JP2012015229A - 炭化珪素半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】炭化珪素ウエハの表面の全体に渡って荒れの発生のない炭化珪素半導体デバイスの製造方法を提供とする。
【解決手段】本炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素ウエハ10に不純物30iをイオン注入する工程と、不純物30iがイオン注入された炭化珪素ウエハ10上にダイヤモンド層40を形成する工程と、ダイヤモンド層40が形成された炭化珪素ウエ10を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ10内に不純物30iが活性化した不純物領域30を形成する工程と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】本炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素ウエハ10に不純物30iをイオン注入する工程と、不純物30iがイオン注入された炭化珪素ウエハ10上にダイヤモンド層40を形成する工程と、ダイヤモンド層40が形成された炭化珪素ウエ10を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ10内に不純物30iが活性化した不純物領域30を形成する工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、炭化珪素ウエハ内に不純物領域を形成する工程を含む炭化珪素半導体デバイスの製造方法に関する。
半導体デバイス材料として、炭化珪素(SiC)が注目されている。炭化珪素は、バンドギャップが大きく、また最大絶縁破壊電界および熱伝導率は珪素(Si)に比べて大きい一方、キャリアの移動度は、珪素と同程度に大きく、電子の飽和ドリフト速度および耐圧も大きい。このため、炭化珪素は、高効率化、高耐圧化、および大容量化を要求される半導体デバイスへの適用が期待されている。
半導体デバイスの作製においては、一般に、ウエハ中の所定領域に不純物を導入することにより、かかる不純物領域の導電型および/またはキャリア濃度が制御される。かかる不純物の導入方法には、一般に熱拡散法とイオン注入法とがある。ここで、炭化珪素は不純物の拡散係数が非常に小さいため、炭化珪素ウエハ中への上記不純物領域の形成には、イオン注入法が用いられる。具体的には、炭化珪素ウエハ内の所定領域に不純物をイオン注入した後、イオン注入した不純物を活性化するための熱処理を行なうことにより、炭化珪素ウエハ内のその所定領域に不純物領域が形成される。
しかし、上記の熱処理は、1300℃〜1700℃程度の高温で行なわれるため、炭化珪素ウエハの表面からの珪素(Si)原子の脱離により、炭化珪素ウエハの表面が荒れるという問題があった。
上記問題を解決するために、特開2001−68428号公報(特許文献1)には、炭化珪素結晶板の表面層に不純物のドーピングとその後の熱処理(アニール)により不純物領域を形成する炭化珪素半導体素子の製造方法において、マスクを用いた選択的なドーピングを行ない、マスクを除去した後、表面に保護膜としてダイヤモンドライクカーボン膜または有機膜を堆積して熱処理を行ないその後その保護膜を除去することが提案されている。
しかし、上記の特開2001−68428号公報(特許文献1)に提案されている炭化珪素半導体素子の製造方法では、保護膜として用いられたダイヤモンドライクカーボン膜または有機膜は、膜が十分に緻密および均質でないため、また、酸化に弱いため、熱処理(アニール)の際の残留酸素ガスによる熱酸化によって保護膜が部分的に劣化することにより、炭化珪素ウエハの表面の一部に保護膜による保護が不十分となり、炭化珪素ウエハの表面の一部に荒れが発生するという問題があった。
本発明は、上記問題を解決して、炭化珪素ウエハの表面の全体に渡って荒れの発生のない炭化珪素半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、炭化珪素ウエハに不純物をイオン注入する工程と、不純物がイオン注入された炭化珪素ウエハ上にダイヤモンド層を形成する工程と、ダイヤモンド層が形成された炭化珪素ウエハを熱処理することにより、炭化珪素ウエハ内に不純物が活性化した不純物領域を形成する工程と、を備える炭化珪素半導体デバイスの製造方法である。
本発明にかかる炭化珪素半導体デバイスの製造方法において、ダイヤモンド層は、その表面における結晶粒子の直径を100nm以下とすることができる。また、ダイヤモンド層を形成する方法を、マイクロ波プラズマCVD法および熱フィラメントCVD法のいずれかとすることができる。ここで、これらの方法によりダイヤモンド層を形成する際に、炭化珪素ウエハに負の電位を印加することができる。
本発明によれば、炭化珪素ウエハの表面の全体に渡って荒れの発生のない炭化珪素半導体デバイスの製造方法を提供することができる。
図1を参照して、本発明の一実施形態である炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素(SiC)ウエハ10に不純物30iをイオン注入する工程(図1(A)〜(C))と、不純物30iがイオン注入された炭化珪素ウエハ10上にダイヤモンド層40を形成する工程(図1(D))と、ダイヤモンド層40が形成された炭化珪素ウエハ10を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ10内に不純物30iが活性化した不純物領域30を形成する工程(図1(E))と、を備える。
本実施形態の炭化珪素半導体デバイスの製造方法によれば、炭化珪素ウエハ上に保護膜としてダイヤモンド層が形成される。かかるダイヤモンド層は、緻密で耐高温性が高く、炭化珪素との接着性が高く、機械的強度に優れている。このため、炭化珪素ウエハ上にダイヤモンド層が形成した後に、かかる炭化珪素ウエハを熱処理することにより、炭化珪素ウエハの表面からの珪素(Si)原子の脱離を防止できるため、炭化珪素ウエハの表面の荒れを防止できる。
図1〜図3を参照して、本実施形態の炭化珪素半導体デバイスの製造方法について、以下に詳細に説明する。
[炭化珪素ウエハへの不純物のイオン注入工程]
図1(A)〜(C)を参照して、本実施形態の炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素(SiC)ウエハ10に不純物30iをイオン注入する工程を備える。炭化珪素は不純物の拡散係数が非常に小さいため、炭化珪素ウエハ10への不純物の導入は、熱拡散法では困難であるため、イオン注入法が採用される。イオン注入法とは、半導体に不純物を添加する方法の一つで、不純物をイオン化し、電気的に制御しながら目的の半導体に注入する加工方法である。炭化珪素にイオン注入する不純物は、特に制限はなく、n型の導電型の不純物領域を形成するには、窒素(N)、リン(P)などが用いられ、p型の導電型の不純物を形成するには、アルミニウム(Al)、硼素(B)などが用いられる。
図1(A)〜(C)を参照して、本実施形態の炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素(SiC)ウエハ10に不純物30iをイオン注入する工程を備える。炭化珪素は不純物の拡散係数が非常に小さいため、炭化珪素ウエハ10への不純物の導入は、熱拡散法では困難であるため、イオン注入法が採用される。イオン注入法とは、半導体に不純物を添加する方法の一つで、不純物をイオン化し、電気的に制御しながら目的の半導体に注入する加工方法である。炭化珪素にイオン注入する不純物は、特に制限はなく、n型の導電型の不純物領域を形成するには、窒素(N)、リン(P)などが用いられ、p型の導電型の不純物を形成するには、アルミニウム(Al)、硼素(B)などが用いられる。
ここで、炭化珪素半導体デバイスを形成するためには、炭化珪素ウエハ内の所定領域に不純物領域を形成する必要があり、そのためには、炭化珪素ウエハ内のその所定領域に不純物をイオン注入する必要がある。
図1(A)〜(C)を参照して、炭化珪素ウエハ10に不純物30iのイオン注入する工程は、特に制限はないが、炭化珪素ウエハ10内の所定領域に不純物をイオン注入するために、たとえば、炭化珪素ウエハ10を準備するサブ工程(図1(A))と、炭化珪素ウエハ10上に所定のパターン化された開口部20wを有するマスク層20を形成するサブ工程(図1(B))と、上記マスク層20が形成された炭化珪素ウエハ10に不純物30iをイオン注入するサブ工程(図1(C))と、を備えることができる。
(炭化珪素ウエハの準備サブ工程)
図1(A)を参照して、炭化珪素ウエハ10を準備するサブ工程において準備される炭化珪素ウエハ10は、1層のウエハであってもよく、炭化珪素基板11上に炭化珪素層13をエピタキシャル成長させた2層以上のウエハであってもよい。また、炭化珪素層13は、1層であっても、2層以上であってもよい。ここで、炭化珪素基板11上に炭化珪素層13をエピタキシャル成長させる方法は、特に制限はないが、結晶性の高い炭化珪素層13をエピタキシャル成長させる観点から、通常CVD(Chemical Vapor Deposition;化学気相堆積)法が用いられる。
図1(A)を参照して、炭化珪素ウエハ10を準備するサブ工程において準備される炭化珪素ウエハ10は、1層のウエハであってもよく、炭化珪素基板11上に炭化珪素層13をエピタキシャル成長させた2層以上のウエハであってもよい。また、炭化珪素層13は、1層であっても、2層以上であってもよい。ここで、炭化珪素基板11上に炭化珪素層13をエピタキシャル成長させる方法は、特に制限はないが、結晶性の高い炭化珪素層13をエピタキシャル成長させる観点から、通常CVD(Chemical Vapor Deposition;化学気相堆積)法が用いられる。
(マスク層形成サブ工程)
図1(B)を参照して、炭化珪素ウエハ10上に所定のパターン化された開口部20wを有するマスク層20を形成するサブ工程は、特に制限はなく、たとえば一般的なフォトリソグラフィー法により行なうことができる。また、マスク層20は、不純物のイオン注入を防止できるものであれば特に制限はなく、たとえば二酸化珪素(SiO2)層とすることができる。ここで、炭化珪素ウエハ10が炭化珪素基板11およびその上にエピタキシャル成長された炭化珪素層13で形成されている場合は、上記マスク層20を炭化珪素層13上に形成することができる。
図1(B)を参照して、炭化珪素ウエハ10上に所定のパターン化された開口部20wを有するマスク層20を形成するサブ工程は、特に制限はなく、たとえば一般的なフォトリソグラフィー法により行なうことができる。また、マスク層20は、不純物のイオン注入を防止できるものであれば特に制限はなく、たとえば二酸化珪素(SiO2)層とすることができる。ここで、炭化珪素ウエハ10が炭化珪素基板11およびその上にエピタキシャル成長された炭化珪素層13で形成されている場合は、上記マスク層20を炭化珪素層13上に形成することができる。
(不純物のイオン注入サブ工程)
図1(C)を参照して、上記マスク層20が形成された炭化珪素ウエハ10に不純物30iをイオン注入するサブ工程において、炭化珪素ウエハ10の上記マスク層20が形成された主面側に不純物30iをイオン注入することにより、マスク層20の開口部20wに対応する炭化珪素ウエハ10内の所定領域に不純物30iが導入される。不純物30iのイオン注入Iにおいては、イオンの加速電圧、電荷などを調節することにより、不純物30iのウエハ表面からの注入深さを調節することができる。ここで、炭化珪素ウエハ10が炭化珪素基板11およびその上にエピタキシャル成長された炭化珪素層13で形成されている場合は、上記炭化珪素層13内の所定領域に不純物30iを導入することができる。
図1(C)を参照して、上記マスク層20が形成された炭化珪素ウエハ10に不純物30iをイオン注入するサブ工程において、炭化珪素ウエハ10の上記マスク層20が形成された主面側に不純物30iをイオン注入することにより、マスク層20の開口部20wに対応する炭化珪素ウエハ10内の所定領域に不純物30iが導入される。不純物30iのイオン注入Iにおいては、イオンの加速電圧、電荷などを調節することにより、不純物30iのウエハ表面からの注入深さを調節することができる。ここで、炭化珪素ウエハ10が炭化珪素基板11およびその上にエピタキシャル成長された炭化珪素層13で形成されている場合は、上記炭化珪素層13内の所定領域に不純物30iを導入することができる。
(マスク層の除去サブ工程)
上記のようにして、炭化珪素ウエハ10に不純物30iをイオン注入した後に、上記マスク層20は、フッ酸液処理などにより、除去される(図示せず)。
上記のようにして、炭化珪素ウエハ10に不純物30iをイオン注入した後に、上記マスク層20は、フッ酸液処理などにより、除去される(図示せず)。
[ダイヤモンド層の形成工程]
図1(D)を参照して、不純物30iがイオン注入された炭化珪素ウエハ10上にダイヤモンド層40を形成する工程において得られるダイヤモンド層40は、緻密で、均質で、耐高温性が高く、炭化珪素との接着性が高く、機械的強度に優れたダイヤモンドの多結晶で形成されている。かかるダイヤモンド層40を炭化珪素ウエハ10上に形成することにより、後工程における熱処理の際に炭化珪素ウエハの表面からの珪素原子の脱離が防止できる。ダイヤモンド層40が形成されていることは、ラマン分光法により観察される。
図1(D)を参照して、不純物30iがイオン注入された炭化珪素ウエハ10上にダイヤモンド層40を形成する工程において得られるダイヤモンド層40は、緻密で、均質で、耐高温性が高く、炭化珪素との接着性が高く、機械的強度に優れたダイヤモンドの多結晶で形成されている。かかるダイヤモンド層40を炭化珪素ウエハ10上に形成することにより、後工程における熱処理の際に炭化珪素ウエハの表面からの珪素原子の脱離が防止できる。ダイヤモンド層40が形成されていることは、ラマン分光法により観察される。
ダイヤモンド層40は、その緻密性および均質性を高くする観点から、その表面における結晶粒子の直径が、100nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましく、20nm以下であることがさらに好ましい。また、ダイヤモンド層40は、安定なダイヤモンド結晶粒子を形成させる観点から、その表面における結晶粒子の直径が、1nm以上であることが好ましく、3nm以上がより好ましく、10nm以上がさらに好ましい。ここで、ダイヤモンド層40の表面における結晶粒子の直径は、SEM(走査型電子顕微鏡)による表面観察により測定される。
さらに、ダイヤモンド層40は、その厚さが、ダイヤモンド膜形成により生じるSiC基板の反りを抑制する観点から、3μm以下が好ましく、300nm以下がより好ましく、形成したダイヤモンド膜の緻密性を高める観点から、50nm以上が好ましく、100nm以上がより好ましい。ここで、ダイヤモンド層40の厚さは、ウエハの重量変化とダイヤモンドの密度から算出される。
図2および図3を参照して、不純物30iがイオン注入された炭化珪素ウエハ10上にダイヤモンド層40を形成する方法には、特に制限はなく、マイクロ波プラズマCVD(化学気相堆積)法(図2)、熱フィラメントCVD(化学気相堆積)法(図3)などが挙げられる。形成するダイヤモンド膜の品質が極めて高い観点からはマイクロ波プラズマCVD法が好ましく、大面積の炭化珪素ウエハに高品質のダイヤモンド層を形成させやすい観点からは熱フィラメントCVD法が好ましい。
(マイクロ波プラズマCVD法)
図2を参照して、マイクロ波プラズマCVD装置100は、容器部110と、マイクロ波導入部120と、サンプル台部130とを備える。容器部110は、容器本体111と、容器本体111の側部にそれぞれ配設されたガス導入管113、ガス排出管115および覗き窓117とを含む。マイクロ波導入部120は、容器本体111の上部にそれぞれ配設されたマイクロ波導波管122、マイクロ波反射板124、マイクロ波アンテナ126およびマイクロ波透過窓128を含む。サンプル台部130は、容器本体111の下部にそれぞれ配設されたサンプル基礎台132、絶縁台134およびサンプル支持台136を含む。なお、サンプル台部130は、サンプル基礎台132に対してサンプル支持台136に負の電位を印加する直流電源138をさらに含むことが好ましい。
図2を参照して、マイクロ波プラズマCVD装置100は、容器部110と、マイクロ波導入部120と、サンプル台部130とを備える。容器部110は、容器本体111と、容器本体111の側部にそれぞれ配設されたガス導入管113、ガス排出管115および覗き窓117とを含む。マイクロ波導入部120は、容器本体111の上部にそれぞれ配設されたマイクロ波導波管122、マイクロ波反射板124、マイクロ波アンテナ126およびマイクロ波透過窓128を含む。サンプル台部130は、容器本体111の下部にそれぞれ配設されたサンプル基礎台132、絶縁台134およびサンプル支持台136を含む。なお、サンプル台部130は、サンプル基礎台132に対してサンプル支持台136に負の電位を印加する直流電源138をさらに含むことが好ましい。
図2を参照して、マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド層の形成は、たとえば、以下のようにして行なわれる。容器本体111の下部に配設されたサンプル支持台136上に炭化珪素ウエハ10を配置する。ガス導入管113から容器本体111内に原料ガスが導入される。マイクロ波導波管122から導入されたマイクロ波がマイクロ波反射板124によってマイクロ波アンテナ126に集められ、マイクロ波アンテナ126から放出されたマイクロ波がマイクロ波透過窓128を通って容器本体111内に導入される。容器本体111内において、導入されたマイクロ波により、導入された原料ガスがプラズマ化する。プラズマ化した原料ガス中の炭素原子が炭化珪素ウエハ10上に堆積することによりダイヤモンド層が形成される。容器本体111内に残ったガスはガス排出管215から排出される。
ここで、マイクロ波とは、波長100μm以上1mm以下程度、周波数300MHz以上3THz以下の電波または電磁波を指し、この範囲には、デシメートル波(UHF)、センチメートル波(SHF)、ミリメートル波(EHF)、サブミリ波などが含まれる。原料ガスとしては、炭素(C)と水素(H)とを含むガスであってかつマイクロ波によりプラズマ化するガスが用いられ、具体的には、メタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスとの混合ガスが好適に用いられる。
マイクロ波プラズマCVD法においては、以下のようにしてダイヤモンド層が形成される。まず、炭化珪素ウエハ10上にプラズマ化した原料ガス中の炭素原子が付着することによりダイヤモンド核が形成される(ダイヤモンド核の形成段階)。次いで、ダイヤモンド核が形成された炭化珪素ウエハ10上にプラズマ化した原料ガス中の炭素原子が堆積することにより、ダイヤモンド核が成長してダイヤモンド結晶粒子となって互いに接合してダイヤモンド層が形成される(ダイヤモンド層の形成段階)。
マイクロ波プラズマCVD法においては、上記のダイヤモンド核の形成を促進させる観点から、直流電源138を用いてサンプル基礎台132に対してサンプル支持台136に負の電位を印加することより、サンプル支持台136上に配置された炭化珪素ウエハ10に負の電位を印加することが好ましい。ここで、炭化珪素ウエハ10への負の電位の印加は、上記観点から、ダイヤモンド層の形成工程において、少なくとも上記ダイヤモンド核の生成段階に行なわれていれば足りる。もっとも、ダイヤモンド核の形成段階からダイヤモンド層の形成段階を含むダイヤモンド層の形成工程全体に渡って、サンプル支持台136上に配置された炭化珪素ウエハ10に負の電位を印加することもできる。
炭化珪素ウエハ10に印加する負の電位は、結晶性のよいダイヤモンド核の形成を促進させる観点から、−100V〜−10Vが好ましく、−60V〜−30Vがより好ましい。
緻密で、均質で、耐高温性が高く、炭化珪素との接着性が高く、機械的強度に優れたダイヤモンド層40を形成する観点から、マイクロ波プラズマCVD法においては、原料ガスとしてメタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスとの混合ガスが好適に用いられ、この混合ガス(原料ガス)全体に対するメタンガスの濃度は、0.5モル%〜7モル%が好ましく、1モル%〜3モル%がより好ましい。また、ダイヤモンド層の形成温度(ウエハの温度)は、800℃〜1000℃が好ましく、850℃〜950℃がより好ましい。ダイヤモンド層の形成圧力(容器本体内の圧力)は、1kPa〜20kPaが好ましく、3kPa〜10kPaがより好ましい。また、高品質のダイヤモンド膜を形成するために、原料となる炭素(C)および水素(H)以外の不純物としては、大気からのリークによる混入が起こりやすい窒素(N)の濃度を3ppm以下とすることが好ましい。
(熱フィラメントCVD法)
図3を参照して、熱フィラメントCVD装置200は、容器部210と、フィラメント220と、フィラメント220を加熱するための交流電源280と、サンプル支持台230とを備える。容器部210は、容器本体211と、容器本体211にそれぞれ配設されたガス導入管213およびガス排出管215とを含む。ガス排出管215は、たとえば真空ポンプ250に接続されている。
図3を参照して、熱フィラメントCVD装置200は、容器部210と、フィラメント220と、フィラメント220を加熱するための交流電源280と、サンプル支持台230とを備える。容器部210は、容器本体211と、容器本体211にそれぞれ配設されたガス導入管213およびガス排出管215とを含む。ガス排出管215は、たとえば真空ポンプ250に接続されている。
図3を参照して、熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド層の形成は、たとえば、以下のようにして行なわれる。容器本体211の下部に配設されたサンプル支持台230上に炭化珪素ウエハ10を配置する。交流電源280によりフィラメント220が加熱される。ガス導入管213から容器本体211内に原料ガスが導入される。容器本体211内において、導入された原料ガスが加熱されたフィラメントによりラジカル化する。ラジカル化した原料ガス中の炭素原子が炭化珪素ウエハ10上に堆積することによりダイヤモンド層が形成される。容器本体111内に残ったガスはガス排出管215から真空ポンプ250により排出される。
ここで、フィラメントの温度は、フィラメントが耐えられる温度であって原料ガスをラジカル化させることができる温度である限り特に制限はなく、原料ガスがメタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスとの混合ガスの場合、1600℃以上2300℃以下程度が好ましい。また、このような高温に耐えられる観点から、フィラメントは、タングステン(W)製、レニウム(Re)製などが好ましい。
熱フィラメントCVD法においては、以下のようにしてダイヤモンド層が形成される。まず、炭化珪素ウエハ10上にラジカル化した原料ガス中の炭素原子が付着することによりダイヤモンド核が形成される(ダイヤモンド核の形成段階)。次いで、ダイヤモンド核が形成された炭化珪素ウエハ10上にラジカル化した原料ガス中の炭素原子が堆積することにより、ダイヤモンド核が成長してダイヤモンド結晶粒子となって互いに接合してダイヤモンド層が形成される(ダイヤモンド層の形成段階)。
熱フィラメントCVD法においては、上記のダイヤモンド核の形成を促進させる観点から、直流電源238を用いてフィラメント220に対してサンプル支持台230に負の電位を印加することより、サンプル支持台230上に配置された炭化珪素ウエハ10に負の電位を印加することが好ましい。ここで、炭化珪素ウエハ10への負の電位の印加は、上記観点から、ダイヤモンド層の形成工程において、少なくとも上記ダイヤモンド核の生成段階に行なわれていれば足りる。もっとも、ダイヤモンド核の形成段階からダイヤモンド層の形成段階を含むダイヤモンド層の形成工程全体に渡って、サンプル支持台230上に配置された炭化珪素ウエハ10に負の電位を印加することもできる。
炭化珪素ウエハ10に印加する負の電位は、結晶性のよいダイヤモンド核の形成を促進させる観点から、−100V〜−10Vが好ましく、−60V〜−30Vがより好ましい。
さらに、熱フィラメント法においては、ウエハ全体に均一な電界を形成させるため、サンプル支持台230上に配置された炭化珪素ウエハ10の上方に配設されているフィラメント220の上方に電極240を配設(すなわち、フィラメント220を挟んでサンプル支持台230上に配置された炭化珪素ウエハ10に対向するように電極240を配設)し、直流電源248によりフィラメント220に対して電極240に正の電位を印加することが好ましい。ラジカル化された不純物が、正の電位が印加された電極240によりプラズマ化されるため、プラズマがウエハ近傍まで広がることにより、ウエハ全体に均一な電界を形成することができる。
緻密で、均質で、耐高温性が高く、炭化珪素との接着性が高く、機械的強度に優れたダイヤモンド層40を形成する観点から、熱フィラメントCVD法においては、原料ガスとしてメタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスとの混合ガスが好適に用いられ、この混合ガス(原料ガス)全体に対するメタンガスの濃度は、0.3モル%〜3モル%が好ましく、0.5モル%〜1.5モル%がより好ましい。また、ダイヤモンド層の形成温度(ウエハの温度)は、800℃〜1000℃が好ましく、850℃〜950℃がより好ましい。ダイヤモンド層の形成圧力(容器本体内の圧力)は、1kPa〜20kPaが好ましく、3kPa〜10kPaがより好ましい。また、フィラメントの表面の炭化反応による原料ガスの消費を防止するため、フィラメント表面はダイヤモンド層の形成前に炭化させておくことが好ましい。
[熱処理による不純物領域の形成工程]
図1(E)を参照して、本実施形態の炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、ダイヤモンド層40が形成された炭化珪素ウエハ10を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ10内に不純物30iが活性化した不純物領域30を形成する工程(図1(E))を備える。所定領域に不純物がイオン注入された炭化珪素ウエハ10は、その上にダイヤモンド層40が形成されているため、熱処理することにより、炭化珪素ウエハの表面からの珪素原子の脱離を防止(すなわち炭化珪素ウエハの表面の荒れを防止)しながら、イオン注入された不純物を活性化させて当該所定領域に不純物領域30を形成することができる。
図1(E)を参照して、本実施形態の炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、ダイヤモンド層40が形成された炭化珪素ウエハ10を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ10内に不純物30iが活性化した不純物領域30を形成する工程(図1(E))を備える。所定領域に不純物がイオン注入された炭化珪素ウエハ10は、その上にダイヤモンド層40が形成されているため、熱処理することにより、炭化珪素ウエハの表面からの珪素原子の脱離を防止(すなわち炭化珪素ウエハの表面の荒れを防止)しながら、イオン注入された不純物を活性化させて当該所定領域に不純物領域30を形成することができる。
ここで、炭化珪素ウエハ10の熱処理温度は、イオン注入された不純物を活性化させることができる温度であれば特に制限はないが、炭化珪素ウエハの表面の荒れを防止するとともにより効率的に不純物を活性化させる観点から、1600℃以上2000℃以下が好ましく、1700℃以上1850℃以下がより好ましい。また、熱処理時間は、安定した熱処理を行ない、表面の荒れを防止する観点から、1分以上100分以下が好ましく、5分以上30分以下がより好ましい。また、熱処理する際の雰囲気は、炭化珪素ウエハとダイヤモンド層が酸化により劣化することを防ぐため、アルゴン(Ar)ガスや窒素(N2)ガスなどの不活性雰囲気が好ましい。
[ダイヤモンド層の除去工程]
図1(E)および(F)を参照して、本実施形態の炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素ウエハ10内の所定領域に不純物領域30が形成されたダイヤモンド層40付の炭化珪素ウエハ10から、ダイヤモンド層40を除去する工程をさらに備えることができる。こうして、炭化珪素ウエハ10内の所定領域に不純物領域30が形成された表面に荒れのない炭化珪素半導体デバイスが得られる。
図1(E)および(F)を参照して、本実施形態の炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素ウエハ10内の所定領域に不純物領域30が形成されたダイヤモンド層40付の炭化珪素ウエハ10から、ダイヤモンド層40を除去する工程をさらに備えることができる。こうして、炭化珪素ウエハ10内の所定領域に不純物領域30が形成された表面に荒れのない炭化珪素半導体デバイスが得られる。
ここで、ダイヤモンド層を除去する方法は、特に制限はないが、切削、研削などの機械的な除去方法は、炭化珪素ウエハに損傷を与え易いことから好ましくなく、ドライエッチングが好ましい。
(実施例1)
1.不純物のイオン注入
図1(A)を参照して、(0001)面から4°の傾斜角を有する主面を有しキャリア濃度が1.5×1018cm-3の直径4インチ(10.16cm)で厚さ400μmμmの2枚のn+型の炭化珪素基板11上に、それぞれキャリア濃度が8×1015cm-3で厚さが10μmのn-型の炭化珪素層13がCVD法によりエピタキシャル成長された2枚の炭化珪素ウエハ10を準備した。
1.不純物のイオン注入
図1(A)を参照して、(0001)面から4°の傾斜角を有する主面を有しキャリア濃度が1.5×1018cm-3の直径4インチ(10.16cm)で厚さ400μmμmの2枚のn+型の炭化珪素基板11上に、それぞれキャリア濃度が8×1015cm-3で厚さが10μmのn-型の炭化珪素層13がCVD法によりエピタキシャル成長された2枚の炭化珪素ウエハ10を準備した。
図1(B)を参照して、上記2枚の炭化珪素ウエハ10について、フォトリソグラフィーにより、炭化珪素ウエハ10のn-型の炭化珪素層13上に所定のパターン化された開口部20wを有するマスク層20を形成した。
図1(C)を参照して、所定のパターン化された開口部20wを有するマスク層20がn-型の炭化珪素層13上に形成された上記2枚の炭化珪素ウエハ10のn-型の炭化珪素層13側に不純物30iとしてリン(P)をイオン注入した。総ドーズ量は7×1013cm-2とし、イオン注入の際の雰囲気温度は500℃であった。こうして、n-型の炭化珪素層13内の所定領域にリン(不純物30i)が注入された2枚の炭化珪素ウエハ10が得られた。
2.ダイヤモンド層の形成
図1(D)および図2を参照して、上記2枚の炭化珪素ウエハ10のリン(不純物30i)が所定領域に注入されたn-型の炭化珪素層13上に、マイクロ波プラズマCVD法により、ダイヤモンド層40を形成した。ここで、原料ガスとしてのメタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスとを混合したメタンガス濃度が2モル%の混合ガスを、2.45GHzのマイクロ波によりプラズマ化させた。また、炭化珪素ウエハ10に−30Vの負の電位を印加して、930℃の基板温度(層形成温度)、8kPa(60Torr)の容器本体内圧力(層形成圧力)で12分間維持した。こうして、直径4インチ(10.16cm)の炭化珪素ウエハ10全面上に厚さ0.15μmのダイヤモンド層40が形成された。上記2枚の炭化珪素ウエハ10に形成されたダイヤモンド層40は、そのラマンスペクトルにおいて1330cm-1にピークが確認されたことから、ダイヤモンド結晶が形成されていることがわかった。また、上記2枚の炭化珪素ウエハ10に形成されたダイヤモンド層40の表面における結晶粒子の直径は、SEMにより観察したところ、20nm以下であった。
図1(D)および図2を参照して、上記2枚の炭化珪素ウエハ10のリン(不純物30i)が所定領域に注入されたn-型の炭化珪素層13上に、マイクロ波プラズマCVD法により、ダイヤモンド層40を形成した。ここで、原料ガスとしてのメタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスとを混合したメタンガス濃度が2モル%の混合ガスを、2.45GHzのマイクロ波によりプラズマ化させた。また、炭化珪素ウエハ10に−30Vの負の電位を印加して、930℃の基板温度(層形成温度)、8kPa(60Torr)の容器本体内圧力(層形成圧力)で12分間維持した。こうして、直径4インチ(10.16cm)の炭化珪素ウエハ10全面上に厚さ0.15μmのダイヤモンド層40が形成された。上記2枚の炭化珪素ウエハ10に形成されたダイヤモンド層40は、そのラマンスペクトルにおいて1330cm-1にピークが確認されたことから、ダイヤモンド結晶が形成されていることがわかった。また、上記2枚の炭化珪素ウエハ10に形成されたダイヤモンド層40の表面における結晶粒子の直径は、SEMにより観察したところ、20nm以下であった。
3.熱処理による不純物領域の形成
図1(E)を参照して、上記2枚の炭化珪素ウエハ10を熱処理することにより、イオン注入されたリン(不純物)を活性化させて、n-型の炭化珪素層13の所定領域にn+型の不純物領域を形成した。熱処理条件は、1枚の炭化珪素ウエハが1700℃で10分間、他の1枚の炭化珪素ウエハが1800℃で10分間とした。
図1(E)を参照して、上記2枚の炭化珪素ウエハ10を熱処理することにより、イオン注入されたリン(不純物)を活性化させて、n-型の炭化珪素層13の所定領域にn+型の不純物領域を形成した。熱処理条件は、1枚の炭化珪素ウエハが1700℃で10分間、他の1枚の炭化珪素ウエハが1800℃で10分間とした。
4.ダイヤモンド層の除去
図1(F)を参照して、含有酸素ガスを用いたドライエッチングにより、上記2枚の炭化珪素ウエハ10のn-型の炭化珪素層13からダイヤモンド層40を除去した。1700℃で熱処理した炭化珪素ウエハおよび1800℃で熱処理した炭化珪素ウエハのいずれのウエハについても、SEMで観察したところ、その表面は荒れがなく非常に平坦であった。また、1700℃で熱処理した炭化珪素ウエハおよび1800℃で熱処理した炭化珪素ウエハのいずれのウエハも、ホール測定により、イオン注入されたリン(不純物)の内90モル%以上が活性化していることがわかった。
図1(F)を参照して、含有酸素ガスを用いたドライエッチングにより、上記2枚の炭化珪素ウエハ10のn-型の炭化珪素層13からダイヤモンド層40を除去した。1700℃で熱処理した炭化珪素ウエハおよび1800℃で熱処理した炭化珪素ウエハのいずれのウエハについても、SEMで観察したところ、その表面は荒れがなく非常に平坦であった。また、1700℃で熱処理した炭化珪素ウエハおよび1800℃で熱処理した炭化珪素ウエハのいずれのウエハも、ホール測定により、イオン注入されたリン(不純物)の内90モル%以上が活性化していることがわかった。
(比較例1)
ダイヤモンド層の形成に替えて、厚さ0.3μmのダイヤモンドライクカーボン層の形成を行なったこと以外は、実施例1と同様にして、n-型の炭化珪素層13の所定領域にn+型の不純物領域が形成されている2つの炭化珪素ウエハを得た。SEMで観察したところ、1700℃で熱処理した炭化珪素ウエハはその表面は荒れがなく非常に平坦であったが、1800℃で熱処理した炭化珪素ウエハはその表面が荒れて凹凸が形成されていた。
ダイヤモンド層の形成に替えて、厚さ0.3μmのダイヤモンドライクカーボン層の形成を行なったこと以外は、実施例1と同様にして、n-型の炭化珪素層13の所定領域にn+型の不純物領域が形成されている2つの炭化珪素ウエハを得た。SEMで観察したところ、1700℃で熱処理した炭化珪素ウエハはその表面は荒れがなく非常に平坦であったが、1800℃で熱処理した炭化珪素ウエハはその表面が荒れて凹凸が形成されていた。
(実施例2)
1.不純物のイオン注入
(0001)面から8°の傾斜角を有する主面を有しキャリア濃度が1.5×1018cm-3の直径4インチ(10.16cm)で厚さ400μmのn+型の炭化珪素基板上に、キャリア濃度が5×1015cm-3で厚さが16μmのn-型の炭化珪素層がCVD法によりエピタキシャル成長された炭化珪素ウエハを準備した。
1.不純物のイオン注入
(0001)面から8°の傾斜角を有する主面を有しキャリア濃度が1.5×1018cm-3の直径4インチ(10.16cm)で厚さ400μmのn+型の炭化珪素基板上に、キャリア濃度が5×1015cm-3で厚さが16μmのn-型の炭化珪素層がCVD法によりエピタキシャル成長された炭化珪素ウエハを準備した。
上記の炭化珪素ウエハのn-型の炭化珪素層側全面に不純物としてアルミニウム(Al)をイオン注入した。総ドーズ量は5×1013cm-2とし、イオン注入の際の雰囲気温度は500℃であった。こうして、n-型の炭化珪素層の表面層の全面にアルミニウムが注入された炭化珪素ウエハが得られた。
2.ダイヤモンド層の形成
図3を参照して、上記の炭化珪素ウエハ10のアルミニウムが注入された炭化珪素層上に、熱フィラメントCVD法により、ダイヤモンド層を形成した。ここで、原料ガスは、メタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスとの混合ガスであり、そのメタンガス濃度は1モル%であった。
図3を参照して、上記の炭化珪素ウエハ10のアルミニウムが注入された炭化珪素層上に、熱フィラメントCVD法により、ダイヤモンド層を形成した。ここで、原料ガスは、メタン(CH4)ガスと水素(H2)ガスとの混合ガスであり、そのメタンガス濃度は1モル%であった。
あらかじめ炭化処理を行ったフィラメント220を2100℃に加熱し、炭化珪素ウエハ10に−50Vの負の電位を印加した。また、フィラメント220上部に設置した直径6cmの電極240に+20Vの正の電位を印加した。900℃の基板温度(層形成温度)、8kPa(60Torr)の容器本体内圧力(層形成圧力)で30分間維持した。こうして、直径4インチ(10.16cm)の炭化珪素ウエハ10の全面上に厚さ0.12μmのダイヤモンド層が形成された。炭化珪素ウエハ10上に形成されたダイヤモンド層は、そのラマンスペクトルにおいて1330cm-1にピークが確認されたことから、ダイヤモンド結晶が形成されていることがわかった。また、上記の炭化珪素ウエハに形成されたダイヤモンド層の表面における結晶粒子の直径は、SEMにより観察したところ、10nm〜20nmであった。
3.熱処理による不純物領域の形成
上記の炭化珪素ウエハを熱処理することにより、イオン注入されたアルミニウム(不純物)を活性化させて、p+型の不純物領域を形成した。熱処理条件は、1750℃で5分間とした。
上記の炭化珪素ウエハを熱処理することにより、イオン注入されたアルミニウム(不純物)を活性化させて、p+型の不純物領域を形成した。熱処理条件は、1750℃で5分間とした。
4.ダイヤモンド層の除去
含有酸素ガスを用いたドライエッチングにより、上記の炭化珪素ウエハのn-型の炭化珪素層からダイヤモンド層を除去した後、SEMで観察したところ、その表面は荒れがなく非常に平坦であった。また、ホール測定により、イオン注入されたアルミニウム(不純物)の内85モル%以上が活性化していることがわかった。
含有酸素ガスを用いたドライエッチングにより、上記の炭化珪素ウエハのn-型の炭化珪素層からダイヤモンド層を除去した後、SEMで観察したところ、その表面は荒れがなく非常に平坦であった。また、ホール測定により、イオン注入されたアルミニウム(不純物)の内85モル%以上が活性化していることがわかった。
今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
10 炭化珪素ウエハ、11 炭化珪素基板、13 炭化珪素層、20 マスク層、20w 開口部、30 不純物領域、30i 不純物、40 ダイヤモンド層、100 マイクロ波プラズマCVD装置、110,210 容器部、111,211 容器本体、113,213 ガス導入管、115,215 ガス排出管、117 覗き窓、120 マイクロ波導入部、122 マイクロ波導波管、124 マイクロ波反射板、126 マイクロ波アンテナ、128 マイクロ波透過窓、130 サンプル台部、132 サンプル基礎台、134 絶縁台、136,230 サンプル支持台、138,238,248 直流電源、200 熱フィラメントCVD装置、220 フィラメント、240 電極、250 真空ポンプ、280 交流電源。
Claims (4)
- 炭化珪素ウエハに不純物をイオン注入する工程と、
前記不純物がイオン注入された前記炭化珪素ウエハ上にダイヤモンド層を形成する工程と、
前記ダイヤモンド層が形成された前記炭化珪素ウエハを熱処理することにより、前記炭化珪素ウエハ内に前記不純物が活性化した不純物領域を形成する工程と、を備える炭化珪素半導体デバイスの製造方法。 - 前記ダイヤモンド層は、その表面における結晶粒子の直径が100nm以下である請求項1に記載の炭化珪素半導体デバイスの製造方法。
- 前記ダイヤモンド層を形成する方法は、マイクロ波プラズマCVD法および熱フィラメントCVD法のいずれかである請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体デバイスの製造方法。
- 前記ダイヤモンド層を形成する際に、前記炭化珪素ウエハに負の電位を印加する請求項3に記載の炭化珪素半導体デバイスの製造方法。
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JP2015032678A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造工程の管理方法 |
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2010
- 2010-06-30 JP JP2010148530A patent/JP2012015229A/ja active Pending
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