JPS63247373A - 薄膜形成方法及び装置 - Google Patents
薄膜形成方法及び装置Info
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- JPS63247373A JPS63247373A JP8075187A JP8075187A JPS63247373A JP S63247373 A JPS63247373 A JP S63247373A JP 8075187 A JP8075187 A JP 8075187A JP 8075187 A JP8075187 A JP 8075187A JP S63247373 A JPS63247373 A JP S63247373A
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- Japan
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- electrode
- high frequency
- electric discharge
- thin film
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野Ｊ
本発明は、薄膜形成方法及び装置に関し、更に詳しくは
、多面放電成膜型平行平板プラズマＣＶＤ方法及び装置
において、電極への高周波電力の導入方法及び電橋形状
に関するものである。
、多面放電成膜型平行平板プラズマＣＶＤ方法及び装置
において、電極への高周波電力の導入方法及び電橋形状
に関するものである。
「従来技術と問題点」
従来、平行平板型プラズマＣＶＤ方法により多面放電を
行い、多面に薄膜を形成しようとした場合、即ち装置の
スルーブツトをあげて生産性を高上しようとした場合に
は、第１図に示す如く、１つの高周波電力を導入する高
周波電極（１）の両サイドに等間隔に薄膜を形成しよう
とする基板（５）を保持する対向電極（４）を２個設け
、高周波電極（１）と２つの対向電極（４）間で原料ガ
スを高周波グロー放電によりプラズマ分解し、基板（５
）上に薄膜を形成する方法が用いられている。この方法
にあっては、高周波電極と対向電極の組を複数組設ける
ことによって極めて高い生産性が得られる。第２図は、
高周波電極、対向電極を２組配置したプラズマＣＶＤ装
置を示す。
行い、多面に薄膜を形成しようとした場合、即ち装置の
スルーブツトをあげて生産性を高上しようとした場合に
は、第１図に示す如く、１つの高周波電力を導入する高
周波電極（１）の両サイドに等間隔に薄膜を形成しよう
とする基板（５）を保持する対向電極（４）を２個設け
、高周波電極（１）と２つの対向電極（４）間で原料ガ
スを高周波グロー放電によりプラズマ分解し、基板（５
）上に薄膜を形成する方法が用いられている。この方法
にあっては、高周波電極と対向電極の組を複数組設ける
ことによって極めて高い生産性が得られる。第２図は、
高周波電極、対向電極を２組配置したプラズマＣＶＤ装
置を示す。
上記の如き電極の配置は、生産性は高いという利点を有
するものの、反面、高周波電極の両面が放電面にさらさ
れるため、高周波導入軸の接続位置が周辺部に限られる
という欠点があり、その結果、放電に面内分布が生じ、
従って膜厚分布が大きくなるという大きな問題を包含し
ている。
するものの、反面、高周波電極の両面が放電面にさらさ
れるため、高周波導入軸の接続位置が周辺部に限られる
という欠点があり、その結果、放電に面内分布が生じ、
従って膜厚分布が大きくなるという大きな問題を包含し
ている。
上記現象を更に詳述すると、上述の如く、高周波電極（
１）の表面は放電面にさらされるため、比較的自由に使
える部分は周縁部のみとなり、高周波電極の導入軸（２
）もこれら周縁部に接続するのが適当とされている。と
ころが、高周波電極、特に薄膜形成等に常用される１３
．５６ＭＨｚ等の高周波は、導体の表面伝播が主であり
、高周波電極（１）の高周波電力接続端と他端では電界
強度が大きく異なり、特に電極サイズが大きくなるに従
い高周波電力接続端の他端に電力が集中し、従ってその
付近でプラズマ強度も大きく、又、膜厚も大きくなり、
その結果、基板表面での膜厚分布が生じるばかりでなく
、プラズマ強度により変化する膜質に大きな分布が生じ
ることとなり、甚だ不都合である。
１）の表面は放電面にさらされるため、比較的自由に使
える部分は周縁部のみとなり、高周波電極の導入軸（２
）もこれら周縁部に接続するのが適当とされている。と
ころが、高周波電極、特に薄膜形成等に常用される１３
．５６ＭＨｚ等の高周波は、導体の表面伝播が主であり
、高周波電極（１）の高周波電力接続端と他端では電界
強度が大きく異なり、特に電極サイズが大きくなるに従
い高周波電力接続端の他端に電力が集中し、従ってその
付近でプラズマ強度も大きく、又、膜厚も大きくなり、
その結果、基板表面での膜厚分布が生じるばかりでなく
、プラズマ強度により変化する膜質に大きな分布が生じ
ることとなり、甚だ不都合である。
「問題点を解決するための手段」
本発明は上記実情に鑑み、１つの高周波電極とその両面
に対向する２つの電極を１組とする構造のプラズマＣＶ
Ｄ装置において生じる高周波電力の分布と、それによっ
て惹き起こされる膜厚と１％質の分布を解消する方法及
び装置を提供するものである。
に対向する２つの電極を１組とする構造のプラズマＣＶ
Ｄ装置において生じる高周波電力の分布と、それによっ
て惹き起こされる膜厚と１％質の分布を解消する方法及
び装置を提供するものである。
即ち、本発明の第１は多面放電形平行平板プラズマＣＶ
Ｄ方法において、高周波電力を電極の放電面の中央部に
実質的に導入することを特徴とする薄膜形成方法を、本
発明の第２は多面放電形平行平板プラズマＣＶＤ装置に
おいて、電極への高周波投入軸を前記電極の放電面の裏
面中央部に接続してなることを特徴とする薄膜形成装置
をそれぞれ内容とするものである。
Ｄ方法において、高周波電力を電極の放電面の中央部に
実質的に導入することを特徴とする薄膜形成方法を、本
発明の第２は多面放電形平行平板プラズマＣＶＤ装置に
おいて、電極への高周波投入軸を前記電極の放電面の裏
面中央部に接続してなることを特徴とする薄膜形成装置
をそれぞれ内容とするものである。
「実施例」
以下、実施態様を示す図面に基づいて、本発明を更に詳
細に説明する。
細に説明する。
第３図は、本発明の方法を実施するために用いられる装
置の一例を示す概要図、第４図は同断面図である。
置の一例を示す概要図、第４図は同断面図である。
これらの図において、°両面放電用の高周波電極（１）
の側面和睦より高周波導入軸（２）を該電橋内部に導入
し、該高周波電極（１）の放電面（５ａ） （５ｂ）
の裏面中央部に、取付部（９８）（９ｂ）を介して接続
されている。高周波電力導入軸（２）と電極の側面ｍあ
るいはその他の部分は、直流的にも又は高周波的にも接
続されず、放電面（５ａ） （５ｂ）の裏面中央部に
のみ確実に接続されていることが必要である。高周波電
力導入軸（２）は一般に丸棒が使われる。これは中空も
しくは中実のいずれも可であるが、高周波電力は表面伝
播であることを考えると１．外径は大きい程好適である
。
の側面和睦より高周波導入軸（２）を該電橋内部に導入
し、該高周波電極（１）の放電面（５ａ） （５ｂ）
の裏面中央部に、取付部（９８）（９ｂ）を介して接続
されている。高周波電力導入軸（２）と電極の側面ｍあ
るいはその他の部分は、直流的にも又は高周波的にも接
続されず、放電面（５ａ） （５ｂ）の裏面中央部に
のみ確実に接続されていることが必要である。高周波電
力導入軸（２）は一般に丸棒が使われる。これは中空も
しくは中実のいずれも可であるが、高周波電力は表面伝
播であることを考えると１．外径は大きい程好適である
。
「作用・効果」
本発明の高周波電力導入軸を高周波電極の放電面の裏面
中央部に接続し、高周波電力を放電面の中央部に供給す
ることにより、大面積電極及び基板においても、面内に
おいてプラズマ強度、ｌ１１１ｇ、膜質とも均一で、分
布の少ない膜を得ることができる。
中央部に接続し、高周波電力を放電面の中央部に供給す
ることにより、大面積電極及び基板においても、面内に
おいてプラズマ強度、ｌ１１１ｇ、膜質とも均一で、分
布の少ない膜を得ることができる。
第１図は従来の高周波電極、対向電極、高周波導入軸を
示す概略図、第２図は従来の高周波電極、対向電極を２
組配置したプラズマＣＶＤ装置の概略図、第３図は本発
明装置の要部を示し、高周波電極と高周波電力導入軸と
の接合部の一部切り火き概略図、第４図は同断面図であ
る。 ｌ・・・高周波電極、 ２・・・高周波導入軸３・・・
高周波電源、 ４・・・対向電極５・・・基板、
５ａｓ５ｂ・・放電面６・・・ヒーター、 ７・
・・ヒーター電源８・・・真空容器、 ９ａ、９ｂ・
・取付部第１＠ 第３図 第２図 第４図
示す概略図、第２図は従来の高周波電極、対向電極を２
組配置したプラズマＣＶＤ装置の概略図、第３図は本発
明装置の要部を示し、高周波電極と高周波電力導入軸と
の接合部の一部切り火き概略図、第４図は同断面図であ
る。 ｌ・・・高周波電極、 ２・・・高周波導入軸３・・・
高周波電源、 ４・・・対向電極５・・・基板、
５ａｓ５ｂ・・放電面６・・・ヒーター、 ７・
・・ヒーター電源８・・・真空容器、 ９ａ、９ｂ・
・取付部第１＠ 第３図 第２図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多面放電形平行平板プラズマＣＶＤ方法において、
高周波電力を電極の放電面の中央部に実質的に導入する
ことを特徴とする薄膜形成方法。 ２、多面放電形平行平板プラズマＣＶＤ装置において、
電極への高周波投入軸を前記電極の放電面の裏面中央部
に接続してなることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075187A JPS63247373A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜形成方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075187A JPS63247373A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜形成方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63247373A true JPS63247373A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13727109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8075187A Pending JPS63247373A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜形成方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63247373A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171187A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびこれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP2015146317A (ja) * | 2008-05-20 | 2015-08-13 | ノードソン コーポレーションＮｏｒｄｓｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 密封型処理チャンバと電極への内部バスによる電気接続とを備えた多電極プラズマ処理システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181865A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-24 | Citizen Watch Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP8075187A patent/JPS63247373A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181865A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-24 | Citizen Watch Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015146317A (ja) * | 2008-05-20 | 2015-08-13 | ノードソン コーポレーションＮｏｒｄｓｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 密封型処理チャンバと電極への内部バスによる電気接続とを備えた多電極プラズマ処理システム |
| US10109448B2 (en) | 2008-05-20 | 2018-10-23 | Nordson Corporation | Multiple-electrode plasma processing systems with confined process chambers and interior-bussed electrical connections with the electrodes |
| JP2010171187A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびこれを用いた半導体素子の製造方法 |
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