JP6541406B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6541406B2 JP6541406B2 JP2015086682A JP2015086682A JP6541406B2 JP 6541406 B2 JP6541406 B2 JP 6541406B2 JP 2015086682 A JP2015086682 A JP 2015086682A JP 2015086682 A JP2015086682 A JP 2015086682A JP 6541406 B2 JP6541406 B2 JP 6541406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing chamber
- pipe
- mass flow
- flow controller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
前記処理室内に配置され前記被処理物を載置するための試料台と,
前記処理室に第1ガスと第2ガスを含む複数の処理ガスを供給するガス供給装置と,
前記処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と,
前記ガス供給装置を制御するガス供給制御装置と,を有し,
前記ガス供給装置は,
第1マスフローコントローラと前記処理室側に配置された第1ストップバルブとを備えた第1ガス用の第1配管と,
第2マスフローコントローラと前記処理室側に配置された第2ストップバルブとを備えた第2ガス用の第2配管とを含み,
前記ガス供給制御装置は,
時刻T1において前記処理室に供給する第1ガスを第2ガスに切り替える際に,
時刻T1よりもTc秒前に前記第2ストップバルブを閉としたまま前記第2マスフローコントローラを所定の流量値に設定し,
時刻T1において前記第2ストップバルブを開とするように制御するものであることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
前記処理室内に配置され前記被処理物を載置するための試料台と,
前記処理室に第1ガスと第2ガスを含む複数の処理ガスを供給するガス供給装置と,
前記処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と,
前記ガス供給装置を制御するガス供給制御装置と,を有し,
前記ガス供給装置は,
第1マスフローコントローラと前記処理室側に配置された第1ストップバルブとを備えた第1ガス用の第1配管と,
第2マスフローコントローラと前記処理室側に配置された第2ストップバルブと圧力計を備えた第2ガス用の第2配管とを含み,
前記ガス供給制御装置は,
時刻T1において前記処理室に供給する第1ガスを第2ガスに切り替える際に,
時刻T1よりもTc秒前に前記圧力計により前記第2配管内の圧力を計測し,その計測値に基づいて求めたガス充填開始の遅れ時間T2秒だけTc秒から遅れて前記第2ストップバルブを閉としたまま前記第2マスフローコントローラを所定の流量値に設定し,
時刻T1において前記第2ストップバルブを開とするように制御するものであることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
Claims (3)
- プラズマを用いて被処理物が処理される処理室と、
前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、
前記被処理物が載置される試料台と、
第1ガスと第2ガスを含む処理ガスを前記処理室に供給するガス供給装置と、
前記ガス供給装置を制御する制御装置と、を備え、
前記ガス供給装置は、第1マスフローコントローラと前記第1マスフローコントローラよ
り前記処理室側に配置された第1バルブとが配置され前記第1ガスが流れる第1配管と、
第2マスフローコントローラと前記第2マスフローコントローラより前記処理室側に配置
された第2バルブとが配置され前記第2ガスが流れる第2配管と、を具備し、
前記制御装置は、前記処理室に供給するガスを時刻T1に前記第1ガスから前記第2ガス
に切り替える場合、前記T1よりもTc秒前に前記第2バルブを閉とした状態で前記第2
マスフローコントローラを所定の流量値に設定し、前記第2バルブを前記T1に開とし、
前記第1配管と前記第2配管は、第3配管を介して前記処理室に接続され、
前記Tcは、プラズマの発光を用いて求められることを特徴とするプラズマ処理装置。 - プラズマを用いて被処理物が処理される処理室と、
前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、
前記被処理物が載置される試料台と、
第1ガスと第2ガスを含む処理ガスを前記処理室に供給するガス供給装置と、
前記ガス供給装置を制御する制御装置と、を備え、
前記ガス供給装置は、第1マスフローコントローラと前記第1マスフローコントローラより前記処理室側に配置された第1バルブとが配置され前記第1ガスが流れる第1配管と、
第2マスフローコントローラと前記第2マスフローコントローラより前記処理室側に配置された第2バルブとが配置され前記第2ガスが流れる第2配管と、を具備し、
前記制御装置は、前記処理室に供給するガスを時刻T1に前記第1ガスから前記第2ガスに切り替える場合、前記T1よりもTc秒前に前記第2バルブを閉とした状態で前記第2マスフローコントローラを所定の流量値に設定し、前記第2バルブを前記T1に開とし、
前記第1配管と前記第2配管は、第3配管を介して前記処理室に接続され、
前記Tcは、前記処理室の圧力が所定の値となるように前記第2ガスを前記処理室に供給した時における、前記第3配管および前記処理室を満たすのに必要な前記第2ガスの量を用いて求められ、
前記第2配管の容積は、前記T1における前記第2配管内の圧力が前記第2マスフローコントローラの動作範囲の圧力を超えない容積であるとともに前記第2ガスの流量と前記Tcに基づいて30〜3000mm3の範囲内から選択された容積であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - プラズマを用いて被処理物が処理される処理室と、
前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、
前記被処理物が載置される試料台と、
第1ガスと第2ガスを含む処理ガスを前記処理室に供給するガス供給装置と、
前記ガス供給装置を制御する制御装置と、を備え、
前記ガス供給装置は、第1マスフローコントローラと前記第1マスフローコントローラより前記処理室側に配置された第1バルブとが配置され前記第1ガスが流れる第1配管と、
第2マスフローコントローラと前記第2マスフローコントローラより前記処理室側に配置された第2バルブとが配置され前記第2ガスが流れる第2配管と、を具備し、
前記制御装置は、前記処理室に供給するガスを時刻T1に前記第1ガスから前記第2ガスに切り替える場合、前記T1より(Tc−T2)秒前、前記第2バルブを閉とした状態で前記第2マスフローコントローラを所定の流量値に設定し、前記第2バルブを前記T1に開とし、
前記第1配管と前記第2配管は、第3配管を介して前記処理室に接続され、
前記Tcは、前記処理室の圧力が所定の値となるように前記第2ガスを前記処理室に供給した時における、前記第3配管および前記処理室を満たすのに必要な前記第2ガスの量を用いて求められ、
前記T2は、前記第2マスフローコントローラを用いて前記第2配管を充填した場合の充填圧力の時間変化と、ガス供給開始前の待機時間中に前記第2マスフローコントローラから漏れ出したガスによる前記第2配管内の圧力が前記T1より前記TC秒前に検知された前記第2配管内の圧力であった場合の充填圧力の時間変化と、前記第2配管の充填圧力の目標値と前記T1より前記TC秒前に検知された前記第2配管内の圧力との差と、を用いて求められることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015086682A JP6541406B2 (ja) | 2015-04-21 | 2015-04-21 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015086682A JP6541406B2 (ja) | 2015-04-21 | 2015-04-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016207409A JP2016207409A (ja) | 2016-12-08 |
JP2016207409A5 JP2016207409A5 (ja) | 2018-02-01 |
JP6541406B2 true JP6541406B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=57490144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015086682A Active JP6541406B2 (ja) | 2015-04-21 | 2015-04-21 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6541406B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7296854B2 (ja) * | 2019-11-07 | 2023-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070066038A1 (en) * | 2004-04-30 | 2007-03-22 | Lam Research Corporation | Fast gas switching plasma processing apparatus |
JP4782585B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-09-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置及び方法 |
JP5235293B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給機構および処理ガス供給方法ならびにガス処理装置 |
JP5442413B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2014-03-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置および流量制御装置 |
JP6027490B2 (ja) * | 2013-05-13 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスを供給する方法、及びプラズマ処理装置 |
-
2015
- 2015-04-21 JP JP2015086682A patent/JP6541406B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016207409A (ja) | 2016-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7989364B2 (en) | Plasma oxidation processing method | |
JP4928893B2 (ja) | プラズマエッチング方法。 | |
KR100237587B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치 | |
JP4280686B2 (ja) | 処理方法 | |
US20080154422A1 (en) | Control Method for plasma etching apparatus | |
KR101674008B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP2007281225A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2009054818A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および終点検出方法 | |
TW202040688A (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
TW201926402A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
JP2018160550A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2019161157A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
KR20060100452A (ko) | 인 시츄 기판 온도 모니터링을 위한 방법 및 장치 | |
JP3660582B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置 | |
JP6541406B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6851510B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2010192750A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2011155044A (ja) | 真空処理装置 | |
CN113498546B (zh) | 等离子处理装置以及等离子处理方法 | |
TWI758449B (zh) | 檢查流量控制器之方法及處理被處理體之方法 | |
JP6318027B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6560071B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2011166167A (ja) | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 | |
JP5913817B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH08288274A (ja) | Ecrプラズマによる乾式薄膜加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171213 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181023 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6541406 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |