JP2009253222A

JP2009253222A - Surface processing equipment

Info

Publication number: JP2009253222A
Application number: JP2008102765A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Ishii; 徹哉石井
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2008-04-10
Filing date: 2008-04-10
Publication date: 2009-10-29

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide surface processing equipment capable of restricting processing amounts from differing depending on positions of articles to be processed. <P>SOLUTION: Surface processing equipment 1 is made to include a pumping part 20 of processing gas and a moving means for an article 9 to be processed. A plurality of supply branch line 33 is made to branch from a common supply line 32 of a supply line 30 of the pumping part 20 and a blow-out outlet 33a of each supply branch line 33 is opened to an opposite face 24 to the article 9 to be processed. A suction inlet 43a of a plurality of a suction branch line 43 joining to a common suction line 42 of a suction line 40 is opened to an opposite face 24. Conductance S1 of a processing line 3 between the opposite face 24 and the article 9 to be processed when almost all of the opposite face 24 faces the article 9 to be processed and parallel conductance S2 of the plurality of the supply branch line 33 and a plurality of suction branch 43 satisfies S2<7,500×S1. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、被処理物の表面に処理ガスを吹き付け、該表面を処理する装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for spraying a processing gas on a surface of an object to be processed and processing the surface.

特許文献１には、基板（被処理物）を搬送するコロ搬送装置の上方に複数のノズルを配置したプラズマ表面処理装置が記載されている。複数のノズルは、基板の搬送方向に大きく離間して配置されており、隣り合うノズルどうしの間は広い空間になっている。プラズマ化された処理ガスが各ノズルから吹き出され、基板が表面処理される。
特許文献１の装置では、以下の問題点がある。
１）処理ガスがノズルどうし間の空間から系外に放出されやすく、安全性やガスの回収効率が劣る。
２）処理ガスが基板から離れ易く、反応効率が劣る。 Patent Document 1 describes a plasma surface processing apparatus in which a plurality of nozzles are arranged above a roller transport apparatus that transports a substrate (object to be processed). The plurality of nozzles are arranged at a large distance in the substrate transport direction, and a large space is provided between adjacent nozzles. Plasmaized processing gas is blown out from each nozzle, and the substrate is surface-treated.
The apparatus of Patent Document 1 has the following problems.
1) Process gas is easily released out of the system from the space between nozzles, and safety and gas recovery efficiency are poor.
2) The processing gas is easily separated from the substrate, resulting in poor reaction efficiency.

特許文献２のプラズマ処理装置では、複数のノズルヘッドがコロ搬送装置の搬送方向に並べられている。処理ガス源から延びる１本の供給路が複数に分岐し、各ノズルヘッドに接続されている。各ノズルヘッドの上記搬送方向の寸法は十分に大きく、隣り合うノズルヘッド間の間隔は小さい。ノズルヘッドから吹き出された処理ガスは、ノズルヘッドの下面と基板との間の空間内を流通し、ノズルヘッドの周辺部の吸引ダクトから吸引され排気される。したがって、上記１）、２）の問題を回避できる。
特開２００７−２２７２８５号公報（段落００２８〜００５９、図４）特開２００５−３８７５２号公報 In the plasma processing apparatus of Patent Document 2, a plurality of nozzle heads are arranged in the transport direction of the roller transport apparatus. One supply path extending from the processing gas source is branched into a plurality and connected to each nozzle head. The dimension of each nozzle head in the transport direction is sufficiently large, and the interval between adjacent nozzle heads is small. The processing gas blown from the nozzle head flows through the space between the lower surface of the nozzle head and the substrate, and is sucked and exhausted from the suction duct around the nozzle head. Therefore, the problems 1) and 2) can be avoided.
JP 2007-227285 A (paragraphs 0028 to 0059, FIG. 4) JP 2005-38752 A

特許文献２の装置では、以下の問題点がある。
基板の搬送方向の先端側の部分が複数のノズルヘッドの下方に搬入されて来る時は、複数のノズルヘッドのうち一部のノズルヘッドだけが基板と対向する状態になる。基板の搬送方向の後端側の部分がノズルヘッドの下方から搬出されていく時も、同様に複数のノズルヘッドのうち一部のノズルヘッドだけが基板と対向する状態になる。このような状態では、１本の供給路からの処理ガスが、基板と対向していないノズルヘッドへ多く分流し、基板と対向しているノズルヘッドへの分流量が小さくなる。そのため、基板の搬送方向の先端側の部分及び後端側の部分は、基板の中央部より処理量が小さい。一方、基板の搬送方向の先端縁（最も先端側の部分）は、それまで基板と対向していなかったノズルヘッドからの多量の処理ガスと接触する。同様に、基板の搬送方向の後端縁（最も後端側の部分）は、基板の外側に位置するようになったノズルヘッドからの多量の処理ガスと接触する。そのため、基板の搬送方向の先端縁と後端縁は、局所的に過処理になる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、１つの供給路が複数の枝路に分岐し、これら枝路から処理ガスが吹き出される表面処理装置において、被処理物（基板）の位置によって処理量に差が出るのを抑制し、処理の均一性を向上させることを目的とする。 The device of Patent Document 2 has the following problems.
When the portion on the front end side in the substrate transport direction is carried under the plurality of nozzle heads, only some of the plurality of nozzle heads face the substrate. Similarly, when the portion on the rear end side in the substrate transport direction is unloaded from the lower side of the nozzle head, only some of the nozzle heads face the substrate. In such a state, a large amount of the processing gas from one supply path is diverted to the nozzle head that does not face the substrate, and the partial flow rate to the nozzle head that faces the substrate becomes small. Therefore, the processing amount of the front end portion and the rear end portion in the substrate transport direction is smaller than the central portion of the substrate. On the other hand, the front end edge (most front end portion) in the substrate transport direction comes into contact with a large amount of processing gas from the nozzle head that has not been opposed to the substrate. Similarly, the rear end edge (most rear end portion) in the substrate transport direction is in contact with a large amount of processing gas from the nozzle head that is positioned outside the substrate. Therefore, the front edge and the rear edge in the substrate transport direction are locally overprocessed.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a surface treatment apparatus in which one supply path is branched into a plurality of branches and a processing gas is blown out from these branches, The object is to suppress the difference in the processing amount depending on the position and to improve the uniformity of the processing.

上記課題を解決するために、本発明は、処理ガスを被処理物の表面に吹き付け該表面を処理する装置であって、
処理ガスを噴出し、吸引する給排部と、
被処理物を仮想の平面に沿って前記給排部に対し相対的に一方向に移動させる移動手段と、を備え、
前記給排部が、前記仮想平面と一定の距離を隔てて対向する対向面と、供給ラインと、吸引ラインを有し、
前記供給ラインが、処理ガス供給源に連なる共通供給路と、この共通供給路から分岐された複数の供給枝路とを有し、前記複数の供給枝路の下流端が、互いに前記移動方向に離れ、それぞれ前記対向面に開口して吹出し口になり、
前記吸引ラインが、吸引手段に連なる共通吸引路と、前記共通吸引路に合流する複数の吸引枝路とを有し、前記複数の吸引枝路の上流端が、互いに前記移動方向に離れ、それぞれ前記対向面に開口して吸引口になり、１の吹出し口と少なくとも１の吸引口とが互いに隣接して配置され、
前記対向面のほぼ全体が前記被処理物と対向しているときの前記対向面と被処理物との間の処理路のコンダクタンスＳ１と、前記複数の供給枝路及び複数の吸引枝路の並列コンダクタンスＳ２とが、次式を満たすことを特徴とする。
Ｓ２＜７５００×Ｓ１（式１）
これによって、被処理物の位置によって処理量に差が出るのを抑制でき、処理の均一性を確保できる。
ここで、コンダクタンスＳ１は、前記対向面の好ましくは全体が被処理物と対向し、吹出し口及び吸引口からのガスの出入りを０として、処理路の前記移動方向の一端から他端まで一様なガス流れが形成されているとしたときのコンダクタンスであることが好ましい。コンダクタンスＳ１は、実際の装置で測定してもよく、設計時に計算で求めてもよい。
処理路の前記移動方向と直交する幅方向の端部には、ガス漏れを阻止する壁を設けることが好ましい。これにより、処理路内のガス分布を前記幅方向には均一（一様）にでき、前記幅方向に流れが形成されないようにできる。或いは、前記対向面及び被処理物が十分に大きい場合、前記幅方向の流れを無視でき、前記幅方向にはガス分布が均一であるとみなせる。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is an apparatus for spraying a processing gas onto the surface of an object to be processed to process the surface,
A supply / exhaust section for ejecting and sucking processing gas;
Moving means for moving the object to be processed in one direction relative to the supply / discharge section along a virtual plane,
The supply / exhaust portion has an opposing surface, a supply line, and a suction line that are opposed to the virtual plane at a certain distance;
The supply line has a common supply path connected to a processing gas supply source and a plurality of supply branches branched from the common supply path, and the downstream ends of the plurality of supply branches are mutually in the moving direction. Apart, each opening to the opposite surface to become the outlet,
The suction line has a common suction path connected to the suction means and a plurality of suction branches that merge with the common suction path, and upstream ends of the plurality of suction branches are separated from each other in the moving direction, respectively. Opening to the opposite surface to become a suction port, one outlet and at least one suction port are arranged adjacent to each other;
Conductance S1 of the processing path between the facing surface and the object to be processed when almost the entire facing surface is facing the object to be processed, and the plurality of supply branches and the plurality of suction branches in parallel The conductance S2 satisfies the following expression.
S2 <7500 × S1 (Formula 1)
Thereby, it is possible to suppress the difference in the processing amount depending on the position of the object to be processed, and to ensure the uniformity of the processing.
Here, the conductance S1 is preferably uniform from the one end to the other end in the moving direction of the processing path, with the entire facing surface preferably facing the object to be processed, with gas entering and exiting from the blowout port and suction port being zero. It is preferable that the conductance be such that a simple gas flow is formed. The conductance S1 may be measured with an actual apparatus, or may be obtained by calculation at the time of design.
It is preferable to provide a wall for preventing gas leakage at the end of the processing path in the width direction orthogonal to the moving direction. Thereby, the gas distribution in the processing path can be made uniform (uniform) in the width direction, and no flow can be formed in the width direction. Or when the said opposing surface and to-be-processed object are sufficiently large, the flow of the said width direction can be disregarded and it can be considered that gas distribution is uniform in the said width direction.

前記コンダクタンスＳ１，Ｓ２が次式を満たすことが好ましい。
Ｓ２＜７５０×Ｓ１（式２）
これによって、処理量に差が出るのをより抑制できる。 It is preferable that the conductances S1 and S2 satisfy the following expression.
S2 <750 × S1 (Formula 2)
Thereby, it is possible to further suppress the difference in the processing amount.

前記コンダクタンスＳ１，Ｓ２が次式を満たすことがより好ましい。
これによって、処理量に差が出るのを一層抑制できる。
Ｓ２＜７５×Ｓ１（式３） It is more preferable that the conductances S1 and S2 satisfy the following formula.
This can further suppress the difference in processing amount.
S2 <75 × S1 (Formula 3)

前記コンダクタンスＳ１，Ｓ２が次式を満たすことが一層好ましい。
Ｓ２＜７．５×Ｓ１（式４）
これによって、処理量に差が出るのをより一層抑制できる。
なお、コンダクタンスＳ２の値が小さくなると処理ガスを圧送するためのガス圧を大きくする必要がある。ガス圧が大きすぎるとガス種によっては凝縮する可能性がある。また、装置に過度な圧力がかかることは安全上好ましくない。このような理由からコンダクタンスＳ２の下限は適宜決定される。例えばコンダクタンスＳ２の下限は、０．１×Ｓ１であり、好ましくは０．３×Ｓ１であり、さらに好ましくは０．５×Ｓ１である。 More preferably, the conductances S1 and S2 satisfy the following formula.
S2 <7.5 × S1 (Formula 4)
This can further suppress the difference in processing amount.
In addition, when the value of conductance S2 becomes small, it is necessary to increase the gas pressure for pumping process gas. If the gas pressure is too high, condensation may occur depending on the gas species. Moreover, it is not preferable on safety to apply an excessive pressure to the apparatus. For this reason, the lower limit of the conductance S2 is appropriately determined. For example, the lower limit of the conductance S2 is 0.1 × S1, preferably 0.3 × S1, and more preferably 0.5 × S1.

前記対向面が、前記移動方向に複数の面部分に分割され、各面部分に吹出し口と吸引口が少なくとも１つずつ配置され、隣り合う面部分どうしの間に連通路の一端が開口され、前記連通路の他端が一定の圧力空間に連なっていることが好ましい。
これによって、１つの面部分と被処理物との間を流れる処理ガスが、他の面部分と被処理物との間に入り込むのを防止できる。 The opposed surface is divided into a plurality of surface portions in the moving direction, at least one outlet and a suction port are disposed on each surface portion, and one end of the communication path is opened between adjacent surface portions, It is preferable that the other end of the communication path is connected to a certain pressure space.
Thereby, it is possible to prevent the processing gas flowing between one surface portion and the workpiece from entering between the other surface portion and the workpiece.

前記吸引ラインの流量が、前記供給ラインの流量の１〜３倍であることが好ましい。
これによって、上記コンダクタンスＳ１，Ｓ２の関係式１〜４と相俟って、処理の均一性を確実に確保できる。 It is preferable that the flow rate of the suction line is 1 to 3 times the flow rate of the supply line.
Thereby, in combination with the relational expressions 1 to 4 of the conductances S1 and S2, the uniformity of the processing can be ensured reliably.

前記吸引ラインの流量が、前記供給ラインの流量の１．５〜２．２５倍であることが好ましい。
これによって、処理の均一性を一層確実に確保できる。 It is preferable that the flow rate of the suction line is 1.5 to 2.25 times the flow rate of the supply line.
Thereby, the uniformity of processing can be ensured more reliably.

各供給枝路又は各吸引枝路に絞りを設けてもよい。
これによって、前記並列コンダクタンスを調節でき、ひいては、式１〜式４の少なくとも１つが確実に満たされるようにすることができる。 A throttle may be provided in each supply branch or each suction branch.
Thereby, the parallel conductance can be adjusted, and as a result, at least one of Expressions 1 to 4 can be reliably satisfied.

前記複数の吸引枝路との合流部より下流側の共通吸引路又は前記複数の供給枝路の分岐部より上流側の共通供給路に絞りを設けてもよい。
これによって、処理ガスのトータルの供給流量又は吸引流量をほぼ一定に維持することができる。 A constriction may be provided in a common suction path downstream from the junction with the plurality of suction branches or a common supply path upstream from the branch of the plurality of supply branches.
Thereby, the total supply flow rate or suction flow rate of the processing gas can be maintained substantially constant.

本発明は、ほぼ大気圧近傍下（常圧下）でのプラズマ処理に好適である。ここで、ほぼ大気圧近傍下（ほぼ常圧）とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａが好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａがより好ましい。 The present invention is suitable for plasma processing under nearly atmospheric pressure (normal pressure). Here, substantially under atmospheric pressure (substantially normal pressure) refers to a range of 1.013 × 10 ^{4 to} 50.663 × 10 ⁴ Pa, and considering the ease of pressure adjustment and the simplification of the device configuration, 1.333 × 10 ^{4 to} 10.664 × 10 ⁴ Pa are preferable, and 9.331 × 10 ^{4 to} 10.9797 × 10 ⁴ Pa are more preferable.

本発明によれば、被処理物の位置によって処理量に差が出るのを抑制でき、処理の均一性を確保できる。 According to the present invention, it is possible to suppress a difference in processing amount depending on the position of an object to be processed, and to ensure processing uniformity.

以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１に示すように、表面処理装置１は、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板を被処理物９とし、この被処理物９の表面（上面）を処理するものである。処理内容は、洗浄、親水化、撥水化、エッチング、アッシング、成膜等であるが、これらに限定されない。被処理物９は、ガラス基板に限られず、半導体ウェハや連続フィルムでもよい。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the surface treatment apparatus 1 uses, for example, a glass substrate for a flat panel display as an object to be processed 9 and processes the surface (upper surface) of the object to be processed 9. The treatment contents include cleaning, hydrophilization, water repellency, etching, ashing, film formation, and the like, but are not limited thereto. The workpiece 9 is not limited to a glass substrate, and may be a semiconductor wafer or a continuous film.

表面処理装置１は、移動手段１０と、給排部２０を備えている。
移動手段１０は、コロ搬送装置で構成されている。周知の通り、コロ搬送装置は、左右に等間隔置きに配置された複数のコロ１１，１１…を有している。これらコロ１１，１１…は、図１の紙面と直交する方向に向けた軸線のまわりに互いに同期して回転される。 The surface treatment apparatus 1 includes a moving unit 10 and a supply / discharge unit 20.
The moving means 10 is composed of a roller transport device. As is well known, the roller transport device has a plurality of rollers 11, 11,. These rollers 11, 11... Are rotated in synchronism with each other around an axis line in a direction perpendicular to the paper surface of FIG.

コロ１１，１１…の上に被処理物９が水平に載せられる。この被処理物９の上面を含む水平な平面が、特許請求の範囲の仮想平面ＰＬとなる。
被処理物９は、移動手段１０によって仮想平面ＰＬに沿って図１の矢印ａで示す搬送方向（例えば左側から右側）に搬送されるようになっている。 The workpiece 9 is placed horizontally on the rollers 11, 11. A horizontal plane including the upper surface of the workpiece 9 becomes a virtual plane PL in the claims.
The workpiece 9 is transported by the moving means 10 along the virtual plane PL in the transport direction indicated by the arrow a in FIG.

給排部２０は、ノズルヘッド群２１と、供給ライン３０と、吸引ライン４０を含む。
図１及び図２に示すように、ノズルヘッド群２１は、３つ（複数）のノズルヘッド２２で構成されている。各ノズルヘッド２２は、四角形の断面を有し、図１の紙面と直交する方向に延びている。ノズルヘッド２２の長さは、被処理物９の同方向の寸法より少し大きい。３つのノズルヘッド２２は、互いに左右に並べられている。隣り合うノズルヘッド２２，２２どうし間には、隙間２３が形成されている。隙間２３は、ノズルヘッド群２１の上側の開放空間２Ａとノズルヘッド群２１の下側の開放空間２Ｂ（ないしは後記処理路３）とを連通する連通路になっている。連通路２３の幅ｗ２３は、例えばｗ２３＝１〜５ｍｍ程度である。開放空間２Ａ，２Ｂは一定の圧力（ほぼ大気圧近傍）になっている。 The supply / discharge unit 20 includes a nozzle head group 21, a supply line 30, and a suction line 40.
As shown in FIGS. 1 and 2, the nozzle head group 21 is composed of three (plural) nozzle heads 22. Each nozzle head 22 has a rectangular cross section and extends in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. The length of the nozzle head 22 is slightly larger than the dimension of the workpiece 9 in the same direction. The three nozzle heads 22 are arranged side by side. A gap 23 is formed between the adjacent nozzle heads 22 and 22. The gap 23 is a communication path that connects the open space 2A above the nozzle head group 21 and the open space 2B (or processing path 3 described later) below the nozzle head group 21. The width w23 of the communication path 23 is, for example, about w23 = 1 to 5 mm. The open spaces 2A and 2B are at a constant pressure (approximately near atmospheric pressure).

ノズルヘッド群２１の下面２４（被処理物９との対向面）は、仮想平面ＰＬの上方に一定の距離ｄだけ離れて配置されている。対向面２４は、搬送方向ａに複数の面部分２５（各ノズルヘッド２２の下面）に分割されている。隣り合う面部分２５，２５どうしの境に連通路２３が配置されている。 The lower surface 24 (the surface facing the object 9) of the nozzle head group 21 is disposed above the virtual plane PL by a certain distance d. The facing surface 24 is divided into a plurality of surface portions 25 (the lower surfaces of the nozzle heads 22) in the transport direction a. A communication path 23 is arranged at the boundary between the adjacent surface portions 25 and 25.

ノズルヘッド群２１の下側に被処理物９が位置しているとき、対向面２４と被処理物９との間には、処理路３が画成される。処理路３の厚さ（上記距離ｄ）は、例えばｄ＝１〜５ｍｍ程度である。 When the workpiece 9 is positioned below the nozzle head group 21, the processing path 3 is defined between the facing surface 24 and the workpiece 9. The thickness (the distance d) of the processing path 3 is, for example, about d = 1 to 5 mm.

供給ライン３０は、処理ガス供給源３１と、共通供給路３２と、複数の供給枝路３３を含んでいる。処理ガス供給源３１は、処理内容に応じた処理ガスを蓄えている。例えば、シリコンのエッチングの場合、処理ガスとしてＨＦ等のフッ素系反応成分及びオゾン等の酸化性成分を含むガスが用いられる。 The supply line 30 includes a processing gas supply source 31, a common supply path 32, and a plurality of supply branches 33. The processing gas supply source 31 stores a processing gas corresponding to the processing content. For example, in the case of etching silicon, a gas containing a fluorine-based reaction component such as HF and an oxidizing component such as ozone is used as a processing gas.

処理ガス供給源３１では、処理ガスを反応性を有しない状態又は反応性が低い状態で蓄えておき、供給ライン３０上にプラズマ生成装置等の反応性付与装置を設けることにしてもよい。例えば、シリコンのエッチングの場合、処理ガス供給源３１にはＣＦ_４等のフッ素系原料やＯ_２等の酸素系原料を蓄えておき、上記プラズマ生成装置にて上記原料をプラズマ化してＨＦ等のフッ素系反応成分やオゾン等の酸化性成分を生成することにしてもよい。 In the processing gas supply source 31, the processing gas may be stored in a non-reactive state or in a low reactive state, and a reactivity imparting device such as a plasma generation device may be provided on the supply line 30. For example, in the case of etching of silicon, a fluorine-based raw material such as CF ₄ or an oxygen-based raw material such as O ₂ is stored in the processing gas supply source 31, and the raw material is converted into plasma by the plasma generation device, such as HF. You may decide to produce | generate oxidizing components, such as a fluorine-type reaction component and ozone.

処理ガス供給源３１に１本の共通供給路３２が連なっている。共通供給路３２は、内部で圧力損失がほとんど生じない程度に十分に太いダクトで構成されている。共通供給路３２から複数の供給枝路３３が分岐されている。各供給枝路３３は、共通供給路３２より十分に細く共通供給路３２より流通抵抗が大きい。 One common supply path 32 is connected to the processing gas supply source 31. The common supply path 32 is composed of a duct that is sufficiently thick so that almost no pressure loss occurs inside. A plurality of supply branches 33 are branched from the common supply path 32. Each supply branch 33 is sufficiently narrower than the common supply path 32 and has a greater flow resistance than the common supply path 32.

各ノズルヘッド２２に供給枝路３３が１つずつ分配されている。供給枝路３３の下流端は、ノズルヘッド２２の下面２５に達して開口し、吹出し口３３ａになっている。（ノズルヘッド群２１の対向面２４に複数の吹出し口３３ａが移動方向ａに離れて配置されている。）吹出し口３３ａは、ノズルヘッド２２の長手方向に延びるスリット状になっている。図示は省略するが、ノズルヘッド２２内には、処理ガスを吹出し口３３ａの長手方向に均一に吹き出す整流部が設けられている。
スリット状吹出し口３３ａの長さは、被処理物９の同方向の寸法とほぼ同じか、少し大きい。吹出し口３３ａの幅ｗ３３（図２）は、例えばｗ３３＝１〜５ｍｍ程度である。 One supply branch 33 is distributed to each nozzle head 22. The downstream end of the supply branch 33 reaches the lower surface 25 of the nozzle head 22 and opens to form an outlet 33a. (A plurality of outlets 33a are arranged on the opposing surface 24 of the nozzle head group 21 apart in the moving direction a.) The outlet 33a has a slit shape extending in the longitudinal direction of the nozzle head 22. Although not shown, a rectifying unit that blows out the processing gas uniformly in the longitudinal direction of the blow-out port 33 a is provided in the nozzle head 22.
The length of the slit-shaped outlet 33a is substantially the same as or slightly larger than the dimension of the workpiece 9 in the same direction. The width w33 (FIG. 2) of the outlet 33a is, for example, about w33 = 1 to 5 mm.

吸引ライン４０は、吸引手段４１と、共通吸引路４２と、複数の吸引枝路４３を含んでいる。
各吸引枝路４３の上流端は、ノズルヘッド２２の下面２５に開口し、吸引口４３ａを構成している。吸引口４３ａは、ノズルヘッド２２の長手方向に延びるスリット状になっている。各ノズルヘッド２２には、吹出し口３３ａを挟んでその両隣りに２つの吸引口４３ａが設けられている。（ノズルヘッド群２１の対向面２４には、複数の吸引口４３ａが移動方向ａに離れて配置されている。）
スリット状の吸引口４３ａの長さは、被処理物９の同方向の寸法とほぼ同じか、少し大きい。吸引口４３ａの幅ｗ４３（図２）は、例えばｗ４３＝１〜５ｍｍ程度である。 The suction line 40 includes a suction means 41, a common suction path 42, and a plurality of suction branch paths 43.
The upstream end of each suction branch 43 opens to the lower surface 25 of the nozzle head 22 and constitutes a suction port 43a. The suction port 43 a has a slit shape extending in the longitudinal direction of the nozzle head 22. Each nozzle head 22 is provided with two suction ports 43a on both sides of the air outlet 33a. (On the facing surface 24 of the nozzle head group 21, a plurality of suction ports 43a are arranged apart in the moving direction a.)
The length of the slit-like suction port 43a is almost the same as or slightly larger than the dimension of the workpiece 9 in the same direction. The width w43 (FIG. 2) of the suction port 43a is, for example, about w43 = 1 to 5 mm.

各吸引枝路４３は、ノズルヘッド群２１の外部で共通吸引路４２に合流している。各吸引枝路４３は、共通吸引路４２より細く共通吸引路４２より流通抵抗が大きい。共通吸引路４２は、内部で圧力損失がほとんど生じない程度に十分に太いダクトで構成されている。共通吸引路４２が吸引手段４１に連なっている。吸引手段４１は、吸引ポンプをはじめ、スクラバ等の排ガス処理部を含んでいる。 Each suction branch 43 joins the common suction path 42 outside the nozzle head group 21. Each suction branch 43 is narrower than the common suction path 42 and has a greater flow resistance than the common suction path 42. The common suction path 42 is formed of a duct that is sufficiently thick so that almost no pressure loss occurs inside. A common suction path 42 is connected to the suction means 41. The suction means 41 includes an exhaust gas processing unit such as a scrubber as well as a suction pump.

吸引手段４１による吸引流量Ｑｄは、処理ガス供給源３１による処理ガス供給流量Ｑｓの１〜３倍になっている（Ｑｄ＝１×Ｑｓ〜３×Ｑｓ）。
好ましくは、吸引流量Ｑｄは、処理ガス供給流量Ｑｓの１．５〜２．２５倍になっている（Ｑｄ＝１．５×Ｑｓ〜２．２５×Ｑｓ）。 The suction flow rate Qd by the suction means 41 is 1 to 3 times the processing gas supply flow rate Qs by the processing gas supply source 31 (Qd = 1 × Qs to 3 × Qs).
Preferably, the suction flow rate Qd is 1.5 to 2.25 times the processing gas supply flow rate Qs (Qd = 1.5 × Qs to 2.25 × Qs).

表面処理装置１は、次式（１）を満たすようになっている。
Ｓ２＜７５００×Ｓ１（式１）
ここで、Ｓ１は、図５に示すように、ノズルヘッド群２１の対向面２４のほぼ全体が被処理物９と対向しているときのノズルヘッド群２１と被処理物９との間の処理路３のコンダクタンスである。Ｓ２は、すべての供給枝路３３とすべての吸引枝路４３の並列コンダクタンスである。 The surface treatment apparatus 1 satisfies the following formula (1).
S2 <7500 × S1 (Formula 1)
Here, S <b> 1 is processing between the nozzle head group 21 and the workpiece 9 when almost the entire facing surface 24 of the nozzle head group 21 faces the workpiece 9, as shown in FIG. 5. The conductance of the path 3. S 2 is the parallel conductance of all supply branches 33 and all suction branches 43.

表面処理装置１は、好ましくは次式を満たすようになっている。
Ｓ２＜７５０×Ｓ１（式２） The surface treatment apparatus 1 preferably satisfies the following formula.
S2 <750 × S1 (Formula 2)

表面処理装置１は、より好ましくは次式を満たすようになっている。
Ｓ２＜７５×Ｓ１（式３） The surface treatment apparatus 1 more preferably satisfies the following formula.
S2 <75 × S1 (Formula 3)

表面処理装置１は、更に好ましくは次式を満たすようになっている。
Ｓ２＜７．５×Ｓ１（式４） The surface treatment apparatus 1 more preferably satisfies the following formula.
S2 <7.5 × S1 (Formula 4)

上記構成の表面処理装置１による被処理物９の表面処理方法を説明する。
ノズルヘッド群２１より左外側の移動手段１０上に被処理物９を配置し、移動手段１０によって被処理物９を右方向ａに搬送する。
処理ガス供給源３１から処理ガスを共通供給路３２に送出する。処理ガスは、共通供給路３２から複数の供給枝路３３に分流し、各ノズルヘッド２２の吹出し口３３ａから下方へ噴き出される。この処理ガスが、ノズルヘッド群２１の下方に搬送されて来た被処理物９に接触し、表面処理がなされる。 A surface treatment method for the workpiece 9 by the surface treatment apparatus 1 having the above-described configuration will be described.
The workpiece 9 is placed on the moving means 10 on the left outside of the nozzle head group 21, and the workpiece 9 is conveyed in the right direction a by the moving means 10.
The processing gas is sent from the processing gas supply source 31 to the common supply path 32. The processing gas is diverted from the common supply path 32 to the plurality of supply branches 33, and is jetted downward from the outlet 33 a of each nozzle head 22. This processing gas comes into contact with the workpiece 9 conveyed below the nozzle head group 21, and surface treatment is performed.

吹出し口３３ａからの処理ガスの吹出し流量及び吸引口４３ａからのガスの吸引流量は、被処理物９の移動位置に応じて変動する傾向がある。
具体的に説明すると、図３に示すように、被処理物９の全体がノズルヘッド群２１の外側に位置しているときは、ノズルヘッド群２１の下面２４の全体がコンダクタンスの大きい開放空間２４Ｂに面している。したがって、各吹出し口３３ａからの処理ガスの吹出し、及び各吸引口４３ａからのガスの吸引がスムーズに行なわれる。 The flow rate of the processing gas blown from the blowout port 33a and the suction flow rate of the gas from the suction port 43a tend to vary depending on the movement position of the object 9 to be processed.
More specifically, as shown in FIG. 3, when the entire workpiece 9 is positioned outside the nozzle head group 21, the entire lower surface 24 of the nozzle head group 21 has an open space 24B having a large conductance. Facing. Therefore, the processing gas is blown out from each outlet 33a and the gas is sucked from each suction port 43a smoothly.

やがて、図４に示すように、被処理物９の右端部（移動方向の先端部）が、左側のノズルヘッド２２の下方に差し入れられる。これによって、処理路３が部分的に形成される。被処理物９の右端の縁が、左側のノズルヘッド２２の吹出し口３３ａの真下を通過するとき、図３の状態のときと殆ど同じ流量の処理ガスが左側のノズルヘッド２２の吹出し口３３ａから噴き出され、被処理物９の右端縁に接触する。したがって、被処理物９の右端縁は、処理される度合いが大きくなる傾向がある。 Eventually, as shown in FIG. 4, the right end portion (tip portion in the moving direction) of the workpiece 9 is inserted below the left nozzle head 22. Thereby, the processing path 3 is partially formed. When the right end edge of the workpiece 9 passes just below the outlet 33a of the left nozzle head 22, the processing gas having almost the same flow rate as that in the state of FIG. It is ejected and contacts the right edge of the workpiece 9. Therefore, the right edge of the workpiece 9 tends to be processed to a greater degree.

図１に示すように、被処理物９の右端部が左側のノズルヘッド２２の全体と対面する状態になると、左側のノズルヘッド２２と被処理物９との間にだけコンダクタンスの小さい処理路３が形成され、中央と右側のノズルヘッド２２の下面２５は、コンダクタンスの大きい開放空間２４Ｂに面している。そのため、共通供給路３２からの処理ガスが中央と右側のノズルヘッド２２の供給枝路３３に分流しやすく、左側のノズルヘッド２２の供給枝路３３には分流しにくくなる。また、中央と右側のノズルヘッド２２の吸引枝路４３からガスが吸引されやすく、左側のノズルヘッド２２の吸引枝路４３からは吸引されにくくなる。したがって、被処理物９の右端縁より内側の右端部は、処理される度合いが小さくなる傾向がある。 As shown in FIG. 1, when the right end portion of the workpiece 9 faces the entire left nozzle head 22, the processing path 3 having a small conductance only between the left nozzle head 22 and the workpiece 9. The lower surface 25 of the central and right nozzle heads 22 faces an open space 24B having a large conductance. Therefore, the processing gas from the common supply path 32 is likely to be diverted to the supply branch 33 of the center and right nozzle heads 22 and is difficult to be diverted to the supply branch 33 of the left nozzle head 22. Further, the gas is easily sucked from the suction branch 43 of the center and right nozzle heads 22 and is difficult to be sucked from the suction branch 43 of the left nozzle head 22. Therefore, the degree to which the right end portion inside the right end edge of the workpiece 9 is processed tends to be small.

その後、図５に示すように、ノズルヘッド群２１のすべてのノズルヘッド２２が被処理物９と対向するようになると、ノズルヘッド群２１の全体と被処理物９との間に処理路３が形成される。この状態では、複数の吹出し口３３ａからの吹出し量が互いに等しく、複数の吸引口４３ａからの吸引量が互いに等しい。したがって、被処理物９の右端部より内側の部分（中央部）は、処理量が一定になる。 After that, as shown in FIG. 5, when all the nozzle heads 22 of the nozzle head group 21 face the workpiece 9, the processing path 3 is formed between the entire nozzle head group 21 and the workpiece 9. It is formed. In this state, the blowout amounts from the plurality of blowout ports 33a are equal to each other, and the suction amounts from the plurality of suction ports 43a are equal to each other. Therefore, the processing amount is constant in a portion (center portion) inside the right end portion of the workpiece 9.

やがて、図６に示すように、被処理物９の左端部（移動方向ａの後端部）が、ノズルヘッド群２１の左端部より右側に位置される。被処理物９の左端の縁が、左側のノズルヘッド２２の吹出し口３３ａの真下を通過するとき、この吹出し口３３ａからの処理ガスの吹出し量が大きくなる。したがって、被処理物９の左端縁は、処理される度合いが大きくなる傾向がある。 Eventually, as shown in FIG. 6, the left end portion (rear end portion in the movement direction a) of the workpiece 9 is positioned on the right side of the left end portion of the nozzle head group 21. When the left end edge of the workpiece 9 passes just below the outlet 33a of the left nozzle head 22, the amount of processing gas blown from the outlet 33a increases. Therefore, the left edge of the workpiece 9 tends to be processed to a greater degree.

図７に示すように、被処理物９の左端部が、左側のノズルヘッド２２より右側に位置されると、左側のノズルヘッド２２がコンダクタンスの大きな空間２Ｂに面し、中央及び右側のノズルヘッド２２と被処理物９との間にコンダクタンスの小さい処理路３が形成される。そのため、共通供給路３２からの処理ガスが左側のノズルヘッド２２の供給枝路３３に分流しやすく、中央と右側のノズルヘッド２２の供給枝路３３には分流しにくくなる。また、左側のノズルヘッド２２の吸引枝路４３からガスが吸引されやすく、中央と右側のノズルヘッド２２の吸引枝路４３からは吸引されにくくなる。したがって、被処理物９の左端縁より内側の左端部は、処理される度合いが小さくなる傾向がある。 As shown in FIG. 7, when the left end portion of the workpiece 9 is positioned on the right side of the left nozzle head 22, the left nozzle head 22 faces the space 2B having a large conductance, and the center and right nozzle heads. A treatment path 3 having a small conductance is formed between the workpiece 22 and the workpiece 9. Therefore, the processing gas from the common supply path 32 is likely to be diverted to the supply branch 33 of the left nozzle head 22 and is difficult to be diverted to the supply branch 33 of the center and right nozzle head 22. Further, gas is easily sucked from the suction branch 43 of the left nozzle head 22 and is difficult to be sucked from the suction branch 43 of the center and right nozzle head 22. Therefore, the degree to which the left end inside the left end of the workpiece 9 is processed tends to be small.

以上のように、被処理物９の左右の両端部の処理量が中央部の処理量とは異なる傾向があるにも拘わらず、本発明によれば、式（１）が成り立つように設定することによって、その傾向を小さくでき、処理のばらつきを抑制できる。式（２）が成り立つように設定することによって、処理のばらつきをより抑制できる。式（３）が成り立つように設定することによって、処理のばらつきを一層抑制できる。式（４）が成り立つように設定することによって、処理のばらつきをより一層抑制できる。 As described above, according to the present invention, equation (1) is set so that the processing amount at the left and right ends of the workpiece 9 tends to be different from the processing amount at the central portion. As a result, the tendency can be reduced, and variations in processing can be suppressed. By setting so that the formula (2) is established, processing variations can be further suppressed. By setting the expression (3) to be satisfied, the processing variation can be further suppressed. By setting so that Formula (4) is satisfied, the dispersion | variation in a process can be suppressed further.

発明者は、図１に示す表面処理装置１をコンピュータ上にモデル化し、コンダクタンスＳ１，Ｓ２の比（Ｓ２／Ｓ１）に対する処理のばらつき度合いをシミュレーションした。モデル化した表面処理装置１の各ノズルヘッド２２の隣接する吹出し口３３ａと吸引口４３ａとの左右の離間距離は、２０ｍｍとした。連通路２３を挟んで隣り合う吸引口４３ａ，４３ａどうしの左右の離間距離は、４０ｍｍとした。最も左側の吸引口４３ａからノズルヘッド群２１の左端縁までの距離は、１０ｍｍとした。最も右側の吸引口４３ａからノズルヘッド群２１の右端縁までの距離は、１０ｍｍとした。ノズルヘッド群２１の左端縁から右端縁までの距離は、２２０ｍｍとした。 The inventor modeled the surface treatment apparatus 1 shown in FIG. 1 on a computer, and simulated the degree of process variation with respect to the ratio of conductances S1 and S2 (S2 / S1). The left and right separation distance between the adjacent outlet 33a and suction port 43a of each nozzle head 22 of the modeled surface treatment apparatus 1 was 20 mm. The left and right separation distance between the suction ports 43a and 43a adjacent to each other across the communication path 23 is 40 mm. The distance from the leftmost suction port 43a to the left edge of the nozzle head group 21 was 10 mm. The distance from the rightmost suction port 43a to the right edge of the nozzle head group 21 was 10 mm. The distance from the left edge of the nozzle head group 21 to the right edge was 220 mm.

ばらつき度合いは、下式で規定した。
Δｙ／ｙ０＝（ｙ０−ｙ１）／ｙ０（式５）
ｙ０は、被処理物９の中央部分における処理ガスの積算流量である。ｙ１は、被処理物９の移動方向の先端部（右端部）又は後端部（左端部）において処理ガスの積算流量が最小になる箇所の当該最小の積算流量である。 The degree of variation was defined by the following formula.
Δy / y0 = (y0−y1) / y0 (Formula 5)
y0 is the integrated flow rate of the processing gas in the central portion of the workpiece 9. y1 is the minimum integrated flow rate at a position where the integrated flow rate of the processing gas is minimized at the front end (right end) or the rear end (left end) of the workpiece 9 in the moving direction.

流通抵抗Ｒｓ，Ｒｄ，Ｒｃ及び流量比Ｉｄの値をそれぞれ以下のように変化させ、処理のばらつき度合いΔｙ／ｙ０を演算した。
Ｒｓ＝０．００１Ｒ、０．０１Ｒ、０．１Ｒ、Ｒ、１０Ｒ、１００Ｒ
Ｒｄ＝０．００１Ｒ、０．０１Ｒ、０．１Ｒ、Ｒ、１０Ｒ、１００Ｒ
Ｒｃ＝０．００１Ｒ、０．０１Ｒ、０．１Ｒ、Ｒ、１０Ｒ、１００Ｒ
Ｉｄ＝１、１．２５、１．５、１．７５、２、２．２５、２．５、２．７５、３
ここで、Ｒは、対向面２４の全体が被処理物９と対向しているときの処理路３の流通抵抗である。Ｒｓは、各供給枝路３３の流通抵抗である。Ｒｄは、各吸引枝路４３の流通抵抗である。Ｒｃは、各連通路２３の流通抵抗である。Ｉｄは、供給ライン３０全体の処理ガス供給流量Ｑｓに対する吸引ライン４０全体の吸引流量Ｑｄの比（Ｉｄ＝Ｑｄ／Ｑｓ）である。
ここで、流通抵抗Ｒｓ，Ｒｄ，Ｒｃは、流路３３，４３，２３に絞りなどを介在させ、この絞りの前後の圧力差を流量で除して求めてもよく、設計値でもよい。 The values of the flow resistances Rs, Rd, Rc and the flow rate ratio Id were changed as follows, and the degree of process variation Δy / y0 was calculated.
Rs = 0.001R, 0.01R, 0.1R, R, 10R, 100R
Rd = 0.001R, 0.01R, 0.1R, R, 10R, 100R
Rc = 0.001R, 0.01R, 0.1R, R, 10R, 100R
Id = 1, 1.25, 1.5, 1.75, 2, 2.25, 2.5, 2.75, 3
Here, R is the flow resistance of the processing path 3 when the entire facing surface 24 faces the workpiece 9. Rs is the distribution resistance of each supply branch 33. Rd is the flow resistance of each suction branch 43. Rc is the flow resistance of each communication path 23. Id is the ratio of the suction flow rate Qd of the entire suction line 40 to the processing gas supply flow rate Qs of the entire supply line 30 (Id = Qd / Qs).
Here, the flow resistances Rs, Rd, and Rc may be obtained by interposing a restriction or the like in the flow paths 33, 43, and 23 and dividing the pressure difference before and after the restriction by the flow rate, or may be a design value.

コンダクタンスＳ１は次式で表される。
Ｓ１＝１／Ｒ（式６）
コンダクタンスＳ２は次式で表される。
Ｓ２＝（３／Ｒｓ）＋（６／Ｒｄ）（式７） Conductance S1 is expressed by the following equation.
S1 = 1 / R (Formula 6)
Conductance S2 is expressed by the following equation.
S2 = (3 / Rs) + (6 / Rd) (Formula 7)

シミュレーションの結果を図８に示す。同図から判るように、コンダクタンス比（Ｓ２／Ｓ１）を小さくするにしたがって、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０を小さくできる。Ｓ２＜７５００×Ｓ１であれば、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０をほぼ１以下にでき、条件によってはばらつき度合いΔｙ／ｙ０を０．３程度にすることもできる。Ｓ２＜７５０×Ｓ１であれば、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０をほぼ１以下にでき、条件によってはばらつき度合いΔｙ／ｙ０を０．２程度にすることもできる。Ｓ２＜７５×Ｓ１であれば、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０を０．６以下にでき、条件によってはばらつき度合いΔｙ／ｙ０を０．１５程度にすることもできる。Ｓ２＜７．５×Ｓ１であれば、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０を０．３以下にでき、条件によってはばらつき度合いΔｙ／ｙ０を０．１程度にすることもできる。
ちなみに、従来（例えば上掲の特許文献２等）のコンダクタンス比（Ｓ２／Ｓ１）は、通常、Ｓ２／Ｓ１＝１００００〜５００００、ないしはそれ以上である。 The result of the simulation is shown in FIG. As can be seen from the figure, the degree of variation Δy / y0 can be reduced as the conductance ratio (S2 / S1) is reduced. If S2 <7500 × S1, the variation degree Δy / y0 can be made substantially 1 or less, and the variation degree Δy / y0 can be made about 0.3 depending on conditions. If S2 <750 × S1, the variation degree Δy / y0 can be made substantially 1 or less, and the variation degree Δy / y0 can be made about 0.2 depending on the conditions. If S2 <75 × S1, the variation degree Δy / y0 can be made 0.6 or less, and the variation degree Δy / y0 can be made about 0.15 depending on the conditions. If S2 <7.5 × S1, the variation degree Δy / y0 can be made 0.3 or less, and the variation degree Δy / y0 can be made about 0.1 depending on the conditions.
Incidentally, the conventional conductance ratio (S2 / S1) (for example, the above-mentioned Patent Document 2) is usually S2 / S1 = 10000 to 50000 or more.

このシミュレーションで、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０が最も小さくなったのは、Ｒｓ＝１０Ｒ、Ｒｄ＝Ｒ、Ｒｃ＝Ｒ、Ｉｄ＝２、Ｓ２／Ｓ１＝６．３のときである。そのときの被処理物９の各ポイント上での処理ガスの積算流量を図９の実線で示す。同図において、縦軸は、被処理物９の中央部での積算流量を１として規格化したものである。同図の二点鎖線は、Ｒｓ＝０．０１Ｒ、Ｒｄ＝０．００１Ｒ、Ｓ２／Ｓ１＝６３００とした比較例である。
図９から明らかなように、本発明によれば処理の均一性を大きく改善できる。 In this simulation, the variation degree Δy / y0 is the smallest when Rs = 10R, Rd = R, Rc = R, Id = 2, and S2 / S1 = 6.3. The integrated flow rate of the processing gas on each point of the workpiece 9 at that time is indicated by a solid line in FIG. In the figure, the vertical axis is normalized with the integrated flow rate at the center of the workpiece 9 as 1. The two-dot chain line in the figure is a comparative example in which Rs = 0.01R, Rd = 0.001R, and S2 / S1 = 6300.
As is apparent from FIG. 9, according to the present invention, the uniformity of processing can be greatly improved.

図１０は、上記のシミュレーション結果を流量比Ｉｄに対する処理のばらつき度合いΔｙ／ｙ０に直してグラフ化したものである。流量比ＩｄがＩｄ＝１〜３の範囲内であれば、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０をほぼ１以下にできる。流量比ＩｄがＩｄ＝１．５〜２．２５の範囲内であれば、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０をより小さくできる。流量比ＩｄがＩｄ＝２であれば、ばらつき度合いΔｙ／ｙ０を一層小さくできる。 FIG. 10 is a graph of the above simulation results corrected to the degree of process variation Δy / y0 with respect to the flow rate ratio Id. If the flow rate ratio Id is in the range of Id = 1-3, the variation degree Δy / y0 can be made substantially 1 or less. If the flow rate ratio Id is in the range of Id = 1.5 to 2.25, the variation degree Δy / y0 can be further reduced. If the flow rate ratio Id is Id = 2, the variation degree Δy / y0 can be further reduced.

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図１１は、本発明の第２実施形態を示したものである。この実施形態では、各供給枝路３３に可変絞り弁３４（絞り）が設けられている。各吸引枝路４３に可変絞り弁４４（絞り）が設けられている。これら可変絞り弁３４，４４によって、枝路３３，４３のコンダクタンスを調節できる。ひいては、式（１）〜式（４）の少なくとも１つが確実に満たされるようにすることができる。 Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, the same reference numerals are given to the drawings for the same configurations as those already described, and the description thereof is omitted.
FIG. 11 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, each supply branch 33 is provided with a variable throttle valve 34 (throttle). Each suction branch 43 is provided with a variable throttle valve 44 (throttle). The conductances of the branches 33 and 43 can be adjusted by the variable throttle valves 34 and 44. As a result, it is possible to ensure that at least one of the expressions (1) to (4) is satisfied.

図１２は、本発明の第３実施形態を示したものである。この実施形態では、複数の吸引枝路４３の合流部より下流側（最も下流側の合流部より下流側）の共通吸引路４２に固定絞り弁４５（絞り）が設けられている。固定絞り弁４５のコンダクタンス（１／Ｒｄ０）は、すべての吸引枝路４３の並列コンダクタンス（６／Ｒｄ）より小さい。
（１／Ｒｄ０）＜（６／Ｒｄ）（式８）
これによって、被処理物９の移動位置に応じて各吸引枝路４３の吸引流量が変動しても、吸引手段４１によるトータルの吸引流量をほぼ一定に維持することができる。吸引手段４１によるトータルの吸引流量Ｑｄは、固定絞り弁４５を挟んで上流側の共通吸引路４２の圧力ｐ２と下流側の共通吸引路４２の圧力ｐ１との差（ｐ２−ｐ１）と、固定絞り弁４５のコンダクタンス（１／Ｒｄ０）との積になる。
Ｑｄ＝（ｐ２−ｐ１）／Ｒｄ０（式９） FIG. 12 shows a third embodiment of the present invention. In this embodiment, a fixed throttle valve 45 (throttle) is provided in the common suction passage 42 on the downstream side of the joining portion of the plurality of suction branches 43 (downstream side of the most downstream joining portion). The conductance (1 / Rd0) of the fixed throttle valve 45 is smaller than the parallel conductance (6 / Rd) of all the suction branches 43.
(1 / Rd0) <(6 / Rd) (Formula 8)
Thereby, even if the suction flow rate of each suction branch 43 varies in accordance with the movement position of the workpiece 9, the total suction flow rate by the suction means 41 can be maintained almost constant. The total suction flow rate Qd by the suction means 41 is fixed to the difference (p2−p1) between the pressure p2 of the upstream common suction path 42 and the pressure p1 of the downstream common suction path 42 across the fixed throttle valve 45. This is the product of the conductance (1 / Rd0) of the throttle valve 45.
Qd = (p2-p1) / Rd0 (Formula 9)

また、第３実施形態では、複数の供給枝路３３の分岐部より上流側（最も上流側の分岐部より上流側）の共通供給路３２に固定絞り弁３５（絞り）が設けられている。固定絞り弁３５のコンダクタンス（１／Ｒｓ０）は、すべての供給枝路３３の並列コンダクタンス（３／Ｒｓ）より小さい。
（１／Ｒｓ０）＜（３／Ｒｓ）（式１０）
これによって、被処理物９の移動位置に応じて各供給枝路３３からの吹出し流量が変動しても、共通供給路３２からのトータルの処理ガス供給流量をほぼ一定に維持することができる。 In the third embodiment, the fixed throttle valve 35 (throttle) is provided in the common supply path 32 upstream of the branch portions of the plurality of supply branch paths 33 (upstream side of the most upstream branch section). The conductance (1 / Rs0) of the fixed throttle valve 35 is smaller than the parallel conductance (3 / Rs) of all supply branches 33.
(1 / Rs0) <(3 / Rs) (Formula 10)
As a result, even if the blowing flow rate from each supply branch 33 changes according to the movement position of the object 9 to be processed, the total processing gas supply flow rate from the common supply channel 32 can be maintained substantially constant.

本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、移動手段１０は、コロ搬送装置に限られず、ロボットアーム等の他の搬送装置を用いてもよい。移動手段１０による被処理物９の移動は、片道方向に限られず、往復するようになっていてもよい。被処理物９の位置が固定され、移動手段が、ノズルヘッド群２１を移動させるようになっていてもよい。
１つの吹出し口３３ａから吹き出された処理ガスが少なくとも１つの吸引口４３ａから吸引されるようになっていればよく、吹出し口３３ａの両側に吸引口４３ａが設けられているのに限られず、吹出し口３３ａの片側にだけ吸引口４３ａが設けられていてもよい。各ノズルヘッド２２に吹出し口３３ａと吸引口４３ａが１つずつ設けられていてもよい。
ノズルヘッド群２１を構成するノズルヘッド２２の数は、３つに限られず、１でもよく、２つでもよく、４つ以上であってもよい。
第２実施形態（図１１）の絞りは、可変絞り弁３４，４４に限られず、固定絞りであってもよい。第２実施形態において、可変絞り弁３４，４４のうち絞り弁３４だけを設け、絞り弁４４を省略してもよく、絞り弁４４だけを設け、絞り弁３４を省略してもよい。
第３実施形態（図１２）の絞りは、固定絞り弁３５，４５に限られず、可変絞りであってもよい。第３実施形態において、固定絞り弁３５，４５のうち絞り弁３５だけを設け、絞り弁４５を省略してもよく、絞り弁４５だけを設け、絞り弁３５を省略してもよい。
第１〜第３の実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、表面処理装置１が、第２実施形態（図１１）の可変絞り弁３４，４４と第３実施形態（図１２）の固定絞り弁３５，４５とを両方具備していてもよい。 The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, the moving means 10 is not limited to the roller transport device, and other transport devices such as a robot arm may be used. The movement of the workpiece 9 by the moving means 10 is not limited to the one-way direction, and may reciprocate. The position of the workpiece 9 may be fixed, and the moving means may move the nozzle head group 21.
The processing gas blown from one blowout port 33a may be sucked from at least one suction port 43a, and is not limited to the suction ports 43a provided on both sides of the blowout port 33a. The suction port 43a may be provided only on one side of the port 33a. Each nozzle head 22 may be provided with one outlet 33a and one suction opening 43a.
The number of nozzle heads 22 constituting the nozzle head group 21 is not limited to three, but may be one, two, or four or more.
The throttle of the second embodiment (FIG. 11) is not limited to the variable throttle valves 34 and 44, but may be a fixed throttle. In the second embodiment, of the variable throttle valves 34 and 44, only the throttle valve 34 may be provided and the throttle valve 44 may be omitted, or only the throttle valve 44 may be provided and the throttle valve 34 may be omitted.
The throttle of the third embodiment (FIG. 12) is not limited to the fixed throttle valves 35 and 45, and may be a variable throttle. In the third embodiment, of the fixed throttle valves 35 and 45, only the throttle valve 35 may be provided and the throttle valve 45 may be omitted, or only the throttle valve 45 may be provided and the throttle valve 35 may be omitted.
The first to third embodiments may be combined with each other. For example, the surface treatment apparatus 1 may include both the variable throttle valves 34 and 44 of the second embodiment (FIG. 11) and the fixed throttle valves 35 and 45 of the third embodiment (FIG. 12).

本発明は、洗浄、表面改質（親水化、撥水化等）、エッチング、成膜などの種々の表面処理に適用可能である。 The present invention can be applied to various surface treatments such as cleaning, surface modification (hydrophilization, water repellency, etc.), etching, and film formation.

この発明は、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板や半導体基板の製造工程における表面処理に適用可能である。 The present invention is applicable to, for example, surface treatment in a manufacturing process of a glass substrate for a flat panel display or a semiconductor substrate.

本発明の第１実施形態に係る表面処理装置を、被処理物が左側のノズルヘッドとだけ対向する状態で示す正面図である。It is a front view which shows the surface treatment apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention in the state in which a to-be-processed object opposes only the left nozzle head. 図１に示す表面処理装置の底面図である。It is a bottom view of the surface treatment apparatus shown in FIG. 上記表面処理装置を、被処理物がノズルヘッド群の下側に達していない状態で示す正面図である。It is a front view which shows the said surface treatment apparatus in the state which the to-be-processed object has not reached the lower side of the nozzle head group. 上記表面処理装置を、被処理物の右端縁（移動方向の先端縁）が左側のノズルヘッドの吹出し口の直下にある状態で示す正面図である。It is a front view which shows the said surface treatment apparatus in the state in which the right end edge (tip edge of a moving direction) of a to-be-processed object exists directly under the blower outlet of the left nozzle head. 上記表面処理装置を、ノズルヘッド郡の対向面の全体が被処理物と対向する状態で示す正面図である。It is a front view which shows the said surface treatment apparatus in the state in which the whole opposing surface of a nozzle head group opposes a to-be-processed object. 上記表面処理装置を、被処理物の左端縁（移動方向の後端縁）が左側のノズルヘッドの吹出し口の直下にある状態で示す正面図である。It is a front view which shows the said surface treatment apparatus in the state in which the left end edge (rear end edge of a moving direction) of a to-be-processed object exists directly under the blower outlet of the left nozzle head. 上記表面処理装置を、被処理物が左側のノズルヘッドより右側に移動した状態で示す正面図である。It is a front view which shows the said surface treatment apparatus in the state which the to-be-processed object moved to the right side from the nozzle head of the left side. コンダクタンス比（Ｓ２／Ｓ１）に対する処理のばらつき度合い（Δｙ／ｙ０）をシミュレーションした結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of having simulated the dispersion | variation degree ((DELTA) y / y0) of the process with respect to conductance ratio (S2 / S1). 上記のシミュレーションで処理のばらつき度合いが最も小さくなった条件での被処理物の各ポイント上での処理ガスの積算流量を示すグラフである。It is a graph which shows the integrated flow volume of the process gas on each point of the to-be-processed object on the conditions where the dispersion | variation degree of the process became the smallest in said simulation. 処理ガスのトータルの供給流量に対するトータルの吸引流量の比（Ｉｄ）に対する処理のばらつき度合い（Δｙ／ｙ０）をシミュレーションした結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of having simulated the dispersion | variation degree ((DELTA) y / y0) of the process with respect to the ratio (Id) of the total suction | inhalation flow volume with respect to the total supply flow volume of process gas. 本発明の第２実施形態に係る表面処理装置を示す正面図である。It is a front view which shows the surface treatment apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係る表面処理装置を示す正面図である。It is a front view which shows the surface treatment apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

ＰＬ仮想平面
１表面処理装置
２Ａ開放空間（一定の圧力空間）
２Ｂ開放空間
３処理路
９被処理物
１０コロ搬送装置（移動手段）
２０給排部
２１ノズルヘッド群
２２ノズルヘッド
２３隙間（連通路）
２４ノズルヘッド群の下面（対向面）
２５ノズルヘッドの下面（面部分）
３０供給ライン
３１処理ガス供給源
３２共通供給路
３３供給枝路
３３ａ吹出し口
３４可変絞り弁（絞り）
３５固定絞り弁（絞り）
４０吸引ライン
４１吸引手段
４２共通吸引路
４３吸引枝路
４３ａ吸引口
４４可変絞り弁（絞り）
４５固定絞り弁（絞り） PL Virtual plane 1 Surface treatment device 2A Open space (constant pressure space)
2B Open space 3 Processing path 9 Object 10 Rolling device (moving means)
20 Supply / Discharge Unit 21 Nozzle Head Group 22 Nozzle Head 23 Clearance (Communication Path)
24 Nozzle head group lower surface (opposite surface)
25 The lower surface (surface part) of the nozzle head
30 Supply line 31 Process gas supply source 32 Common supply path 33 Supply branch path 33a Air outlet 34 Variable throttle valve (throttle)
35 Fixed throttle valve (throttle)
40 Suction line 41 Suction means 42 Common suction path 43 Suction branch path 43a Suction port 44 Variable throttle valve (throttle)
45 Fixed throttle valve (throttle)

Claims

An apparatus for spraying a treatment gas onto the surface of an object to be treated to treat the surface,
A supply / exhaust section for ejecting and sucking processing gas;
Moving means for moving the object to be processed in one direction relative to the supply / discharge section along a virtual plane,
The supply / exhaust portion has an opposing surface, a supply line, and a suction line that are opposed to the virtual plane at a certain distance;
The supply line has a common supply path connected to a processing gas supply source and a plurality of supply branches branched from the common supply path, and the downstream ends of the plurality of supply branches are mutually in the moving direction. Apart, each opening to the opposite surface to become the outlet,
The suction line has a common suction path connected to the suction means and a plurality of suction branches that merge with the common suction path, and upstream ends of the plurality of suction branches are separated from each other in the moving direction, respectively. Opening to the opposite surface to become a suction port, one outlet and at least one suction port are arranged adjacent to each other;
Conductance S1 of the processing path between the facing surface and the object to be processed when almost the entire facing surface is facing the object to be processed, and the plurality of supply branches and the plurality of suction branches in parallel A surface treatment apparatus characterized in that conductance S2 satisfies the following equation.
S2 <7500 × S1 (Formula 1)

The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the conductances S1 and S2 satisfy the following expression.
S2 <750 × S1 (Formula 2)

The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the conductances S1 and S2 satisfy the following expression.
S2 <75 × S1 (Formula 3)

The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the conductances S1 and S2 satisfy the following expression.
S2 <7.5 × S1 (Formula 4)

The opposed surface is divided into a plurality of surface portions in the moving direction, at least one outlet and a suction port are disposed on each surface portion, and one end of the communication path is opened between adjacent surface portions, The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the other end of the communication path is connected to a certain pressure space.

The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein a flow rate of the suction line is 1 to 3 times a flow rate of the supply line.

The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein a flow rate of the suction line is 1.5 to 2.25 times a flow rate of the supply line.

The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein a restriction is provided in each supply branch or each suction branch.

9. The throttle according to claim 1, wherein a restriction is provided on a common suction path downstream from a junction with the plurality of suction branches or a common supply path upstream from a branch of the plurality of supply branches. The surface treatment apparatus in any one.