JP2009260115A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 酸素を含む炭化水素ガスを供給して、減圧下で酸素を含む炭化水素ガスを熱分解させて、炭化珪素ウエハ24の全表面にカーボン保護膜6を形成する工程と、酸素を含む炭化水素ガスの供給ガスを停止し不活性ガスを供給して、減圧下でカーボン保護膜6が形成された炭化珪素ウエハ24にアニール処理を行う工程とを、一つの成膜兼アニール装置で連続して行えるようにした。
【選択図】図9
Description
この発明の実施の形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法について説明する。ここでは、一例として、パワーMOSFET(Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)の製造方法を、図1から図8を参照して説明する。
実施の形態1では、カーボン保護膜6の形成とアニール処理を、一つの成膜兼アニール装置20で一貫して行うものを示したが、更に、アニール処理後に行うカーボン保護膜6の除去を成膜兼アニール装置20で行ってもよい。以下、その詳細について、図10を参照して説明する。図10中、点線がカーボン保護膜6の除去の際の炭化珪素ウエハ24の処理温度を示す。なお、カーボン保護膜6の除去以外の工程については、実施の形態1で示したものと同じであるため、ここでの説明は省略する。
実施の形態1,2では、図9に示した高周波誘導加熱方式の成膜兼アニール装置20を例にして説明したが、何も高周波誘導加熱方式の成膜兼アニール装置20を用いる必要はなく、図12に示すような抵抗加熱方式の成膜兼アニール装置を用いることもできる。以下では、図12に示す抵抗加熱方式の成膜兼アニール装置を用いて、この発明の実施の形態3に係る特徴的な工程について説明する。ここで特徴的な工程とは、実施の形態1で説明したものと同様、カーボン保護膜6の形成及びアニール処理を行う工程にあり、これらの工程を同一の製造装置内で連続して処理する方法を提供する。その他の工程については、実施の形態1で示したものと同じであるため、ここでの説明は省略する。
Claims (13)
- 成膜兼アニール炉内に酸素を含む炭化水素ガスを供給し、減圧下で前記酸素を含む炭化水素ガスを熱分解させて、炭化珪素ウエハの全表面上にカーボン保護膜を形成する工程と、
前記カーボン保護膜形成の後、前記酸素を含む炭化水素ガスの供給を停止して、前記成膜兼アニール炉内に不活性ガスを供給し、減圧下で前記カーボン保護膜が形成された前記炭化珪素ウエハにアニール処理を行う工程と
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 成膜兼アニール炉内に酸素を含む炭化水素ガスを供給し、減圧下で前記酸素を含む炭化水素ガスを熱分解させて、少なくとも炭化珪素ウエハの両面上にカーボン保護膜を形成する工程と、
前記カーボン保護膜形成の後、前記酸素を含む炭化水素ガスの供給を停止して、前記成膜兼アニール炉内に不活性ガスを供給し、減圧下で前記カーボン保護膜が形成された前記炭化珪素ウエハにアニール処理を行う工程と
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記カーボン保護膜形成時の圧力は1.33×104Pa以下であり、前記アニール処理時の圧力は前記カーボン保護膜形成時の圧力又は6.67×104Pa以上であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記カーボン保護膜を形成する際の前記炭化珪素ウエハの処理温度は850℃から1000℃の範囲であり、アニール処理の際の前記炭化珪素ウエハの処理温度は1500℃以上とすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記カーボン保護膜の厚さは、1nm以上で1000nm以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
酸素を含む炭化水素ガスはエタノール又はメタノールであることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記カーボン保護膜の形成及び前記アニール処理は、複数の前記炭化珪素ウエハに対して一括して処理するバッチ処理により行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記アニール処理の後、前記成膜兼アニール炉内に酸素ガスを供給し、前記カーボン保護膜を除去する工程を、更に含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記カーボン保護膜形成時の圧力は1.33×104Pa以下であり、前記アニール処理時の圧力は前記カーボン保護膜形成時の圧力又は6.67×104Pa以上であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記カーボン保護膜を形成する際の前記炭化珪素ウエハの処理温度は850℃から1000℃の範囲であり、アニール処理の際の前記炭化珪素ウエハの処理温度は1500℃以上とし、前記カーボン保護膜を除去する際の炭化珪素ウエハの処理温度は約900℃とすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記カーボン保護膜の厚さは、1nm以上で1000nm以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
酸素を含む炭化水素ガスはエタノール又はメタノールであることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記カーボン保護膜の形成、前記アニール処理及び前記カーボン保護膜の除去は、複数の前記炭化珪素ウエハに対して一括して処理するバッチ処理により行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
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