JP2009295580A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009295580A5
JP2009295580A5 JP2009121573A JP2009121573A JP2009295580A5 JP 2009295580 A5 JP2009295580 A5 JP 2009295580A5 JP 2009121573 A JP2009121573 A JP 2009121573A JP 2009121573 A JP2009121573 A JP 2009121573A JP 2009295580 A5 JP2009295580 A5 JP 2009295580A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrodes
outer periphery
gas distribution
members
conductive members
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009121573A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5713542B2 (ja
JP2009295580A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/123,954 external-priority patent/US8372238B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2009295580A publication Critical patent/JP2009295580A/ja
Publication of JP2009295580A5 publication Critical patent/JP2009295580A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5713542B2 publication Critical patent/JP5713542B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (22)

  1. 源ガスから発生したプラズマで製品を処理する装置であって、該装置は、
    排気可能空間を有する真空チャンバであって、前記排気可能空間と連通するポンプポートと、前記排気可能空間に源ガスを導入するように構成された少なくとも1つの注入ポートとを具備する真空チャンバと、
    排気可能空間内に設けられた複数の電極であって、該電極は並列配置を有し、排気可能空間内で該電極の間に複数の処理チャンバを画定し、該複数の電極の各々は外周を有する電極と、
    前記複数の処理チャンバの各々内において、該源ガスからプラズマを発生させるために電力を供給するように構成されるプラズマ励起源と、
    複数の導電部材であって、前記導電部材の各々は前記電極の各々を前記プラズマ励起源と電気的に接続し、前記導電部材の各々は前記外周の内側の或る位置にて前記電極の各々に電気的に接続されている複数の導電部材と、
    を備えていることを特徴とする装置。
  2. 請求項1に記載の装置であって、
    前記複数のそれぞれの前記電極は、前記外周の内側に幾何学的中心を有し、それぞれの前記導電部材のための前記位置は、前記複数の導電部材の各々に対する前記或る位置は、前記電極の各々における該幾何学的中心から1/2インチ内にあることを特徴とする装置。
  3. 請求項1に記載の装置であって、
    前記電極の各々は、対向し、前記外周により結合される第1の表面と第2の表面とを有する中実板であって、該電極の各々は該第1表面および第2表面の間に通路を有し、該通路は該外周を遮る側壁を有し、該導電部材の各々は前記電極の各々の通路の内に配置されていることを特徴とする装置。
  4. 請求項3に記載の装置であって、
    該導電部材の各々はさらに、第1の端部と第2の端部とを具備し、該第1の端部は前記電極の各々と前記或る位置において電気的に接続され、該第2の端部は前記外周を越えて前記プラズマ励起源との外部接続を確立することを特徴とする装置。
  5. 請求項4に記載の装置であって、
    前記導電部材の各々は、該第1の端部と該第2の端部との間に延在する円筒形外面を有するロッドであって、該装置はさらに、
    該誘電性材料からなる管状スリーブであって、前記管状スリーブは該外面と該通路の側壁との間における前記円筒形外面に配置され、前記導電部材は、該第1の端部と該第2の端部との間において前記電極の各々から電気的に絶縁されている管状スリーブを備えていることを特徴とする装置。
  6. 請求項5に記載の装置であって、
    前記管状スリーブの長さは前記導電部材の長さより短く、前記導電部材の該第1の端部および該第2の端部は、前記管状スリーブから外方に突出していることを特徴とする装置。
  7. 源ガスから発生したプラズマで製品を処理する装置であって、該装置は、
    排気可能空間を有する真空チャンバであって、該排気可能空間と連通するポンプポートとを具備する真空チャンバと、
    排気可能空間内に設けられた複数の電極であって、該電極は複数の隣接する対をなす並列配置を有して該排気可能空間内における複数の処理チャンバを画定し、前記電極の複数の隣接する対の各々は、ギャップによって隔てられて前記複数の処理チャンバの各々を形成し、前記電極の各々は外周を具備する上記複数の電極と、
    前記真空チャンバの内側に設けられた複数のガス分配管であって、前記複数のガス分配管の各々は、前記電極の外周の内側において、前記複数の処理チャンバの各々の中に源ガスを注入するように構成されている注入ポートを具備するガス分配管と、
    前記電極と電気的に接続されるプラズマ励起源であって、前記複数の処理チャンバの各々内において、該源ガスからプラズマを発生させるために電力を供給するように構成されるプラズマ励起源と、
    複数の流れ制限部材であって、前記複数の流れ制限部材の各々は、前記電極の隣接する対の各々の間にある前記ギャップに位置し、前記複数の流れ制限部材の各々が動作して、前記ギャップを減少させ、処理チャンバの各々から前記ポンプポートへ出る源ガスの流れを制限する流れ制限部材と、
    を備えていることを特徴とする装置。
  8. 請求項7に記載の装置であって、
    前記電極は中実であり、前記複数の処理チャンバの各々の中の源ガスは、前記ギャップを通して流れて前記ポンプポートに達するように制限されていることを特徴とする装置。
  9. 請求項7に記載の装置であって、前記装置はさらに、
    処理チャンバ内に製品を保持するように構成された複数の製品ホルダを有するラックを備え、
    前記複数の製品ホルダの各々は、隣接する対をなす前記電極の間に、一以上の製品を保持するように構成され、前記流れ制限部材は、それぞれ1つの前記製品ホルダに物理的に結合されていることを特徴とする装置。
  10. 請求項9に記載の装置であって、
    前記ラックは中実である底部板を有し、前記底部板は外周を有し、前記底部板は前記製品ホルダと前記ポンプポートとの間に配置され、源ガスは、前記底部板の前記外周のまわりのそれぞれの前記処理チャンバから前記ポンプポートへ達するように流れ出るように制限されることを特徴とする装置。
  11. 請求項9に記載の装置であって、
    それぞれの前記流れ制限部材は、前記ギャップの部分に配置されたバーを備えたフレームを具備し、前記バーは前記ギャップに比べてわずかに小さい幅を有していることを特徴とする装置。
  12. 請求項9に記載の装置であって、
    前記流れ制限部材の各々は、前記ギャップに配置されたバーを備えたフレームを具備し、および前記バーを底部板に結合する複数の結合部材を具備し、前記バーは隣接する対の各々において、前記電極の前記外周の内側に配置されていることを特徴とする装置。
  13. 請求項9に記載の装置であって、
    前記流れ制限部材の各々は、前記ギャップに配置されたバーを具備し、前記製品ホルダの各々は複数の十字部材を具備して、少なくとも一の製品を支持するように構成され、前記バーは、少なくとも一の前記十字部材とそれぞれの隣接する対における前記電極の前記外周との間に配置されていることを特徴とする装置。
  14. 請求項7に記載の装置であって、
    前記装置がさらに、
    前記真空チャンバの内側のガス分配マニホールドであって、それぞれの前記ガス分配管は、前記ガス分配マニホールドと連通して結合されている、上記ガス分配マニホールドを備えていることを特徴とする装置。
  15. 請求項14に記載の装置であって、
    前記装置において、前記ガス分配マニホールドは、通路を具備し、前記ガス分配管の各々は前記通路と連通して結合され、
    該装置はさらに、前記ガス分配マニホールドの前記通路に送られる源ガスの質量流量を調整するように構成された質量流量制御装置を備えていることを特徴とする装置。
  16. 請求項15に記載の装置であって、
    前記電極は一連の平行平面に配置され、前記通路は、前記ガス分配マニホールドの内部に整列して配置され、前記一連の平行平面に対してほぼ垂直になっていることを特徴とする装置。
  17. 請求項7に記載の装置であって、
    前記電極は複数の隣接する対に配置され、前記隣接する対の各々における前記電極の一は第1の表面を有し、前記隣接する対の各々における前記電極の別の一は前記第1の表面に対峙するように第2の表面を有し、一以上の前記製品は前記第1の表面と第2の表面との間に位置し、一の前記ガス分配管は前記第1の表面に取り付けられ、別の一の前記ガス分配管は前記第2の表面に取り付けられていることを特徴とする装置。
  18. 請求項7に記載の装置であって、
    それぞれの前記ガス分配管は、複数の管状部分を具備し、互いに斜めになっており、それぞれの前記管状部分は、それぞれの前記ガス分配管の全長を確立するように選択された長さを有していることを特徴とする装置。
  19. 請求項7に記載の装置であって、
    前記電極の各々は前記外周の内側に幾何学的中心を有し、前記ガス分配管の前記注入ポートは、前記電極の各々における前記幾何学的中心から1/2インチ内にあることを特徴とする装置。
  20. 源ガスから発生したプラズマで製品を処理する装置であって、この装置が、
    排気可能空間を有する複数の真空チャンバと、該排気可能空間と連通するポンプポートとを具備する真空チャンバと、
    排気可能空間内に設けられた複数の電極であって、該電極は複数の隣接する対をなす並列配置を有して該排気可能空間内における複数の処理チャンバを画定し、前記電極の各々は外周を具備する上記複数の電極と、
    前記複数の処理チャンバの各々内において、該源ガスからプラズマを発生させるために電力を供給するように構成されるプラズマ励起源と、
    前記真空チャンバの内側に設けられた複数のガス分配管であって、前記複数のガス分配管の各々は、前記電極の外周の内側において、前記複数の処理チャンバの各々の中に源ガスを注入するように構成されている注入ポートを具備するガス分配管と、
    前記電極のそれぞれ1つの隣接する対の間にあるギャップに配置される複数の流れ制限部材であって、前記複数の流れ制限部材の各々は動作して、部分的に前記ギャップを塞ぎ、前記処理チャンバの各々における前記ガス注入箇所から前記ポンプポートへの源ガスの流れを制限する流れ制限部材と、
    複数の導電部材であって、前記導電部材の各々は前記電極の各々を前記プラズマ励起源と電気的に接続し、前記導電部材の各々は前記外周の内側の或る位置にて前記電極の各々に電気的に接続されている複数の導電部材と、
    を備えていることを特徴とする装置。
  21. 請求項20に記載の装置であって、
    前記電極の各々は幾何学的中心を前記外周の内側に有し、前記導電部材の各々に対する前記或る位置は前記電極の各々の前記幾何学的中心から1/2インチ内にあることを特徴とする装置。
  22. 請求項20に記載の装置であって、
    前記電極の各々は幾何学的中心を前記外周の内側に有し、前記注入導電部材の各々に対する前記或る位置は前記電極各々の前記幾何学的中心から1/2インチ内にあることを特徴とする装置。
JP2009121573A 2008-05-20 2009-05-20 源ガスから発生したプラズマで製品を処理する装置 Expired - Fee Related JP5713542B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/123,954 US8372238B2 (en) 2008-05-20 2008-05-20 Multiple-electrode plasma processing systems with confined process chambers and interior-bussed electrical connections with the electrodes
US12/123,954 2008-05-20

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015045390A Division JP6078571B2 (ja) 2008-05-20 2015-03-09 製品を処理する装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009295580A JP2009295580A (ja) 2009-12-17
JP2009295580A5 true JP2009295580A5 (ja) 2012-07-05
JP5713542B2 JP5713542B2 (ja) 2015-05-07

Family

ID=41341204

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009121573A Expired - Fee Related JP5713542B2 (ja) 2008-05-20 2009-05-20 源ガスから発生したプラズマで製品を処理する装置
JP2015045390A Expired - Fee Related JP6078571B2 (ja) 2008-05-20 2015-03-09 製品を処理する装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015045390A Expired - Fee Related JP6078571B2 (ja) 2008-05-20 2015-03-09 製品を処理する装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8372238B2 (ja)
JP (2) JP5713542B2 (ja)
KR (2) KR101645191B1 (ja)
CN (2) CN103474327B (ja)
SG (2) SG176502A1 (ja)
TW (1) TWI519212B (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8372238B2 (en) * 2008-05-20 2013-02-12 Nordson Corporation Multiple-electrode plasma processing systems with confined process chambers and interior-bussed electrical connections with the electrodes
KR20120002795A (ko) * 2010-07-01 2012-01-09 주성엔지니어링(주) 피딩라인의 차폐수단을 가지는 전원공급수단 및 이를 포함한 기판처리장치
TW201226296A (en) * 2010-12-22 2012-07-01 Metal Ind Res & Dev Ct Continuous feeder apparatus applied in vacuum process
US8796075B2 (en) 2011-01-11 2014-08-05 Nordson Corporation Methods for vacuum assisted underfilling
CN102652946A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 富葵精密组件(深圳)有限公司 等离子清洁装置及等离子清洁方法
US8333166B2 (en) 2011-05-04 2012-12-18 Nordson Corporation Plasma treatment systems and methods for uniformly distributing radiofrequency power between multiple electrodes
EP2756517B1 (en) * 2011-09-15 2018-05-02 Cold Plasma Medical Technologies, Inc. Cold plasma treatment devices
US8597982B2 (en) 2011-10-31 2013-12-03 Nordson Corporation Methods of fabricating electronics assemblies
US9840778B2 (en) 2012-06-01 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same
CN102881551B (zh) * 2012-09-12 2015-05-27 珠海宝丰堂电子科技有限公司 具有气流限制机构的等离子体处理系统及其方法
CN103904016A (zh) * 2014-04-04 2014-07-02 株洲南车时代电气股份有限公司 硅片承载装置
WO2016205857A1 (en) * 2015-06-23 2016-12-29 Aurora Labs Pty Ltd Plasma driven particle propagation apparatus and pumping method
USD836212S1 (en) * 2015-08-14 2018-12-18 Christof-Herbert Diener Vacuum device
US11374184B2 (en) 2016-09-08 2022-06-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus
TWI800505B (zh) * 2017-04-24 2023-05-01 美商應用材料股份有限公司 對電漿反應器的電極施加功率
CN108787634A (zh) * 2018-07-19 2018-11-13 深圳市神州天柱科技有限公司 一种等离子清洗机
WO2020124264A1 (en) 2018-12-20 2020-06-25 Mécanique Analytique Inc. Electrode assemblies for plasma discharge devices
CN110223904A (zh) * 2019-07-19 2019-09-10 江苏鲁汶仪器有限公司 一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4264393A (en) 1977-10-31 1981-04-28 Motorola, Inc. Reactor apparatus for plasma etching or deposition
US4223048A (en) 1978-08-07 1980-09-16 Pacific Western Systems Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers
US4328081A (en) 1980-02-25 1982-05-04 Micro-Plate, Inc. Plasma desmearing apparatus and method
US4282077A (en) 1980-07-03 1981-08-04 General Dynamics, Pomona Division Uniform plasma etching system
US4425210A (en) 1980-11-04 1984-01-10 Fazlin Fazal A Plasma desmearing apparatus and method
DD156715A1 (de) 1981-03-05 1982-09-15 Heinz Rumberg Einrichtung zur beidseitigen beschichtung ebener substrate
US4474659A (en) 1982-05-28 1984-10-02 Fazal Fazlin Plated-through-hole method
US4806225A (en) 1982-05-28 1989-02-21 Advanced Plasma Systems, Inc. Desmearing and plated-through-hole apparatus
US4863577A (en) 1982-05-28 1989-09-05 Advanced Plasma Systems, Inc. Desmearing and plated-through-hole method
JPS60123032A (ja) 1983-12-07 1985-07-01 Dainamitsuku Internatl Kk プラズマ処理方法および装置
US4623441A (en) 1984-08-15 1986-11-18 Advanced Plasma Systems Inc. Paired electrodes for plasma chambers
US4689105A (en) 1985-04-15 1987-08-25 Advanced Plasma Systems Inc. Multi-layer printed circuit board lamination apparatus
US4859271A (en) 1985-04-15 1989-08-22 Advanced Plasma Systems, Inc. Lamination apparatus having multiple book platens
US4681649A (en) 1985-04-15 1987-07-21 Fazlin Fazal A Multi-layer printed circuit board vacuum lamination method
US4780174A (en) * 1986-12-05 1988-10-25 Lan Shan Ming Dislocation-free epitaxial growth in radio-frequency heating reactor
JPS63247373A (ja) 1987-03-31 1988-10-14 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜形成方法及び装置
US5041201A (en) 1988-09-16 1991-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
EP0428161B1 (en) 1989-11-15 1999-02-17 Kokusai Electric Co., Ltd. Dry process system
EP0493089B1 (en) 1990-12-25 1998-09-16 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and method for producing the same
DK0510912T3 (da) 1991-04-24 1998-02-09 Morinaga Milk Industry Co Ltd Antimikrobielt peptid og antimikrobielt middel
JPH05209279A (ja) * 1991-10-29 1993-08-20 Canon Inc 金属膜形成装置および金属膜形成法
JP3049932B2 (ja) 1992-03-31 2000-06-05 株式会社島津製作所 プラズマcvd装置
JP3171762B2 (ja) 1994-11-17 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6009890A (en) 1997-01-21 2000-01-04 Tokyo Electron Limited Substrate transporting and processing system
US6321680B2 (en) 1997-08-11 2001-11-27 Torrex Equipment Corporation Vertical plasma enhanced process apparatus and method
KR100557579B1 (ko) * 1997-11-05 2006-05-03 에스케이 주식회사 박막제조장치
CN1327486A (zh) 1998-12-01 2001-12-19 Sk株式会社 薄膜成形设备
TW507256B (en) * 2000-03-13 2002-10-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Discharge plasma generating method, discharge plasma generating apparatus, semiconductor device fabrication method, and semiconductor device fabrication apparatus
US20030048591A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-13 Saturn Vac Co., Ltd. Desmearing process/apparatus for pulse-type D.C. plasma
TW544071U (en) 2002-04-02 2003-07-21 Nano Electronics And Micro Sys Electrode device for plasma treatment system
US7013834B2 (en) 2002-04-19 2006-03-21 Nordson Corporation Plasma treatment system
CN1875454A (zh) 2003-10-28 2006-12-06 诺信公司 等离子处理系统和等离子处理工艺
JP2006165093A (ja) 2004-12-03 2006-06-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP4584722B2 (ja) * 2005-01-13 2010-11-24 シャープ株式会社 プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子
CN1874545A (zh) 2006-06-23 2006-12-06 王晓琦 一种在手持终端信息群发中加入接受者称呼的方法
JP4788504B2 (ja) * 2006-07-12 2011-10-05 富士電機株式会社 プラズマ処理装置の給電構造
US20080296261A1 (en) 2007-06-01 2008-12-04 Nordson Corporation Apparatus and methods for improving treatment uniformity in a plasma process
US8372238B2 (en) * 2008-05-20 2013-02-12 Nordson Corporation Multiple-electrode plasma processing systems with confined process chambers and interior-bussed electrical connections with the electrodes
US8333166B2 (en) * 2011-05-04 2012-12-18 Nordson Corporation Plasma treatment systems and methods for uniformly distributing radiofrequency power between multiple electrodes
WO2014064779A1 (ja) * 2012-10-24 2014-05-01 株式会社Jcu プラズマ処理装置及び方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009295580A5 (ja)
SG157301A1 (en) Multiple-electrode plasma processing systems with confined process chambers and interior-bussed electrical connections with the electrodes
JP4786818B2 (ja) プラズマ反応器
TWI539868B (zh) Plasma processing device
CN102037791B (zh) 等离子处理装置
JP2013514669A5 (ja)
TW200628021A (en) Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface
JP2011525299A5 (ja)
JP2012525684A5 (ja)
JP2007095695A5 (ja)
WO2012018448A3 (en) Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
KR101075171B1 (ko) 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지
JP5594820B2 (ja) 均一な常圧プラズマ発生装置
TW200721273A (en) Plasma processing equipment, plasma processing method, dielectric window for use therein and method for producing the same
TW201704563A (zh) 晶舟以及晶圓處理裝置
TW201706445A (zh) 晶舟、晶圓處理裝置以及晶圓處理方法
CN104284505A (zh) 常压低温等离子体流水式粉体材料改性系统
JP6437474B2 (ja) カーボンヒータを備える連続式超高温焼成炉
JP2013118411A5 (ja)
KR20190083115A (ko) 플라즈마를 이용한 식품 살균 장치
WO2009031520A1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびに半導体素子
CN102881551A (zh) 具有气流限制机构的等离子体处理系统及其方法
EP2744924B1 (en) Gas distribution system for a reaction chamber
KR100603434B1 (ko) 플라즈마 세정장치
PL2334341T3 (pl) Komora rezonansowa, zwłaszcza urządzenia do pasteryzacji produktów ciekłych