JP2009302390A - 試料温度の制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理室中で試料を載置するための試料台を備え、該試料台は試料台を冷却するための冷媒流路、試料台を加熱するためのヒータ、および試料台の温度を測るための温度センサを具備し、前記試料台に載置された試料の温度を制御する試料温度の制御方法において、前記ヒータの供給電力、前記試料の温度、および前記温度センサの温度の時間変化をプラズマ処理のない状態で事前に計測しておき、これらの計測値の関係を連立一次微分方程式で近似して、この近似した連立一次微分方程式に基づいた同形観測によって、センサ温度y1、ヒータ電力u1およびプラズマ入熱の時間変化から試料温度を予測し、予測された試料の温度を用いて試料温度をフィードバック制御する。
【選択図】図5
Description
まず、ステップS2−1において、実施例1のステップS1−1と同様にして、センタ、ミドル、エッジの各部のウエハ温度x1とセンサ温度y1の時間変化を測定する。ステップS2−2において、ステップS2−1と全く同じタイムシーケンスでヒータ電力u1をステップ状に増加させ、試料台温度x3の変化を図6の放射温度計で測定する。ステップS2−3において、ステップS2−1,2−2で測定したヒータ電力u1、ウエハ温度x1、センサ温度y1および試料台温度x3の関係を式(5)で近似する。具体的な近似手法としては、最小二乗法を用いて、定数行列A11〜A33、B11〜B31の値を決定する。
2 ポンプ
3 圧力制御用のバルブ
4 圧力計
5 マグネトロン
6 導波管
7 石英窓
8 プラズマ
9 ガス導入口
10 試料台
11 試料
12 フッ化バリウム製窓
13 ヒータ
14 ヒータ電源
15 温度センサ
16 制御演算装置
18 高周波電源
19 整合器
20 循環冷媒冷却装置
Claims (8)
- プラズマ処理室中で試料を載置するための試料台を備え、該試料台は試料台を冷却するための冷媒流路、試料台を加熱するためのヒータ、および試料台の温度を測るための温度センサを具備し、前記試料台に載置された試料の温度を制御する試料温度の制御方法において、
前記ヒータの供給電力、前記試料の温度、および前記温度センサの温度の時間変化をプラズマ処理のない状態で事前に計測しておき、これらの計測値の関係を連立一次微分方程式で近似して、この近似した連立一次微分方程式に基づいた同形観測によって、センサ温度、ヒータ電力およびプラズマ入熱の時間変化から試料温度を予測し、予測された試料の温度を用いて試料温度をフィードバック制御することを特徴とする試料温度の制御方法。 - プラズマ処理室中で試料を載置するための試料台を備え、該試料台は試料台を冷却するための冷媒流路、試料台を加熱するためのヒータ、および試料台の温度を測るための温度センサを具備し、前記試料台に載置された試料の温度を制御する試料温度の制御方法において、
前記ヒータの供給電力、前記試料の温度、前記温度センサの温度および前記試料台の表面の温度の時間変化をプラズマ処理のない状態で事前に計測しておき、これら計測値の関係を連立一次微分方程式で近似して、この近似した連立一次微分方程式に基づいた同形観測によって、センサ温度、ヒータ電力およびプラズマ入熱の時間変化から試料温度を予測し、予測された試料の温度を用いて試料温度をフィードバック制御することを特徴とする試料温度の制御方法。 - 請求項1記載の試料温度の制御方法において、前記冷媒の温度が異なる条件あるいは前記冷媒の流量が異なる条件において、前記ヒータの供給電力、前記試料の温度および前記温度センサの温度の時間変化を測定して、条件毎に連立一次微分方程式を作成し、同形観測に用いる連立一次微分方程式を冷媒の条件毎に切換えることを特徴とする試料温度の制御方法。
- 請求項2記載の試料温度の制御方法において、前記冷媒の温度が異なる条件あるいは前記冷媒の流量が異なる条件において、前記ヒータの供給電力、前記試料の温度、前記温度センサの温度および前記試料台の表面の温度の時間変化を測定して、条件毎に連立一次微分方程式を作成し、冷媒の温度あるいは流量の条件毎に、同形観測に用いる連立一次微分方程式を切換えることを特徴とする試料温度の制御方法。
- 請求項1記載の試料温度の制御方法において、前記ヒータの供給電力、前記試料の温度、および前記温度センサの温度の時間変化をプラズマ入熱のある場合とない場合のそれぞれについて事前に計測しておき、これらの関係を用いて、試料の温度を予測して、前記予測された試料の温度を用いて試料温度をフィードバック制御することを特徴とする試料温度の制御方法。
- プラズマ処理室中で試料を載置するための試料台を備え、該試料台は試料台を冷却するための冷媒流路、試料台を加熱するためのヒータ、および試料台の温度を測るための温度センサを具備し、前記試料台に載置された試料の温度を制御する試料温度の制御方法において、
前記ヒータの供給電力、前記試料の温度と前記温度センサの温度の時間変化をプラズマ入熱のある場合とない場合のそれぞれについて事前に計測しておき、まず、プラズマ入熱のない場合の計測結果について、前記ヒータの供給電力、前記試料の温度、および前記温度センサの温度の関係を第1の連立一次微分方程式で近似した後、プラズマ入熱有無の双方の場合の測定結果に関して、前記第1の連立一次微分方程式に基づく同形観測によってウエハ温度の第1の予測値を算出し、算出した第1の予測値、センサ温度、ウエハ温度、ヒータ電力、プラズマ入熱の関係を第2の連立一次微分方程式で近似して、第2の連立一次微分方程式に基づいた同形観測によって、前記第1の予測値、センサ温度、ヒータ電力およびプラズマ入熱の時間変化からウエハ温度を予測して、前記予測された試料の温度を用いてフィードバック制御することを特徴とする試料温度の制御方法。 - 請求項6記載の試料温度の制御方法において、プラズマ処理を行いウエハ温度の定常値を測定しておき、第2の微分方程式の微分項を0とした式に前記定常値を代入して、プラズマ入熱を算出することを特徴とする試料温度の制御方法。
- 請求項6記載の試料温度の制御方法において、前記ヒータに供給する電力が0の状態で、事前にプラズマ処理を行い、ウエハ温度とセンサ温度の定常値の関係を計測して、ウエハ温度とセンサ温度の第1の定常値の関係を連立一次方程式で近似した後、前記ヒータに供給する電力が0の状態で、所望のプラズマ処理を行ってセンサ温度の第2の定常値を測定して、前記連立一次方程式とセンサ温度の前記第2の定常値から、所望のプラズマ処理の場合のウエハ温度の第2の定常値を予測し、第2の微分方程式の微分項を0とした式に前記第2の定常値を代入して、プラズマ入熱を算出することを特徴とする試料温度の制御方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258615A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20170000788A (ko) | 2015-06-24 | 2017-01-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 온도 제어 방법 |
KR20190056323A (ko) | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치, 온도 제어 방법 및 온도 제어 프로그램 |
JP2019091880A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
JP2020188098A (ja) * | 2019-05-13 | 2020-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
JP2021524670A (ja) * | 2018-05-24 | 2021-09-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 空間分解ウエハ温度制御のための仮想センサ |
KR20220134511A (ko) * | 2021-03-25 | 2022-10-05 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
WO2024019075A1 (ja) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
KR20240046106A (ko) | 2022-09-26 | 2024-04-08 | 주식회사 히타치하이테크 | 반도체 디바이스의 제조 시스템 및 제조 방법 |
JP7527342B2 (ja) | 2018-06-29 | 2024-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ状態検出方法およびプラズマ状態検出プログラム |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9338871B2 (en) * | 2010-01-29 | 2016-05-10 | Applied Materials, Inc. | Feedforward temperature control for plasma processing apparatus |
US8916793B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-12-23 | Applied Materials, Inc. | Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow |
US8880227B2 (en) * | 2010-05-27 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control |
US8591755B2 (en) * | 2010-09-15 | 2013-11-26 | Lam Research Corporation | Methods for controlling plasma constituent flux and deposition during semiconductor fabrication and apparatus for implementing the same |
CN102738027B (zh) * | 2011-04-13 | 2015-04-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 热处理设备及其温度校准方法和装置 |
US10274270B2 (en) | 2011-10-27 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | Dual zone common catch heat exchanger/chiller |
JP5973731B2 (ja) | 2012-01-13 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 |
EP2682715B1 (en) * | 2012-07-02 | 2015-03-11 | Sensirion AG | Portable electronic device |
US9285280B2 (en) * | 2013-03-07 | 2016-03-15 | Joel S. Faden | Systems and methods of determining load temperatures |
JP6407694B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2018-10-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US20170211185A1 (en) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerhead with embedded conductive layers |
CN105798930B (zh) * | 2016-04-01 | 2017-09-05 | 浙江工业大学 | 基于龙伯格状态观测器的柔性机械臂系统饱和补偿控制方法 |
CN106940959A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-07-11 | 南京理工大学 | 基于加速度观测的兆瓦级风机模拟方法 |
CN107193211B (zh) * | 2017-05-11 | 2020-02-07 | 南京邮电大学 | 基于自抗扰和反演技术的单臂机械手控制器及其设计方法 |
US11087962B2 (en) * | 2018-07-20 | 2021-08-10 | Lam Research Corporation | Real-time control of temperature in a plasma chamber |
CN111009454B (zh) * | 2018-10-05 | 2024-05-17 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、监视方法以及记录介质 |
US20220068602A1 (en) * | 2020-09-03 | 2022-03-03 | Tokyo Electron Limited | Temperature estimation apparatus, plasma processing system, temperature estimation method and temperature estimation program |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1197375A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Sony Corp | イオン注入のシミュレーション方法 |
US20020000783A1 (en) * | 2000-05-26 | 2002-01-03 | Roberto Maceratini | Control device for a wide speed range induction machine, carrying out a control based upon a flux estimation performed by means of a luenberger state observer, and method for positioning the eigenvalues of said state observer |
JP2006080222A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4971653A (en) * | 1990-03-14 | 1990-11-20 | Matrix Integrated Systems | Temperature controlled chuck for elevated temperature etch processing |
JPH1014266A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Sony Corp | 静電チャック装置及び静電チャックを用いたウエハの保持方法及び静電チャックからのウエハの脱着方法 |
US5989929A (en) * | 1997-07-22 | 1999-11-23 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US6073576A (en) * | 1997-11-25 | 2000-06-13 | Cvc Products, Inc. | Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment |
US6387798B1 (en) * | 2001-06-25 | 2002-05-14 | Institute Of Microelectronics | Method of etching trenches for metallization of integrated circuit devices with a narrower width than the design mask profile |
US6921724B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-07-26 | Lam Research Corporation | Variable temperature processes for tunable electrostatic chuck |
-
2008
- 2008-06-16 JP JP2008156859A patent/JP5433171B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-19 US US12/194,019 patent/US8093529B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1197375A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Sony Corp | イオン注入のシミュレーション方法 |
US20020000783A1 (en) * | 2000-05-26 | 2002-01-03 | Roberto Maceratini | Control device for a wide speed range induction machine, carrying out a control based upon a flux estimation performed by means of a luenberger state observer, and method for positioning the eigenvalues of said state observer |
JP2006080222A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258615A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US10921773B2 (en) | 2015-06-24 | 2021-02-16 | Tokyo Electron Limited | Temperature control method |
KR20170000788A (ko) | 2015-06-24 | 2017-01-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 온도 제어 방법 |
US12087559B2 (en) | 2017-11-16 | 2024-09-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, temperature control method, and temperature control program |
TWI782133B (zh) * | 2017-11-16 | 2022-11-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置、溫度控制方法及溫度控制程式 |
JP2019091880A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
JP7313509B2 (ja) | 2017-11-16 | 2023-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
JP7068971B2 (ja) | 2017-11-16 | 2022-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
JP2022103245A (ja) * | 2017-11-16 | 2022-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
KR20230095891A (ko) | 2017-11-16 | 2023-06-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치, 온도 제어 방법 및 온도 제어 프로그램 |
TWI829367B (zh) * | 2017-11-16 | 2024-01-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置、溫度控制方法及溫度控制程式 |
US11557468B2 (en) | 2017-11-16 | 2023-01-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, temperature control method, and temperature control program |
KR20190056323A (ko) | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치, 온도 제어 방법 및 온도 제어 프로그램 |
KR102545993B1 (ko) | 2017-11-16 | 2023-06-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치, 온도 제어 방법 및 온도 제어 프로그램 |
JP2021524670A (ja) * | 2018-05-24 | 2021-09-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 空間分解ウエハ温度制御のための仮想センサ |
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