JP2009295755A - 透明導電膜付き基板および薄膜光電変換装置 - Google Patents
透明導電膜付き基板および薄膜光電変換装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】酸化亜鉛を最表面に有する透明導電膜において酸化亜鉛層にGa(ガリウム)やZr(ジルコン)を含有することにより仕事関数が増加した透明導電膜13を提供する。また、この透明導電膜を薄膜光電変換装置に用いることにより光電変換層と透明導電膜との間に良好な接合界面を形成することが可能になる。これにより、開放電圧が向上する。またコンタクト層を挿入する必要が無くなるため、光吸収ロスが減少することから、高い短絡電流密度と曲線因子により、高い変換効率を達成することが出来る。
【選択図】図1
Description
まず透光性基体11としてガラス板、及び絶縁性下地層12としてSiO2を製膜したSiO2下地層付きガラス板10上に、透明導電膜13として酸化亜鉛層をスパッタ法にて形成した。
比較例1として、実施例1において透明導電膜13がGaのみを含んだ酸化亜鉛層からなることにおいてのみ異なっていた。すなわち、酸化亜鉛層13の形成において基板温度を25℃で30分間保持した。引き続きスパッタターゲットとして酸化亜鉛に対して5wt%のGaを添加したものにおいて、アルゴンを50sccm導入して製膜室内の圧力を0.27Paに保持し、DCスパッタ法により酸化亜鉛を500Å堆積した。その結果、シート抵抗を測定したところ、350Ω/□であった。また光電子分光法により仕事関数を測定したところ4.6eVであった。
まず透光性基体11としてガラス板、及び絶縁性下地層12としてSiO2を製膜したSiO2下地層付きガラス板10上に、透明導電膜13として酸化亜鉛層のみを実施例1と同様の方法で2000Å製膜した。膜厚はエリプソメーターで測定した。そしてシート抵抗を測定したところ、20Ω/□であった。また光電子分光法により仕事関数を測定したところ4.9eVであった。
比較例2として、実施例2において酸化亜鉛層13がGaのみをドーピングしていることにおいてのみ異なっていた。すなわち、酸化亜鉛層の形成において比較例1と同様の方法で酸化亜鉛層を2000Å堆積した。その結果、シート抵抗を測定したところ、21Ω/□であった。また光電子分光法により仕事関数を測定したところ4.6eVであった。そして実施例2と同様に非晶質シリコン光電変換ユニット20を形成し、続いて裏面電極層30を形成し薄膜光電変換装置を作製した。
まず透光性基体11としてガラス板、及び絶縁性下地層12としてSiO2を製膜したSiO2下地層付きガラス板10上に、透明導電膜13として酸化錫(SnO2)層131、酸化亜鉛層132を形成した。このうち酸化錫層については、熱CVD法で膜厚8000Åにて製膜した。引き続き実施例1と同様の方法でGaとZrがドープされた酸化亜鉛層を400Å製膜した。なお膜厚はエリプソメーターで測定した。そしてシート抵抗を測定したところ、15Ω/□であった。また光電子分光法により仕事関数を測定したところ4.9eVであった。
比較例3として、実施例3において酸化亜鉛層132がGaのみをドーピングしていることにおいてのみ異なっていた。すなわち、酸化亜鉛層132の形成において比較例1と同様の方法で酸化亜鉛層を400Å堆積した。その結果、シート抵抗を測定したところ、16Ω/□であった。そして実施例2と同様に非晶質シリコン光電変換ユニット20を形成し、続いて裏面電極層30を形成し薄膜光電変換装置を作製した。
11 透光性基体
12 絶縁性下地層
13 透明導電膜
131透明電極
132透明電極
20 非晶質シリコン光電変換ユニット
21 p型非晶質シリコンカーバイド層
22 i型非晶質シリコン層
23 n型層
30 裏面電極層
31 酸化亜鉛層
32 Ag層
Claims (4)
- 透光性絶縁基板上に形成された酸化亜鉛層を最表面に有する透明導電膜において
前記酸化亜鉛層が膜中にGa(ガリウム)、Zr(ジルコン)を含有していることを特徴とする透明導電膜付き基板。 - 前記酸化亜鉛層中に含まれるGaの酸化亜鉛に対する量が0.1〜10wt%でありZrの酸化亜鉛に対する量が、0.1〜5wt%であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜付き基板。
- 上記酸化亜鉛層の形成方法がスパッタ法によることを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電膜付き基板の形成方法。
- 透光性絶縁基板上に、光入射側から透明導電膜、p型非晶質半導体層、i型非晶質光電変換層、n型半導体層、裏面電極層の順に積層された光電変換ユニットにおいて、透明導電膜が請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電膜であることを特徴とする薄膜光電変換装置。
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JPS62154411A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜 |
JPH0850815A (ja) * | 1994-04-21 | 1996-02-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 透明導電体及びその製造方法 |
JP2000294812A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP2002025350A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 透明導電膜付き基板及びその作製方法,それを用いたエッチング方法並びに光起電力装置 |
JP2003204071A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ga含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子及びその製造方法 |
JP2005219982A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 透光性導電材料 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62154411A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜 |
JPH0850815A (ja) * | 1994-04-21 | 1996-02-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 透明導電体及びその製造方法 |
JP2000294812A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP2002025350A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 透明導電膜付き基板及びその作製方法,それを用いたエッチング方法並びに光起電力装置 |
JP2003204071A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ga含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子及びその製造方法 |
JP2005219982A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 透光性導電材料 |
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