JP2014107739A - 撮像装置及びその制御方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 高輝度被写体を受光し続けて電源変動を起こしても、その影響を後段の処理回路に伝えることなく、スミア現象の発生を抑制する。
【解決手段】 遮光画素のフローティングディフュージョン部の電荷をリセットしたときの電圧信号を第1の保持部に保持し、受光画素の光電変換部で発生する電荷に応じた電圧信号を第2の保持部に保持するようにする。
【選択図】 図5

Description

本発明は、撮像素子を用いた撮像装置及びその制御方法に関するものである。
デジタルカメラやビデオカメラ等の撮像装置においては、撮像素子としてCCDやCMOSイメージセンサ等が使用されている。ところで、CCDやCMOSイメージセンサ等の撮像素子が高輝度被写体を受光した場合に、その列または行全体の信号レベルが変動することで、縦筋や横筋状の画像になるスミア現象が生じることが知られている。これはCCDだけでなく、CMOSイメージセンサにおいても同様の現象が発生する。CMOSイメージセンサにおけるスミア現象を抑制する技術としては、信号出力が所定電圧以下にならないように制限する回路を設けるものがある(特許文献1参照)。
特開2001−230974
CMOSイメージセンサにおいて、特許文献1に記載された技術により抑制されるスミア現象とは別の原因で発生するスミア現象について、以下に説明する。CMOSイメージセンサでは、画素部に構成されるフローティングディフュージョン部のリセット解除時のリセット信号(N信号)を読み出す。その後、フォトダイオードで発生した電荷をフローティングディフュージョン部に転送したときの画素信号(S信号)を読み出す。そして、画素信号(S信号)とリセット信号(N信号)の差分(S−N信号)を取ることで、光信号を読み出している。
具体的には、画素部の後段に容量帰還型増幅回路を配置し、容量帰還型増幅回路をリセットしながら入力容量にN信号をクランプする。その後、容量帰還型増幅回路のリセットを解除し、出力部に配置したN信号用の保持容量にN信号を保持する。更に、その後、容量帰還型増幅回路にS信号を入力し、出力に配置したS信号用の保持容量にS信号を保持し、更に後段の処理回路でS−N信号を読み出している。
近年では動画を撮影可能な撮像装置にCMOSイメージセンサが用いられ、メカニカルシャッタにより遮光されることなく撮影が継続されることが多い。そのため、信号読み出し時にもイメージセンサが露光され続けることになる。そして、特に高輝度被写体を受光している画素部では、フローティングディフュージョン部への光の漏れ込みなどにより、フローティングディフュージョン部のリセット解除後にその電位が変化し続ける現象が発生する場合がある。
このとき、前記のように容量帰還型増幅回路のリセットを解除し、出力部に配置したN信号用の保持容量にN信号を保持する動作を行うと、その出力が大きく変動する。そして、電源およびグラウンド配線を変動させることで同時に記憶される他の画素のN信号のレベル変動を発生させてしまう。
CMOSイメージセンサの場合、通常、水平方向の同一行に配置された画素の信号を同時に読み出すので、この状態でN信号用の保持容量にN信号を保持すると、同一行の信号読み出し時に、本来のN信号とは異なるレベルの信号が保持されることになる。その後、読み出されるS信号との差分をとると、高輝度被写体のある同一行でスミア現象が発生する。すなわち、特許文献1に記載された技術では、N信号に起因するスミア現象を抑制することはできない。
本発明の目的は、上記のように高輝度被写体を受光し続けて、各画素部に設けられたフローティングディフュージョン部のリセット解除後にその電位が変化し続けても、その影響を後段の処理回路に伝えることなく、スミアの発生を抑制することである。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、請求項1に記載の撮像装置は、光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送部と、前記フローティングディフュージョン部をリセットするリセット部と、前記フローティングディフュージョン部の電荷量に応じた電圧を増幅する増幅部とを各々が有する複数の画素が配置され、受光画素領域及び遮光画素領域からなる画素配列と、前記画素配列の各画素から電圧信号を読み出し、前記リセット部により前記フローティングディフュージョン部をリセットしたときに読み出されるリセット信号を保持する第1の保持部と、前記転送部により前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送したときに読み出される画素信号を保持する第2の保持部とを有する読み出し回路と、前記第2の保持部に保持された画素信号と前記第1の保持部に保持されたリセット信号との差分を増幅する差動増幅部と、前記受光画素領域の画素から画素信号を読み出して前記第2の保持部に保持する場合に、前記第1の保持部に前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号を保持し続けるように制御するとともに、前記受光画素領域の画素から読み出した画素信号と前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号との差分を前記差動増幅部が増幅するように制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
また、請求項6に記載の撮像装置の制御方法は、光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送部と、前記フローティングディフュージョン部をリセットするリセット部と、前記フローティングディフュージョン部の電荷量に応じた電圧を増幅する増幅部とを各々が有する複数の画素が配置され、受光画素領域及び遮光画素領域からなる画素配列と、前記画素配列の各画素から電圧信号を読み出し、前記リセット部により前記フローティングディフュージョン部をリセットしたときに読み出されるリセット信号を保持する第1の保持部と、前記転送部により前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送したときに読み出される画素信号を保持する第2の保持部とを有する読み出し回路と、前記第2の保持部に保持された画素信号と前記第1の保持部に保持されたリセット信号との差分を増幅する差動増幅部とを備えた撮像装置の制御方法であって、前記受光画素領域の画素から画素信号を読み出して前記第2の保持部に保持する場合に、前記第1の保持部に前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号を保持し続けるように制御するとともに、前記受光画素領域の画素から読み出した画素信号と前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号との差分を前記差動増幅部が増幅するように制御する制御ステップと、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、高輝度被写体を受光しても、各画素部に設けられたフローティングディフュージョン部のリセット解除後にその電位が変化し続けても、その影響を後段の処理回路に伝えることなく、スミアの発生を抑制することができる。
第1の実施形態の撮像装置の全体構成を概略的に示す図。 第1の実施形態の光電変換装置の構成を概略的に示す図。 第1の実施形態の撮像素子の全体構成を概略的に示す図。 第1の実施形態の撮像素子のローリング読み出し動作を説明する図。 図2の動作で高輝度被写体を受光したときの出力画像。 第1の実施形態のVOB領域の行に対する読み出し駆動を説明する図。 第1の実施形態の受光画素領域の行に対する読み出し駆動を説明する図。 図4、図5の動作で高輝度被写体を受光したときの出力画像を示す図。 第1の実施形態で静止画撮影時の読み出し駆動を説明する図。 第2の実施形態の撮像素子の列読み出し回路を概略的に示す図。 第2の実施形態のVOB領域の行に対する読み出し駆動を説明する図。 第2の実施形態の受光画素領域の行に対する読み出し駆動を説明する図。
以下、本発明の具体的な実施例を説明する。
(第1の実施形態)
図1を参照して、本発明の実施形態における撮像装置について説明する。図1は、撮像装置200の機能的構成を模式的に示すブロック図である。図1に示すように、撮像装置200は、駆動回路7により駆動される光学系1、メカシャッタ2、光電変換装置100を備える。光学系1はレンズ及び絞り羽根などである。メカシャッタ2は、例えばフォーカルプレーン式のメカニカルシャッタ(以下、「メカシャッタ」とする)である。メカシャッタ2は、動画撮影モード/静止画撮影モードを切り替える撮影モード選択スイッチ500により、静止画撮影モードが選択された際には、先幕及び後幕の走行時刻の差により光電変換装置100への露光時間の制御を行う。また、メカシャッタ2は、動画撮影モードが選択された際には、全開となって光電変換装置100へ常に光が導かれる状態となる。光電変換装置100はCMOSイメージセンサなどの撮像素子である。
CDS4は、アナログ信号処理を行うCDS(Correlated Double Sampling)回路である。A/D5は、アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器である。タイミング信号発生回路6は、CDS4、A/D5、駆動回路7を動作させるためのタイミング信号を発生する。駆動回路7は、光学系1、メカシャッタ2及び光電変換装置100を駆動させるための駆動信号を出力する。信号処理回路8は、撮像した画像データに必要な信号処理を行う。画像メモリ9は、信号処理回路8により信号処理された画像データを記憶する。記録媒体210は、特に図示しないインターフェイスなどを介して接続し、撮像装置200から取り外し可能な半導体メモリなどである。記録回路211は、信号処理回路8により信号処理された画像データを記録媒体210に記録する。画像表示装置212は、信号処理回路8により信号処理された画像データを表示するLCD(Liquid Crystal Display)などである。表示回路213は、信号処理回路8により信号処理された画像データに基づいて画像表示装置212に画像を表示させるための表示信号を生成する。
システム制御部214は、CPU(Central Processing Unit)などであり、撮像装置200全体の動作を中央制御する。ROM215(Read Only Memory)は、システム制御部214で実行されるプログラムデータ、そのプログラムデータを実行する際に使用されるパラメータやテーブルデータ等の制御データが格納されている。RAM216(Random Access Memory)は、ROM215に記憶されたデータなどを一時的に記憶し、システム制御部214がプログラムデータを実行する際の作業領域を提供する。
ここで、上記撮像装置200の動作について、動画撮影モードが選択された場合の動作を例に説明する。静止画撮影モードが選択された場合については、動画撮影モードにおける1フレーム分の撮像動作とほぼ同じであるため、その説明は省略する。
撮像動作に先立ち、撮像装置200の電源投入時等のシステム制御部214の動作開始時において、ROM215から必要なプログラムデータや制御データ等については、RAM216に転送して記憶しておくものとする。また、これらのプログラムデータや制御データは、システム制御部214が撮像装置200を制御する際に使用するとともに、必要に応じて、追加のプログラムデータや制御データがROM215からRAM216へ転送される場合もある。さらに、システム制御部214は、ROM215内のデータを直接読み出して使用したりしてもよい。
先ず、光学系1は、システム制御部214からの制御信号により駆動される駆動回路7により、絞り羽根とレンズが駆動される。同様に、メカシャッタ2は全開とされ、光電変換装置100には、適切な明るさに設定された被写体像が結像される。光電変換装置100は、システム制御部214により制御されるタイミング信号発生回路6が発生する動作パルスをもとにした駆動パルスで駆動され、被写体像を光電変換により電気信号に変換して、アナログ画像信号として出力する。なお、光電変換装置100の駆動方法の詳細については、後述する。
光電変換装置100から出力されたアナログ画像信号は、システム制御部214により制御されるタイミング信号発生回路6が発生する動作パルスにより、CDS4でクロック同期性ノイズが除去され、A/D5でデジタル画像信号に変換される。次に、デジタル画像信号に変換された画像データは、一旦、画像メモリ9に記憶される。画像メモリ9に記憶された画像データは、システム制御部214により制御される信号処理回路8において、色変換、ホワイトバランス調整、ガンマ補正等の画像処理、解像度変換処理、画像圧縮処理などの信号処理が行われる。なお、画像メモリ9は、信号処理中の画像データ(デジタル画像信号)を一時的に記憶したり、信号処理された後の画像データを記憶したりするために用いられる。
信号処理回路8で信号処理された画像データや画像メモリ9に記憶されている画像データは、記録回路211において記録媒体210に適したデータ(例えば階層構造を持ちファイルシステムデータ)に変換されて記録媒体210に記録されてもよい。また、上記画像データは、信号処理回路8で解像度変換処理を実施された後、表示回路213において画像表示装置212に適した信号(例えばNTSC方式のアナログ信号)に変換されて画像表示装置212に表示されてもよい。
信号処理回路8は、システム制御部214から要求があった場合に、信号処理の過程で生じたデジタル画像信号や画像データの情報、あるいは、それらから抽出された情報をシステム制御部214に出力する。この信号処理回路8がシステム制御部214に出力する情報としては、例えば、画像の空間周波数、指定領域の平均値(例えば空間周波数)、圧縮画像のデータ量などがある。また、記録回路211は、システム制御部214からの要求があった場合に、記録媒体210の種類や空き容量などの情報をシステム制御部214に出力する。
さらに、撮像装置200において、記録媒体210に画像データが記録されている場合の再生動作について説明する。システム制御部214からの制御信号により、記録回路211は記録媒体210から画像データを読み出す。記録媒体210から読み出された画像データが圧縮画像であった場合、システム制御部214からの制御信号により信号処理回路8は画像伸張処理を行う。この画像伸張処理後の画像データは、画像メモリ9に記憶される。次いで、画像メモリ9に記憶されている画像データは、信号処理回路8で解像度変換処理が実施された後、表示回路213において画像表示装置212に適した信号に変換され、画像表示装置212に表示される。
図2は、第1実施形態に係る光電変換装置100の全体構成を示す概念図である。図2に示すように、光電変換装置100は、画素配列301、垂直選択回路302、読み出し回路12、水平選択回路304を有する構成である。画素配列301は、複数の画素が2次元アレイ状に配置されており、2次元の撮像画像を取得する。なお、画素配列301は、被写体光を受光する受光画素領域(有効画素領域)と、受光画素領域の上側と左側に遮光画素領域である垂直OB領域(以下、VOBと称す)と水平OB領域(以下、HOBと称す)を備えている。垂直選択回路302は画素配列301における行を選択し、水平選択回路304は画素配列301における列を選択する回路である。一般的には、垂直選択回路302は、画素配列301の複数の行を順に選択し、水平選択回路304は、垂直選択回路302によって選択されている行を構成する複数の画素を順に選択するように画素配列301の複数の列を順に選択する。読み出し回路12は、垂直選択回路302及び水平選択回路304によって選択される画素から電圧信号を読み出す回路である。なお、光電変換装置100は、上記の各回路にタイミング信号を提供するタイミングジェネレータ或いは後述する各種信号を出力する制御回路などを備えてもよい。
図3は、図2に示した光電変換装置100であるCMOSイメージセンサの概略を示す図である。図2に示した画素配列301に配置された複数の画素11は、次の各要素から構成される。光電変換部であるフォトダイオード101は、入射光に応じた電荷を発生し、アノード側が接地されている。フォトダイオード101のカソード側は、転送MOSトランジスタ102を介して増幅部である増幅MOSトランジスタ104のゲートに接続されている。また、増幅MOSトランジスタ104のゲートには、リセット部であるリセットMOSトランジスタ103のソースが接続されている。リセットMOSトランジスタ103のドレインは、電源電圧VDDに接続されている。さらに、増幅MOSトランジスタ104のドレインも電源電圧VDDに接続され、ソースが選択MOSトランジスタ105のドレインに接続されている。
転送部である転送MOSトランジスタ102は、パルスptxにより駆動され、転送MOSトランジスタ102をオンすることにより、フォトダイオード101で発生した電荷がフローティングディフュージョン部106に転送される。フローティングディフュージョン部106は、フォトダイオード101で発生した電荷を保持する。リセットMOSトランジスタ103は、presパルスにより駆動されることでオンし、フローティングディフュージョン部106をリセットする。転送MOSトランジスタ102をオンした状態でリセットMOSトランジスタ103をオンすることで、フォトダイオード101もリセットする。
増幅部である増幅MOSトランジスタ104は、選択MOSトランジスタ105及び定電流源110と共に画素ソースフォロワアンプとして動作し、フローティングディフュージョン部106に保持された電荷量に応じた電圧を増幅する。選択MOSトランジスタ105はパルスpselにより駆動され、パルスpselにより同一行の画素11の選択MOSトランジスタ105を同時に駆動してオンすることで、行単位で画素ソースフォロワアンプの出力信号が読み出される。
また、列毎に読み出し回路12が設けられている。読み出し回路12のオペアンプ113は、帰還容量112(cf)と容量111(c0)により反転増幅アンプを構成している。パルスpc0rにより駆動されるアナログスイッチ114をオンすることで、容量111(c0)、帰還容量112(cf)をリセットする。さらに、パルスpts,パルスptnで駆動されるMOSスイッチ118、119を介して、後段の保持容量120(cts)、121(ctn)をリセットする。その後、行単位で読み出された各画素の画素ソースフォロワアンプの出力信号は、列毎に共通で設けられた垂直出力線を介して容量111(c0)でクランプされ、オペアンプ113に入力される。
オペアンプ113の出力は、パルスpts,パルスptnで駆動されるMOSスイッチ118、119を介して、それぞれ保持容量120(cts)、121(ctn)に保持される。第1の保持部である保持容量121(ctn)は、リセット信号(N信号)を保持する。また、第2の保持部である保持容量120(cts)は、画素信号(S信号)を保持する。1行分の画素信号が列毎に保持容量120(cts)、121(ctn)に保持されると、図2の水平選択回路304内の水平シフトレジスタにより、ph(n)パルスが順次駆動される。そして、MOSスイッチ124、125が開閉され、後段の差動増幅部である差動型読み出しアンプ126に入力される。そして、差動型読み出しアンプ126は、保持容量120(cts)に保持されている画素信号と、保持容量121(ctn)に保持されているリセット信号との差分を増幅して外部に出力する。なお、MOSスイッチ122、123を複数の列間でオンさせることで、行(水平)方向の信号を加算平均させることが可能な構成になっている。
図4、図6、図7、図9は、図3に示したCMOSイメージセンサの1行の信号読み出し動作を説明するタイミングチャートである。図4は、動画撮影モードにおけるCMOSイメージセンサのローリング読み出し動作を説明する図であり、全行で同一の読み出し駆動を行っているものとする。なお、ここでは、高輝度被写体の光を受光しているものとし、高輝度被写体を受光している画素のフローティングディフュージョン部106の電圧VFD及びイメージセンサ内部の電源変動についても示している。
図4において、パルスpresをハイレベルにすることでリセットMOSトランジスタ103をオンしてフローティングディフュージョン部106をリセットする。そして、時刻T1でパルスpresをハイレベルからローレベルにすることで、フローティングディフュージョン部106のリセットを解除する。この時点から、高輝度被写体によるフォトダイオード101からフローティングディフュージョン部106への電荷の漏れ込みにより、フローティングディフュージョン部106の電圧VFDは徐々に下がり始める。時刻T2では、パルスpselをローレベルからハイレベルにすることで選択MOSトランジスタ105がオンになる。そして、フローティングディフュージョン部106の電圧VFD(ここでは、リセットレベルの電圧)が画素ソースフォロワアンプから読み出され、垂直出力線を介して容量111(c0)にクランプされる。
次に、時刻T3からT6の間、パルスpc0rをハイレベルにしてアナログスイッチ114をオンすることで、容量111(c0)、帰還容量112(cf)のリセットを開始する。そして、時刻T4からT5の間、パルスpts、ptnをハイレベルにすることで、容量120(cts)、121(ctn)をリセットする。このとき、上述したように、画素部11のフローティングディフュージョン部106の電圧VFDが容量(c0)111にクランプされているが、高輝度被写体により電圧VFDが変動しているので、異常な電圧が容量111(c0)にクランプされることになる。ただし、高輝度被写体を受光していない画素部においては、電圧VFDの変動は無いので正常な電圧がクランプされている。
時刻T6で、パルスpc0rがハイレベルからローレベルになり、アナログスイッチ114をオフさせるが、このとき電圧VFDの出力が変動しているとオペアンプ113の出力が大きく振幅し、この影響でイメージセンサ内部の電源変動が読み出し行全体で起こる。時刻T7からT8の間にパルスptnをハイレベルにすることで、容量111(c0)にクランプされた信号(N信号)が保持容量121(ctn)に保持されるが、高輝度被写体を受光している場合は電源変動が収束しておらず、異常電圧を保持することになる。つまり、高輝度被写体を受光している画素では、異常な電圧が容量111(c0)にクランプされると共に、電源変動により保持容量121(ctn)も異常電圧を保持することになる。また、高輝度被写体を受光していない画素では、容量111(c0)には正常な電圧がクランプされるが、電源変動により保持容量121(ctn)には、異常電圧が保持されることになる。
次に、時刻T9からT12の間にパルスptsをハイレベルにし、時刻T10からT11の間にパルスptxをハイレベルにすることで、フォトダイオード101の電荷をフローティングディフュージョン部106に転送する。そして、フローティングディフュージョン部106に転送した信号を保持容量120(cts)に保持する。時刻T10においても、オペアンプ113の出力が大きく振幅し、この影響でイメージセンサ内部の電源変動が起こるが、時刻T12では、電源変動がほぼ収束しているため、保持容量120(cts)には、正しい信号(S信号)が保持される。
時刻T13では、パルスpselをハイレベルからローレベルにすることで、画素出力、つまりフローティングディフュージョン部106の電圧VFDを垂直出力線から切断する。そして、時刻T14でパルスpresをローレベルからハイレベルにすることで、フローティングディフュージョン部106のリセットを開始する。その後、パルスphにより、保持容量120(cts)、121(ctn)に保持された信号を、順次、差動型読み出しアンプ126に入力し、外部に出力される。
ここで、パルスptn、ptsがハイレベルになる期間を電源変動が収束する時間以上に長く取れれば、異常信号を保持しなくて済むが、トータルの信号読み出し時間を短くしたいために、極力短時間にするようにしている。また、フォダイオード101からの信号レベルは大きい可能性が高く、電源変動する可能性があるため、一般的にパルスptsがハイレベルになる期間の方が、パルスptnがハイレベルになる期間よりも長く設定される。一方、フローティングディフュージョン部106のリセット解除後の信号は通常極小なので、パルスptnがハイレベルになる期間は、極力短く設定される。そのため、高輝度被写体の受光時に異常電圧をクランプすることになる。
図5は、図4で説明したように、高輝度被写体を受光することにより、保持容量121(ctn)に異常電圧を保持したときの出力画像である。図5では、被写体光を受光する受光画素領域(有効画素領域)に加え、その上部と左部に遮光画素領域であるVOBとHOBの出力を示している。受光画素領域の高輝度被写体の左右のレベルが変動しているため、水平方向のスミアが発生している。
図6、図7は、図4と同様に、動画撮影モードにおけるCMOSイメージセンサのローリング読み出し動作を説明する図である。図6では、VOB領域の行に対する読み出し駆動を、図7では、VOB領域読み出し後、HOB領域を含む受光画素領域の行に対する読み出し駆動を行っているものとする。図4と同様に、フローティングディフュージョン部106の電圧VFD及びイメージセンサ内部の電源変動についても示している。
図6の読み出し駆動は、図4と全く同じであるが、遮光画素であるVOB領域の行に対する読み出しであることから、被写体の光が画素に入射しない。そのため、高輝度被写体を受光した場合でも、フローティングディフュージョン部106の電圧VFDの変化はなく、イメージセンサ内部の電源変動についても無いことを示している。
一方、図7の読み出し駆動が図4と異なる点は、パルスptnを全く駆動しない点である。そのため、図4で説明したような、N信号がフローティングディフュージョン部106への電荷の漏れこみによる電源変動の影響を受けることがない。このとき、保持容量121(ctn)には、VOB領域を読み出したときのN信号が保持されている。つまり、VOB領域の行に対する読み出し駆動を図6のように行い、その後、HOB領域を含む受光画素領域の行に対する読み出し駆動を図7のように行う。そのように駆動することで、動画撮像時のローリング読み出し動作においても異常電圧をクランプすることなく、正常な信号を出力することができる。このときの出力画像を図8に示す。図8からわかるように、受光画素部の高輝度被写体の左右のレベルは変動していない。
図9は、CMOSイメージセンサでメカニカルシャッタ2を併用した静止画撮影モード時のローリング読み出し駆動を示す図である。読み出し駆動パルスの動きは図4と同じであるが、静止画撮影モードの場合、イメージセンサの露光終了後、メカニカルシャッタ2を閉じてから読み出し駆動が開始されるため、フローティングディフュージョン部106への光の漏れこみによる電源変動の影響はない。
以上のように、第1の実施形態によれば、1画面内の読み出し動作の中でVOB領域とHOB領域を含む受光画素領域の読み出し駆動方法を、動画撮影モードにおいて、図6、図7のように変える。そのように駆動制御することで、動画撮影中に高輝度被写体を受光しても異常電圧をクランプすることなく、正常な信号を出力することができる。なお、高輝度被写体を受光していない画素では、容量111(c0)には正常な電圧がクランプされるが、電源変動により保持容量121(ctn)には異常電圧が保持されているので、結果的に行全体でレベル変動した出力になってしまう。これを保持容量121(ctn)に遮光画素であるVOB領域からの信号で固定電圧を保持することで、行全体のレベル変動を抑えることができる。N信号は容量111(c0)にクランプされることで、その後、保持容量120(cts)に保持される電圧は、実質的にS−N信号となり、正しい画素出力を得ることができる。
(第2の実施形態)
図10は、本発明の第2の実施形態を説明する図である。本実施形態は、電源変動により図3の保持容量121(ctn)への保持電圧が異常に低くなることがわかっている場合において有効である。図10では、図3における列毎の読み出し回路の一部を示している。すなわち、図3のオペアンプ113の出力がパルスpts、ptn1、ptn2で駆動されるMOSスイッチ811、812、813を介して、それぞれ3つの保持容量に保持される。すなわち、第1の保持部である保持容量814(cts)、第2の保持部である保持容量815(ctn1)、第3の保持部である保持容量816(ctn2)に保持される。
さらに、保持容量814(cts)の保持電圧は、MOSトランジスタ817と定電流源820で構成されるソースフォロワアンプにより出力される。また、保持容量815(ctn1)、816(ctn2)の保持電圧は、ソースが共通接続されたNチャネルMOSトランジスタ818、819と定電流源821で構成されるソースフォロワアンプにより出力される。保持容量815(ctn1)、816(ctn2)の出力は、上記のようにNチャネルMOSトランジスタがワイヤードオア接続されているので、その電圧の高いほうがソースフォロワアンプから出力される。
1行分の画素信号が、列毎に保持容量814(cts)、815(ctn1)、816(ctn2)に保持されると、図2の水平選択回路304の水平シフトレジスタにより、パルスph(n)が順次駆動される。そして、MOSスイッチ822、823が開閉され、後段の差動型読み出しアンプ824に入力され外部に出力される。なお、ここでは、水平方向の信号を加算平均させるMOSトランジスタは省略している。
図11、図12は、図6、図7と同様にCMOSイメージセンサの動画撮像時のローリング読み出し動作を説明する図である。図11では、VOB領域の行に対する読み出し駆動を示し、図12は、VOB領域読み出し後のHOB部を含む受光画素領域の行に対する読み出し駆動を示している。また、フローティングディフュージョン部106の電圧VFD及びイメージセンサ内部の電源変動についても示している。
図11の読み出し駆動が図6と異なるのは、パルスptn1とパルスptn2があり、パルスptn1は図6のパルスptnと全く同じで、パルスptn2は全く駆動されない点である。また、図12の読み出し駆動は、図11に対してパルスptn1とパルスptn2の駆動が逆になっている。つまり、図11のように、VOB領域の行に対する読み出し駆動では、N信号を保持容量ctn1に保持する。また、図12のように、受光画素領域の行に対する読み出し駆動では、N信号を保持容量ctn2に保持しており、その電圧が高いほうがソースフォロワアンプから出力される。高輝度被写体を受光した場合、電源変動により保持容量ctn2への保持電圧が異常に低くなる場合においては、保持容量ctn1の電圧がソースフォロワから出力される。
以上のように、第2の実施形態によれば、1画面内の読み出し動作の中で、VOB領域とHOB領域を含む受光画素領域の読み出し駆動方法を、図11、図12のように変えることで、動画撮影中に高輝度被写体を受光しても、正常な信号を出力することができる。また、その駆動は動画撮影時においてのみ行えばよく、静止画撮影時などで、保持容量ctn1、ctn2を他の用途で使用することは何の問題も無い。
なお、上述した実施の形態における記述は、一例を示すものであり、これに限定するものではない。上述した実施の形態における構成及び動作に関しては、適宜変更が可能である。
(その他の実施例)
また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェア(プログラム)を、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU等)がプログラムを読み出して実行する処理である。
11 画素部
12 読み出し回路
101 フォトダイオード
102 転送MOSトランジスタ
103 リセットMOSトランジスタ
104 増幅MOSトランジスタ
106 フローティングディフュージョン部
120 保持容量(cts)
121 保持容量(ctn)
126 差動増幅器

Claims (6)

  1. 光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送部と、前記フローティングディフュージョン部をリセットするリセット部と、前記フローティングディフュージョン部の電荷量に応じた電圧を増幅する増幅部とを各々が有する複数の画素が配置され、受光画素領域及び遮光画素領域からなる画素配列と、
    前記画素配列の各画素から電圧信号を読み出し、前記リセット部により前記フローティングディフュージョン部をリセットしたときに読み出されるリセット信号を保持する第1の保持部と、前記転送部により前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送したときに読み出される画素信号を保持する第2の保持部とを有する読み出し回路と、
    前記第2の保持部に保持された画素信号と前記第1の保持部に保持されたリセット信号との差分を増幅する差動増幅部と、
    前記受光画素領域の画素から画素信号を読み出して前記第2の保持部に保持する場合に、前記第1の保持部に前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号を保持し続けるように制御するとともに、前記受光画素領域の画素から読み出した画素信号と前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号との差分を前記差動増幅部が増幅するように制御する制御手段と、
    を備えたことを特徴とする撮像装置。
  2. 撮影モードを選択する撮影モード選択手段を備え、前記撮影モード選択手段により動画撮影モードが選択された場合に、前記受光画素領域の画素から画素信号を読み出して前記第2の保持部に保持する場合に、前記第1の保持部に前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号を保持し続けるように制御するとともに、前記受光画素領域の画素から読み出した画素信号と前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号との差分を前記差動増幅部が増幅するように前記制御手段が制御することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記制御手段は、前記受光画素領域の画素から電圧信号を読み出す際に、前記第1の保持部に前記受光画素領域の画素から読み出すリセット信号を保持しないように制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記読み出し回路は、さらに、前記リセット部により前記フローティングディフュージョン部をリセットしたときに読み出されるリセット信号を保持する第3の保持部を有し、前記制御手段は、前記第3の保持部に前記受光画素領域の画素から読み出したリセット信号を保持するように制御することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  5. 前記第1の保持部と前記第3の保持部のいずれか一方に保持されたリセット信号を出力することを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。
  6. 光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送部と、前記フローティングディフュージョン部をリセットするリセット部と、前記フローティングディフュージョン部の電荷量に応じた電圧を増幅する増幅部とを各々が有する複数の画素が配置され、受光画素領域及び遮光画素領域からなる画素配列と、前記画素配列の各画素から電圧信号を読み出し、前記リセット部により前記フローティングディフュージョン部をリセットしたときに読み出されるリセット信号を保持する第1の保持部と、前記転送部により前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送したときに読み出される画素信号を保持する第2の保持部とを有する読み出し回路と、前記第2の保持部に保持された画素信号と前記第1の保持部に保持されたリセット信号との差分を増幅する差動増幅部とを備えた撮像装置の制御方法であって、
    前記受光画素領域の画素から画素信号を読み出して前記第2の保持部に保持する場合に、前記第1の保持部に前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号を保持し続けるように制御するとともに、前記受光画素領域の画素から読み出した画素信号と前記遮光画素領域の画素から読み出したリセット信号との差分を前記差動増幅部が増幅するように制御する制御ステップと、
    を備えたことを特徴とする撮像装置の制御方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107333074A (zh) * 2016-04-29 2017-11-07 江苏思特威电子科技有限公司 成像装置及其成像方法
CN107370969A (zh) * 2016-05-11 2017-11-21 江苏思特威电子科技有限公司 成像装置
CN111587571A (zh) * 2018-01-19 2020-08-25 索尼半导体解决方案公司 固态成像元件

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107333074A (zh) * 2016-04-29 2017-11-07 江苏思特威电子科技有限公司 成像装置及其成像方法
CN107333074B (zh) * 2016-04-29 2020-03-27 思特威(上海)电子科技有限公司 成像装置、成像方法及图像传感器读取方法
CN107370969A (zh) * 2016-05-11 2017-11-21 江苏思特威电子科技有限公司 成像装置
CN107370969B (zh) * 2016-05-11 2020-10-02 思特威(上海)电子科技有限公司 成像装置
CN111587571A (zh) * 2018-01-19 2020-08-25 索尼半导体解决方案公司 固态成像元件
CN111587571B (zh) * 2018-01-19 2023-06-23 索尼半导体解决方案公司 固态成像元件

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