TW201926402A - 電漿處理裝置及電漿處理方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種電漿處理裝置或電漿處理方法，使處理的效率提升。 　　[解決手段]一種電漿處理裝置，利用電漿處理前述晶圓；其中，前述處理為具備2個處理步驟與此等之間的連接步驟者，該電漿處理裝置具備：在處理步驟中對處理室內供應處理用的氣體的第1氣體供應單元及在連接步驟中對處理室內供應連接步驟用的氣體的第2氣體供應單元、在2個處理步驟及連接步驟之間的過渡之際就來自第1氣體供應單元的處理用的氣體及來自第2氣體供應單元的連接步驟用的氣體的往處理室的供應進行切換的氣體切換單元、將在連接步驟中供應的連接步驟用的氣體的流量調節為視為與在2個處理步驟之中後面的處理步驟中供應的處理用的氣體的供應量相等的流量的控制部。

Description

電漿處理裝置及電漿處理方法
本發明涉及一種電漿處理裝置及電漿處理方法，就配置於真空容器內部的處理室內的半導體晶圓等的基板狀的樣品，透過利用供應至該處理室內的氣體而形成的電漿進行處理，尤其涉及一種電漿處理裝置及電漿處理方法，切換供應至處理室內的不同的組成的處理用的氣體而處理樣品。
量產而製造半導體裝置的程序中自歷來進行：將半導體晶圓等的基板狀的樣品配置於減壓的真空容器內部的處理室內，利用形成於該處理室內的電漿進行既定的處理如蝕刻處理。隨著近年來的半導體裝置的電路日益微細化，對利用上述電漿下的處理如蝕刻處理要求的加工的精度正從nm級移往Å級。
為了實現對利用電漿下的樣品的處理的如此的要求，思考以下情形：進行將不同的條件的前後2個處理的程序(步驟)從一方至另一方接續進行處理，再者進行將此等步驟反復複數次而實施的處理，縮短有助於樣品表面的膜構造中的作成處理對象的膜層的蝕刻的步驟個別的時間，從而謀求處理的控制性的提升。另一方面，在如此的供於處理樣品用的複數步驟彼此之間進行電漿的消失與形成時，電漿的點火與穩定方面需要時間，故為了更加縮短處理整體的時間，進行在前步驟至後步驟中保持連續形成電漿下予以轉移。
然而，如此般連續進行電漿的形成(放電)的情況下，前步驟與後步驟之間，氣體的種類、供應的量、壓力等的處理的條件被變更的影響及於前後的步驟，成為產生處理的再現性、機差如此的問題。
用於解決如此的問題的歷來的技術方面，例如已知揭露於日本特開2007-287924號公報(專利文獻1)者。於本例已揭露：電漿處理裝置在真空容器內部的被減壓的處理室內，在使用不同的種類、組成的蝕刻氣體的步驟間，持續放電，進行在前後的處理的步驟彼此之間具備利用惰性氣體持續放電的過渡步驟的處理，意欲從而抑制包含前後的處理的步驟的邊界的前後的期間摻雜不同的蝕刻氣體所致的不良影響，抑制上述再現性、機差。
此外，於日本特開2008-091651號公報(專利文獻2)已揭露：在配置於處理室之上部而構成其頂面並配置處理用的氣體被導入的導入孔的噴灑板，具有使氣流量、氣體壓力再現性佳地高速且平順地將氣體導入處理室用的氣體線路與供於往乾式泵浦排氣用的氣體線路，將其等透過閥進行切換，從而實現處理氣體的高速控制。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-287924號公報 　　[專利文獻2]日本特開2008-091651號公報
[發明所欲解決之問題]
上述的先前技術方面由於在以下方面考慮不充分因而產生問題。
亦即，上述的先前技術係在使用惰性氣體的過渡步驟時，以1個質流控制器(氣流量或速度的調節器)，以成為前步驟的壓力條件的方式匹配流量後，以該質流控制器進行流量的變更，進行予以匹配下個步驟的壓力條件。在此情況下，為了以1個質流控制器進行流量的變更，該流量被變更之後的配管內部的壓力整定為止的時間會變長。由此，分別以不同的氣體的流量的大小進行處理的複數個處理的程序接續實施的處理中，即便使用相同的種類的氣體，仍產生如下問題：為了變更在前後的2個程序所供應的氣體的量所使用的時間(過渡步驟)在該處理整體所需的時間最長等的該步驟時間對處理時間產生最大的影響(控速)的情況下，該過渡步驟變長時，處理整體所需的時間變長，損及樣品的處理的每單位時間的個數(所謂處理量)、處理的效率。
為了減低此等氣體的供應量的變更所需的時間，考量以下：具備被調節為前後步驟個別的條件的氣體的供應手段，在各個步驟切換對應的氣體的供應手段而供應氣體，從而以比進行1個氣體的供應的條件的變更所需的時間短的時間切換氣體的供應的條件。例如，在前後的不同的處理的步驟變更氣體的流量的情況下，具備2個氣體的供應路徑與配置於各者之上的質流控制器，在前面進行的步驟中，從其中一個氣體的供應路徑以其中一個供應的條件進行供應，同時從其中一個氣體的供應路徑斷開的狀態下的另一方的氣體的供應路徑上的質流控制器預先將流量調節為在後面的步驟的條件，前面的步驟結束，在下個步驟的開始前，將氣體的供應路徑從一方切換至另一方，使得比起一般而言流量的變更方面需要時間的使用1個質流控制器的情況，能以短時間切換氣體的供應。然而，於如此之情況下，一個處理室內即便供應相同的種類的氣體，只要流量不同，質流控制器需要複數個，裝置的製造成本增加，或比歷來需要供於收納質流控制器用的空間，故產生裝置的占有面積增大如此的問題。
此外，上述先前技術係為了以高速切換被供應的氣體的流量、壓力，具備氣體供應單元，該氣體供應單元具有該氣體被供應至處理室的供應用的氣體線路、與配置於真空容器外部的排氣泵浦連通並將氣體未被供應至處理室而被排氣的排氣用的氣體線路，依處理室內的處理的條件，進行以閥切換從氣源經過質流控制器的氣體的供應的調節。然而，在氣體供應單元內，於使用複數個氣體種類的條件進行切換的情況下，以閥將從混合的氣體流於排氣用的氣體線路的狀態切換為流於供應用的氣體線路之際，被切換並供應至處理室的氣體係配合處理室內的條件被混合，故在此情況下在氣體線路內發生壓力的變動，從實際上應供應至處理室的條件發生偏差，處理的結果變成容許範圍外者，或為了防止此情形而使往處理室內的導入待機直到壓力穩定而符合所求的條件的情況下，反而產生切換所需的時間變長、損及處理的效率的問題。
此外，為了使在過渡步驟中的腔室內的壓力及可變導閥的開度的值成為與下個步驟的開始時或步驟中者相同，就在過渡步驟中供應至處理室內的惰性氣體的流量進行調整，惟在過渡步驟中或往下個步驟的轉移之際，供應至處理室內的氣體從惰性氣體切換至處理用的氣體之際，因氣體的種類或組成的變化使得從質流控制器至噴灑板為止的氣體線路內的流動產生變動。為此，在上述先前技術中並未考量有關以下問題：即使在過渡步驟中使壓力匹配下個步驟者，在從過渡步驟至下個步驟的過渡或切換之際，腔室內的壓力仍發生變動，氣體的流量亦與所望者產生偏差，對下個步驟的處理造成不良影響，損及樣品的處理的良率。
本發明之目的在於提供一種電漿處理裝置或電漿處理方法，以短時間變更供應至處理室內的氣體的條件，使處理的效率提升。或者，在於提供一種電漿處理裝置或電漿處理方法，使處理的良率提升。 [解決問題之技術手段]
上述目的透過以下而達成：一種電漿處理裝置，具備：處理室，其配置於真空容器內部，在減壓的內側形成電漿；樣品台，其配置於此處理室的下方，作為處理的對象的晶圓載置而保持於其上表面；其中，利用前述電漿處理前述晶圓；前述處理為具備2個處理步驟與此等之間的連接步驟者，前述電漿處理裝置具備：在前述處理步驟中對前述處理室內供應前述處理用的氣體的第1氣體供應單元及在連接步驟中對前述處理室內供應連接步驟用的氣體的第2氣體供應單元、在前述2個處理步驟及前述連接步驟之間的轉移之際就來自前述第1氣體供應單元的處理用的氣體及來自第2氣體供應單元的連接步驟用的氣體的往處理室的供應進行切換的氣體切換單元、將在前述連接步驟中供應的前述連接步驟用的氣體的流量調節為視為與前述2個處理步驟之中在後面的處理步驟中對前述處理室供應的前述處理用的氣體的供應量相等的流量的控制部。 [對照先前技術之功效]
依本發明時，可減低屬在短時間步驟時中的課題的處理性能的再現性不良化、機差。此外，就在過渡步驟中從噴灑板至質流控制器為止的處理氣體線路的流動，以惰性氣體模擬處理氣體，可事前進行穩定化，故可抑制實際處理氣體切換時的處理氣體線路的變動及因此所致的腔室內壓力變動，實現短時間步驟。
本實施方式相關的電漿處理裝置具備以下構成：具備氣體供應單元，該氣體供應單元具有氣體被供應至處理室的供應用的氣體線路、與配置於真空容器外部的排氣泵浦連通並將氣體未被供應至處理室而被排氣的排氣用的氣體線路，依處理室內的處理的條件，就從氣源經由質流控制器下的氣體的供應，以具備於氣體供應單元的至少1個閥進行切換。
然而，在如此之構成方面，在氣體供應單元內，於使用複數個氣體種類的條件進行切換的情況下，將在以閥從混合的氣體流於排氣用的氣體線路的狀態切換為供應用的氣體線路之際所切換的供應至處理室的氣體配合處理室內的條件而混合時，在此情況下在氣體線路內發生壓力的變動，與實際上應供應至處理室的條件產成偏差，具有處理的結果成為容許範圍外者之虞。再者，為了防止此，待機往處理室內的導入直到符合氣體的壓力穩定而求出的條件為止時，反而產生切換所需的時間變長、損及處理的效率的問題。
此外，上述的壓力的變動受將閥開閉之際的響應性的變異性影響。為了抑制如此的變異性，可考慮先將以乾式泵浦進行排氣之側的氣體線路的閥如電磁閥關閉，惟將電磁閥開閉的速度依存於將如此的閥與閥連接的管路的長度、粗度等的尺寸，實際的裝置存在耗費接近0.2秒(以下s)者。在歷來的技術，未考量閥的開或閉的動作所需的時間、閥與對其發送動作指令的信號的控制裝置之間的通訊所需的時間。
供通訊用的時間具有0.1s～0.2s程的變異性，故需要取考量動作所需的時間及通訊所需的時間的變異性後的餘裕時間(餘裕)而發出指令，在某些情況下，在比開或閉的動作結束的期望的時刻0.5s程度之前，閥進行開或閉，在引起該情況下的集結塊內的壓力上升的壓力變動成為課題。
此外，在任意的氣體線路上切換氣體的供應的時刻0.5s以上之前將閥關閉，再者，需要考量接著流通的氣體的質流控制器的啟動時間與閥被關閉的氣體線路內的閥閉後至壓力整定為止的時間作為餘裕，例如此等分別為1s的情況下，透過切換使氣體新流通的氣體線路中需要比切換氣體的所望的時刻的2.5s以上之前使氣體開始流動。在先前技術，由於如此的理由，能以較短的時間對處理室內將氣體切換而供應的技術的實現成為課題。
此外，進行氣體線路的開閉的閥方面使用直接地安裝電磁閥者，使得能以更短時間，以例如15ms程度，切換在線路間的氣體的供應，惟除將電磁閥直接安裝於閥之部分的氣體供應單元內的占有空間變大以外，伴隨其之一個閥的成本上升成為問題。
此外，在電漿處理裝置中，要達成為了提高基於樣品的處理的加工的精度而在處理室內響應性佳地實現期望的處理的條件的課題，至來自包含質流控制器及將配置其之氣體線路進行開閉的閥的氣體供應單元的真空容器或其內部的處理室的入口的處理用的氣體線路的長度優選上較短，為此優選上使氣體供應單元主體接近處理室。然而，在近年來的電漿處理裝置，使用複數個種類的氣體，尤其將樣品儲存、配置於處理室內後，應付在不取出樣品下接續進行不同的條件的多數個步驟的處理的要求，具備作成可導入多數個種類的氣體的體積大的氣體供應單元，將如此的構件的單元配置於接近真空容器的位置困難大，在實際的電漿處理裝置需要1m程度或其以上的長度的配管。
此外，切換供應至處理室內的氣體而進行處理的情況下，被切換而供應至處理室內的不同的組成的複數個處理用氣體的流量及處理室內的壓力以外的其他處理的條件方面，其再現性、與在真空容器內部具有處理室的其他處理單元的機差成為問題。例如，成為處理的條件的參數方面，舉例電漿生成用的微波電力的整合、供應至形成磁場的線圈的電流量、將偏壓形成用的高頻電力供應至樣品的情況下該電力的整合等。
此外，此等參數係分別相對於使其值增減的指令信號的輸入具有不同的過渡響應時間，此等成為予以產生再現性的不良化、機差的因素。例如，在先前技術相關的電漿處理裝置，一般而言微波電力的整合所需的時間最大需要0.2s程度，線圈的電流的瞬態響應中的整定所需的時間最大需要2s程度，偏壓用的高頻電力的整合方面應需要0.5s程度的時間。在電漿處理裝置中，分別配合斷續而接續實施的不同的條件的處理步驟，將往處理室供應的不同的流量或組成的氣體進行切換，縮短就樣品進行處理的處理的各步驟間的過渡的期間時，相對於步驟間的過渡程序的期間的上述參數的過渡響應時間的比例增大，並且瞬態響應及於後面的步驟的開始時，不以期望的處理的條件開始處理，存在處理的條件或加工後的形狀的再現性不良化、機差增大之虞。
本發明的實施方式係一種電漿處理裝置，具備：處理室，其配置於真空排氣裝置連接於下部的真空容器內部，內外被氣密地密封；介電體窗，其構成真空容器上部的蓋體，形成電漿用的電場穿透；樣品台，其配置於處理室的下方，可將作為被處理材料的半導體晶圓等的基板狀的樣品載置於其上表面；噴灑板，其在介電體窗的下方構成處理室的頂面，與樣品台之上表面相向而配置；氣體供應單元，其與配置於噴灑板的氣體導入孔連結，對處理室內供應處理用的氣體；電場導入部，其導入從該介電體窗穿透的電場；磁場形成部，為了與電場產生相互作用而產生電漿，形成供應至處理室內的磁場；其中，利用電漿就樣品進行蝕刻處理。再者，該電漿處理裝置在從氣體供應單元經由噴灑板往減壓處理室供應處理氣體的1個氣體供應線路上，具備切換為從氣體供應單元的流量或組成不同的複數個氣體而供應的切換機構。
氣體切換機構具備：氣體導入線路，其與真空容器內部的處理室連結而連通；1個蝕刻氣體線路，其與氣體導入線路連結而連通，蝕刻處理用氣體朝處理室流通；1個連接氣體導入線路，其在處理的複數個步驟間的步驟(過渡步驟)供應至處理室的連接氣體朝處理室流通；1個捨棄氣體線路，其將連接氣體導入線路及蝕刻氣體線路分別與粗抽排氣線路之間進行連結而連接；將來自蝕刻氣體線路的蝕刻氣體的供應與來自連接氣體線路的連接氣體的供應，4個閥，其在氣體導入線路及排氣線路之間進行切換。再者，優選的實施方式具備：就氣體導入線路與其內側的壓力進行檢測的壓力計、就捨棄氣體線路內的壓力進行檢測的壓力計、配置於捨棄氣體線路上的可變導閥、以在氣體導入線路內與捨棄氣體線路內使壓力相等的方式調節可變導閥的動作的壓力控制器。
在本實施方式，在利用氣體切換機構夾著過渡步驟斷續地以不同的條件所實施的2個步驟分別開始前的連接步驟中，使在各步驟使用的種類、組成或流量的氣體預先流通於捨棄氣體線路而排氣，作為使蝕刻氣體線路的內的流動穩定的狀態(固定的狀態)，且將該捨棄氣體線路的壓力進行調節而作成與氣體導入線路內的壓力相等。藉此，在各步驟的開始之際，將導入氣體導入線路的氣體切換為從蝕刻氣體線路的氣體之際，從氣體導入線路以及處理室頂面的噴灑板的氣體導入孔所導入的蝕刻氣體的流量、處理室內的壓力的變動被減低，實現平順或以短時間的改連，可開始下個處理步驟，處理的效率與處理後的加工形狀的精度提升。
此外，氣體切換機構係氣流的方向上，蝕刻氣體線路上的切換用的閥至氣體導入線路上的壓力計的配管長度及徑分布設計為與從切換用的閥部至捨棄氣體線路上的壓力計者相等。於此構成，就在連接步驟中供應的連接氣體的流量在考量氣體種類的特性下進行校正，使得可模擬下個處理步驟的氣流，在連接步驟期間中在蝕刻氣體線路內使該模擬的氣體的流動穩定化，使得在下個步驟的開始之際的氣體的切換後的氣體導入線路或處理室內的壓力穩定(整定)為止的時間縮短。
此外，氣體切換機構亦可配置於其他處而非氣體供應單元的內部。藉此，可使用將容積大的電磁閥安裝於閥的高速切換用的閥，無須在考量閥的響應延遲下使開閉的切換時點偏差，可實現切換步驟的短時間化。
此外，在前後的處理步驟使用同種的氣體或相同的流量的情況下亦可實現處理步驟間的連接步驟的短時間化。另外，氣體供應單元內成為如歷來的動作，故無須將氣體供應單元內的閥置換為高價的高速切換用的閥，此外僅氣體切換機構部使用高速切換用閥即可，故可將製品成本抑制為低。
此外，在氣體供應單元與處理室之間配置氣體切換單元，使得即便使用複數個種類的氣體的情況下，在複數種類的氣體被混合的處理用的氣體從蝕刻氣體線路流通於捨棄氣體線路的情況下，仍在使該氣體的流動穩定後進行氣體的切換。為此，如先前技術般在氣體的切換之際不會再度氣體混合，抑制在該情況下產生的在氣體導入線路的壓力的變動。
於本實施方式相關的電漿處理裝置進行處理的樣品的程序係更詳細而言具備：構成該處理的程序的2個處理步驟A及處理步驟B、在此等間作為連接步驟而實施的過渡步驟。在過渡步驟，供於在樣品上表面形成偏壓電位用的高頻電力被停止(OFF)，對於下個處理步驟B的處理的條件，調節為符合微波電力、往線圈供應的電流的量、處理室內的壓力等的參數，同時作為處理步驟B的處理的條件的所供應的1個種類的氣體或複數種類者被混合的處理用的氣體的流量或由複數種類構成的情況(包含各種類的氣體的流量比、分壓)下，在考量組成的差異下以黏性進行校正的同等流量的Ar等的稀有氣體(惰性氣體)被切換為氣體導入線路而供應，導入處理室內。
在過渡步驟中，微波電力、往線圈的電流量、處理室內的壓力、氣體的流量、線路內部的壓力等的參數被從前面的處理步驟A者變更為下個處理步驟B者。藉此，可減低對於微波電力的整合、供應至線圈的電流值的整定所需的時間、此等之瞬態響應對下個處理步驟B賦予的再現性、機差的不良影響。此外，對於偏壓電位形成用高頻電力的整合，被調節為，配置於偏壓電位形成用的高頻電源與樣品台內部的電極之間的供電路徑上的偏壓電力的整合(匹配)電路的匹配值，在該高頻電力停止(OFF)的狀態之間預先匹配於下個處理步驟B的匹配值。
以下，就本發明的實施方式利用圖式進行說明。
[實施例1] 　　以下，就本發明的實施例，利用圖1～圖8進行說明。
圖1係示意性就本發明的實施例相關的電漿處理裝置的構成的概略進行繪示的圖。尤其，本實施例相關的電漿處理裝置係一電漿蝕刻處理裝置，利用電漿進行預先形成於半導體晶圓等的基板狀的樣品上表面的具有包含遮罩層的膜構造所含的作為處理對象的膜層的膜構造的蝕刻，該電場係從上方的介電體製的窗予以穿透其而導入該處理室內的微波者，該磁場係透過包圍處理室之上方及側方周圍而配置於外側的螺線管線圈等的電磁鐵而形成的供應至處理室內者，該電漿係就供應至處理室內的處理用的氣體，利用電場與磁場的相互作用進行ECR(Electron Cyclotron Resonance)，使導入至處理室內的處理用氣體的原子或分子激發、解離而生成者。
圖1係示意性就本發明的實施例相關之電漿處理裝置的構成的概略進行繪示的縱剖面圖。此圖中，電漿處理裝置具備：真空容器1，其具有圓筒形或近似於視為其之程度的形狀，其圓筒形之側壁之上部開放；排氣裝置，其具有在真空容器1下方與其底面連接而配置的渦輪分子泵浦20與可變導閥18；電漿形成部，配置於真空容器1之上方及側方，在真空容器1內部的處理室4內，形成為了在該處理室4內形成電漿而供應的電場及磁場。
真空容器1具備載於其上部的圓筒形側壁之上端部上方而構成真空容器1的介電體(例如石英)製的圓板形狀的介電體窗3，介電體窗3使其外周緣部的背面與前述側壁之上端部上表面相向，在此等之間夾著O形環體等的密封構材而載於其上，將從上下按壓密封構材使得夾著密封構材的內側的被減壓的處理室4與外側的被作成大氣壓的環境之間氣密地密封。
此外，在真空容器1內部的圓筒形之側壁的內側配置處理室4，該處理室與排氣裝置連通，透過該排氣裝置的動作而被減壓，作為形成利用處理氣體下的電漿的空間。在介電體窗3的下方，配置構成處理室4的頂面的石英等的介電體製的具有圓板形狀的噴灑板2。在噴灑板2之中央部配置複數個供於對處理室4內導入處理用氣體用的貫通孔。
在噴灑板2與介電體窗3之間配置上下被透過此等夾住的空間。在真空容器1外部配置將氣體供應至處理室4的氣體供應單元16，與前述空間內部經由包含配管的氣體導入線路24連通，與真空容器1連結。以氣體供應單元16調節流量或速度而供應的氣體通過氣體導入線路24，流入空間，在此內部擴散後，通過噴灑板2的貫通孔，導入處理室4內。
在真空容器1之上方及側方配置用於在處理室4內生成電漿的電漿形成部，該電漿形成部包含形成電場的電場形成部及形成磁場的磁場形成部。電場形成部具備：導波管6，配置於介電體窗3之上方，傳播微波的電場；圓筒形的空腔共振部，在導波管6的下端部下方，以介電體窗3上表面為底面而配置於上方，被導入來自導波管6的電場。
導波管6具備：具有圓筒形的圓形導波管部，下部係其軸延伸於上下方向；剖面矩形狀的方形導波管部，其一端側部分與此圓形導波管上端部連接，其軸延伸於水平方向。在方形導波管部的另一端部配置微波產生用電源8，用於振盪而形成往導波管6內傳送的微波的電場。
本實施例中的在導波管6傳播的電場的頻率運用2.45GHz的微波，惟不特別限定。微波的電場在方形導波管部的另一端部被振盪而形成，傳播於水平方向，在一端部使方向改變為向下，在圓形導波管部朝下方傳播，導入空腔共振部7，在此空腔共振部7內擴散，被激振特定的模式，穿透介電體窗3及噴灑板2，被從處理室4之上方導入。
在處理室4的外周部，亦即在介電體窗3之上方及真空容器1的圓筒狀部分之側壁的外周側，作為磁場形成部，配置被供應直流電流的螺線管線圈9。導入處理室4內的電場、從被供應直流電流的螺線管線圈9形成而導入處理室4內的磁場，在處理室4內予以產生因相互作用所致的ECR，導入處理室4內的氣體的原子或分子激發或解離，在處理室4內的噴灑板2的下方的空間生成電漿。
在處理室4的下方，亦即在噴灑板2下表面下方，配置使其上表面相向而配置的樣品台10。此樣品台10具有大致圓筒形狀，被構成為，在其上表面，亦即在載置作為處理對象的晶圓11的面，配置透過熱噴塗法而形成的介電體製的膜(圖示省略)，經由高頻濾波器14連接直流電源15而可對於配置於該介電體的膜內部的至少1個膜狀的電極供應直流電力。再者，被構成為，在樣品台10的內部，配置圓板或圓筒狀的導體製的基材，該基材經由匹配電路12連接高頻電源13而可供應高頻電力。
在真空容器1的下方，配置構成真空排氣裝置的可變導閥18與其下方的渦輪分子泵浦20，具備與渦輪分子泵浦20的出口透過排氣用配管連結而連通的乾式泵浦19。在真空容器1內的處理室4的底面，在樣品台10的下方，配置真空排氣口5，具有圓形，其中心配置於與上方的樣品台10的軸一致或近似於視為其之程度的位置，與可變導閥18之間經由排氣用配管而連結，因應於基於可變導閥18的動作下的開度的增減，調節流入渦輪分子泵浦20的處理室4內的氣體、反應生成物的粒子的流量。
再者，在本實施例，在氣體供應單元16與連結於真空容器1的氣體導入線路24之間配置蝕刻氣體線路22，其與此等連結而連通，從氣體供應單元16供應至氣體導入線路24的處理用氣體在內部流通。再者，如後述，氣體導入線路24經由過渡步驟氣體線路110而與過渡步驟氣體供應單元105連結而與其連通，配置從過渡步驟氣體源117供應至氣體導入線路24的過渡步驟氣體在內部流通的過渡步驟氣體線路110。
再者，具備：排氣線路21，其將真空排氣裝置的渦輪分子泵浦20與粗抽用的乾式泵浦19之間連結而使前者的出口與後者的入口連通；捨棄氣體線路23，其分別將蝕刻氣體線路22及過渡步驟用氣體線路110與排氣線路21之間連結而連通，將來自蝕刻氣體線路22及過渡步驟用氣體線路110的氣體導入排氣線路21。然後，配置氣體切換單元100，其配置於蝕刻氣體線路22及過渡步驟用氣體線路110上以及將此等與捨棄氣體線路23連結而連通的氣體線路上。
於如此的電漿處理裝置，載於機械臂等的搬送用裝置的臂件的頂端部的晶圓11在搬送室被搬送而搬入處理室4內，其中，該臂件係配置於連結在未圖示的真空容器1之側壁並具有被減壓的搬送室的真空搬送容器的該搬送室的內部。晶圓11被傳遞至樣品台10而載於其上表面時，被利用從直流電源15施加的直流電壓的靜電力吸附而保持於樣品台10上。
在此狀態下，於處理室4內，處理室4內的粒子被透過渦輪分子泵浦20的動作從真空排氣口5排出，同時從氣體供應單元16供應既定的處理用氣體，在本例係供應蝕刻氣體。處理室4內部的壓力係如下者：未圖示的控制部接收來自就處理室4的壓力進行檢測的壓力計17的輸出而檢測出壓力，依檢測結果對氣體供應單元16內的質流控制器及可變導閥18發送指令信號，透過此等動作的平衡而調節為適於處理的範圍內的值。
之後，電場及磁場供應至處理室4內，在樣品台10及噴灑板2之間的處理室4內的空間形成利用蝕刻氣體下的電漿。在形成該電漿的狀態下，對樣品台10內的電極從高頻電源13施加高頻電力，在晶圓11上方形成偏壓電位，電漿中的離子等帶電粒子被引入至晶圓11表面，進行配置於晶圓11表面上的作為處理對象的膜的蝕刻處理。在本實施例，蝕刻處理係利用混合複數個種類的氣體的蝕刻氣體而實施，斷續而反復實施複數個步驟，該複數個步驟係分別使用組成不同的複數種類的混合氣體，亦即複數個氣體的各種類的流量、此等之混合的比例(包含0％)不同。再者，本實施例的蝕刻處理具備將此等複數個步驟的前後的2個步驟之間連接的過渡步驟。
透過未圖示的控制部檢測出蝕刻處理的終點時，依來自控制部的指令信號而停止來自高頻電源的偏壓形成用的高頻電力的供應，同時電漿被消除化。再者，將晶圓11吸附於樣品台10的介電體製的膜上的靜電力被除去，傳遞至進入處理室4內的機械臂等的搬送裝置的晶圓11透過搬送裝置的退出而被搬出至處理室4外部的搬送室，存在別的晶圓11時，該別的晶圓11被搬入處理室4內而被與上述同樣地處理。控制部判定為無應處理的晶圓11的情況下，該處理室4與搬送室之間被閉塞，利用包含處理室4的真空處理單元下的處理晶圓11的處理用的模式下的運轉被停止，依所需以用於保養檢查的維護模式進行運轉。
接著，說明有關具高速氣體切換機構的氣體切換單元100。
氣體切換單元100具備：第1閥101，其設於蝕刻氣體線路22上；第1旁通線路103，其在氣體供應單元16與第1閥101之間的蝕刻氣體線路22上之處和捨棄氣體線路23之間與此等連結而連通，用於使從氣體供應單元16供應的處理用氣體從排氣線路23流向乾式泵浦19而排氣；第2閥102，其設於第1旁通線路103上。
再者，於氣體切換單元100具備：第3閥111，其配置於過渡步驟氣體線路110上，該過渡步驟氣體線路用於在晶圓11的處理中的前後2個步驟之間進行的過渡步驟中，對於處理室4內導入氬等的稀有氣體或惰性氣體；第2旁通線路113，其在過渡步驟氣體供應單元105與第3閥之間的過渡步驟氣體線路110上之處和捨棄氣體線路23之間與此等連結而連通，用於使來自過渡步驟氣體供應單元105的過渡步驟氣體從排氣線路23流向乾式泵浦19而排氣；第4閥112，其設於第2旁通線路113上。另外，本實施例的過渡步驟氣體供應單元105具備過渡步驟氣體用質流控制器4，其配置於與過渡步驟氣體線路110連結而連通的過渡步驟氣體源117及過渡步驟氣體線路110上，就在內部流通的過渡步驟氣體的流量或速度進行調節。
此外，在氣體導入線路24上配置壓力計104，且在捨棄氣體線路23上，亦即在與排氣線路21的連結部和與第1旁通線路103及第2旁通線路113的連結部之間之處配置壓力計131。於本實施例，從配置於蝕刻氣體線路22上的與第1旁通線路103的連結部，通過蝕刻氣體線路22至氣體導入線路22上的壓力計104為止及從同連結部通過第1旁通線路103至捨棄氣體線路上的壓力計131為止的各氣體線路係構成為，構成該線路之配管的長度及配管的形狀亦即屬剖面圓形的配管的情況下，在通過其直徑或半徑的圓形之中心的垂直的軸方向上的值的大小的變化(分布)成為相同。以下，將該連結部稱呼為蝕刻氣體線路切換部25。
再者，在捨棄氣體線路23上配置可變導閥132。此可變導閥132其開度依來自控制部的指令信號而增減，以使壓力計131的值成為與壓力計104相同的值的方式，亦即以氣體導入線路24內部的壓力與捨棄氣體線路23內的壓力成為相等的方式，進行調節。
接著，利用圖2說明有關本實施例相關的匹配電路12。圖2係示意性就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置的匹配電路12的構成進行繪示的電路方塊圖。
本實施例的匹配電路12配置於供應既定的頻率(在本實施例係供應400kHz或800kHz)的高頻電力的高頻電源13與樣品台10內部的電極之間的供電路徑上，被構成為，依接近高頻電源13之順序而串聯配置阻抗控制器26、第1匹配用可變元件27、第2匹配用可變元件28。對第1匹配用可變元件27、第2匹配用可變元件28分別經由各個開關電性連接阻抗外部指示器29。
在本實施例的匹配電路12，透過開關的開閉，從而可在阻抗控制器26與阻抗外部指示器29之間，切換就第1匹配用可變元件27及第2匹配用可變元件28的動作進行調節的信號的指令源。連接於阻抗控制器26的情況下，阻抗控制器26一面監控阻抗的偏差，一面以可匹配的方式控制第1匹配用可變元件27與第2匹配用可變元件28，連接於阻抗外部指示器29的情況下，透過阻抗外部指示器29以成為任意的值的方式控制第1匹配用可變元件27與第2匹配用可變元件28。透過此開關下的切換係配合來自高頻電源13的高頻電力的停止(OFF)依來自控制部的指令而進行。
接著，利用圖3，詳細說明有關本實施例相關的電漿處理裝置實施的晶圓11的處理。圖3係就構成示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置實施的晶圓的處理的複數個程序的流程進行繪示的表。
於本實施例中，處理晶圓11的程序由複數個步驟而構成，在以不同的條件進行處理的處理步驟A與處理步驟B的各處理步驟和此等之間配置過渡步驟。再者，此等處理步驟A、B在之間夾著過渡步驟而反復實施直到判定既定的次數或目標的到達。
過渡步驟的期間中，供於在晶圓11上表面上方形成偏壓電位用的高頻電力被設為停止(OFF)而維持之。再者，顯示包含微波產生用電源所形成的微波的電力、供應至螺線管線圈9的電流、處理室4內的壓力的處理的條件的參數的值被從處理步驟A者變更至處理步驟B的值，同時供應至氣體導入線路24的氣體被切換為來自過渡步驟氣體供應單元105的氬氣等的稀有氣體或惰性氣體，該過渡步驟氣體被導入處理室4內。此情況下，依以視為與於處理步驟B使用的處理用氣體的流量相等的方式以在考量黏性下進行校正的流量，使過渡步驟氣體供應至氣體導入線路24。
在本實施例，微波產生用電源8所形成的電場的電力、供應至螺線管線圈9的電流、處理室4內的壓力、供應至氣體導入線路24或處理室4內的氣體的流量配合接下來實施的處理步驟在過渡步驟期間中被變更。此外，對於偏壓形成用高頻電力的整合係在偏壓形成用高頻電力被維持為OFF的過渡步驟中，預先使第1匹配用可變元件27與第2匹配用可變元件28匹配在下個處理步驟的處理的條件下的恰當的整合值。藉此，就微波電力的匹配、螺線管線圈9用的電流及處理室4內的壓力整定為止的時間等之上述參數的值的變更而下指令後的瞬態響應的期間所致的處理的再現性的降低、機差的增大等的不良影響被抑制。
利用圖4至6，就供應本實施例相關的電漿處理裝置的處理室4的氣體的流動進行說明。圖4係示意性就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置實施的處理步驟A中的氣體切換單元100的氣體的流動進行繪示的圖。本實施例的氣體切換單元100的複數個閥及可變導閥132的動作係如同含於氣體供應單元16的處理氣體用的質流控制器及過渡步驟氣體用質流控制器114、微波形成用電源8、螺線管線圈9、包含可變導閥18的真空排氣裝置、將未圖示的真空容器1與搬送室之間的連通路進行開閉的閥、搬送室內的晶圓11的搬送裝置的動作，被依來自未圖示的控制部的指令信號而調節。
在處理步驟A，在其開始之際，依來自控制部的指令信號，蝕刻氣體線路22上的第1閥101被開放，同時第2閥102被閉塞，從氣體供應單元16屬處理步驟A的處理的條件的A條件相關的蝕刻氣體被從蝕刻氣體線路22供應至氣體導入線路24(圖上虛線箭頭所示)，供應至處理室4，維持之。此外，處理步驟A期間中，第3閥111被閉塞，同時第4閥112被開放，來自配置於過渡步驟氣體供應單元105內的過渡步驟氣體源117的氬氣，於過渡步驟氣體用質流控制器114，以視為與作為在處理步驟B的處理的條件的B條件的蝕刻氣體的流量相等的方式，被調節為在考量黏性下被校正的流量，經由過渡步驟氣體供應線路110與第2旁通線路114而供應至捨棄氣體線路23(圖上，實線箭頭所示)，被從乾式泵浦19朝電漿處理裝置外部排氣。再者，於此處理步驟A，依來自控制部的指令信號，可變導閥132的開度，被調節為捨棄氣體線路23上的壓力計131的值與氣體導入線路24上的壓力計104的值成為相等，捨棄氣體線路23內的壓力被調節而維持。
利用圖5就過渡步驟中的供應至電漿處理裝置的處理室4的氣體的流動進行說明。圖5係示意性就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置實施的過渡步驟中的氣體切換單元100的氣體的流動進行繪示的圖。
在過渡步驟，在其開始之際，依來自控制部的指令信號，第4閥112被關閉，第3閥111被開放，從過渡步驟氣體用質流控制器116，以與B條件的蝕刻氣體成為同流量相當的方式在考量黏性下被校正的流量的氬氣，通過第2氣體供應線路110被供應至氣體導入線路24(圖上，實線箭頭所示)，導入處理室4，維持之。與此並行，蝕刻氣體線路22上的第1閥101被關閉，同時第2閥102被開放，A條件的蝕刻氣體從氣體供應單元16經由第1旁通線路104供應至捨棄氣體線路23(圖上，虛線箭頭所示)，透過乾式泵浦19被朝外部排氣。
再者，來自氣體供應單元16的蝕刻氣體的供應被從A條件者切換變更為B條件者。過渡步驟中，依來自控制部的指令信號，可變導閥132的開度被調節，以捨棄氣體線路的壓力計131的值與氣體導入線路24的壓力計104成為相等的方式被調節而維持。
利用圖6，就過渡步驟中的供應至電漿處理裝置的處理室4的氣體的流動進行說明。圖6係示意性就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置實施的處理步驟B中的氣體切換單元100的氣體的流動進行繪示的圖。
在處理步驟B，在其開始之際，依來自控制部的指令信號，第1氣體供應線路22上的第2閥102被關閉，第1閥101被開放，B條件的蝕刻氣體從氣體供應單元16供應至氣體導入線路24(圖上，虛線箭頭所示)，供應至處理室4，維持之。與此並行，第3閥111被關閉，第4閥112被開放，於過渡步驟用質流控制器114，以視為與屬作為處理步驟B的下個處理步驟的處理步驟C的處理的條件的條件C(下個處理步驟的條件為A條件的情況下再度條件A)的蝕刻氣體的流量相等的方式，被調節為考量黏性下被校正的流量，經由過渡步驟氣體線路110與第4旁通線路124供應至捨棄氣體線路23(圖上，實線箭頭所示)，被往乾式泵浦19排氣。再者，可變導閥132的開度被調節，以壓力計131的值與壓力計104的值成為相等的方式被調節。
在本實施例的晶圓11的處理，上述的程序透過控制部判定到達處理的終點為止，或判定上述的處理步驟實施既定的次數為止，各處理步驟及此等間的過渡步驟被相互切換而反復。再者，在本實施例的處理的各程序，在該等之期間中，屬過渡步驟氣體的氬氣以視為模擬在下個處理步驟使用的處理氣體(本例係蝕刻氣體)的供應下的流量相當的方式，以考量其黏性下的校正被進行的流量供應至氣體導入線路24。
於圖7，就在各步驟期間中供應的氬氣的流量的校正的方法進行說明。圖7係示意性就校正示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置所實施的處理的程序的各步驟中的過渡步驟氣體的流量的方法進行繪示的圖。在本圖，就1個蝕刻的處理步驟與過渡步驟的2個步驟進行繪示，作為一例，蝕刻氣體採用O2 。
於示於圖7(a)的處理步驟，從氣體導入線路24上的壓力計104至噴灑板2的內部的氣體的流動在為黏性流區域時，表示如下。
[數學表達式1]
此處QO 2 係O2 氣體的流量(Pa・m3)、P1 係腔室導入氣體線路用壓力計104的壓力值(Pa)、CO 2 係使用氧氣之情況下的腔室導入氣體線路壓力計104至噴灑板2的氣導、P0 係腔室壓力。於此，腔室壓力係十分小於氣體線路壓力，故P0 ≒0。
在處理步驟中能以下式表示P1 的壓力。
[數學表達式2]
此處C係至腔室導入氣體線路用壓力計104與噴灑板2的配管的氣導、ηO2 係O2 氣體的黏性係數、ηAir 係空氣的黏性係數。
過渡步驟中的腔室導入氣體線路用壓力計104的壓力值P1 可表示如下，C的氣導在過渡步驟中、處理步驟中皆流過相同的路徑，因而成為相同的值，故以氣體的黏性係數的比對流量進行校正，使得可使過渡步驟時的P1 的值合於處理步驟時的P1 的值。
[數學表達式3]
[數學表達式4]
[數學表達式5]
此處CAr 係使用氬氣的情況下的腔室導入氣體線路用力計104至噴灑板2為止的氣導、ηAr 係氬氣的黏性係數。
如上述般，以在過渡步驟中使氬氣流通之際的氣體導入線路24上的壓力計104的壓力值成為與處理步驟相等的方式，依黏性係數校正氬氣的流量，再者，以捨棄氣體線路23上的壓力計131的值與壓力計104的值成為相等的方式，調節可變導閥132的動作。在本實施例，蝕刻氣體線路22上的至少從蝕刻氣體線路切換部25的蝕刻氣體線路22及氣體導入線路24的壓力計104為止的氣體線路、及至少蝕刻氣體線路切換部25至第1旁通線路103及捨棄氣體線路23的壓力計131為止的氣體線路方面，被構成為，構成其等之配管的長度及管路的軸方向上，尺寸的分布成為相同。藉此，使處理步驟中的壓力計104與氣體供應單元16之間的氣體線路的長度及分布、過渡步驟中的壓力計132與過渡步驟氣體供應單元105之間的氣體線路的長度及分布相等，將在過渡步驟中供應至捨棄氣體線路23的下個處理步驟的處理用氣體的流動模擬為在下個處理步驟中的條件者，使流動及壓力在該下個處理步驟的開始前穩定，從過渡步驟切換為下個處理步驟，從而抑制該轉換時的往處理室4的處理用氣體的供應的條件的變動。
利用圖8說明本實施例的作用。圖8係就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置的從過渡步驟切換至處理步驟之際的處理室內的壓力與氣體線路內的壓力的變化進行繪示的圖形。在本例係條件方面，示出使過渡步驟的氬氣的流量為與蝕刻氣體O2 氣體的流量100ccm相同的100ccm的情況及校正流量後的90ccm的情況下的兩個條件。
氣體線路壓力係示出壓力計104的值者，從Ar流量100ccm切換為O2 流量100ccm之際，該壓力雖變動，惟從校正Ar流量後的90ccm切換至O2 流量100ccm之際，壓力變動被抑制。此外，處理室4內的壓力方面，亦雖具有在個別的條件下緊接著氣體切換之後的氣體種類的差異所致壓力變動，惟之後發生在氣體導入線路24內部發生的壓力變動的影響方面，校正Ar流量後的條件較可抑制壓力變動，可使壓力整定於2s以內而穩定化。
另外，校正過渡步驟氣體的流量的方法方面，雖採用單一種類的O2 作為蝕刻氣體，惟複合氣體的情況下，利用個別的氣體種類的各流量比與黏性係數而求出修正因子，從而可進行校正。此外，在上述的說明，氣體導入線路24內的流動雖當作黏性流，惟分子流的情況可代替黏性係數使用分子量，可同樣地求出校正的量。
另外，本發明非限定於上述之實施例者，包含各式各樣的變化例。例如，上述之實施例係就本發明為了以容易理解的方式說明而詳細說明者，未必限定於具備所說明之全部的構成。
1‧‧‧真空容器
2‧‧‧噴灑板
3‧‧‧介電體窗
4‧‧‧處理室
5‧‧‧真空排氣口
6‧‧‧導波管
7‧‧‧空腔諧振器
8‧‧‧微波產生用電源
9‧‧‧螺線管線圈
10‧‧‧樣品台
11‧‧‧晶圓
12‧‧‧匹配電路
13‧‧‧高頻電源
14‧‧‧濾波器
15‧‧‧靜電吸附用直流電源
16‧‧‧氣體供應裝置
17‧‧‧壓力計
18‧‧‧可變導閥
19‧‧‧乾式泵浦
20‧‧‧渦輪分子泵浦
21‧‧‧排氣線路
22‧‧‧蝕刻氣體線路
23‧‧‧捨棄氣體線路
24‧‧‧氣體導入線路
25‧‧‧蝕刻氣體線路切換部
26‧‧‧阻抗控制器
27‧‧‧第1匹配用可變元件
28‧‧‧第2匹配用可變元件
29‧‧‧阻抗外部指示器
100‧‧‧氣體切換單元
101‧‧‧第1閥
102‧‧‧第2閥
103‧‧‧第1旁通線路
104‧‧‧壓力計
117‧‧‧過渡步驟氣體源
110‧‧‧過渡步驟用氣體線路
111‧‧‧第3閥
112‧‧‧第4閥
113‧‧‧第2旁通線路
114‧‧‧過渡步驟用質流控制器
131‧‧‧捨棄氣體線路用壓力計
132‧‧‧可變導閥
[圖1]示意性就本發明的實施例相關之電漿處理裝置的構成的概略進行繪示的縱剖面圖。 　　[圖2]示意性就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置的匹配電路12的構成進行繪示的電路方塊圖。 　　[圖3]就構成示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置實施的晶圓的處理的複數個程序的流程進行繪示的表。 　　[圖4]示意性就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置實施的處理步驟A中的氣體切換單元的氣體的流動進行繪示的圖。 　　[圖5]示意性就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置實施的過渡步驟中的氣體切換單元的氣體的流動進行繪示的圖。 　　[圖6]示意性就示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置實施的處理步驟B中的氣體切換單元的氣體的流動進行繪示的圖。 　　[圖7]示意性就校正示於圖1的實施例相關的電漿處理裝置所實施的處理的程序的各步驟中的過渡步驟氣體的流量的方法進行繪示的圖。 　　[圖8]就本發明的實施例相關的腔室壓力與氣體線路壓力進行繪示的圖。

Claims (11)

  1. 一種電漿處理裝置，具備：處理室，其配置於真空容器內部，在減壓的內側形成電漿；樣品台，其配置於此處理室的下方，作為處理的對象的晶圓載置而保持於其上表面；其中，利用前述電漿處理前述晶圓； 　　前述處理為具備2個處理步驟與此等之間的連接步驟者，前述電漿處理裝置具備：在前述處理步驟中對前述處理室內供應前述處理用的氣體的第1氣體供應單元及在連接步驟中對前述處理室內供應連接步驟用的氣體的第2氣體供應單元、在前述2個處理步驟及前述連接步驟之間的過渡之際就來自前述第1氣體供應單元的處理用的氣體及來自第2氣體供應單元的連接步驟用的氣體的往處理室的供應進行切換的氣體切換單元、將在前述連接步驟中供應的前述連接步驟用的氣體的流量調節為視為與前述2個處理步驟之中在後面的處理步驟中對前述處理室供應的前述處理用的氣體的供應量相等的流量的控制部。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其具備：第1氣體供應線路，其連結前述第1氣體供應單元與前述處理室之間；第2氣體供應線路，其連結前述第2氣體供應單元與前述處理室之間；捨棄氣體線路，其連結第1及第2氣體供應線路與排氣泵浦之間；其中，前述控制部將前述氣體切換單元調節為，在前述2個處理步驟及前述連接步驟的開始之際，切換前述第1及第2氣體供應線路與前述處理室及前述捨棄氣體線路之間的連通的組合。
  3. 如請求項2之電漿處理裝置，其中， 　　前述氣體切換單元具備：第1閥，其配置於前述第1氣體供應線路上，將該第1氣體線路進行開閉；第1旁通線路，其連結於此第1閥與前述第1氣體供應單元之間的前述第1氣體供應線路和前述捨棄氣體線路，將此等連通；第2閥，其配置於此第1旁通線路上，將此進行開閉；第3閥，其配置於前述第2氣體供應線路上，將該第2氣體線路進行開閉；第2旁通線路，其連結於此第3閥與前述第2氣體供應單元之間的前述第2氣體供應線路和前述捨棄氣體線路，將此等連通；第4閥，其配置於此第2旁通線路上，將此進行開閉；其中，依來自前述控制部的指令信號，前述第1、第2、第3、第4閥被切換開閉，前述第1及第2氣體供應線路與前述處理室及前述捨棄氣體線路之間的連通的組合被切換。
  4. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其具備：第1壓力計，其安裝於前述真空容器，配置在將前述處理室與前述第1氣體供應線路之間連結而連通的氣體導入線路上，就該氣體導入線路內的壓力進行檢測；第2壓力計，其配置於前述捨棄氣體線路上，就該捨棄氣體線路內的壓力進行檢測；以及可變閥，配置於此捨棄氣體線路上，可變地調節內部的開度；其中，透過前述控制部，以前述第1及第2壓力成為相等的方式，調節前述可變閥的動作。
  5. 如請求項4之電漿處理裝置，其中， 　　從前述第1氣體供應線路與前述第一旁通線路的連結部，通過該第1氣體供應線路，至前述氣體導入線路上的配置前述第1壓力計之處為止的配管的長度及該長度方向的內徑的變遷，設為相等於，從前述連結部，通過前述第一旁通線路至前述捨棄氣體線路上的配置前述第2壓力計之處為止的配管及內徑的變遷。
  6. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， 　　在前述連接步驟中供應前述連接步驟用氣體的前述處理室內的壓力及供應至配置於前述樣品台內部的電極的高頻電力的設定值，被配合在前述2個處理步驟之中的下個處理步驟的前述處理室內的壓力而進行調節。
  7. 一種電漿處理方法，在配置在配置於真空容器內部並被減壓的處理室的下方的樣品台上表面上方，載置而保持作為處理的對象的晶圓，在前述處理室內形成電漿，利用此電漿處理前述晶圓， 　　前述處理就前述晶圓具備2個處理步驟與此等之間的連接步驟，於前述處理的程序，在前述2個處理步驟及前述連接步驟之間的過渡之際，就來自在前述處理步驟中對前述處理室內供應前述處理用的氣體的第1氣體供應單元的處理用的氣體及來自在前述連接步驟中對前述處理室內供應連接步驟用的氣體的第2氣體供應單元的連接步驟用的氣體的往處理室的供應進行切換， 　　將在前述連接步驟中供應的前述連接步驟用的氣體的流量調節為視為與前述2個處理步驟之中在後面的處理步驟中對前述處理室供應的前述處理用的氣體的供應量相等的流量。
  8. 如請求項7之電漿處理方法，其中， 　　在前述2個處理步驟及前述連接步驟的開始之際，就連結將前述第1氣體供應單元與前述處理室之間連結的第1氣體供應線路及將前述第2氣體供應單元與前述處理室之間連結的第2氣體供應線路和排氣泵浦之間的捨棄氣體線路及前述處理室及前述第1及第2氣體供應線路之間的連通的組合進行切換。
  9. 如請求項7或8之電漿處理方法，其中， 　　以從第1壓力計檢測出的值、從第2壓力計檢測出的值成為相等的方式，調節被配置在前述捨棄氣體線路上並可變地調節內部的開度的可變閥的動作，該第1壓力計係安裝於前述真空容器，配置在將前述處理室與前述第1氣體供應線路之間連結而連通的氣體導入線路上，就該氣體導入線路內的壓力進行檢測者，該第2壓力計係配置在前述捨棄氣體線路上，就該捨棄氣體線路內的壓力進行檢測者。
  10. 如請求項9之電漿處理方法，其中， 　　從前述第1氣體供應線路與前述第一旁通線路的連結部，通過該第1氣體供應線路，至前述氣體導入線路上的配置前述第1壓力計之處為止的配管的長度及該長度方向的內徑的變遷，設為相等於，從前述連結部，通過前述第一旁通線路至前述捨棄氣體線路上的配置前述第2壓力計之處為止的配管及內徑的變遷。
  11. 如請求項7或8之電漿處理方法，其中， 　　在前述連接步驟中供應前述連接步驟用氣體的前述處理室內的壓力及供應至配置於前述樣品台內部的電極的高頻電力的設定值，被配合在前述2個處理步驟之中的下個處理步驟的前述處理室內的壓力而進行調節。
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