JP4064540B2 - プラズマｃｖｄ処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマＣＶＤ処理装置に関するものであり、さらに詳しくは、プラズマＣＶＤ処理装置の稼働時、加熱されたシャワ電極板に熱ひずみが生じても割れにくく、もし割れが生じた場合でもその部品の交換にコストがあまりかからず、製造の歩留まりも向上できる絶縁物を有するプラズマＣＶＤ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のプラズマＣＶＤ処理装置の一例を図４に示す。
図４において、１は上蓋１ａと下蓋１ｂとから形成される真空容器、２はウェハ等の被処理基板、３はアノード、４はカソード、５は分散孔、６はシャワ電極板、７は高周波電源、８はフィルタ、９は直流負電源、１０は高周波フィルタ、１１はシャワ電極板６を支持した絶縁物である。
真空容器１内には、被処理基板２を載置するアノード３が設けられ、アノード３に対向してカソード４が設けられている。カソード４の下面には、分散孔５を備えたシャワ電極板６が設けられている。カソード４及びシャワー電極板６の外周部は真空容器１内で石英製の絶縁物１２ａ，１２ｂにより囲繞されている。
また、高周波電源７がコンデンサ８を介してカソード４に接続され、一方、直流負電源９が高周波フィルタ１０を介してカソード４に接続され、シャワ電極板６と、アノード３との間に高周波電力が印加されるようになっている。
【０００３】
周知のように、反応ガスを真空容器１内に流通させ、分散孔５を備えたシャワ電極板６を利用して、カソード４とアノード３との間に高周波電力を印加しプラズマを発生させ、被処理基板２に対し所望の処理を施している。
【０００４】
また、絶縁物１１は、シャワ電極板６と真空容器１との間に高周波電力が印加しないように、シャワ電極板６の周囲に設けられている。
従来の絶縁物１１の形状を図５に示す。図５（ａ）は絶縁物１１の平面図であり、図５Ａ−Ａ線に沿った（ｂ）は絶縁物１１の断面図である。図５（ａ）および（ｂ）から分かるように、従来の絶縁物１１は額縁状であり、一つの部品として成形加工されている。この絶縁物１１は、一般的に石英やアルミナ等の材料を焼成することにより額縁状の形状に成形加工されている。
【０００５】
従来の絶縁物１１は、プラズマＣＶＤ処理装置の稼働時に割れが発生し易いという問題点があった。その理由を調査したところ、プラズマＣＶＤ処理装置の稼働時、加熱されたシャワ電極板６に熱ひずみが生じ、これと接触している絶縁物１１がシャワ電極板６の熱ひずみに追随できないことが判明した。
また、従来の絶縁物１１は、先に説明したように額縁状の形状であり、また一つの部品として成形加工するために、成形加工工程における焼成後、絶縁物１１の内周コーナ部に割れが発生し易いという問題点もある。さらに、絶縁物１１の寸法が大きいために、焼成時、素材の収縮に伴う割れが発生し、加工上での歩留まりが悪くなり部品コストが高くなるという問題点もある。さらにまた、絶縁物１１は額縁状の形状のため、このような割れが１カ所でも発生すると、その部品自体を全て交換する必要があり、装置コストが上昇する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、かかる従来技術の問題点を解決し、プラズマＣＶＤ処理装置の稼働時、加熱されたシャワ電極板に熱ひずみが生じても割れにくく、もし割れが生じた場合でもその部品の交換にコストがあまりかからず、製造の歩留まりも向上した絶縁物を有するプラズマＣＶＤ処理装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる従来技術の問題点を解決するため、この発明は、真空容器内に、被処理基板を載置するアノードと、前記アノードに対向して設けられたカソードと、前記カソードの下面に設けられたシャワ電極板と、前記シャワ電極板と前記真空容器との間に高周波電力が印加しないように設けられた絶縁物と、を備えたプラズマＣＶＤ装置において、
前記絶縁物が複数個の部材を組み合わせた構造であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
この発明のプラズマＣＶＤ処理装置は、とくにシャワ電極板６の周囲に設けられた絶縁物の構造に特徴を有している。この発明におけるプラズマＣＶＤ処理装置は、先に説明した図４のように、真空容器１内に、被処理基板２を載置するアノード３が設けられ、アノード３に対向してカソード４が設けられ、カソード４の下面には、分散孔５を備えたシャワ電極板６が設けられ、そしてシャワ電極板６の周囲に、シャワ電極板６と真空容器１との間に高周波電力が印加しないように絶縁物が設けられた構造とすることができる。このような構造は、絶縁物の構造を除き、従来技術のプラズマＣＶＤ処理装置と同じである。
【０００９】
この発明における絶縁物の構造を図１に示す。図１（ａ）は絶縁物１１の平面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った絶縁物１１の断面図である。図１（ａ）および（ｂ）から分かるように、この発明における絶縁物１１は額縁状ではあるが、複数個の部材が組み合わされて形成されている。すなわち、４個の部材２１、２２、２３、２４が互いに組み合わされ、額縁状の形状をなしている。なお、この発明において絶縁物１１における部材は、従来技術と同様に石英やアルミナ等の材料を焼成することによって成形加工することができる。
【００１０】
図２は絶縁物１１の構成部材の組み合わせ構造の一例を説明するための図である。図２では、２個の部材２１および２２の組み合わせ構造部分のみを示している。部材２１および２２間は、あいじゃくり構造によって係合している。
【００１１】
上記のようにして部材２１、２２、２３、２４が組み合わされた額縁状の絶縁物１１は、プラズマＣＶＤ処理装置に導入される。
具体的には、例えば図３（ａ）に示すように上蓋４１を用意し、図３（ｂ）のようにして、部材２１、２２、２３、２４はあいじゃくり構造で連結され、型枠３１の内部に組み込まれる。そして図３（ｃ）に示すように部材２１、２２、２３、２４および型枠３１の集合体とが連結されてプラズマＣＶＤ処理装置に導入される。
【００１２】
このように絶縁物１１が、複数個の部材を組み合わせた構造であることにより、シャワ電極板６に熱ひずみが生じても、例えばあいじゃくり構造部がひずみを緩衝して絶縁物１１の割れを防止することになる。
【００１３】
また、絶縁物１１が、複数個の部材を組み合わせた構造であることにより、寸法が小さくなり、成形加工工程における焼成時、素材の収縮に伴う割れが発生しにくくなる。
【００１４】
さらに、もし割れが発生したとしても、従来技術のようにその部品を全て交換する必要はなく、割れの発生した部材のみを交換すればよいので、コスト的に有利である。
【００１５】
なお、上記の実施の形態では、絶縁物１１が４個の部材２１、２２、２３、２４の組み合わせにより形成されている例を説明したが、この発明はこれに制限されない。例えば、中央部付近に屈曲部を設けた「くの字」型の部材を２個連結して額縁状の形状の絶縁物１１としてもよいし、必要に応じて４個以上の部材を用いて絶縁物を形成してもよい。
【００１６】
【発明の効果】
この発明は、真空容器内に、被処理基板を載置するアノードと、前記アノードに対向して設けられたカソードと、前記カソードの下面に設けられたシャワ電極板と、前記シャワ電極板と前記真空容器との間に高周波電力が印加しないように設けられた絶縁物と、を備えたプラズマＣＶＤ装置において、前記絶縁物が複数個の部材を組み合わせた構造であることを特徴としているため、プラズマＣＶＤ処理装置の稼働時、加熱されたシャワ電極板に熱ひずみが生じても絶縁物が割れにくく、もし割れが生じた場合でもその部品の交換にコストがあまりかからず、また絶縁物の製造の歩留まりも向上しているプラズマＣＶＤ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明における絶縁物の構造を説明するための図であり、（ａ）は絶縁物の平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った絶縁物の断面図である。
【図２】絶縁物の構成部材の組み合わせ構造の一例を説明するための図である。
【図３】絶縁物のプラズマＣＶＤ処理装置へ導入を説明するための図である。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ処理装置の一例を説明するための図である。
【図５】従来の絶縁物の形状を説明するための図であり、（ａ）は絶縁物の平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った絶縁物１１の断面図である。
【符号の説明】
１ 真空容器
２ 被処理基板
３ アノード
４ カソード
５ 分散孔
６ シャワ電極板
７ 高周波電源
８ コンデンサ
９ 直流負電源
１０ 高周波フィルタ
１１ 絶縁物
２１，２２，２３，２４ 部材
３１ 型枠
４１ 上蓋

Claims (1)

1. 真空容器内に、被処理基板を載置するアノードと、前記アノードに対向して設けられたカソードと、前記カソードの下面に設けられたシャワ電極板と、前記シャワ電極板と前記真空管容器との間に高周波電力が印加しないように設けられた絶縁物と、を備えたプラズマＣＶＤ処理装置において、前記絶縁物が複数個の部材を組み合わせた構造で額縁状の形状をなし、それぞれの部材はあいじゃくり構造によって係合し、前記複数個の部材が組み合わされた絶縁物は型枠の内部に組み込まれることを特徴とするプラズマＣＶＤ処理装置。

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