JP2009302189A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップと基板との接続における半田バンプについて複数のサイズの半田バンプを用いることなく、半導体チップと基板との距離および位置を高精度に調整することによって、半導体チップと基板との高さバラツキを抑え、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置であって、半導体チップの主面に配置された電極パッドと、基板上に配置されたランドと、半導体チップの電極パッドと基板のランドとを電気的に接合する半田バンプとを備え、電極パッドまたはランドは、フリップチップ接続を実装する際に、半田バンプのつぶれ量を電気的に測定することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置に関し、より特定的には、フリップチップ接続を構成する半導体装置およびその製造方法に関する。

近年、半導体装置は、基板の高密度化、半導体回路素子の高集積化による半導体チップの多ピン化、および実装間隔の狭ピッチ化が進んでいる。これに伴い、樹脂封止をしていない半導体チップを直接フェイスダウンによって基板に接続するフリップチップ接続が注目されている。図９は、従来技術におけるフリップチップ接続を構成する半導体装置１０を示す図である。図９において、半導体装置１０は、半導体チップ１と、基板２と、半田バンプ３と、ランド４と、電極パッド５とから構成されている。半導体チップ１には、主面上に複数の電極パッド５が配置されており、当該複数の電極パッド５のそれぞれに基板２との接続用金属バンプである半田バンプ３が備えられている。基板２上には、複数のランド４が形成されている。当該ランド４は、上述した半導体チップ１の電極パッド５の配置位置に合わせて形成されている。フリップチップ接続の実装は、半導体チップ１の電極パッド５に接着された半田バンプ３を、基板２のランド４上にマウントして加熱圧着することよって、電極パッド５とランド４とを電気的に接合する。なお、このようなフリップチップ接続の実装においては、半導体チップ１と基板２とが一定の高さを有するように形成されることが理想的である。

しかしながら、上述したような従来技術におけるフリップチップ接続の実装方法では、印加荷重のバラツキによって、半導体チップ１と基板２との高さにバラツキが発生し、歩留まりの低下を招いていた。このような課題を解決するための半導体装置が、特許文献１に開示されている。図１０は、特許文献１に記載されている半導体装置２０を示す図である。図１０において、半導体装置２０は、図９に示した半導体装置１０と同様に、半導体チップ１と、基板２と、半田バンプ３と、ランド４と、電極パッド５とから構成されている。さらに、半導体装置２０は、半田バンプ３よりもボール径の小さい金属バンプである接続検出用半田バンプ６を備えている。図１０に示した半導体装置２０において、図９に示した半導体装置１０と同様の構成要素については、同様の参照符号を付して説明を省略する。

図１０において、半導体装置２０は、接続検出用半田バンプ６を備えている点に特徴がある。接続検出用半田バンプ６は、図９に示した半田バンプ３と同様に、半導体チップ１の主面上に配置された電極パッド５に接着されている。なお、このように半導体チップ１に構成される接続検出用半田バンプ６は、１つであっても複数であっても構わない。フリップチップ接続の実装の際は、半導体チップ１の電極パッド５に接着された接続検出用半田バンプ６を、基板２のランド４上にマウントして加熱圧着し、電極パッド５とランド４とを電気的に導通することを検知する。これにより、半導体装置２０は、半導体チップ１と基板２の高さのバラツキを抑え、接続部の信頼性を向上させている。
特開平１０−１８９６６０号公報

しかしながら、上述した半導体装置２０は、半導体チップの主面上に配置された特定の電極パッドに、他の半田バンプとサイズの異なる接続検出用半田バンプを設置する必要があるため、製造方法が非常に困難であった。

それ故に、本発明の目的は、半導体チップと基板との接続における半田バンプについて複数のサイズの半田バンプを用いることなく、半導体チップと基板との距離および位置を高精度に調整することによって、半導体チップと基板との高さバラツキを抑え、信頼性の高い半導体装置を提供することである。

上記目的を達成させるために、本発明の第１の半導体装置は、フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置であって、半導体チップの主面に配置された電極パッドと、基板上に配置されたランドと、半導体チップの電極パッドと基板のランドとを電気的に接合する半田バンプとを備え、電極パッドまたはランドは、フリップチップ接続を実装する際に、半田バンプのつぶれ量を電気的に測定することを特徴とする。

好ましい半田バンプのつぶれ量を電気的に測定する電極パッドまたはランドは、少なくとも１つ備えることを特徴とする。
さらに、好ましい半田バンプのつぶれ量を電気的に測定する電極パッドまたはランドは、半田バンプとの接触を検知し、互いに電気的に絶縁された複数の電極から構成され、半田バンプのつぶれ量を電気的に測定する電極パッドまたはランドの中心点からの半田バンプの接触範囲を、複数の電極と半田バンプとの接触状態に基づいて測定することを特徴とする。

好ましい複数の電極は、中心点を中心とする大きさの異なるリング状であることを特徴とする。
さらに、好ましい複数の電極は、それぞれの導通を検知する別の電極に接続されることを特徴とする。

上記目的を達成させるために、本発明の第１の半導体装置の製造方法は、フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置の製造方法であって、半導体チップの主面に電極パッドを配置する工程と、基板上にランドを配置する工程と、半導体チップまたは基板に圧力を掛け、半導体チップの電極パッドと基板のランドとを半田バンプによって電気的に接合する工程とを実行し、電極パッドまたはランドは、フリップチップ接続を実装する際に、半田バンプのつぶれ量を電気的に測定し、半導体チップまたは基板に掛ける圧力を調整することを特徴とする。

上記目的を達成させるために、本発明の第２の半導体装置は、フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置であって、半導体チップの主面に配置された電極パッドと、基板上に配置されたランドと、半導体チップの電極パッドと基板のランドとを電気的に接合する半田バンプとを備え、電極パッドまたはランドは、フリップチップ接続を実装する際に、半田バンプの位置のずれを電気的に測定することを特徴とする。

好ましい半田バンプの位置のずれを電気的に測定する電極パッドまたはランドは、少なくとも１つ備えることを特徴とする。
さらに、好ましい半田バンプの位置のずれを電気的に測定する電極パッドまたはランドは、半田バンプの位置のずれを電気的に測定する電極パッドまたはランドの中心点を通る軸に対して線対称、または中心点に対して点対称に配置され、半田バンプとの接触を検知し、互いに電気的に絶縁された複数の電極から構成されることを特徴とする。

好ましい複数の電極は、中心点を中心とする大きさの異なるリング状に配置されることを特徴とする。
さらに、好ましい複数の電極は、それぞれの導通を検知する別の電極に接続されることを特徴とする。

上記目的を達成させるために、本発明の第２の半導体装置の製造方法は、フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置の製造方法であって、半導体チップの主面に電極パッドを配置する工程と、基板上にランドを配置する工程と、半導体チップまたは基板に圧力を掛け、半導体チップの電極パッドと基板のランドとを半田バンプによって電気的に接合する工程とを実行し、電極パッドまたはランドは、フリップチップ接続を実装する際に、半田バンプの位置のずれを電気的に測定し、半導体チップまたは基板の位置を調整することを特徴とする。

上述のように、本発明の半導体装置は、電極パッドまたはランドを構成する複数の電極によって、半田バンプのつぶれ量または位置のずれを電気的に測定することができる。従って、本発明の半導体装置によれば、半導体チップと基板との接続における半田バンプについて複数のサイズの半田バンプを用いることなく、半導体チップと基板との距離および位置を高精度に調整し、半導体チップと基板との高さバラツキを抑え、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００を示す図である。図１において、半導体装置１００は、半導体チップ１と、基板２と、半田バンプ３と、ランド４と、電極パッド４０と、電極パッド５とから構成されている。半導体チップ１には、主面上に複数の電極パッド５が配置されており、当該複数の電極パッド５のそれぞれに基板２との接続用金属バンプである半田バンプ３が備えられている。基板２上には、複数のランドと電極パッド４０とが形成されている。ランド４と電極パッド４０とは、上述した半導体チップ１の電極パッド５の配置位置に合わせて形成されている。フリップチップ接続の実装は、半導体チップ１の電極パッド５に接着された半田バンプ３を、それぞれ基板２のランド４または電極パッド４０上にマウントして加熱圧着することよって、電極パッド５と、ランド４または電極パッド４０とを電気的に接合する。なお、図１に示した半導体装置１００の構成は、電極パッド４０を除いては、図９に示した従来技術における半導体装置１０の構成と同様である。以下に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００の電極パッド４０の特徴について説明する。

図２は、図１に示した電極パッド４０を示す図である。図２において、電極パッド４０は、同心な直径の異なるリング状の第１〜３の円形電極４１〜４３によって構成されている。第１〜３の円形電極４１〜４３は、直径の大きい順に、第１の円形電極４１、第２の円形電極４２、および第３の円形電極４３であって、最外周である第１の円形電極４１の直径は８０μｍである。なお、図２に示すように、第１〜３の円形電極４１〜４３は、電気的に絶縁されている。また、第１〜３の円形電極４１〜４３は、電極パッド４０における半田バンプ３のつぶれ量を電気的に測定するために、それぞれ別の電極（図中省略）に接続されている。

次に、半田バンプ３のつぶれ量を電気的に測定する方法について説明する。図３は、図１で示した半導体装置１０における半田バンプ３と電極パッド４０との接合部分を示す図である。なお、図３において、電極パッド４０は、図２におけるＡ−Ａ’の断面図となっている。

図３（ａ）は、半田バンプ３のつぶれ量が少ない状態を示す図である。図３（ａ）において、半導体チップ１の電極パッド５に接着された半田バンプ３を、基板２上の電極パッド４０に圧着している。図３（ａ）に示すように、半田バンプ３のつぶれ量が少ない状態では、半田バンプ３は、電極パッド４０のうち、第３の円形電極４３のみに接している。このような状態において、第１〜３の円形電極４１〜４３間には電気的な導通が観測されない。

図３（ａ）に示した状態から、さらに、半導体チップ１の半田バンプ３を基板２上の電極パッド４０に圧着させていくと、半田バンプ３は、基板２上の電極パッド４０の広範囲に接することになる。図３（ｂ）は、半田バンプ３のつぶれ量が多い状態を示す図である。図３（ｂ）に示すように、半田バンプ３のつぶれ量は多い状態では、半田バンプ３は、電極パッド４０のうち、第２の円形電極４２および第３の円形電極４３に接している。このような状態において、第１〜３の円形電極４１〜４３間の電気的な導通を測定すれば、第２の円形電極４２と第３の円形電極４３との間に電気的な導通が観測され、第１の円形電極４１と第２の円形電極４２との間、および第１の円形電極４１と第３の円形電極４３との間には電気的な導通は観測されない。

以上のように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００によれば、電極パッド４０における第１〜３の円形電極４１〜４３間の電気的な導通を測定することによって、半田バンプ３のつぶれ量を電気的に測定することができる。従って、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００によれば、半導体チップ１と基板２との接続における半田バンプ３について複数のサイズの半田バンプを用いることなく、半導体チップ１と基板２との距離を高精度に調整し、半導体チップ１と基板２との高さバラツキを抑え、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。

なお、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００の電極パッド４０は、第１〜３の円形電極４１〜４３の３つの電極で構成されていたが、電極の数は、これに限定されるものではない。電極の数を増やせば、半導体チップと基板との距離を、さらに高精度に調整できることは言うまでもない。

なお、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００の電極パッド４０は、図２に示したような円形電極によって構成されていたが、これに限定されるものではない。例えば、電極パッドを構成する各電極が、円形に近い多角形であっても構わない。図４は、電極パッド５０を示す図である。図４において、電極パッド５０は、同心な大きさの異なるリング状の第１〜３の八角形電極５１〜５３によって構成されている。このような電極バッド５０においても、電極パッド４０と同様の効果が得られることは言うまでもない。

なお、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００の電極パッド４０は、基板上に配置されていたが、半導体チップ側の電極パッドとして配置しても構わない。

（第２の実施形態）
本実施形態では、半田バンプと電極パッドとの位置のずれを電気的に測定する半導体装置について説明する。本実施形態に係る半導体装置は、電極パッド４０の構成を除いては、図１に示した本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００と同様であるため、詳しい説明は省略する。以下に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の電極パッドの特徴について説明する。

図５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の電極パッド６０を示す図である。図５において、電極パッド６０は、第１〜６の分割円形電極６１〜６６によって構成されている。電極パッド６０における第１〜６の分割円形電極６１〜６６は、図２に示した本発明の第１の実施形態における電極パッド４０の第１〜３の円形電極４１〜４３をそれぞれ２つに分割した形状である。より詳しく説明すると、第１の分割円形電極６１および第２の分割円形電極６２は、電極パッド４０の円形状である第１の円形電極４１を２つに分割した半円形状である。同様に、第３の分割円形電極６３および第４の分割円形電極６４は、電極パッド４０の円形状である第２の円形電極４２を２つに分割した半円形状であり、第５の分割円形電極６５および第６の分割円形電極６６は、電極パッド４０の円形状である第３の円形電極４３を２つに分割した半円形状である。なお、第１〜６の分割円形電極６１〜６６は、電極パッド６０と半田バンプ３との位置のずれを電気的に測定するために、それぞれ別の電極（図中省略）に接続されている。

電極パッド６０を備える基板２に、半田バンプ３を装着した半導体チップ１を圧着する際、例えば、半田バンプ３が、電極パッド６０の中心からずれた図５の点線Ｂに示す位置に圧着された場合を想定する。この場合、第２〜６の分割円形電極６２〜６６間には電気的な導通が観測されるが、第１の分割円形電極６１には電気的な導通は観測されない。この結果から、半田バンプ３は、第１の分割円形電極６１のみに接していないことが分かる。このように、半田バンプ３は、図５の点線で示すＢの位置に装着されていることが、電気的な導通を測定することによって検知することができる。

以上のように、本発明の第２の実施形態に係る送信装置によれば、電極パッド６０における第１〜６の分割円形電極６１〜６６間の電気的な導通を測定することによって、電極パッド６０と半田バンプ３との位置のずれを電気的に測定することができる。従って、本発明の第２の実施形態に係る送信装置によれば、半田バンプと電極パッドとの位置のずれを高精度に調整し、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。

なお、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の電極パッド６０における第１〜６の分割円形電極６１〜６６は、図２に示した本発明の第１の実施形態における電極パッド４０の第１〜３の円形電極４１〜４３をそれぞれ２つに分割した形状であるが、これに限定されるものではない。例えば、電極パッド４０の第１〜３の円形電極４１〜４３をそれぞれ４つに分割する等して、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の電極パッド６０を構成する電極数を増やせば、半田バンプと電極パッドとの位置のずれを、さらに高精度に調整できることは言うまでもない。

なお、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の電極パッド６０は、図５に示したような分割円形電極によって構成されていたが、これに限定されるものではない。例えば、電極パッドを構成する各電極が、円形に近い多角形を分割した形状であっても構わない。図６は、電極パッド７０を示す図である。図６において、電極パッド７０は、同心な大きさの異なるリング状の八角形を分割した第１〜６の分割八角形電極７１〜７６によって構成されている。つまり、電極パッド７０における第１〜６の分割八角形電極７１〜７６は、図４に示した本発明の第１の実施形態における電極パッド５０の第１〜３の八角形電極５１〜５３をそれぞれ２つに分割した半多角形状である。このような電極バッド７０においても、電極パッド６０と同様の効果が得られることは言うまでもない。電極パッドを構成する複数の電極は、電極パッドの中心点を通る軸に対して線対称、または中心点に対して点対称に配置される構成であれば同様の効果が得られる。

なお、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の電極パッド６０は、基板上に配置されていたが、半導体チップ側の電極パッドとして配置しても構わない。

（第３の実施形態）
本実施形態では、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。図７は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置３００を示す図である。図７は、基板と半導体チップとにおいてフリップチップ接続を実装した半導体装置３００の上面図である。図７において、本実施形態に係る半導体装置３００の基本的な構成は、図１に示した本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００と同様であるため、同様の構成要素については同様の参照符号を付して、詳しい説明は省略する。

図７において、半導体装置３００の基板２には、フリップチップ接続を実装するための電極パッド以外に、半田バンプ３のつぶれ量を検知するための第１〜３の導通検知用電極４１ａ〜４３ａが配置されている。半田バンプ３のつぶれ量を検知するための第１〜３の導通検知用電極４１ａ〜４３ａは、基板２上において、フリップチップ接続が実装される半導体チップ１の範囲よりも外側に配置される。ここで、第１の導通検知用電極４１ａは、電極パッド４０の第１の円形電極４１に接続されており、第２の導通検知用電極４２ａは、電極パッド４０の第２の円形電極４２に接続されており、第３の導通検知用電極４３ａは、電極パッド４０の第３の円形電極４３に接続されている。

半導体装置３００は、半導体チップ１の電極パッド５に接着された半田バンプ３を、基板２の電極パッド上にマウントして加熱圧着することよって、フリップチップ接続を実装する。その過程において、半導体チップ１に圧力を掛けることによって、徐々に半田バンプ３を基板２に接合する。

図８は、半導体チップ１に徐々に圧力を掛ける様子を示す図である。図８（ａ）は、半導体チップ１に低い圧力を掛けた状態を示す図である。図８（ａ）に示すように、半導体チップ１に掛かる圧力が低い状態では、半田バンプ３はつぶれていなので、第１〜３の導通検知用電極４１ａ〜４３ａに電気的な導通は観測されない。

図８（ｂ）は、図８（ａ）の状態から、半導体チップ１に、さらに圧力を掛けた状態を示す図である。図８（ｂ）に示すように、半導体チップ１に、さらに圧力を掛けると、半田バンプ３はつぶれ、電極パッド４０を構成する最内周の第３の円形電極４３と、その次周の第２の円形電極４２との間が電気的に導通し、第３の導通検知用電極４３ａと第２の導通検知用電極４２ａとに導通が観測されるようになる。この時点で、半導体チップ１に掛ける圧力を停止し、フリップチップ接続の実装を完了とする。

以上のように、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置３００の製造方法によれば、半導体チップ１と基板２との接合において、電極パッド４０の各電極間の電気的な導通を観測することによって、半田バンプ３のつぶれ量を制御することができる。従って、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置３００の製造方法によれば、半導体チップ１と基板２との接続における半田バンプ３について複数のサイズの半田バンプを用いることなく、半導体チップ１と基板２との距離を高精度に調整し、半導体チップ１と基板２との高さバラツキを抑え、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

なお、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置３００の製造方法は、半田バンプ３のつぶれ量を検知する第１〜３の導通検知用電極４１ａ〜４３ａを用いて説明したが、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置についても同様に適用できることは言うまでもない。例えば、図５に示した本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の電極パッド６０では、第１〜６の分割円形電極６１〜６６のそれぞれに接続される第１〜６の導通検知用電極を基板２上に配置すれば、半田バンプと電極パッドとの位置のずれを高精度に調整し、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

また、基板２上に配置される電極パッドのうち上述したような半田バンプのつぶれ量または位置のずれを測定できる電極パッド、およびそれに対応する導通検知用電極の数を増やせば、半導体チップと基板との距離、または半田バンプと電極パッドとの位置のずれを、より高精度に調整することができ、さらに信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

本発明の半導体装置およびその製造方法は、フリップチップ接続を実装する半導体装置の高品質化および高精度化等に有用である。

本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００を示す図 電極パッド４０を示す図 半導体装置１０における半田バンプ３の接合部分を示す図 電極パッド５０を示す図 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の電極パッド６０を示す図 電極パッド７０を示す図 本発明の第３の実施形態に係る半導体装置３００を示す図 半導体チップ１に徐々に圧力を掛ける様子を示す図 従来技術におけるフリップチップ接続を構成する半導体装置１０を示す図 従来技術におけるフリップチップ接続を構成する半導体装置２０を示す図

符号の説明

１ 半導体チップ
２ 基板
３、６ 半田バンプ
４ ランド
５、４０、５０、６０、７０ 電極パッド
４１〜４３、４１ａ〜４３ａ、５１〜５３、６１〜６６、７１〜７６ 電極
１０、２０、１００、３００ 半導体装置

Claims (12)

1. フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置であって、
   前記半導体チップの主面に配置された電極パッドと、
   前記基板上に配置されたランドと、
   前記半導体チップの電極パッドと前記基板のランドとを電気的に接合する半田バンプとを備え、
   前記電極パッドまたはランドは、前記フリップチップ接続を実装する際に、前記半田バンプのつぶれ量を電気的に測定することを特徴とする、半導体装置。
2. 前記半田バンプのつぶれ量を電気的に測定する電極パッドまたはランドは、少なくとも１つ備えることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記半田バンプのつぶれ量を電気的に測定する電極パッドまたはランドは、
   前記半田バンプとの接触を検知し、互いに電気的に絶縁された複数の電極から構成され、
   前記半田バンプのつぶれ量を電気的に測定する電極パッドまたはランドの中心点からの前記半田バンプの接触範囲を、前記複数の電極と前記半田バンプとの接触状態に基づいて測定することを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記複数の電極は、前記中心点を中心とする大きさの異なるリング状であることを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記複数の電極は、それぞれの導通を検知する別の電極に接続されることを特徴とする、請求項３〜４のいずれかに記載の半導体装置。
6. フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体チップの主面に電極パッドを配置する工程と、
   前記基板上にランドを配置する工程と、
   前記半導体チップまたは前記基板に圧力を掛け、前記半導体チップの電極パッドと前記基板のランドとを半田バンプによって電気的に接合する工程とを実行し、
   前記電極パッドまたはランドは、前記フリップチップ接続を実装する際に、前記半田バンプのつぶれ量を電気的に測定し、
   前記半導体チップまたは前記基板に掛ける圧力を調整することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
7. フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置であって、
   前記半導体チップの主面に配置された電極パッドと、
   前記基板上に配置されたランドと、
   前記半導体チップの電極パッドと前記基板のランドとを電気的に接合する半田バンプとを備え、
   前記電極パッドまたはランドは、前記フリップチップ接続を実装する際に、前記半田バンプの位置のずれを電気的に測定することを特徴とする、半導体装置。
8. 前記半田バンプの位置のずれを電気的に測定する電極パッドまたはランドは、少なくとも１つ備えることを特徴とする、請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記半田バンプの位置のずれを電気的に測定する電極パッドまたはランドは、
   前記半田バンプの位置のずれを電気的に測定する電極パッドまたはランドの中心点を通る軸に対して線対称、または前記中心点に対して点対称に配置され、前記半田バンプとの接触を検知し、互いに電気的に絶縁された複数の電極から構成されることを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記複数の電極は、前記中心点を中心とする大きさの異なるリング状に配置されることを特徴とする、請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記複数の電極は、それぞれの導通を検知する別の電極に接続されることを特徴とする、請求項９〜１０のいずれかに記載の半導体装置。
12. フリップチップ接続を実装する半導体チップと基板とを備える半導体装置の製造方法であって、
    前記半導体チップの主面に電極パッドを配置する工程と、
    前記基板上にランドを配置する工程と、
    前記半導体チップまたは前記基板に圧力を掛け、前記半導体チップの電極パッドと前記基板のランドとを半田バンプによって電気的に接合する工程とを実行し、
    前記電極パッドまたはランドは、前記フリップチップ接続を実装する際に、前記半田バンプの位置のずれを電気的に測定し、
    前記半導体チップまたは前記基板の位置を調整することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

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