JP2009280799A - フォトレジスト用重合体及びその組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸に不安定な基を有する式(Ia)および式(Ib)のユニットと、酸の作用により脱離する置換基を有するアダマンタン構造を有する式(II)のユニットと、多環式のラクトン構造を有する式(III)のユニットとを含有する重合体。当該重合体と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含有するポジ型フォトレジスト組成物。
【選択図】なし
Description
さらに本発明は、当該重合体と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する、ポジ型フォトレジスト組成物でもある。
2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1−エチル、
5−ノルボルネン−2−メタノール、
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物。
重合体のLogP値 = Σ (各モノマーのLogP値 × モノマー組成比)
(式中のΣは、重合体を構成するモノマー全てについて総和をとることを示す。)
LogPは物質の疎水性の程度を表す指標のひとつである。モノマーのLogPの値は、例えば、Chembridge Soft社製のChem Draw Ultra version 9.0.1で計算することで算出することができる。また重合体におけるモノマー組成比は、重合体を、例えばNMRで分析することで算出できる。
式(V)で表される化合物のアニオン部分の具体例としては、以下のアニオンが挙げられる。
A+−O3S−R13 (VIII)
式(VIII)中、R13は炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のペルフルオロアルキル基を表し、A+は有機対イオンを表す。
トリフルオロメタンスルホネート、
ペンタフルオロエタンスルホネート、
ヘプタフルオロプロパンスルホネート、
パーフルオロブタンスルホネートなど。
該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられ、該アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μL
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
各樹脂の合成に使用したモノマーを下記に示す。
温度計及び還流管を装着した4つ口フラスコに、1,4−ジオキサン21.79部を仕込み、窒素ガスで30分間バブリングを行った。その後、窒素シール下で75℃まで昇温した後、上記のモノマー(A)13.00部、モノマー(B)6.04部、モノマー(C)9.64部、モノマー(D)7.63部、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.25部、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)1.11部及び1,4−ジオキサン32.68部を混合した溶液を、75℃を保ったまま1時間かけて滴下した。滴下終了後、溶液を75℃で5時間保温した。冷却後、その反応液を1,4−ジオキサン39.94部で希釈した。この希釈したマスを、メタノール378部及びイオン交換水94部の混合液中へ攪拌しながら注ぎ、析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール236部の液に投入し、攪拌後濾過を行った。得られた濾過物を同様の液に投入、攪拌、濾過の操作を、更に2回行った。その後減圧乾燥を行い29部の樹脂を得た。この樹脂をR1とする。収率:79.0%、Mw:8600、Mw/Mn:1.93。ガラス転移温度:149.7℃。樹脂中の各ユニットのモル比、(A):(B):(C):(D)=27.8:13.2:25.4:33.5。
温度計及び還流管を装着した4つ口フラスコに1,4−ジオキサン21.80部を仕込み、窒素ガスで30分間バブリングを行った。その後、窒素シール下で75℃まで昇温した後、上記のモノマー(A)12.25部、モノマー(B)11.85部、モノマー(C)6.71部、モノマー(D)5.52部、アゾビスイソブチロニトリル0.23部、アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル1.05部及び1,4−ジオキサン32.70部を混合した溶液を、75℃を保ったまま1時間かけて滴下した。滴下終了後、溶液を75℃で5時間保温した。冷却後、その反応液を1,4−ジオキサン39.97部で希釈した。この希釈したマスを、メタノール378部、イオン交換水94部の混合液中へ攪拌しながら注ぎ、析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール236部の液に投入し攪拌後濾過を行った。得られた濾過物を同様の液に投入、攪拌、濾過の操作を、更に2回行った。その後減圧乾燥を行い29部の樹脂を得た。この樹脂をR2とする。収率:79.7%、Mw:10250、Mw/Mn:2.09。ガラス転移温度:151.0℃。樹脂中の各ユニットのモル比、(A):(B):(C):(D)=28.6:27.3:18.6:25.5。
温度計及び還流管を装着した4つ口フラスコに1,4−ジオキサン21.82部を仕込み、窒素ガスで30分間バブリングを行った。その後、窒素シール下で75℃まで昇温した後、上記のモノマー(A)13.35部、モノマー(B)3.10部、モノマー(E)2.18部、モノマー(C)9.90部、モノマー(D)7.84部、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.25部、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)1.14部及び1,4−ジオキサン32.73部を混合した溶液を、75℃を保ったまま1時間かけて滴下した。滴下終了後、溶液を75℃で5時間保温した。冷却後、その反応液を1,4−ジオキサン40.00部で希釈した。この希釈したマスを、メタノール378部、イオン交換水95部の混合液中へ攪拌しながら注ぎ、析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール236部の液に投入し攪拌後濾過を行った。得られた濾過物を同様の液に投入、攪拌、濾過の操作を、更に2回行った。その後減圧乾燥を行い29部の樹脂を得た。この樹脂をR3とする。収率:80.0%、Mw:8300、Mw/Mn:1.90。ガラス転移温度:152.2℃。樹脂中の各ユニットのモル比、(A):(B):(E):(C):(D)=28.7:6.5:6.5:25.1:33.1。
温度計、還流管を装着した4つ口フラスコに1,4−ジオキサン22.30部を仕込み、窒素ガスで30分間バブリングを行った。その後、窒素シール下で75℃まで昇温した後、上記のモノマー(A)14.00部、モノマー(E)4.57部、モノマー(C)10.38部、モノマー(D)8.22部、アゾビスイソブチロニトリル0.26部、アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル1.20部及び1,4−ジオキサン33.45部を混合した溶液を、75℃を保ったまま1時間かけて滴下した。滴下終了後、溶液を75℃で5時間保温した。冷却後、その反応液を1,4−ジオキサン40.89部で希釈した。この希釈したマスを、メタノール387部、イオン交換水97部の混合液中へ攪拌しながら注ぎ、析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール240部の液に投入し攪拌後濾過を行った。得られた濾過物を同様の液に投入、攪拌、濾過の操作を、更に2回行った。その後減圧乾燥を行い28部の比較用樹脂を得た。
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部、イオン交換水250部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。100℃で3時間還流し、冷却後、濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸・ナトリウム塩を164.8部得た(無機塩含有、純度62.6%)。
(2)ジフルオロスルホ酢酸・ナトリウム塩5.0部(純度62.8%)、4−オキソ−1−アダマンタノール2.6部、エチルベンゼン100部を仕込み、濃硫酸0.8部を加え、30時間加熱還流した。冷却後、濾過、tert−ブチルメチルエーテルで洗浄し、ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステル・ナトリウム塩を5.5部得た。1H−NMRによる純度分析の結果、純度35.6%であった。
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、各レジスト組成物を調製した。
クエンチャー1:2,6−ジイソプロピルアニリン(DPA)
<溶剤>
PGMA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
MAKN:メチルアミルケトン
GBL:γ−ブチロラクトン
(実験手順)
シリコンウェハに、日産化学社製の有機反射防止膜用組成物である「ARC−95」を塗布して、215℃、60秒の条件でベークすることによって厚さ78nmの有機反射防止膜を形成し、この上に、表1の実施例1〜2及び比較例1のレジスト組成物を、乾燥後の膜厚が150nmとなるようにスピンコートした。
実効感度
実施例1 23mJ/cm2
実施例2 30mJ/cm2
比較例1 26mJ/cm2
実施例1〜2及び比較例1で得られた走査型電子顕微鏡写真を比較したところ、比較例1におけるレジストパターンの壁面よりも、実施例1〜2におけるレジストパターンの壁面のほうが明らかに、より滑らかに形成されていた。すなわち、実施例1及び2は、比較例に対してライン幅ラフネスの点でより優れたものであった。
実効感度
実施例3 26mJ/cm2
比較例1 26mJ/cm2
実施例3及び比較例1で得られた走査型電子顕微鏡写真を比較したところ、比較例1におけるレジストパターンの壁面よりも、実施例3におけるレジストパターンの壁面のほうが明らかに、より滑らかに形成されていた。すなわち、実施例3は、比較例1に対してライン幅ラフネスの点でより優れたものであった。
Claims (6)
- 式(Ia)又は(Ib)で表されるユニットと、式(II)で表されるユニットと、式(III)で表されるユニットとを含有する重合体。
(式(III)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R10は、カルボキシル基、シアノ基又は炭素数1〜4の炭化水素基を表す。l′は、0〜3の整数を表す。l′が2以上のとき、複数のR10は、互いに同一でも異なってもよい。Zは、単結合又は−[CH2]k−COO−基を表す。kは、1〜4の整数を表す。) - さらに、式(XV)で表される、側鎖に、水酸基を有するアダマンチル基を有するユニットを含有する、請求項1に記載の重合体。
- 式(II)のZ′は第三級アルキルオキシカルボニル基である、請求項1又は2に記載の重合体。
- さらに、式(IVa)〜(IVe)で表される、ラクトン構造を側鎖に有するユニットを含有する、請求項1〜3のいずれかに記載の重合体。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の重合体と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する、ポジ型フォトレジスト組成物。
- 酸発生剤が式(V)で表される化合物である、請求項5に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
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