JP2009256804A - 微粒子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る微粒子は、表面全体に薄膜35が成膜された微粒子23において、前記微粒子の粒径は10μm以下であり、前記薄膜は、真空チャンバー内にアース電極を配置し、前記真空チャンバー内に前記微粒子を収容し、前記真空チャンバー内に原料ガスを供給し、前記真空チャンバーを回転させることにより前記真空チャンバー内の前記微粒子を動かし、前記真空チャンバーに電力を供給し、前記アース電極と前記真空チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記微粒子の表面全体にCVD法により成膜されたものであることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
まず、カソード電極上に成膜対象物(例えばSiウェハーやSUS板等)を固定する。次いで、真空チャンバーを真空排気し、所定の真空度に到達させる。次いで、原料ガスを真空チャンバー内に供給する。なお、DLC(Diamond Like Carbon)成膜の場合は炭化水素系ガスを使用する。次いで、高周波電源によってカソード電極にマッチングボックスを介して高周波出力を印加する。これにより、アノード電極とカソード電極との間に原料ガスによるプラズマが発生し、カソード電極上にDLC膜が堆積する。次いで、所定時間成膜後高周波出力を切り、ガス供給を止める。次いで、真空排気を止めてチャンバーを大気開放し、成膜対象物を取り出す。
この粉体成膜用スパッタ装置は、粉体表面に膜をつける装置であって、回転可能に構成された回転型真空チャンバーを有し、この真空チャンバーはドラム形状からなり、この真空チャンバー内にターゲット電極を配置し、真空チャンバーを接地し、真空チャンバー中心線上に原料ターゲット電極を配置したスパッタ方式である。このスパッタ装置は、回転型真空チャンバー内に粉体を置き、この粉体表面にターゲットの材質と同様の成分の膜を粉体表面に成膜するものである。
図1は、本発明に係る第1の実施の形態によるCVD成膜装置を模式的に示す構成図である。図2は、図1に示す2−2線に沿った断面図である。
11a…円筒形状部
11b…一端封止部
11c…他端封止部
12…ガスシャワー電極
12a…ガス吹き出し口
12b…排気口
13…矢印(回転方向)
14…重力方向
15…ローラー
16…モータ
17…磁性流体シール部
18,20,27,31…真空バルブ
19…マスフローコントローラー
21…フィルター
22…原料ガス発生源
23…微粒子(粉体)
24…マッチングボックス(インピーダンス整合器)
25…高周波電源(RF電源)
28…手動バタフライバルブ
29…リーク弁
30…ターボ分子ポンプ
32…ロータリーポンプ
33…オイルミストトラップ
35…DLC膜
36…イオンゲージ
37…ピラニゲージ
38…冷却板
39…断熱材
40…ヒーターユニット
41…防着板
42…内部電極(アノード電極)
43…放電空間
44…開口部
Claims (3)
- 表面全体に薄膜が成膜された微粒子において、
前記微粒子の粒径は10μm以下であり、
前記薄膜は、真空チャンバー内にアース電極を配置し、前記真空チャンバー内に前記微粒子を収容し、前記真空チャンバー内に原料ガスを供給し、前記真空チャンバーを回転させることにより前記真空チャンバー内の前記微粒子を動かし、前記真空チャンバーに電力を供給し、前記アース電極と前記真空チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記微粒子の表面全体にCVD法により成膜されたものであることを特徴とする微粒子。 - 表面全体に薄膜が成膜された微粒子において、
前記微粒子の粒径は10μm以下であり、
前記薄膜は、円筒形状部を有する真空チャンバー内にアース電極を配置し、前記真空チャンバー内に前記微粒子を収容し、前記真空チャンバー内に原料ガスを、重力方向に対して真空チャンバーの回転方向に30°以上90°以下の方向で供給し、前記真空チャンバーを回転させることにより前記真空チャンバー内の前記微粒子を動かし、前記真空チャンバーに電力を供給し、前記アース電極と前記真空チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記微粒子の表面全体にCVD法により成膜されたものであることを特徴とする微粒子。 - 請求項1又は2において、前記薄膜がDLC膜であることを特徴とする微粒子。
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---|---|---|---|---|
CN113513602A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-10-19 | 杨万里 | 一种基于伸缩型阀座的高密封性蝶阀 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58136701A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 微粒子のコーティング方法 |
JPH01317111A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Noritake Co Ltd | 多結晶質ダイヤモンド砥粒及びその製法 |
JPH02153068A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-06-12 | Nisshin Steel Co Ltd | 微粉末を被覆する方法と装置 |
JPH0320387A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法 |
JPH04304290A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体及びその製造方法 |
JPH05105587A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-27 | Kunio Kato | 人工ダイヤモンド被覆粉末の製造法 |
JPH06144994A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-24 | Shimadzu Corp | ダイヤモンド膜形成装置 |
JPH07232978A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-09-05 | Nippon Tungsten Co Ltd | ダイアモンドライクカーボン膜を被覆した材料とその形成方法 |
JPH0987857A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Res Dev Corp Of Japan | プラズマcvdによる炭化物コーティング方法 |
JP2005036275A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Dlc微粒子及びその製造方法 |
-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58136701A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 微粒子のコーティング方法 |
JPH02153068A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-06-12 | Nisshin Steel Co Ltd | 微粉末を被覆する方法と装置 |
JPH01317111A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Noritake Co Ltd | 多結晶質ダイヤモンド砥粒及びその製法 |
JPH0320387A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法 |
JPH04304290A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体及びその製造方法 |
JPH05105587A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-27 | Kunio Kato | 人工ダイヤモンド被覆粉末の製造法 |
JPH06144994A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-24 | Shimadzu Corp | ダイヤモンド膜形成装置 |
JPH07232978A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-09-05 | Nippon Tungsten Co Ltd | ダイアモンドライクカーボン膜を被覆した材料とその形成方法 |
JPH0987857A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Res Dev Corp Of Japan | プラズマcvdによる炭化物コーティング方法 |
JP2005036275A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Dlc微粒子及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113513602A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-10-19 | 杨万里 | 一种基于伸缩型阀座的高密封性蝶阀 |
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