JP2012525684A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012525684A5
JP2012525684A5 JP2012508591A JP2012508591A JP2012525684A5 JP 2012525684 A5 JP2012525684 A5 JP 2012525684A5 JP 2012508591 A JP2012508591 A JP 2012508591A JP 2012508591 A JP2012508591 A JP 2012508591A JP 2012525684 A5 JP2012525684 A5 JP 2012525684A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
strip
substrate
plasma generator
generator array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012508591A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5746147B2 (ja
JP2012525684A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2010/032571 external-priority patent/WO2010129277A2/en
Publication of JP2012525684A publication Critical patent/JP2012525684A/ja
Publication of JP2012525684A5 publication Critical patent/JP2012525684A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5746147B2 publication Critical patent/JP5746147B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (28)

  1. 第1の表面及び第2の表面を有する基板と、
    前記基板の第1の表面の上に設けた第1の端部及び第2の端部を有し、かつ動作周波数(λ)の1/4の奇数倍の長さを有する細片と、
    前記基板の前記第2の表面上に設けられ、かつ前記細片の第1の端部が接続された接地平面と、
    前記細片の第2の端部に隣接し、かつ前記接地平面に接続された接地電極とを備え、
    前記細片の第2の端部と前記接地電極との間には放電隙間が設けられ、
    さらに、前記細片への給電用電源への接続のためのコネクタと
    を備えたことを特徴とするプラズマ発生器。
  2. 前記基板が誘電材料を含んでなる平面基板であり、前記細片が金属細片からなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生器。
  3. 前記接地平面に対して前記細片の第1の端部を接続させるために基板を介して設けられた第1のビアをさらに備えると共に、前記接地平面に対して前記接地電極を接続させるために基板を介して設けられた第2のビアを備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生器。
  4. 前記コネクタは、電源のインピーダンスに適合するイピーダンスを供給するために、前記細片の上の任意の位置に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生器。
  5. 大気圧または大気圧近傍でプラズマを発生し、前記プラズマの温度が300〜1000°Kであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生器。
  6. プラズマ発生器アレイを形成するために前記基板の第1の表面上に複数の細片をさらに設けたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生器。
  7. プラズマ発生器アレイであって、
    第1の表面及び第2の表面を有する基板と、
    前記基板の第1の表面に設けられた複数の強固に接続された共振細片とを備え、
    該共振細片の端部と、対応する接地電極との間に複数の放電隙間が設けられ、かつ該放電隙間は互いに隣接しており、
    さらに、少なくとも一つの細片への電力供給のために電源と接続するためのコネクタと
    を備えたことを特徴とするプラズマ発生器アレイ。
  8. 前記放電隙間が互いに同一直線上にあることを特徴とする請求項に記載のプラズマ発生器アレイ。
  9. 前記基板の第2の表面上に設けられた接地平面をさらに有することを特徴とする請求項に記載のプラズマ発生器アレイ。
  10. 前記各共振細片が動作周波数(λ)の1/4の奇数倍の長さを有することを特徴とする請求項に記載のプラズマ発生器アレイ。
  11. 電力は一つの共振細片へのみ供給され、残りの共振細片は共振結合を介してプラズマを発生することを特徴とする請求項に記載のプラズマ発生器アレイ。
  12. 大気圧又は大気圧近傍の圧力で連続なプラズマを生み出し、プラズマ温度が300〜1000°Kであることを特徴とする請求項に記載のプラズマ発生器アレイ。
  13. 前記放電隙間は、概ね円形配置で配列されていることを特徴とする請求項に記載のプラズマ発生器アレイ。
  14. 少なくとも2以上の周波数を含む入力電力を供給する電源をさらに備え、それぞれの周波数が前記アレイの異なる動作モードを励起することを特徴とする請求項に記載のプラズマ発生器アレイ。
  15. 前記基板を通して延びる開口をさらに備えると共に、前記放電隙間はリング状のプラズマを形成するために該開口の周囲に配列されていることを特徴とする請求項に記載のプラズマ発生器アレイ。
  16. 基板上に設けた複数の強固に結合された共振細片を有してなるプラズマ発生器アレイに電力を供給し、前記各共振細片の端部と、対応する接地電極との間に複数の放電隙間を設け、該放電隙間は互いに隣接して設けられて連続したプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ発生方法。
  17. 前記プラズマが、実質的に線形又は実質的にリング形状の何れかであるように放電隙間が配置されることを特徴とする請求項16に記載のプラズマ発生方法。
  18. 前記各共振細片の長さが、供給電力の動作周波数(λ)の1/4の奇数倍であることを特徴とする請求項16に記載のプラズマ発生方法。
  19. 少なくとも2以上の動作周波数で電力を供給することをさらに備え、それぞれの動作周波数は前記アレイの異なる動作モードを励起することを特徴とする請求項16に記載のプラズマ発生方法。
  20. 一つの共振細片へ電力を供給し、共振結合を介して残りの共振細片へプラズマを発生することをさらに備えたことを特徴とする請求項16に記載のプラズマ発生方法。
  21. 発生するプラズマでそこに配置された対象物を処理するために前記基板を介して延びる開口部を備え、前記開口部の周囲に放電隙間を設けることをさらに備え、前記対象物はワークピース又は流体の一つであることを特徴とする請求項16に記載のプラズマ発生方法。
  22. 前記プラズマで前記流体を光イオン化させるか、前記流体中で蛍光を誘発するかの何れかをさらに備えことを特徴とする請求項21に記載のプラズマ発生方法。
  23. 各細片の端部と対応する接地電極との間に互いに隣接する複数の放電隙間を区画する複数の強固に結合された共振細片を有してなるプラズマ発生器アレイを供給し、
    前記プラズマ発生器アレイの少なくとも一つの細片に電源を接続し、
    前記プラズマ発生器アレイの近くに変性させるべき表面の位置を定め、
    前記表面を変性させるために連続したプラズマを発生させることを特徴とする基板表面の変性方法。
  24. 前記放電隙間が実質的に同一直線上にあり、前記プラズマが実質的に線形プラズマであるか、または前記放電隙間を概ね円形配置すると共に、前記プラズマがリング状プラズマであることを特徴とする請求項23に記載の基板表面の変性方法。
  25. 前記プラズマが、前記表面から材料を除去するか、前記基板の表面の化学的性質を変性するかの何れか一つを前記表面材料加えるにより該表面を変性することを特徴とする請求項23に記載の基板表面の変性方法。
  26. 前記プラズマが、前記表面を変性するために気体と反応することを特徴とする請求項23に記載の基板表面の変性方法。
  27. 前記気体がシランガスであり前記表面がシリコンの堆積により変性されるか、フッ化炭素ガスであり前記表面がエッチングにより変性されるかの何れかであることを特徴とする請求項26に記載の基板表面の変性方法。
  28. 前記線状プラズマが、大気圧又は大気圧近傍の圧力で発生され、前記プラズマの温度が300〜1000°Kであることを特徴とする請求項23に記載の基板表面の変性方法。
JP2012508591A 2009-04-28 2010-04-27 プラズマ発生器、プラズマ発生器アレイ、当該アレイを用いた変性方法 Active JP5746147B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17333409P 2009-04-28 2009-04-28
US61/173,334 2009-04-28
PCT/US2010/032571 WO2010129277A2 (en) 2009-04-28 2010-04-27 Microplasma generator and methods therefor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012525684A JP2012525684A (ja) 2012-10-22
JP2012525684A5 true JP2012525684A5 (ja) 2013-06-20
JP5746147B2 JP5746147B2 (ja) 2015-07-08

Family

ID=43050726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012508591A Active JP5746147B2 (ja) 2009-04-28 2010-04-27 プラズマ発生器、プラズマ発生器アレイ、当該アレイを用いた変性方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9006972B2 (ja)
EP (1) EP2425459A4 (ja)
JP (1) JP5746147B2 (ja)
KR (1) KR20120023030A (ja)
AU (1) AU2010245048B2 (ja)
CA (1) CA2797497A1 (ja)
WO (1) WO2010129277A2 (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10125052B2 (en) 2008-05-06 2018-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Method of fabricating electrically conductive aerogels
US8785881B2 (en) 2008-05-06 2014-07-22 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for a porous electrospray emitter
US10308377B2 (en) 2011-05-03 2019-06-04 Massachusetts Institute Of Technology Propellant tank and loading for electrospray thruster
US9460884B2 (en) 2011-07-28 2016-10-04 Trustees Of Tufts College Microplasma generating array
WO2014026001A2 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Massachusetts Institute Of Technology Microplasma generation devices and associated systems and methods
US9358556B2 (en) 2013-05-28 2016-06-07 Massachusetts Institute Of Technology Electrically-driven fluid flow and related systems and methods, including electrospinning and electrospraying systems and methods
US9330889B2 (en) * 2013-07-11 2016-05-03 Agilent Technologies Inc. Plasma generation device with microstrip resonator
US9647414B2 (en) 2014-01-30 2017-05-09 Physical Sciences, Inc. Optically pumped micro-plasma
US10211169B2 (en) * 2014-05-27 2019-02-19 University Of Florida Research Foundation, Inc. Glass interposer integrated high quality electronic components and systems
TWI569690B (zh) * 2015-01-23 2017-02-01 國立臺灣大學 一種電漿產生裝置與其製備方法
US9736920B2 (en) 2015-02-06 2017-08-15 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for plasma ignition with a self-resonating device
CN104955259B (zh) * 2015-04-27 2018-03-23 华东师范大学 一种平面小功率微波微等离子体圆环形阵列源
US10497541B2 (en) 2016-05-19 2019-12-03 Nedal Saleh Apparatus and method for programmable spatially selective nanoscale surface functionalization
JP6316920B1 (ja) * 2016-12-07 2018-04-25 國家中山科學研究院 ガラス基板のセレン化及び硫化工程に用いる設備
US10141855B2 (en) 2017-04-12 2018-11-27 Accion Systems, Inc. System and method for power conversion
US11355317B2 (en) * 2017-12-14 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for dynamical control of radial uniformity in microwave chambers
JP7239134B2 (ja) * 2018-05-18 2023-03-14 国立大学法人大阪大学 樹脂材と金属材との接合体およびその製造方法
CN112166650B (zh) * 2018-05-30 2023-06-20 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置
CN110049614B (zh) * 2019-04-28 2021-12-03 中国科学院微电子研究所 微波等离子体装置及等离子体激发方法
US11545351B2 (en) 2019-05-21 2023-01-03 Accion Systems, Inc. Apparatus for electrospray emission
KR102545951B1 (ko) 2019-11-12 2023-06-22 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
KR102524433B1 (ko) 2019-11-27 2023-04-24 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
FI129609B (en) 2020-01-10 2022-05-31 Picosun Oy SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT
FR3131378B1 (fr) * 2021-12-29 2024-05-31 Centre Nat Etd Spatiales Dispositif de déclenchement de décharge électrostatique et procédé d’utilisation associé.

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3830249A1 (de) 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate
US5938854A (en) * 1993-05-28 1999-08-17 The University Of Tennessee Research Corporation Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure
AU2003195A (en) * 1994-06-21 1996-01-04 Boc Group, Inc., The Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines
DE19943953A1 (de) * 1999-09-14 2001-04-12 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines lokalen Plasmas durch Mikrostrukturelektrodenentladungen mit Mikrowellen
KR100345543B1 (ko) 2000-08-11 2002-07-26 최대규 플라즈마 세정 장치
JP4013570B2 (ja) * 2002-02-06 2007-11-28 松下電器産業株式会社 プラズマ加工方法及び装置
JP2004128159A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 高周波プラズマ発生装置および高周波プラズマ発生方法
AU2003303538A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-29 Northeastern University Low power plasma generator
JP3858093B2 (ja) 2003-01-15 2006-12-13 国立大学法人埼玉大学 マイクロプラズマ生成装置、プラズマアレイ顕微鏡、及びマイクロプラズマ生成方法
US7806077B2 (en) 2004-07-30 2010-10-05 Amarante Technologies, Inc. Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
JP4631046B2 (ja) * 2004-10-01 2011-02-16 国立大学法人 東京大学 マイクロ波励起プラズマ装置及びシステム
US20070170996A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Dutton David T Plasma generating devices having alternative ground geometry and methods for using the same
JP4916776B2 (ja) * 2006-05-01 2012-04-18 国立大学法人 東京大学 吹き出し形マイクロ波励起プラズマ処理装置
CN101385129B (zh) 2006-07-28 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 微波等离子体源和等离子体处理装置
JP4787104B2 (ja) 2006-07-31 2011-10-05 株式会社新川 ボンディング装置
KR101335322B1 (ko) 2006-09-20 2013-12-03 이마지니어링 가부시키가이샤 점화장치, 내연기관, 점화 플러그, 플라즈마장치, 배기가스분해장치, 오존 발생·멸균·소독장치 및 소취장치
KR101353684B1 (ko) 2006-11-14 2014-01-20 엘지전자 주식회사 플라즈마 발생장치 및 방법
WO2008090617A1 (ja) * 2007-01-25 2008-07-31 Nissin Inc. 大気圧プラズマガス流の発生方法
US20090065177A1 (en) 2007-09-10 2009-03-12 Chien Ouyang Cooling with microwave excited micro-plasma and ions

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012525684A5 (ja)
WO2010129277A3 (en) Microplasma generator and methods therefor
JP5747231B2 (ja) プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置
JP6378942B2 (ja) 載置台及びプラズマ処理装置
JP2015501546A5 (ja)
JP5727281B2 (ja) 誘導結合プラズマ処理装置
KR20150094686A (ko) 프로세스 챔버에 플라즈마를 제공하기 위한 장치
JP2008527634A5 (ja)
JP2015022806A (ja) 誘導結合プラズマ処理装置
TW201838089A (zh) 靜電吸盤
CN105830329A (zh) 超声波电动机
JP2016091829A5 (ja)
JP2017536049A5 (ja)
JP2012089653A (ja) 加熱装置、プラズマ処理装置、および半導体素子の形成方法
CN105472856A (zh) 一种六边形管式结构的低温等离子体发生器
JP5551635B2 (ja) 薄膜形成装置
JP2012142584A5 (ja)
US9363881B2 (en) Plasma device and operation method of plasma device
JP4705967B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2013089477A (ja) プラズマ発生装置
TWI539043B (zh) 石墨烯花的形成方法
JP2009259626A (ja) 大気圧プラズマ発生装置
JP5966212B2 (ja) 浮遊電極の一部がガス流路内部に面している誘導結合型マイクロプラズマ源およびこれを使用した装置
JP2011040481A5 (ja)
JP2009228032A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置