JP2009289900A - 配線基板及びその製造方法、並びにこれを用いた電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表面導体と電気的に接続するビア導体が絶縁基板に埋設される配線基板は、その製造上の焼成工程において、ビア導体及び表面導体が収縮することにより、これらの接合が不十分となる可能性がある。
【解決手段】予め焼成された第１の絶縁基板のビアホール内に第１の導体ペーストを低圧下で配設して積層体を作製し、この積層体を焼成することにより、配線基板を作製する。これにより、ビア導体に凹部を形成するとともに、表面導体にこの凹部と嵌合する凸部を形成することができる。そのため、ビア導体と表面導体の接合面積を大きくすることができる。結果として、ビア導体と表面導体との接合性を高めることができるので、信頼性を向上させた配線基板を提供することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば、半導体素子及び圧電振動子のような電子部品が搭載される配線基板並びにその製造方法に関するものである。

近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、電子機器に使用される半導体素子の搭載されるパッケージや配線基板に対しても小型化や高集積化の要求がなされている。この配線基板に対する高集積化の要求を満たすため、配線基板の平坦性をより高めることが求められている。

そこで、特許文献１に開示されているように、研磨する工程を加えた製造方法を用いることによりセラミック基板の平坦性を高めたものが提案されている。具体的には、主面に配線導体（表面導体）が配設されたセラミック基板にセラミック被覆層を積層する。そして、配線導体が露出する程度にセラミック被覆層を研磨する。これにより、焼成時に生じるセラミック基板表面の凹凸を小さくしている。
特開２００５−１０９４６２号公報

しかしながら、特許文献１に記載の多層セラミック基板の製造方法は焼成工程で生じたセラミック基板表面の凹凸を、セラミック被覆層を研磨する工程により小さくするものである。そのため、焼成工程においてセラミック基板が収縮することにより生じる、セラミック基板表面の凹凸自体を小さくするものではない。そして、表面導体と電気的に接続するビア導体が絶縁基板に埋設される配線基板を小型化した場合、その製造上の焼成工程において、セラミック基体、ビア導体及び表面導体が収縮することにより、ビア導体と表面導体との接合が不十分となる可能性がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ビア導体と表面導体との接合性を高め、信頼性を向上させた配線基板を提供することを目的とする。

本発明の配線基板の製造方法は、主面及びビアホールを有する絶縁基板と、前記ビアホール内に埋設されたビア導体と、前記絶縁基板の主面上に配設されるとともに前記ビア導体と電気的に接続された表面導体とを備えた配線基板の製造方法に関するものであって、予め焼成された前記絶縁基板を準備する工程と、前記ビアホール内に前記ビア導体となる第１の導体ペーストを低圧下で配設する工程と、前記第１の導体ペーストを乾燥させる工程と、前記絶縁基板の主面上に前記表面導体となる第２の導体ペーストを積層する工程と、前記第１の導体ペースト及び前記第２の導体ペーストを焼成する工程とを備えたことを特徴とする。

本発明の配線基板の製造方法によれば、第１の導体ペーストが低圧下でビアホール内に配設されるとともに、上記の乾燥工程において乾燥されることから、第１の導体ペーストに含有されるバインダーの蒸発が促進される。これにより、第１の導体ペーストが収縮して凹部が形成される。

そして、絶縁基板の主面上に表面導体となる第２の導体ペーストを積層する工程において、第２の導体ペーストが、第１の導体ペーストの中央部分に形成された上記の凹部に充填される。結果として、第１の導体ペースト及び第２の導体ペーストを焼成する工程を経て、上記形状の凹部を有するビア導体が形成されるとともに、この凹部と嵌合する凸部を有する表面導体が形成される。これにより、ビア導体と表面導体の接合面積を大きくすることができる。

このようにして、ビア導体と表面導体との接合性を高めることができるので、信頼性を向上させた配線基板を提供することができる。

以下、図面を用いて本発明の配線基板の一例を説明する。

図１、２に示すように、第１の実施形態にかかる配線基板１は、主面３ａ及びビアホール３ｂを有する絶縁基板３（以下、第１の絶縁基板３ともいう）と、ビアホール３ｂ内に埋設されたビア導体５と、第１の絶縁基板３の主面３ａ上に配設されるとともにビア導体５と電気的に接続された表面導体７とを備えている。

そして、ビア導体５が凹部５ａを有するとともに、表面導体７が凹部５ａと嵌合する凸部７ａを有している。このような特徴を備えることにより、ビア導体５と表面導体７の接合面積を大きくすることができる。結果として、ビア導体５と表面導体７との接合性を高めることができるので、信頼性を向上させた配線基板１を提供することができる。

ビア導体５の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ及びＣｕのような金属導体を用いることができる。特にＷ、Ｍｏ及びＭｎのような融点の高い金属導体を用いることが好ましい。表面導体７の材料としては、Ａｕ及びＣｕのような金属を用いることができる。

特に、ビア導体５の主成分がＡｇであって、表面導体７の主成分がＣｕであることが好ましい。これにより、ビア導体５及び配線基板１を含む通電部分の抵抗値を小さくできると同時にマイグレーションを抑制できるからである。

配線基板１は複数のビア導体５を備え、各ビア導体５は内部配線１１で電気的に接続されている。内部配線１１の材料としては、表面導体７と同様に、Ａｕ及びＣｕのような金属を用いることができる。

また、凸部７ａの高さは、ビアホール３ｂの直径の１/４以上であることが好ましい。凸部７ａの高さがビアホール３ｂの直径の１/４の高さ以上であることにより、ビア導体５と配線基板１の接合性を高め、安定して通電させることができる。また、凸部７ａの高さは、ビアホール３ｂの直径以下であることが好ましい。凸部７ａの高さがビアホール３ｂの直径以下であることにより、ビア導体５及び／又は表面導体７の耐久性の低下を抑制することができる。なお、ここで凸部７ａの高さとは、図２に示すように、ビア導体５と表面導体７の境界の下端と上端の位置の差Ｈを意味している。具体的には、凸部７ａの高さは１００〜２００μｍであることが好ましい。

また、少なくともビア導体５がガラス成分を含有し、ビア導体５は、表面導体７よりもガラス成分の含有量が多いことが好ましい。ビア導体５は側面部分全体で絶縁基板３と接合しているため、熱収縮した場合に、表面導体７と比較して絶縁基板３から剥離しやすい。しかしながら、ビア導体５がガラス成分を含有していることにより、ビア導体５と絶縁基板３の接合性が高められるため、ビア導体５の絶縁基板３からの剥離が抑制されるからである。

また、ビア導体５と比較して絶縁基板３から剥離しにくい表面導体７におけるガラス成分の含有量をビア導体５におけるガラス成分の含有量よりも小さくすることにより、ビア導体５及び配線基板１を含む通電部分の抵抗値を小さくできる。本実施形態において「含有量」とは質量％を意味している。また、ガラス成分としては、例えば、ＳｉＯ_２のようなガラスセラミックスを用いることができる。

次に、本発明の第２の実施形態について、図面を用いて説明する。

図３に示すように、本実施形態の配線基板１は、凸部７ａの少なくとも一部の幅Ｌ１が、凸部７ａの根元部分における幅Ｌ２よりも大きい形状である。このように、凸部７ａの根元部分における幅Ｌ２よりも先端側の少なくとも一部の部分の幅Ｌ１が大きい形状であることにより、表面導体７のビア導体５からの剥離が抑制される。これにより、通電部分において安定して通電を行うことができるので、安定した性能を有する配線基板１を提供することができる。

次に、本発明の第３の実施形態について、図面を用いて説明する。

図４に示すように、本実施形態の配線基板１は、凸部７ａの表面が曲面形状である。このように、凸部７ａの表面が曲面形状であることにより、ビア導体５及び表面導体７の一部に応力が集中ことを抑制できるので、配線基板１の耐久性を向上させることができる。

次に、本発明の第４の実施形態について、図面を用いて説明する。

図５に示すように、本実施形態の配線基板１は、第１の絶縁基板３の主面３ａ上に配設された第２の絶縁基板９を備え、第２の絶縁基板９が、第１の絶縁基板３よりも剛性が低い。第１の絶縁基板３及び表面導体７上に第２の絶縁基板９を積層する工程と、表面導体７が露出するように第２の絶縁基板９を研磨する工程とを備える場合において上記の構成が有効となる。これは、第２の絶縁基板９が、第１の絶縁基板３よりも剛性が低いことにより、第１の絶縁基板３にクラックが伸展する可能性が低減されるので、電子回路に電気的な短絡が生じる可能性を小さくできるからである。

第１の絶縁基板３及び第２の絶縁基板９の剛性は、ヤング率によっても評価することができる。第１の絶縁基板３よりも剛性が低い第２の絶縁基板９は、第１の絶縁基板３と比較してヤング率が小さいからである。第２の絶縁基板９のヤング率が小さい理由としては、後述するように、第１の絶縁基板３と比較して多くの空隙が形成されていることなどが挙げられる。

そこで、第１の絶縁基板３及び第２の絶縁基板９のヤング率を評価することにより、第１の絶縁基板３及び第２の絶縁基板９の剛性を比較することができる。ヤング率の測定方法としては、例えば、ナノインデンテーション法を用いることができる。測定装置としては、例えば、ナノインスツルメント社製の「ナノインデンターＩＩ」を用いることができる。第１の絶縁基板３及び第２の絶縁基板９をそれぞれ露出させ、上記の測定装置を用いてヤング率を測定すれば良い。

第１の絶縁基板３の材料としては、例えば、絶縁性にすぐれた無機化合物を用いることができる。特に、ウェハーを形成するシリコンに熱膨張率が近いＡｌ_２Ｏ_３やガラスセラミックスを用いることができる。

第２の絶縁基板９の材料としては、第１の絶縁基板３と同様に、絶縁性にすぐれた無機化合物を用いることができる。このとき、第２の絶縁基板９は、第１の絶縁基板３よりも剛性が低いことが求められる。第２の絶縁基板９の剛性を、第１の絶縁基板３の剛性よりも低くするには、具体的には、第２の絶縁基板９が、第１の絶縁基板３を構成する組成よりも剛性が低い組成とすればよい。

より具体的には、第２の絶縁基板９は、第１の絶縁基板３よりもガラス成分の含有量が多いことが好ましい。ガラス成分の含有量が多いことにより、第２の絶縁基板９の剛性を小さくできるからである。例えば、第１の絶縁基板３としてアルミナを主成分とする無機化合物を用い、第２の絶縁基板９としてガラスセラミックスを主成分とする無機化合物を用いることができる。なお、本実施形態において「含有量」とは質量％を意味している。また、本実施形態において「主成分」とは、質量％で最も大きい成分を示している。

また、このとき第１の絶縁基板３がガラスセラミックスを含有していることが更に好ましい。第２の絶縁基板９の主成分であるガラスセラミックスと第１の絶縁基板３に含有されるガラスセラミックスとが結合するので、第１の絶縁基板３と第２の絶縁基板９の接合性を高めることができるからである。

次に、本実施形態にかかる配線基板の製造方法について説明する。

本実施形態にかかる配線基板１の製造方法は、主面３ａ及びビアホール３ｂを有する絶縁基板３（第１の絶縁基板３）と、ビアホール３ｂ内に埋設されたビア導体５と、第１の絶縁基板３の主面３ａ上に配設されるとともにビア導体５と電気的に接続された表面導体７とを備えた配線基板１に関する製造方法である。そして、図６に示すように、本実施形態における配線基板１の製造方法は、予め焼成された第１の絶縁基板３を準備する工程と、ビアホール３ｂ内にビア導体５となる第１の導体ペースト６を低圧下で配設する工程と、第１の導体ペースト６を乾燥させる工程とを備えている。

これにより、第１の導体ペースト６が収縮して凹部５ａが形成され、さらに、凹部５ａの少なくとも一部の幅が、凹部５ａの先端部分における幅よりも大きくなる。なお、本実施形態において、低圧下とは、常圧よりも低い圧力が加わっている状態を意味している。

また、本実施形態における配線基板１の製造方法は、第１の絶縁基板３の主面３ａ上に表面導体７となる第２の導体ペースト８を積層する工程と、第１の導体ペースト６及び第２の導体ペースト８を焼成する工程とを備えている。これにより、ビア導体５に上記形状の凹部５ａを形成するとともに、表面導体７にこの凹部５ａと嵌合する凸部７ａを形成することができる。これは以下に示す理由による。

第１の絶縁基板３となるセラミックグリーンシート（以下、第１のセラミックグリーンシートともいう。）にビアホール３ｂを形成し、このセラミックグリーンシートを焼成する前に第１の導体ペースト６をビアホール３ｂ内に配設して乾燥或いは焼成した場合、第１のセラミックグリーンシート及び第１の導体ペースト６の両方が収縮する。そのため、ビア導体５の端面が平坦となる。

しかしながら、本実施形態では予め焼成された第１の絶縁基板３を用い、図６（ａ）に示すように、第１の絶縁基板３に形成されたビアホール３ｂ内に第１の導体ペースト６を配設している。そして、第１の導体ペースト６を乾燥させた場合、第１の導体ペースト６のみが収縮する。しかも、本実施形態の配線基板１の製造方法においては、ビアホール３ｂ内にビア導体５となる第１の導体ペースト６を低圧下で配設する工程と、第１の導体ペースト６を乾燥させる工程とを備えていることから、第１の導体ペースト６のうち第１の絶縁基板３と接する側面部分よりも中心部分の方がより大きく収縮する。

結果として、図６（ｂ）に示すように、ビア導体５の上端及び下端に凹部５ａが形成される。そして、図６（ｃ）に示すように、この凹部５ａに第２の導体ペースト８が埋入されるので、第２の導体ペースト８を焼成すると、表面導体７にこの凹部５ａと嵌合する凸部７ａを形成することができる。

また、予め焼成された第１の絶縁基板３を用いていることから、第１の導体ペースト６を乾燥する工程において、第１の絶縁基板３は殆ど収縮しない。そのため、第１の絶縁基板３の表面における凹凸を小さくすることができる。

本実施形態の配線基板１の製造方法として、以下に、より具体的に示す。

まず、第１の絶縁基板３を作製する。原料となるセラミック粉末と、アクリル系、ブチラール系等の有機高分子からなるバインダーと、可塑剤とを混合してスラリーを作製する。このスラリーに周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成型法を用いることにより、第１の絶縁基板３となるセラミックグリーンシートが作製される。そして、この第１のセラミックグリーンシートを焼成することにより、第１の絶縁基板３が作製される。そして、この第１の絶縁基板３にビアホール３ｂを形成する。

次に、第１の導体ペースト６を作製する。具体的には、Ｗ、Ｍｏ及びＭｎのような金属粉末にバインダー及び可塑剤等を添加混合することで、第１の導体ペースト６を作製することができる。そして、第１の導体ペースト６を第１の絶縁基板３のビアホール３ｂ内に低圧下で配設する。上記のように低圧下で印刷する場合には、バインダーの蒸発が促進されるので、第１の導体ペースト６の中央部分に、凹部６ａが形成される。

特に、１００Ｐａ以下である真空印刷により、第１の導体ペースト６を第１の絶縁基板３のビアホール３ｂ内に配設することが好ましい。バインダーの蒸発がより大きく促進されるため、図２に示すように、開口部における幅と比較して、この開口部よりも底部側における少なくとも一部の幅が小さい形状の凹部６ａを容易に形成できるからである。

そして、第１の導体ペースト６を乾燥させる。このとき、第１の導体ペースト６のうち第１の絶縁基板３と接する側面部分よりも中心部分の方がより大きく収縮する。そのため、第１の導体ペースト６の中央部分に凹部６ａが形成される。

さらに、第２の導体ペースト８を作製する。具体的には、Ａｕ及びＣｕのような金属粉末にバインダー及び可塑剤等を添加混合することで、第２の導体ペースト８を作製することができる。この第２の導体ペースト８を第１の絶縁基板３の主面３ａ上に積層する。そして、第１の絶縁基板３及び第２の導体ペースト８上に第２の絶縁基板９となるセラミックグリーンシート（以下、第２のセラミックグリーンシートともいう。）を積層する。このように第２の導体ペースト８を積層することにより、ビア導体５の凹部６ａと嵌合する凸部８ａを表面導体７に形成することができる。

第２のペースト８の上面をより平坦にするためには、第２の導体ペースト８の粘性が、第１の導体ペースト６の粘性よりも高いことが好ましい。これにより、第１の導体ペースト６に形成された凹部６ａに第２の導体ペースト８が充填されることによる第２のペースト８の上面の凹凸を小さくすることができるからである。

一方、第１の導体ペースト６に形成された凹部６ａに第２の導体ペースト８をより確実に充填させる場合には、逆に、第２の導体ペースト８の粘性が、第１の導体ペースト６の粘性よりも低いことが好ましい。このような場合には、第２の導体ペースト８が第１の導体ペースト６に形成された凹部６ａに充填されやすいからである。

さらには、図７に示すように、第２の導体ペースト８よりも粘性が高い第３の導体ペースト１０を用い、この第３の導体ペースト１０を第２の導体ペースト８の上に積層することが好ましい。相対的に粘性の低い第２の導体ペースト８が凹部６ａに充填され、さらに、相対的に粘性の高い第３の導体ペースト１０が第２の導体ペースト８の上に積層されることにより、表面導体７の上面を平坦にすることができるからである。

また、少なくとも第１の導体ペースト６がガラス成分を含有し、第１の導体ペースト６は、第２の導体ペースト８よりもガラス成分の含有量が多いことが好ましい。焼成時において、第１の導体ペースト６が収縮するが、ガラス成分を含有していることにより、ビア導体５が絶縁基板３から剥離することを抑制できるからである。これは、ガラス成分が膨張剤として作用し、また、ガラス成分を含有していることにより、ビア導体５と絶縁基板３の接合性が高められるからである。

また、このように第１の導体ペースト６と絶縁基板３との接合性が高められるため、ビア導体５の側面付近での収縮が抑制されるので、ビア導体５の中央部分において、より大きな凹部５ａを形成することができる。

例えば、第１の導体ペースト６として、ガラス成分を含有するＣｕペーストを、第２の導体ペースト８として、第１の導体ペースト６と比較してガラス成分の含有量が少ないＡｇペーストを、さらに、第３の導体ペースト１０として、第２の導体ペースト８と比較してガラス成分の含有量が少ないＡｇペーストを用いることができる。これにより、ビア導体５と絶縁基板３及びビア導体５との接合性が高められ、ビア導体５及び配線基板１を含む通電部分の抵抗値を小さくでき、さらに、表面導体７の上面をより平坦にできる。

また、第２の導体ペースト８を配設するときに、第１の絶縁基板３の主面３ａにメッキを形成して、このメッキ上に第２の導体ペースト８を配設することが好ましい。これにより、第１の絶縁基板３と第２の導体ペースト８の接合性を高めることができる。

次に、第１の導体ペースト６及び第２の導体ペースト８を焼成する。このとき、第１の導体ペースト６及び第２の導体ペースト８は、別々に焼成するのではなく、同時焼成することが好ましい。これにより、ビア導体５と表面導体７との接合性を高めることができるからである。

さらには、第１の導体ペースト６と第２の導体ペースト８とが、第１の導体ペースト６に含有される金属成分と第２の導体ペースト８に含有される金属成分との共晶温度域で焼成されることが好ましい。これにより、ビア導体５と表面導体７の接合性を高めることができるからである。以上のようにして、配線基板１を製造することができる。

また、第１の絶縁基板３及び第２の導体ペースト８上に、第２のセラミックグリーンシートを積層する工程と、第２のセラミックグリーンシートを焼成する工程と、表面導体７が露出するように第２のセラミックグリーンシートを除去する工程とを更に備えていることが好ましい。ここで、第２のセラミックグリーンシートとは、第１の絶縁基板３の主面３ａ上に配設される第２の絶縁基板９となるグリーンシートを意味している。

上記の工程によって第２の絶縁基板９が形成されることにより、配線基板１の上面をより平坦にすることができる。そのため、後述するような電子部品を安定して配線基板１上に配設することができ、位置ずれを抑制することができる。

また、既に示したように、第２の絶縁基板９は第１の絶縁基板３よりも剛性が低いことが好ましい。原料となるセラミック粉末の組成や混合するバインダーの量を調整することにより、第１の絶縁基板３よりも剛性の低い第２の絶縁基板９を作製することができる。表面導体７が露出するように第２のセラミックグリーンシートを除去する工程としては、具体的には、表面導体７が露出するように第２の絶縁基板９を研磨すればよい。

次に、本発明の一実施形態にかかる電子装置について説明する。

図７に示すように、本実施形態の電子装置１３は、上記いずれかの実施形態の配線基板１と、この配線基板１の表面導体７に電気的に接続された電子部品１５とを備えている。本実施形態の電子装置１３における配線基板１は、凹部５ａを有するビア導体５と、この凹部５ａと嵌合する凸部７ａを有する表面導体７とを備えている。そのため、安定した通電を可能としている。これにより高い信頼性を備えた電子装置１３を提供することができる。電子部品１５としては、例えば、ＩＣチップのような半導体素子及び水晶振動子を挙げることができる。

なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何ら差し支えない。

本発明の第１の実施形態にかかる配線基板を示す断面図である。 図１に示す実施形態の拡大断面図である。 本発明の第２の実施形態にかかる配線基板を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態にかかる配線基板を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態にかかる配線基板を示す断面図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。（ｂ）は、図６（ａ）に示す配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。（ｃ）は、図６（ａ）に示す配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図６に示す実施形態の変形例を示す断面図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態にかかる電子装置を示す断面図である。（ｂ）は、本発明の他の実施形態にかかる電子装置を示す断面図である。

符号の説明

１・・・配線基板
３・・・第１の絶縁基板
３ａ・・・主面
３ｂ・・・ビアホール
５・・・ビア導体
５ａ・・・凹部
６・・・第１の導体ペースト
７・・・表面導体
７ａ・・・凸部
８・・・第２の導体ペースト
９・・・第２の絶縁基板
１０・・・第３の導体ペースト
１１・・・内部配線
１３・・・電子装置
１５・・・電子部品

Claims (10)

1. 主面及びビアホールを有する絶縁基板と、前記ビアホール内に埋設されたビア導体と、前記絶縁基板の主面上に配設されるとともに前記ビア導体と電気的に接続された表面導体とを備えた配線基板の製造方法であって、
   予め焼成された前記絶縁基板を準備する工程と、前記ビアホール内に前記ビア導体となる第１の導体ペーストを低圧下で配設する工程と、前記第１の導体ペーストを乾燥させる工程と、前記絶縁基板の主面上に前記表面導体となる第２の導体ペーストを積層する工程と、前記第１の導体ペースト及び前記第２の導体ペーストを焼成する工程とを備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 少なくとも前記第１の導体ペーストがガラス成分を含有し、前記第１の導体ペーストは、前記第２の導体ペーストよりもガラス成分の含有量が多いことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記第１の導体ペーストと前記第２の導体ペーストとが、前記第１の導体ペーストに含有される金属成分と前記第２の導体ペーストに含有される金属成分との共晶温度域で焼成されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記第２の導体ペーストよりも粘性が高い第３の導体ペーストを前記第２の導体ペーストの上に積層する工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記絶縁基板を第１の絶縁基板としたときに、該第１の絶縁基板及び前記第２の導体ペースト上に、第２の絶縁基板となるセラミックグリーンシートを積層する工程と、前記セラミックグリーンシートを焼成する工程と、前記表面導体が露出するように前記セラミックグリーンシートを除去する工程とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
6. 主面及びビアホールを有する絶縁基板と、前記ビアホール内に埋設されたビア導体と、前記絶縁基板の主面上に配設されるとともに前記ビア導体と電気的に接続された表面導体とを備えた配線基板であって、
   前記ビア導体が凹部を有し、前記表面導体は、前記凹部と嵌合する凸部を有していることを特徴とする配線基板。
7. 前記凸部の少なくとも一部の幅は、前記凸部の根元部分における幅よりも大きい形状であることを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
8. 少なくとも前記ビア導体がガラス成分を含有し、前記ビア導体は、前記表面導体よりもガラス成分の含有量が多いことを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
9. 前記絶縁基板を第１の絶縁基板としたときに、前記第１の絶縁基板の主面上に配設された第２の絶縁基板を備え、該第２の絶縁基板と前記表面導体とが略同一面をなすように形成されていることを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
10. 請求項６に記載の配線基板と、前記表面導体に電気的に接続された電子部品とを備えた電子装置。
    

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