができる。

上記実施の形態において、発光素子の素子構成は適宜変更することができる。例えば、第１の実施の形態では、発光素子の透明電極にＩＴＯからなる透明電極を用いた例について示したが、透明電極はＩＴＯ以外に例えばＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を用いることもできる。また、発光素子のｎ側電極は上記以外に例えばＷ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ａｌ／ＷＰｔ／Ａｕ及びＡｌ／Ｐｔ／Ａｕ等であってもよい。

上記第２の実施の形態では、透明基体の表面上に青色光を出射する発光素子を搭載し、透明基体の裏面上に赤色光を出射する発光素子を搭載した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。例えば、透明基体の表面上に赤色光を出射する発光素子を搭載し、透明基体の裏面上に青色光を出射する発光素子を搭載するようにしてもよい。さらに、透明基体の表面上及び裏面上の少なくとも一方に青色光を出射する発光素子と赤色光を出射する発光素子とを混在させて搭載してもよい。さらに、赤色光を出射する発光素子及び青色光を出射する発光素子以外の発光素子を透明基体上に搭載するようにしてもよい。

上記第３の実施の形態では、透明封止樹脂層を蛍光体が含有しない構成とした例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。透明封止樹脂層に蛍光体を含有させた構成とすることもできる。さらに透明封止樹脂層の一部（例えば透明基体の表面側及び裏面側の一方）に蛍光体を分散させた構成としてもよい。

本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。

上記で開示された技術を適宜組合せて得られる実施の形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。

今回開示された実施の形態は単に例示であって、この発明が上記した実施の形態のみに制限されるわけではない。この発明の範囲は、発明の詳細な説明の記載を参酌した上で、特許請求の範囲の各請求項によって示され、そこに記載された文言と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含む。

５０、７５０ 照明装置
１００、５１０ 発光素子
１１０ 成長基板
１２０ ｎ型層
１３０ 発光層
１４０ ｐ型層
２００、２００Ａ、５００、６００ 発光装置
２１０、８１０ 透明基体
２１２ 一方の主面、表面
２１４ 他方の主面、裏面
２５０ 封止樹脂層
２６０ 蛍光粒子
３００ 金属柱
３１０ 補助金属柱
６５０ 透明封止樹脂層
７６０ ＡＣ駆動回路

Claims (8)

1. 一方の主面及び前記一方の主面とは反対側の他方の主面を有し、かつ、透光性を有する透明基体と、
   前記透明基体における前記一方の主面上に搭載される第１の発光素子と、
   前記透明基体における前記他方の主面上に搭載され、前記主面に直交する方向から見た場合に、前記第１の発光素子が搭載される位置からずれた位置に配される第２の発光素子と、
   蛍光体を含有し、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子を封止する透明樹脂層と、
   前記透明樹脂層を被覆する透明封止樹脂層とを含み、
   前記一方の主面及び前記他方の主面の少なくとも一方は、凹凸を有する非平滑面とされており、
   前記透明封止樹脂層の表面は、球状又は凸形状である、発光装置。
2. 前記透明基体を前記主面に直交する方向から見た場合に、前記第１の発光素子と当該第１の発光素子に隣接する第２の発光素子とを、前記主面に平行な方向に隔てる距離が０より大きい、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記隔てる距離は５０μｍより大きい、請求項２に記載の発光装置。
4. 前記透明基体に固定され、当該透明基体を支持するための柱状の支持手段をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
5. 前記透明樹脂層は、前記透明基体の前記一方の主面上及び前記他方の主面上に、それぞれ、前記一方の主面及び前記他方の主面を覆うように形成されている、請求項１に記載の発光装置。
6. 前記透明基体の前記一方の主面上には、単数又は複数の前記第１の発光素子が搭載されており、
   前記透明基体の前記他方の主面上には、単数又は複数の前記第２の発光素子が搭載されており、
   前記第１の発光素子の搭載数と前記第２の発光素子の搭載数とが異なる、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の発光装置。
7. 請求項１〜請求項６のいずれかに記載の発光装置を含む、照明装置。
8. 前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子を交流駆動するための交流駆動手段をさらに含む、請求項７に記載の照明装置。

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