JP2009284358A - 撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】OB補正を行うことにより得られた画像における横縞ノイズを抑制する。
【解決手段】撮像装置は、複数の画素が行方向及び列方向に配列され、前記複数の画素のうち遮光された画素が配された遮光領域と、前記複数の画素のうち遮光されていない画素が配された有効領域とを有する画素配列と、前記遮光領域の画素から読み出された信号に基づいて、オフセット信号を生成する生成部と、前記遮光領域における黒レベルと前記有効領域における黒レベルとの差が小さくなるように決定された係数を前記オフセット信号にかけて補正信号を生成し、生成した補正信号を用いることにより、前記有効領域の画素から読み出された信号の黒レベルを補正する補正部とを備える。
【選択図】図3

Description

本発明は、撮像装置に関する。
近年、デジタル一眼レフカメラやビデオカメラにCMOSイメージセンサなどの撮像センサが使われてきている。撮像センサでは、多画素化が進むことに伴い画素のサイズが小さくなる。画素のサイズが小さくなると画素における光電変換部(例えば、フォトダイオード)の受光面の面積も小さくなるので、光電変換部で発生する電荷に応じた光信号のレベルも小さくなる。これにより、S/Nを悪化させないように、固定パターンノイズやダークシェーディングを低減することがますます必要となってきている。
固定パターンノイズやダークシェーディングを低減する技術について、図9及び図10を用いてCMOSイメージセンサ70の構成を説明しながら説明する。図9は、CMOSイメージセンサ70の全体レイアウトを示す図である。図10は、画素の回路構成図である。
CMOSイメージセンサ70は、次の構成要素を備える。
画素配列PAは、複数の画素が行方向及び列方向に配列されている。画素配列PAは、有効領域EAと遮光領域SAとを有する。有効領域EAは、複数の画素のうち遮光されていない画素が配された領域73である。遮光領域SAは、複数の画素のうち遮光された画素が配された領域であり、垂直オプティカルブラック領域(VOB領域)72と水平オプティカルブラック領域(HOB領域)71とを含む。VOB領域72及びHOB領域71から読み出された信号は、暗電流成分又は温度変動による基準レベル(黒レベル)のずれを含み信号成分を含まないので、有効領域から読み出された信号におけるダークシェーディング成分を補正するために用いられる。VOB領域72から読み出された信号は、水平方向のダークシェーディング成分の補正に使われる。HOB領域71から読み出された信号は、垂直方向のダークシェーディング成分の補正に使われる。
画素配列PAにおける各画素60は、フォトダイオード(以下PDとよぶ)61、転送スイッチ(以下TXとよぶ)62、フローティングディフージョン(以下FDとよぶ)64、アンプ65、選択スイッチ66、及びリセットスイッチ63を含む。
PD61は、光に応じた電荷を発生させ蓄積する。TX62は、PD61で発生した電荷をFD64へ転送する。FD64は、等価的にコンデンサになっており、転送された電荷を電圧へ変換する。アンプ65は、MOSトランジスタで構成され、列信号線67に接続された定電流源とともにソースフォロワ動作を行うことにより、FD64の電圧に応じた信号を列信号線67へ出力する。選択スイッチ66は、オンすることにより画素60を選択状態にし、オフすることにより画素60を非選択状態にする。リセットスイッチ63は、FD64をリセットする。
垂直走査回路76は、画素配列PAにおける信号を読み出すべき画素の行を選択し、読み出し回路75へ信号が読み出されるように、選択した行の各列の画素を駆動する。
読み出し回路75は、選択された行の各列の画素から出力された光信号(S信号)とノイズ信号(N信号)との差分を求めるCDS処理を行う。これにより、読み出し回路75は、CMOSイメージセンサに固有の固定パターンノイズが除去された各列の画素の画像信号を求める。読み出し回路75は、求めた各列の画素の画像信号を保持する。
この固定パターンノイズには、リセットスイッチ63がFD64をリセットした際に発生するノイズや、アンプ(MOSトランジスタ)65の閾値電圧が画素ごとにばらつくことに起因したノイズなどがある。この固定パターンノイズは、CDS処理を行うことによりほとんど除去(補正)される。
水平走査回路77は、読み出し回路75に保持された各列の画素の画像信号を順次に選択して出力アンプ74へ転送させる。
出力アンプ74は、転送された画像信号を増幅して出力する。これにより、出力アンプ74の後段において、遮光領域の画素の画像信号を用いて、有効領域の画素の画像信号におけるダークシェーディング成分を補正する(OB補正を行う)。
このダークシェーディングには、暗電流シェーディングの他に、CMOSイメージセンサに固有のものとして、電源ラインのインピーダンスによる電圧シェーディングが含まれる。垂直方向のダークシェーディング成分は、画素配列PA内でなだらかに変化しかつ傷画素があると得られる画像におけるライン傷を発生させることがあるので、複数の行からの出力信号にローパスフィルターをかけることにより補正される。
一方、電源ラインがアンテナとして外来ノイズを受けることがある。これにより、電源ラインを介して画素に供給される電源電圧が所定の周期で変動することがあり、画素から読み出される信号に、所定の周期で変動するノイズが混入することがある。この場合、画素から異なるタイミングで読み出されたS信号とN信号とに互いに異なるレベルのノイズが混入するので、CDS処理を行ってもそのノイズを完全に除去できない。
それに対して、特許文献1では、電源電圧の変動の周期に対してN信号及びS信号のサンプリングの周期が十分に短いものとみなし、N信号を所定の時間間隔で複数回取得するとともに、N信号に対してその所定の時間間隔でS信号を取得することを提案している。これにより、特許文献1によれば、時間的に変動するノイズを除去した画像信号を得ることができるとされている。
特開2008−42573号公報
ノイズ源が電源に載っている場合における画素が受ける所定の周期で変動するノイズは、電源ラインを介して画素に供給される電源電圧の変動に起因しているという意味で、電圧シェーディングの一種であると考えることもできる。以下では、上述の所定の周期で変動するノイズが電圧シェーディングであるとして説明する。
特許文献1では、電圧シェーディングに周波数の低い成分のみが含まれることを前提としている。しかし、電圧シェーディングには、周波数の高い成分も含まれる。その周波数の高い成分は、N信号及びS信号のサンプリングの周期よりも短い周期で変動するので、特許文献1の技術を用いても除去できない。これにより、得られた画像において横縞ノイズが目立つ可能性がある。
それに対して、図9に示す画素配列PAにおけるHOB領域71から読み出された信号を、有効領域EAから読み出された信号から減算する(OB補正を行う)ことにより、周波数の高い成分を含む電圧シェーディングを補正することも考えられる。
しかし、ノイズ源が電源に載っている場合、電源ラインと容量結合し得る金属層で遮光された遮光領域SAの画素と、そのような金属層で遮光されていない有効領域EAの画素とは、受ける電圧シェーディングの大きさが異なることがある。このため、遮光領域SA内の画素から読み出される信号を、有効領域EA内の画素から読み出される信号で減算しても、補正後の信号にシェーディング成分が残存することがある。この結果、得られた画像において横縞ノイズが目立つことがある。
本発明の目的は、OB補正を行うことにより得られた画像における横縞ノイズを抑制することにある。
本発明に係る撮像装置は、複数の画素が行方向及び列方向に配列され、前記複数の画素のうち遮光された画素が配された遮光領域と、前記複数の画素のうち遮光されていない画素が配された有効領域とを有する画素配列と、前記遮光領域の画素から読み出された信号に基づいて、オフセット信号を生成する生成部と、前記遮光領域における黒レベルと前記有効領域における黒レベルとの差が小さくなるように決定された係数を前記オフセット信号にかけて補正信号を生成し、生成した補正信号を用いることにより、前記有効領域の画素から読み出された信号の黒レベルを補正する補正部とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、OB補正を行うことにより得られた画像における横縞ノイズを抑制することができる。
本明細書では、上述の所定の周期で変動するノイズを、電源ラインを介して画素に供給される電源電圧の変動に起因しているという意味で、電圧シェーディングの一成分であるとして説明する。
本発明者は、周波数の高い成分を含む電圧シェーディングを補正するために、図9に示す画素配列PAにおけるHOB領域71から読み出された信号を、有効領域EAから読み出された信号から減算することにより、OB補正を行った。しかし、その信号により得られた画像では、横縞ノイズが依然として目立っていた。
本発明者が検討を行った結果、画像における横縞ノイズを抑制できないのは、ノイズ源がどこに載っているかによって、そのノイズ源の影響すなわち電圧シェーディングが遮光領域SAと有効領域EAとで異なることが原因であることを見出した。
具体的には、ノイズ源が電源に載っている場合、電源ラインの電位や半導体基板の基準電位そのものがゆれており、その電位のゆれは、容量結合により、遮光領域SAの画素を遮光する金属層へ伝達される。電源ラインや半導体基板の基準電極と容量結合し得る金属層で遮光された遮光領域SAの画素と、そのような金属層で遮光されていない有効領域EAの画素とは、電位のゆれに起因して受ける電圧シェーディングの大きさが異なる傾向にある。この場合、HOB領域71から読み出された信号を、有効領域EAから読み出された信号から減算しても、電圧シェーディングを除去できない。
一方、ノイズ源が読み出し回路75に載っている場合、遮光領域SAの画素を遮光する金属層と読み出し回路75との容量結合は、無視できるレベルである。これにより、遮光領域SAの画素と有効領域EAの画素とで、ノイズ源に起因して受ける電圧シェーディングの大きさが同等である。この場合、HOB領域71から読み出された信号を、有効領域EAから読み出された信号から減算することにより、電圧シェーディングを除去できる。
ノイズ源が電源に載っている場合における遮光領域SAと有効領域EAとの間の電圧シェーディングの違いを、図11を使ってより詳しく説明する。図11は、CMOSイメージセンサ80の断面構成の一例を示す図である。
CMOSイメージセンサ80は、画素配列PAを備える。画素配列PAは、遮光領域SAと有効領域EAとを含む。
遮光領域SAには、金属層83aで遮光された画素P1、画素P2が配されている。画素P1、画素P2では、マイクロレンズMLを通過した光が金属層83aにより遮断されてフォトダイオード88aへ到達しない。金属層83aは、遮光層として機能している。
有効領域EAには、金属層83bで遮光されていない画素P3、画素P4が配されている。画素P3、画素P4では、マイクロレンズMLを通過した光が金属層83b,84,85で規定される開口領域を通過してフォトダイオード88aへ到達する。
ここで、遮光領域SAと有効領域EAとを比較すると、金属層83aの面積がその対応する金属層83bの面積よりも大きい。これにより、遮光領域SAにおける金属層83aとFD87aとの間で形成される結合容量C1は、有効領域EAにおける金属層83bとFD87bとの間で形成される結合容量C2より大きくなる。このため、ノイズ源が電源に載っている場合に金属層83aと金属層83bとの電位のふられが同等であったとしても、容量結合を介して、FD87aに伝達される電位のふられが、FD87bに伝達される電位のふられより大きくなる。その結果、遮光領域SAにおける電圧シェーディングが有効領域EAにおける電圧シェーディングより大きくなる。
本発明者が実験を行った結果、電源等のノイズの影響を受ける度合いは、レイアウトに依存するが、有効画素EAは遮光画素SAの約0.4〜0.8倍程度である。
この場合、図9に示す画素配列PAにおけるHOB領域71から読み出された信号を、有効領域EAから読み出された信号から減算することによりOB補正を行うと、過補正になる。このため、OB補正を行った信号により得られた画像において、横縞ノイズが依然として目立っていたものと考えられる。
そこで、本発明者は、電圧シェーディングにおけるどの成分が遮光画素SAと有効画素EAとで異なるのかについて、図12に示す検討を行った。図12(A)〜(C)では、縦軸が画素配列PAにおける画素の行位置を示しており、横軸が実際の黒レベルからのオフセットを示す。
図12(B)は、光が無い状態における有効領域EAから読み出された信号に垂直方向のダークシェーディングが含まれていることを示す。有効領域EAから読み出された信号には、時間的に変動しないオフセット成分と、時間的に緩やかに変化する電圧シェーディング成分とが含まれている。緩やかに変化する電圧シェーディング成分は、回路インピーダンス等によるものである。
図12(C)は、後述のAFE2による水平OBクランプ処理で除去されるオフセット成分及び緩やかな電圧シェーディング成分とを示す。
図12(A)は、遮光領域SAから読み出された信号における垂直方向のダークシェーディング成分(破線)と、有効領域EAから読み出された信号における垂直方向のダークシェーディング成分(実線)とを比較して示している。破線と実線とを比較すると、次のことがことが分かる。オフセット成分、緩やかな電圧シェーディング成分、及び周波数の高い電圧シェーディング成分が遮光領域SAと有効領域EAとで同等であるのに対して、周波数の低い電圧シェーディング成分が遮光領域SAと有効領域EAとで異なる。遮光領域SAにおける周波数の低い電圧シェーディング成分は、有効領域EAにおける周波数の低い電圧シェーディング成分より大きい傾向にある。
ここで、電圧シェーディングにおける時間的に変動する成分、すなわち、周波数の高い電圧シェーディング成分と周波数の低い電圧シェーディング成分とは、ノイズ源が電源に載っている場合における画素のFD64が受ける電圧シェーディングの一成分である。
このように、本発明者は、電圧シェーディングにおける周波数の低い成分の大きさが遮光領域SAと有効領域EAとで異なるので、一律にOB補正を行っても、電圧シェーディングを除去できないことを見出した。
次に、本発明の第1実施形態に係る撮像装置100を、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る撮像装置100の全体ブロック図である。
シャッター12は、光路上において撮影レンズ11の手前に設けられ、露出を制御する。
撮影レンズ11は、撮像センサ1の撮像面(画素配列PA)に被写体の像を形成する。
絞り13は、光路上において撮影レンズ11と撮像センサ1との間に設けられ、撮影レンズ11を通過後に撮像センサ1へ導かれる光の量を調節する。
撮像センサ1は、画素配列PAに形成された被写体の像に応じた画像信号を生成する。画素配列PAは、遮光領域SA及び有効領域EAを含む(図9参照)。撮像センサ1は、黒レベルの基準信号を遮光領域SAから読み出し、生成した画像信号を有効領域EAから読み出す。撮像センサ1は、読み出した黒レベルの基準信号と画像信号とを出力する。撮像センサ1は、例えば、CMOSイメージセンサである。
アナログフロントエンド(AFE)(生成部)2は、撮像センサ1から出力された黒レベルの基準信号と画像信号とを受けて、所定のアナログ信号処理を行う。例えば、AFE2は、後述の水平OBクランプ処理(OB補正)を行うことにより、遮光領域SAの画素から読み出された黒レベルの基準信号に基づいて、後述のオフセット信号を生成する。例えば、AFE2は、水平OBクランプ処理(OB補正)を行うことにより、緩やかに変化する電圧シェーディング成分が除去された画像信号を生成する。例えば、AFE2は、水平OBクランプ処理されたそれらの信号をAD変換してデジタル信号を生成する。AFE2は、処理後のデジタル信号を出力する。
画像処理装置(補正部)5は、AFE2から出力されたデジタル信号を受ける。画像処理部5は、遮光領域SAにおける黒レベルと有効領域EAにおける黒レベルとの差が小さくなるように決定された係数をオフセット信号にかけて補正信号を生成する。画像処理部5は、生成した補正信号を用いることにより、有効領域EAの画素から読み出された画像信号の黒レベルを補正する(OB補正を行う)。そして、画像処理部5は、補正後の画像信号(デジタル信号)に対して現像処理を行って画像データを生成する。画像処理部5は、画像データを、表示部8へ供給したり、制御部6経由で記録部9へ供給する。
表示部8は、画像データを表示用のアナログ信号へ変換して、変換後の信号に応じた画像をディスプレイに表示する。
記録部9は、画像データを記録用の圧縮データへ変換して、変換後の圧縮データを所定の記録媒体に記録する。所定の記録媒体は、例えば、撮像装置100へ着脱可能に接続されたコンパクトフラッシュメモリー(登録商標)である。
メモリー部4は、画像処理部5による現像処理における作業用メモリーに使われたり、撮像が続いて行われて画像処理部5による現像処理が間に合わないときのバッファーメモリーとしても使われる。
操作部7は、ユーザから所定の指示を受け付ける。操作部7は、シャッターボタンなどの操作部材を含む。
タイミング発生部10は、撮像センサ1を駆動する各種の駆動信号を生成する。タイミング発生部10は、生成した駆動信号を撮像センサ1へ供給する。
制御部6は、各部を全体的に制御する。
このように、撮像装置100では、遮光領域SAにおける黒レベルと有効領域EAにおける黒レベルとの差が小さくなるように決定された係数をオフセット信号にかけて補正信号を生成する。そして、生成した補正信号を用いることにより、有効領域EAの画素から読み出された信号の黒レベルを補正する。これにより、遮光領域SAと有効領域EAとで受ける電圧シェーディングが異なる場合であっても、電圧シェーディングを画像信号から精度良く除去することができる。すなわち、OB補正を行うことにより得られた画像における横縞ノイズを抑制することができる。
次に、撮像センサ1の構成を、図9及び図10を用いて説明する。
撮像センサ1は、次の構成要素を備える。
画素配列PAは、複数の画素が行方向及び列方向に配列されている。画素配列PAは、有効領域EAと遮光領域SAとを有する。有効領域EAは、複数の画素のうち遮光されていない画素が配された領域73である。遮光領域SAは、複数の画素のうち遮光された画素が配された領域であり、垂直オプティカルブラック領域(VOB領域)72と水平オプティカルブラック領域(HOB領域)71とを含む。VOB領域72及びHOB領域71から読み出された信号は、暗電流成分又は温度変動による基準レベル(黒レベル)のずれを含み信号成分を含まないので、有効領域から読み出された信号におけるダークシェーディング成分を補正するために用いられる。VOB領域72から読み出された信号は、水平方向のダークシェーディング成分の補正に使われる。HOB領域71から読み出された信号は、垂直方向のダークシェーディング成分の補正に使われる。
画素配列PAにおける各画素60は、フォトダイオード(以下PDとよぶ)61、転送スイッチ(以下TXとよぶ)62、フローティングディフージョン(以下FDとよぶ)64、アンプ65、選択スイッチ66、及びリセットスイッチ63を含む。
PD61は、光に応じた電荷を発生させ蓄積する。TX62は、PD61で発生した電荷をFD64へ転送する。FD64は、等価的にコンデンサになっており、転送された電荷を電圧へ変換する。アンプ65は、MOSトランジスタで構成され、列信号線67に接続された定電流源とともにソースフォロワ動作を行うことにより、FD64の電圧に応じた信号を列信号線67へ出力する。選択スイッチ66は、オンすることにより画素60を選択状態にし、オフすることにより画素60を非選択状態にする。リセットスイッチ63は、FD64をリセットする。
垂直走査回路76は、画素配列PAにおける信号を読み出すべき画素の行を選択し、読み出し回路75へ信号が読み出されるように、選択した行の各列の画素を駆動する。
読み出し回路75は、選択された行の各列の画素から出力された光信号(S信号)とノイズ信号(N信号)との差分を求めるCDS処理を行う。これにより、読み出し回路75は、CMOSイメージセンサに固有の固定パターンノイズが除去された各列の画素の画像信号を求める。読み出し回路75は、求めた各列の画素の画像信号を保持する。
この固定パターンノイズには、リセットスイッチ63がFD64をリセットした際に発生するノイズや、アンプ(MOSトランジスタ)65の閾値電圧が画素ごとにばらつくことに起因したノイズなどがある。この固定パターンノイズは、CDS処理を行うことによりほとんど除去(補正)される。
水平走査回路77は、読み出し回路75に保持された各列の画素の画像信号を順次に選択して出力アンプ74へ転送させる。
出力アンプ74は、転送された画像信号を増幅して出力する。これにより、出力アンプ74の後段において、遮光領域の画素の画像信号を用いて、有効領域の画素の画像信号におけるダークシェーディング成分を補正する(OB補正を行う)。
このダークシェーディングには、暗電流シェーディングの他に、CMOSイメージセンサに固有のものとして、電源ラインのインピーダンスによる電圧シェーディングが含まれる。垂直方向のダークシェーディング成分は、画素配列PA内でなだらかに変化しかつ傷画素があると得られる画像におけるライン傷を発生させることがあるので、複数の行からの出力信号にローパスフィルターをかけることにより補正される。
次に、AFE2の構成を、図2を用いて説明する。図2は、AFE2の構成を示す図である。
AFE2は、図2に示すように、ゲインコントロールアンプ(AMP)21、アナログデジタル(AD)変換器23、水平OBクランプ機能24、及びデジタルアナログ(DA)変換器22を含む。
AMP21は、黒レベルの基準信号と画像信号とを受ける。AMP21は、減算器を含み、所定の補正量を画像信号から減算する。AMP21は、黒レベルの基準信号と減算された画像信号とを、後述の制御部6により調整されたゲインで増幅して出力する。これにより、感度が調整される。
AD変換器23は、AMP21から出力されたアナログ信号(黒レベルの基準信号及び画像信号)をAD変換して、例えば14bitのデジタル信号を生成する。AD変換器23は、変換したデジタル信号を後段又は水平OBクランプ機能24へ出力する。
水平OBクランプ機能24は、ローパスフィルタ(LPF)を含む。水平OBクランプ機能24は、画素配列PAの各行ごとに黒レベルの基準信号(デジタル信号)と画像信号(デジタル信号)における黒レベルとを徐々に追随させている。このような水平OBクランプ処理を行うことにより、時間的に変動しないオフセット成分と、時間的に緩やかに変化する電圧シェーディング成分とを、黒レベルの基準信号から除去してオフセット信号を生成する。また、水平OBクランプ処理を行うことにより、時間的に変動しないオフセット成分と、時間的に緩やかに変化する電圧シェーディング成分とを、画像信号から除去する。この水平OBクランプ処理は、遮光領域SAのノイズに影響を受けないように設定されている。水平OBクランプ機能24は、処理後のデジタル信号をDA変換器22へ出力する。
DA変換器22は、水平OBクランプ機能24から出力されたデジタル信号をDA変換して、アナログ信号を生成する。DA変換器22は、生成したアナログ信号をAMP21へフィードバックする。これにより、AMP21により画像信号から減算される補正量は、信号に対応した画素配列PA内の行位置が進むにつれて積分されていくため、ゆるい変化にだけ追従することになる。
次に、水平OBクランプ処理の後に行われるシェーディング補正処理について、図3のフローチャートを用いて説明する。図3は、水平OBクランプ処理の後に行われるシェーディング補正処理を示すフローチャートである。図3のフローチャートに示された処理は、画像の読み出しの早さにリアルタイムで処理するために、メモリー部4に一時的に記憶された画像データに対してソフト的に行われることになる。この処理は、主として、ファームウェアが読み込まれた制御部6により制御された画像処理部5が行う。画像処理部5は、メモリー部4へ一時的に画像信号(デジタル信号)又は画像データを記憶(ライト)させたり、メモリー部4から画像信号(デジタル信号)又は画像データを読み出したり(リード)する。
ステップ1では、シャッター12を開いて撮像センサ1の露光を行う。
ステップ2では、シャッター12を閉じて、撮像センサ1から出力された信号をAFE2でデジタル信号に変換する。AFE2は、変換後のデジタル信号(オフセット信号、画像信号)を画像処理部5へ出力する。
ステップ3では、画像処理部5が、デジタル信号をメモリー部4に一時的に記憶する。
ステップ4では、本実施形態における特徴的なシェーディング補正処理が開始される。
ステップ5では、行番号をあらわすnを0に初期化する。
ステップ6では、nを1だけインクリメントする。
ステップ7では、メモリー部4に記憶されたn行の画像信号と、n行のオフセット信号を平均化する。平均するのは、ランダムノイズや傷画素の影響を低減するためである。
ステップ8では、全行終了したかを判断し終了していなければ(N)、ステップ6に戻り、全行終了していれば(Y)、ステップ9に進む。
ステップ9では、再び行番号をあらわすnを0に初期化する。
ステップ10では、nを1だけインクリメントする。
ステップ11では、水平OB平均に対し黒の基準レベルからのオフセット(A)を求める。
ステップ12では、n行に対する±3行のオフセットデータの平均(B)を演算(7行の移動平均処理)を行う。この処理により、オフセットデータを複数の周波数成分に分離でき、基準周波数より低い周波数で変化する成分を抽出することができる。
ステップ13では、A−B+Bxkの演算を行い、n行に対する補正量(X)を求める。
ここで、基準周波数より高い周波数で変化する成分A−B=Cに第1の係数(=1)と、基準周波数より低い周波数で変化する成分_Bに第2の係数k(1より小さい値)を掛けた値とを足し合わせた補正量(補正信号)を求めることができる。
図4は、ステップ13において処理される信号を示した図である。図4において、Dは、インピーダンスで発生する緩やかなシェーディングを持つオフセット成分を表す。Aは、電源変動等で発生するDに比べ比較的に変化の周期が早い成分を示している。Aの成分の中には、遮光領域SA(HOB領域71)と有効領域EAでの振幅の差が大きいBの成分と、振幅差の小さいCの成分とが含まれる。A−B+Bxkの演算により、すなわち、A−Bに第1の係数をかけ、Bの成分に第2の係数を掛けることにより、水平OB以外領域での振幅に相当する補正量Xを求めることができる。
ここで、第2の係数kは、撮像センサ1内のレイアウトに依存する。周波数の低い成分Bは、遮光領域SA(HOB領域71)と有効領域EAとの差が大きい。これにより、基準周波数より周波数の低い成分Bに対する第2の係数kは、0.4以上0.8以下の値となる。仮に、第2の係数kを0.4より小さくすると、電圧シェーディングの補正残りが大きくなるので、得られた画像において横縞ノイズが目立つ可能性がある。仮に、第2の係数kを0.8より大きくすると、電圧シェーディングの過補正が大きくなるので、得られた画像において横縞ノイズが目立つ可能性がある。
この処理をAFE2における水平OBクランプ処理と比較すると、水平OBクランプ処理は、周波数の低い成分Bにかけるべき係数が1となってしまう点で、ステップ13における処理と異なる。すなわち、水平OBクランプ機能24は、オフセットに対して数%程度をAD変換器23の入力にフィードバックして積分していることになり、数十行でLPFをかけていることになる。これにより、ある程度ゆるい周期であれば追従するため係数は1となってしまう。
それに対して、ステップ13における処理では、画素配列PAの各行ごとに独立で行われかつフィードバックを掛けていないのでゆるい周期であっても係数(第2の係数)は常に一定となりかつ1とならない。
一方、周波数の高い成分Cは、遮光領域SA(HOB領域71)と有効領域EAとの差が比較的小さくので、成分Cにかけるべき係数(第1の係数)は1に近い値になる。
ステップ14では、同一の行の有効領域EAの画像信号に対して、ステップ13で求めた補正量Xを減算して、減算後の画像信号をメモリー部4に書き込む。
ステップ15では、すべての画像信号に対して処理が行われたかを、行位置を示す変数nに応じて判断する。終了していなければ(N)、ステップ10に戻り、終了していれば(Y)、ステップ16に進む。
ステップ16では、現像処理を行う。
このように、本実施形態によれば、電源の振られ等による画素出力への影響が遮光領域と有効領域とで異なること、また電源の振られがどこで発生しているかによって、遮光領域と有効領域とで異なる量の差があることを加味して補正する。これにより、いままで十分除去できなかった横縞ノイズが除去できるようになった。また、撮像センサ内の回路インピーダンス等で発生するダークシェーディングを判別できるため、ダークシェーディングも除去できるようになっている。
なお、上記の実施形態では、複数行の移動平均でシェーディング変化の周波数分類したが、厳密に離散コサイン変換等により周波数成分を抽出してもよい。
また、図5に示すように、撮像装置100aは、デジタルフロントエンド(DFE)3をさらに備えても良い。DFE3は、各画素の画像信号(デジタル信号)をAFE2から受けて画像信号の補正や画素の並び替え等をデジタル的に処理する。また、水平OBクランプ処理は、AFE2によりアナログ的に行われる代わりに、DFE3によりデジタル的に行われても良い。
次に、本発明の第2実施形態に係る撮像装置について、図6〜図8を用いて説明する。図6は、本発明の第2実施形態に係る撮像装置による撮影動作のシーケンスを示す図である。図7は、画素配列における横縞ノイズの発生箇所を示す図である。図8は、撮像装置の動作を示すフローチャートである。
第2実施形態に係る撮像装置は、基本的な構成は第1実施形態と同様であるが、その動作が第1実施形態と異なる。
撮像装置は、図6に示すように、読み出し期間中にメカ動作(レンズ駆動、ミラー駆動、チャージ駆動等)がそれぞれのタイミングで行われる。このため、読み出し期間の中でも振られる電源が異り、そのため画像に現れるノイズ(横縞ノイズ)の周期が画素配列内で異なる現象が発生する。
具体的には、図7に示すように、画素配列の斜線部が遮光領域であり、遮光領域(HOB領域)と有効領域とで横縞ノイズの原因となる電圧シェーディングが発生している。画素配列の上部と下部とで信号が読み出されるタイミングが異なるため、発生する電圧シェーディングの周期が異なる。また、画素配列PAの上部において遮光領域(HOB領域)と有効領域との電圧シェーディングの振幅に差が大きく、画素配列PAの下部において遮光領域(HOB領域)と有効領域との電圧シェーディングの振幅に差が小さいことがわかる。
これに対して、画素領域PA内を上下または左右の読み出しタイミングの異なる領域で分割し、分割した領域ごとにオフセットに対する係数を変えて減算量を算出することで、ノイズを除去することができる。具体的には、図8のフローチャートに示すように、次の点で第1実施形態と異なる処理が行われる。
ステップ32では、n行が全行数に対する2分の1を超えたかを判断し、2分の1以下であれば(Y)、ステップ33に進み、2分の1を超えていれば(N)、ステップ34に進む。
ステップ33では、Axkの演算を行い、n行に対する補正量(X)を求める。
ステップ34では、Aをn行に対する補正量(X)とする。
これにより、画素配列PAの上部と下部とでHOB領域に対し異なった係数で求められた補正量を設定することができる。
本実施形態では、画素配列PAの縦方向(列方向)で読み出しタイミングが異なる場合を説明したが、読み出しタイミングの異なるのが横方向(行方向)である場合、横方向に異なる係数を設定することになる。
また、本実施形態では、画素配列における読み出しタイミングの異なる方向に2分割したが、2以上に分割してもよく、また分割ではなく、画素配列内でリニアに変化する係数を設定してもよい。
本発明の第1実施形態に係る撮像装置100の全体ブロック図。 AFE2の構成を示す図。 水平OBクランプ処理の後に行われるシェーディング補正処理を示すフローチャートである。 ステップ13において処理される信号を示した図。 本発明の第1実施形態の変形例に係る撮像装置100aの全体ブロック図。 本発明の第2実施形態に係る撮像装置による撮影動作のシーケンスを示す図。 画素配列における横縞ノイズの発生箇所を示す図。 撮像装置の動作を示すフローチャート。 背景技術を説明するための図。 背景技術を説明するための図。 発明が解決しようとする課題を説明するための図。 発明が解決しようとする課題を説明するための図。
符号の説明
1 撮像センサ
100、100a 撮像装置

Claims (6)

  1. 複数の画素が行方向及び列方向に配列され、前記複数の画素のうち遮光された画素が配された遮光領域と、前記複数の画素のうち遮光されていない画素が配された有効領域とを有する画素配列と、
    前記遮光領域の画素から読み出された信号に基づいて、オフセット信号を生成する生成部と、
    前記遮光領域における黒レベルと前記有効領域における黒レベルとの差が小さくなるように決定された係数を前記オフセット信号にかけて補正信号を生成し、生成した補正信号を用いることにより、前記有効領域の画素から読み出された信号の黒レベルを補正する補正部と、
    を備えたことを特徴とする撮像装置。
  2. 前記補正部は、前記オフセット信号を複数の周波数成分に分離し、分離した前記複数の周波数成分のそれぞれに周波数に応じた係数をかけて足し合わせることにより、前記補正信号を求める
    ことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記補正部は、分離した前記複数の周波数成分のうち、基準周波数より高い周波数の成分に第1の係数をかけて、前記基準周波数より低い周波数の成分に前記第1の係数より小さい第2の係数をかける
    ことを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記第1の係数は、1であり、
    前記第2の係数は、0.4以上0.8以下の値である
    ことを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。
  5. 前記補正部は、前記遮光領域の画素の列又は行の位置に応じた係数を前記オフセット信号にかけることにより、前記補正信号を求める
    ことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  6. 前記補正部は、前記遮光領域の画素の列又は行から信号が読み出されるタイミングに応じた係数を前記オフセット信号にかけることにより、前記補正信号を求める
    ことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
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