JP2009266940A - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
エピタキシャルウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009266940A JP2009266940A JP2008112553A JP2008112553A JP2009266940A JP 2009266940 A JP2009266940 A JP 2009266940A JP 2008112553 A JP2008112553 A JP 2008112553A JP 2008112553 A JP2008112553 A JP 2008112553A JP 2009266940 A JP2009266940 A JP 2009266940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic film
- substrate
- manufacturing
- ion implantation
- epitaxial wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 8
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板の表面に有機膜を形成する工程と、該有機膜を通してイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成する工程と、前記有機膜を除去する工程と、前記有機膜を除去された表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【選択図】図1
Description
また、エピタキシャル層形成前に、シリコン単結晶基板の表面を軽くエッチオフするために、HClガスを故意に導入する場合もあり、これも腐食の一因となっている。
このように製造されることにより、イオン注入層が高密度なゲッタリングサイトとして基板表面近傍に形成されており、その表面上に形成されたエピタキシャル層は不純物汚染が低減される。このため本発明の製造方法により製造されたエピタキシャルウェーハは、不純物汚染と欠陥がほとんどないエピタキシャル層を有するため、たとえば固体撮像素子等の製造に用いるのに好適である。
このように、有機膜を塗布した後に低温のベーキング又はUVキュアを行うことにより、有機膜中の余剰溶剤が揮発され有機膜が硬化されるため、後の工程における剥がれ等を防止することができる。また、イオン注入時にイオンの衝突エネルギーによって有機膜が加熱されることにより、有機膜中の余剰溶剤が揮発されガスを放出し、装置中の真空度を悪化させることを防止できるため、良好なイオン注入を行うことができる。
このように、エピタキシャル層形成前に500℃以上でアニールすることにより、イオン注入による基板表面の注入ダメージを回復することができ、120sec以下と短時間のアニールを行うことで、アニール時に基板中の酸素の凝集によって酸素析出物が表面に発生することを防止できる。また、本発明の製造方法によれば、イオン注入時に生じる基板表面の欠陥等は低減されているため、短時間のアニールでも所望のダメージ回復を行うことができる。
このように、炭素イオン又は炭素を含むイオンを上記範囲のドーズ量でイオン注入することで、よりゲッタリング能力の高いウェーハとすることができる。
このように、本発明の製造方法において、形成される有機膜としては、一般的に有機膜として利用されるフォトレジスト膜とすることができる。
このように、いずれの処理によっても有機膜を除去することができ、有機膜の硬化により除去しにくくなっている場合は、これらの処理を組み合わせて併用することでも除去することができる。
このように、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法により製造されたエピタキシャルウェーハであれば、欠陥の少ないエピタキシャル層を有し、その近傍に高密度のゲッタリングサイトが形成されているため、エピタキシャル層への不純物汚染も低減されており、このウェーハを用いて固体撮像素子を製造することで、特性不良の少ない高品質の固体撮像素子にすることができる。
本発明者らは、このような問題について以下のように検討を行った。
しかし、その酸化膜の形成方法は、特許文献1の実施例に記載されている様に、一般的には、基板を高温かつ酸化性雰囲気中に晒す事で行われる。上記実施例では、1000℃、10minのドライ酸化で行われている。この様に基板を比較的高温で処理すると、結晶中の酸素が析出し酸素析出物が形成される。この酸素析出物は通常バルク内に形成されるが、基板表面は、熱処理の際に酸素が外方拡散されるため表面には形成されにくく無欠陥である。
さらに特許文献2では、半導体基板表面がむき出しの状態でイオン注入が行われる。この様な状態でのイオン注入は、基板表面のスパッタリングによる結晶性劣化、注入イオンのチャネリングを引き起こす。更に、イオン注入中に飛来するパーティクル等の汚染物質から基板表面を十分に保護できない。
図1は本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の実施態様の一例としてのフロー図である。
このとき用意されるシリコン単結晶基板10としては、例えば、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、育成したシリコン単結晶棒を内周刃スライサあるいはワイヤソー等の切断装置によってスライスした後、面取り、ラッピング、エッチング、研磨等の工程を経て作製されたシリコン単結晶基板を用意する。
このように本発明の製造方法において基板表面の保護膜を有機膜とすることで、形成、除去のための高温の熱処理は不要であるため、基板表面に酸素析出物による欠陥が生じることがほとんどなく、その後に形成されるエピタキシャル層の欠陥を低減することができる。
このように、有機膜を塗布した後にベーキング又はUVキュアを行うことにより、有機膜が硬化した後の工程における剥離等を防止することができる。さらに、イオン注入時にイオンの衝突エネルギーによる有機膜の加熱で余剰溶剤が揮発することを防止できるため、より真空度の高い装置内で良好なイオン注入を行うことができる。
このように、有機膜を通してイオン注入することによって、注入イオンのチャネリングを防止することができ、さらにはイオン注入中に基板表面は保護されているため、基板表面へのスパッタリングやパーティクルの付着を効果的に防止することができる。
このように、炭素イオン又は炭素を含むイオンを上記範囲のドーズ量でイオン注入することで、形成されたイオン注入層がゲッタリング能力のより高いゲッタリングサイトとなり、その上に形成されるエピタキシャル層の不純物汚染を効果的に低減することができる。
有機膜11を除去する方法としては、アッシング、硫酸過水処理、有機溶剤処理のいずれか、あるいはこれらの処理の併用によって有機膜を除去することができる。これらの処理であれば、容易に有機膜を除去することができ、ベーキングやイオン注入時の温度で硬化して除去しにくくなった有機膜でもこれらの処理を併用すれば除去することができる。
また、この有機膜を除去した後に、基板表面をさらに清浄にする為に、例えばSC1溶液やフッ酸水溶液等で洗浄することにより、後の工程でさらに良質のエピタキシャル層を形成することができる。
このエピタキシャル層13の形成には一般的な条件を用いることができる。例えばCVD法により、H2をキャリアガスとしてSiHCl3等のソースガスをチャンバー内に導入し、サセプタ上に配置した基板上に、1050〜1250℃程度でエピタキシャル成長させることによりエピタキシャル層を形成することができる。
このように、500℃以上でアニールすることにより、イオン注入による基板表面のダメージを回復することができ、本発明の製造方法によれば、イオン注入時は有機膜で基板表面が保護されているため従来のイオン注入と比べ基板表面の欠陥等は大幅に低減されており、120sec以下と酸素が基板表面に析出しないように短時間のアニールを行った場合でも、非常に良好な基板表面にすることができる。これにより、基板上に欠陥がより低減されたエピタキシャル層を形成することができる。
以下、実施例を図1を参照しながら説明する。
まず、シリコン単結晶基板10としてチョクラルスキー法(CZ法)で成長させた、面方位(100)、抵抗率10〜20ohm・cm、酸素濃度が1.12×1018atoms/cm3の基板を準備し、この基板をNH4OH/H2O2水溶液、及びHCl/H2O2水溶液で洗浄した。
まず、粘度が5CPのポジ型フォトレジストを基板上に吐出し、基板を6000rpmで回転させ、いわゆるスピン塗布法により基板上にポジ型フォトレジストを塗布した。その後、基板をホットプレート上で110℃、90秒でベーキングし、余分な溶剤成分を揮発させると同時にスピン塗布されたポジ型フォトレジストを硬化させた。このようにして、膜厚が0.4μmのフォトレジスト膜を形成した。
この時の炭素の投影飛程は、フォトレジスト膜/シリコン単結晶基板界面からおよそ0.23μmであり、そのピーク濃度はおよそ5×1019atoms/cm3であった。
図2からわかるように、本発明の製造方法によれば、欠陥の殆ど無い良好なエピタキシャル層が形成出来ていることがわかる。
以下、比較例1を図3を参照しながら説明する。
比較例1は、実施例がイオン注入前に有機膜(フォトレジスト膜)を形成する事に対し、熱酸化膜を形成した場合である。
まず、実施例1と同様のシリコン単結晶基板15を準備し、HF水溶液、NH4OH/H2O2水溶液、及びHCl/H2O2水溶液で洗浄した。
次に、図3(C)に示すように、不要となった酸化膜14をHF水溶液にて除去し、さらに基板表面の清浄度を高めるために、NH4OH/H2O2水溶液、及びHCl/H2O2水溶液で洗浄した。
図2からわかるように、比較例1においては、多数の表面欠陥が生じている事がわかる。原因は前述した様に、半導体基板を酸化熱処理した際に、表面に微小酸素析出物が析出し、それを核としたエピタキシャル積層欠陥が発生したものであると考えられる。
以下、比較例2を図4を参照しながら説明する。
比較例2は、実施例がイオン注入前に有機膜(フォトレジスト膜)を形成する事に対し、保護膜等を形成せずに、基板表面に直接炭素イオンを注入した場合である。
まず、図4(A)に示すように、実施例1と同様のシリコン単結晶基板15を準備し、HF水溶液、NH4OH/H2O2水溶液、及びHCl/H2O2水溶液で洗浄した。
しかし、チャネリングに基づくと思われる、イオン注入層16の厚さや深さにバラツキが見られた。
図2からわかるように、比較例2においては、エピタキシャル成長前に微小酸素析出物が形成される様な熱処理が無いため、比較例1に示したような多数の表面欠陥は観察されない。しかしながら、イオン注入中に付着したパーティクルによると考えられる欠陥が数十個レベルで観察されている。これは、保護膜なしでイオン注入を行った為に、エピタキシャル成長前の基板表面の清浄度が十分ではなかった為と考えられる。
13、17…エピタキシャル層、 14…酸化膜。
Claims (7)
- エピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板の表面に有機膜を形成する工程と、該有機膜を通してイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成する工程と、前記有機膜を除去する工程と、前記有機膜を除去された表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記有機膜を形成する工程を、有機膜を塗布した後に、ベーキング又はUVキュアを行うことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記エピタキシャル層を形成する工程の前に、前記有機膜を除去されたシリコン単結晶基板を、500℃以上、120sec以下でアニールすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記イオン注入層を形成する工程を、炭素イオン又は炭素を含むイオンを、5×1013〜5×1015/cm2のドーズ量でイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記有機膜を、フォトレジスト膜とすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記有機膜を除去する工程を、アッシング、硫酸過水処理、有機溶剤処理のいずれか、あるいはこれらの処理の併用によって前記有機膜を除去することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法により製造されたエピタキシャルウェーハを用いて製造されたことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008112553A JP4978544B2 (ja) | 2008-04-23 | 2008-04-23 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008112553A JP4978544B2 (ja) | 2008-04-23 | 2008-04-23 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009266940A true JP2009266940A (ja) | 2009-11-12 |
JP4978544B2 JP4978544B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=41392439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008112553A Active JP4978544B2 (ja) | 2008-04-23 | 2008-04-23 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4978544B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015035467A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社Sumco | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
US9991121B2 (en) | 2015-11-10 | 2018-06-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316123A (ja) * | 1989-03-29 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入方法およびそれにより製造される半導体装置 |
JP2000188262A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Sony Corp | 半導体装置のウェル形成方法 |
JP2004165225A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Sony Corp | 半導体基板の製造方法、固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置用の選別方法 |
JP2004343034A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Au Optronics Corp | 半導体装置のlddを形成する方法 |
-
2008
- 2008-04-23 JP JP2008112553A patent/JP4978544B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316123A (ja) * | 1989-03-29 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入方法およびそれにより製造される半導体装置 |
JP2000188262A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Sony Corp | 半導体装置のウェル形成方法 |
JP2004165225A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Sony Corp | 半導体基板の製造方法、固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置用の選別方法 |
JP2004343034A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Au Optronics Corp | 半導体装置のlddを形成する方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015035467A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社Sumco | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
US9991121B2 (en) | 2015-11-10 | 2018-06-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4978544B2 (ja) | 2012-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101462397B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP2006216826A (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
TW200903646A (en) | Epitaxial wafer manufacturing method and epitaxial wafer | |
JP4613886B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法、及び半導体基板の製造方法 | |
JP2007149907A (ja) | 剥離ウェーハの再生加工方法及びこの方法により再生加工された剥離ウェーハ | |
US10483128B2 (en) | Epitaxially coated semiconductor wafer, and method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer | |
JP2009176860A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP4419147B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP2005244127A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4978544B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5391651B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP2010098167A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
WO2010131412A1 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP5865057B2 (ja) | 半導体基板の再生方法、及びsoi基板の作製方法 | |
JP5157075B2 (ja) | Simoxウェーハの製造方法 | |
TWI643250B (zh) | Method for manufacturing epitaxial wafer and epitaxial wafer | |
JP6834932B2 (ja) | 貼り合わせウェーハ用の支持基板の製造方法および貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JPH05235005A (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
JP4259881B2 (ja) | シリコンウエハの清浄化方法 | |
JP2010129839A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP2020004989A (ja) | シリコン接合ウェーハ | |
JP2008270592A (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JP2007149799A (ja) | アニールウェーハの製造方法およびアニールウェーハ | |
JP4826993B2 (ja) | p型シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
KR102109893B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120321 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120403 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4978544 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |