JP3626924B2

JP3626924B2 - Film forming equipment

Info

Publication number: JP3626924B2
Application number: JP2001254670A
Authority: JP
Inventors: 英四郎笹川; 茂一上野; 栄一郎大坪
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 2001-08-24
Filing date: 2001-08-24
Publication date: 2005-03-09
Anticipated expiration: 2021-08-24
Also published as: JP2003064478A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などの製膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、母材に製膜を施す装置としては、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などを有する製膜装置が知られている。
この種の製膜装置としては、主として、複数の処理室を直列に並べたインライン型と、中央の基板搬送共通室の周辺に複数の基板処理室を並列に並べたクラスタ型があり、例えばこのインライン型は、図７に示すように、真空処理室１に隣接してアンロード室２が設けられている。
【０００３】
真空処理室１は、例えば１バッチあたり２枚の基板Ｋの製膜処理を行う製膜ユニット３を有し、この製膜ユニット３の両側部には、基板加熱ヒータ４が設けられている。
そして、真空処理室１では、プラズマＣＶＤ装置の場合、内部を減圧させた状態にてＳｉＨ_４（シランガス）などからなる原料ガスを含む製膜ガスを送り込み、基板加熱ヒータ４によって基板Ｋを加熱しながら、非接地電極として設けられた図示しないラダー電極に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させて原料ガスを分解して、基板加熱ヒータ４よって加熱された基板Ｋ表面にシリコン系製膜が施されるようになっている。
【０００４】
アンロード室２では、真空処理室１内を減圧環境下に保った状態にて、大気圧下へ基板Ｋが取り出されるようになっており、このアンロード室２の底部中央に設けられたベントガス噴出部５からアンロード室２内へ吹き出された窒素ガス等のベントガスによってアンロード室２が大気圧に戻されるとともに、併せて基板Ｋが冷却され、その後、複数の搬送ローラ６を有する搬送装置７へ移動され、基板Ｋを支持している搬送台車８から搬送装置７の搬送ローラ６上に移載され、これら搬送ローラ６によって搬送されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、真空処理室１でのプラズマ処理時に昇温された基板Ｋは、減圧環境下での輻射を主とする伝熱のため、基板の冷却量が少なく、特に、基板Ｋが大型かつ重厚である場合は、基板の熱容量が大きいため、アンロード室２での冷却が十分行われずに、搬送装置７へ送り出されることがあった。
このため、搬送装置７を構成する搬送ローラ６等の基板Ｋに接触する部分を、耐熱性に優れた極めて高価な材料から形成しなければならず、装置の高コスト化を招いていた。
【０００６】
ここで、アンロード室２における冷却時間を長くすれば、基板Ｋを十分に冷却することができるが、この場合、アンロード室２において、基板Ｋが滞るため、生産性が大幅に低減してしまうという問題があった。
しかも、底部中央のベントガス噴出部５からベントガスを噴出させる上記アンロード室２では、ベントガスによって基板Ｋが均一に冷却されず、部分的に温度差が生じてしまい、バックリングと称する熱座屈を生じてしまい、基板Ｋを支持する部材との干渉や拘束により基板Ｋを破損するなどの悪影響を与えてしまう恐れもあった。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、大型の基板であっても製膜後における冷却を十分に行うことができ、装置のコスト低減及び製品の品質向上を図ることが可能な製膜装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の製膜装置は、減圧環境下にて基板に製膜を施す真空処理室と、該真空処理室にて製膜処理が施された基板が送り込まれ、該送り込まれた基板を大気圧環境に戻すとともに基板が冷却されるアンロード室とを有する製膜装置であって、前記アンロード室には、送り込まれた前記基板の搬送方向としての巾方向に沿って配設され、長手方向に沿って間隔をあけて複数の噴出孔を有したベント管が設けられ、該ベント管へ送り込まれたベントガスは、前記複数の噴出孔から、前記基板の搬送方向に対しての上下方向である高さ方向の略中央部分にその巾方向へわたって均一に吹き付けられ、該基板の高さ方向略中央部分から該基板の表面に沿って上下方向へ分散されて流されることを特徴としている。
【０００９】
すなわち、真空処理室から送り込まれた基板の巾方向に沿って配設されたベント管の複数の噴出孔から基板の高さ方向略中央部分に向かってベントガスが噴出され、基板の表面に沿って上下方向へ分散して流れるので、基板を全面にわたって均等にかつ迅速に冷却することができる。
つまり、基板を、その全面にわたって偏り無く迅速に冷却することができるので、基板が大型かつ重厚であるため熱容量が大きい場合でも、アンロード室にて短時間に十分に冷却させることができ、これにより、その後、基板を搬送する搬送装置にて基板を支持する部材として、高価な耐熱性に優れた材料を用いる必要をなくすことができ、これにより、装置のコスト低減を図ることができ、さらには、冷却時間の短縮化による生産性の向上も図ることができる。
しかも、基板を均等に冷却させることができるので、冷却の不均一による熱座屈であるバックリングの発生をなくすことができ、これにより、バックリングによる基板の破損などの悪影響をなくすことができる。
【００１０】
請求項２記載の製膜装置は、請求項１記載の製膜装置において、前記ベント管の前記噴出孔が、送り込まれるベントガスとアンロード室内との差圧が所定圧に達するまで、音速にて噴出する径に形成されていることを特徴としている。
【００１１】
このように、ベント管の各噴出孔から音速にてベントガスが噴出されることにより、いわゆるチョーク現象によって各噴出孔からの噴出速度の均一化を図り、噴き出し流量の均一化を図ることができ、これにより、基板を確実にかつ均一に冷却することができる。
しかも音速で噴き出されたベントガスは、断熱膨張するためにベントガスが冷えて、基板冷却が促進される。
【００１２】
請求項３記載の製膜装置は、請求項１または請求項２記載の製膜装置において、前記アンロード室内に、前記真空処理室から複数の前記基板が送り込まれ、前記ベント管は、前記基板に沿って複数並列に配設されていることを特徴としている。
【００１３】
つまり、複数のベント管が設けられているので、これらベント管によって、アンロード室内へ送り込まれる複数の基板へそれぞれ満遍なくベントガスを吹き付けて冷却させることができる。
【００１４】
請求項４記載の製膜装置は、請求項１〜４のいずれか１項記載の製膜装置において、前記ベント管が前記アンロード室の下部及び上部にそれぞれ設けられていることを特徴としている。
【００１５】
このように、アンロード室の下部及び上部に設けられたベント管によって、アンロード室内へ送り込まれる基板へ確実にかつ均一にベントガスを吹き付けて冷却させることができる。
【００１６】
請求項５記載の製膜装置は、請求項１〜４のいずれか１項記載の製膜装置において、前記ベント管が前記アンロード室の内部における巾方向略全長にわたって設けられていることを特徴としている。
【００１７】
すなわち、アンロード室の巾方向全長にわたる長さのベント管が設置されているので、基板を均一かつ迅速に冷却させることができるだけでなく、アンロード室内におけるベントガスが整流され、アンロード室の隅部におけるベントガスの流れのよどみを解消することができ、ベントガスのよどみによるアンロード室の隅部におけるゴミやパーティクルなどの塵の蓄積をなくすことができ、蓄積したゴミ、塵が舞い上がって基板へ付着することによる品質の低下等の不具合を解消することができる。
【００１８】
請求項６記載の製膜装置は、請求項１〜５のいずれか１項記載の製膜装置において、前記アンロード室に、送り込まれた前記基板と対向する冷却壁面を有する冷却機構が設けられていることを特徴としている。
【００１９】
このように、基板の対向位置に配設される冷却壁面を有する冷却機構が設けられているので、基板の表面に沿って流れることにより基板を冷却したベントガスを冷却機構の冷却壁面に沿って流して冷却させることができる。
【００２０】
請求項７記載の製膜装置は、請求項６記載の製膜装置において、前記冷却壁面が黒色とされていることを特徴としている。
【００２１】
減圧環境下のために輻射を主とした伝熱であるため、このように、冷却機構の冷却壁面が、その表面を黒色とすることにより、輻射率が高められているので、基板から冷却壁面への伝熱量を増加し、さらなる冷却効率の向上を図ることができる。
【００２２】
請求項８記載の製膜装置は、請求項１〜７のいずれか１項記載の製膜装置において、前記アンロード室から送り出される前記基板へ冷却空気を吹き付ける冷却装置を有することを特徴としている。
【００２３】
つまり、アンロード室から送り出された基板へ冷却装置によって空気を吹き付けることにより、基板をさらに確実に冷却することができる。これは、大気圧雰囲気であるため気体伝熱量が多く、基板冷却のための伝熱量が多くなるためである。
これにより、特に、真空処理室内における処理の温度が高い場合などにおいても、搬送装置によって搬送させる前に、確実に急速に冷却させることができる。
【００２４】
請求項９記載の製膜装置は、請求項８記載の製膜装置において、前記冷却装置が、前記基板へ向かって空気を送り出すファンと、該ファンから送り出される冷却空気を前記基板に向かって分散させる複数の孔を有した分流板とを有することを特徴としている。
【００２５】
すなわち、分流板によってファンからの空気が基板へ満遍なく分散されるので、アンロード室から送り出された基板をさらに確実にかつ満遍なく冷却することができ、基板のバックリングの発生を抑えることができる。
【００２６】
請求項１０記載の製膜装置は、請求項８または請求項９記載の製膜装置において、前記冷却装置が、前記基板へ吹き付ける空気を清浄する空気清浄フィルタが設けられていることを特徴としている。
【００２７】
このように、基板へ吹き付ける空気が空気清浄フィルタによって清浄されるので、塵や埃を基板へ付着させることなく基板をさらに冷却させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態例の製膜装置を図面を参照して説明する。
図１及び図２において、符号１１は、本実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室である。このアンロード室１１には、その底部１１ａに、搬送台車１２によって搬送される基板Ｋに沿う位置に、一対の長尺のベント管１３が設けられている。
【００２９】
これらベント管１３には、その長手方向に沿って、互いに間隔をあけて複数の噴出孔１４が形成されている。このベント管１３には、その一端に、図示しないベントガス供給源が接続されており、このベントガス供給源から窒素ガス等のベントガスが高圧にて供給されるようになっている。
そして、このベント管１３へベントガス供給源からベントガスが供給されると、このベント管１３の各噴出孔１４から、ベントガスが噴出されるようになっている。
【００３０】
ここで、このベント管１３の噴出孔１４は、供給されるベントガスの圧力に対して十分に小さい孔からなり、これら噴出孔１４から噴出されるベントガスは、ガスの供給圧とアンロード室１１の内圧との差圧が所定圧に達するまで音速にて噴出する、いわゆるチョーク現象を生じる大きさとされている。
【００３１】
そして、このように、チョーク現象を生じると、ベント管１３の噴出孔１４では、それぞれ均一な圧損を生じ、これにより、このベント管１３の噴出孔１４からは、互いに均一にベントガスが噴出される。
ここで、所定圧とは、アンロード室１１内にベントガスが噴出され、このベントガスの熱伝達によって基板Ｋが冷却されだす程度の圧力であり、具体的な一例としては、所定圧である差圧が約１０００Ｐａ程度の場合、ベント管１３の噴出孔１４の径としては、約１ｍｍ程度が好ましい。
また、これら噴出孔１４から噴出されるベントガスは、この噴出孔１４から噴出した際に、断熱膨張して低温となるために、基板Ｋの冷却が促進される。
【００３２】
また、噴出孔１４は、それぞれ噴出するベントガスの噴出方向が、搬送台車１２に支持された基板Ｋの高さ方向の略中央部分に向けられている。
これにより、このベント管１３の噴出孔１４から噴出して断熱膨張して低温となり基板Ｋに吹き付けられるベントガスは、基板Ｋの中央部分から、基板Ｋの表面に沿って上下方向へ分散されるようになっている。このため、基板Ｋ中央から周囲へと冷却されるようになり、基板Ｋ周囲よりも冷えにくい基板Ｋ中央から冷却することで、バックリングを発生させることが抑えられる。
【００３３】
そして、真空処理室１から搬送台車１２に支持されて製膜後の基板Ｋがアンロード室１１内へ移送されると、アンロード室１１内のベント管１３へ、ベントガス供給源からベントガスが高圧にて供給される。
そして、このベント管１３に供給されたベントガスは、ベントガスのガス圧と減圧状態のアンロード室１１の内圧との大きな差圧により、チョーク現象を引き起こし、これにより、ベント管１３の長手方向に沿って形成された各噴出孔１４から音速にてベントガスが噴出し、さらに断熱膨張して低温となり、搬送台車１２に支持された基板Ｋの高さ方向の中央部分に、その巾方向へわたって均一に吹き付けられる。
【００３４】
そして、このように基板Ｋの高さ方向中央部分に、巾方向へわたって均一に吹き付けられたベントガスは、基板Ｋの高さ方向中央部分から上下方向へ分散し、基板Ｋの表面に沿って流される。
これにより、基板Ｋは、その全体がベントガスによって基板Ｋ中央から周囲に向けて均一かつ迅速に冷却されるとともに、バックリング発生が抑えられる。
【００３５】
その後、内圧とガス圧との差圧が所定圧に達すると、チョーク現象がなくなり、基板Ｋは、アンロード室１１内に充填されたベントガスの熱伝達によって冷却される。
そして、このアンロード室１１内にて均一かつ十分に冷却された基板Ｋは、アンロード室１１から搬送台車１２によって搬送装置７側へ搬送され、その後、搬送台車１２から搬送台車７の搬送ローラ６上に受け渡され、これら搬送ローラ６によって次工程へ送り出される。
【００３６】
このように、上記の製膜装置によれば、真空処理室１から送り込まれた基板Ｋの巾方向に沿って配設されたベント管１３の複数の噴出孔１４から基板Ｋの高さ方向中央部分に向かってベントガスが噴出され、基板Ｋの表面に沿って上下方向へ分散して流れるので、基板Ｋを全面にわたって均等にかつ迅速に冷却することができる。
【００３７】
つまり、基板Ｋを、その全面にわたって偏り無く迅速に冷却することができるので、基板Ｋが大型かつ重厚であるため熱容量が大きい場合でも、アンロード室１１にて短時間に十分に冷却させることができ、これにより、その後、基板Ｋを搬送する搬送装置７にて基板Ｋを支持する搬送ローラ６などの部材として、高価な耐熱性に優れた材料を用いる必要をなくすことができ、これにより、装置のコスト低減を図ることができ、さらには、冷却時間の短縮化による生産性の向上も図ることができる。
【００３８】
しかも、基板Ｋを均等に冷却させることができるので、冷却の不均一による熱座屈であるバックリングの発生をなくすことができ、これにより、バックリングによる基板Ｋを破損するなどの悪影響をなくすことができる。
さらには、ベント管１３の各噴出孔１４から音速にてベントガスが噴出されることにより、いわゆるチョーク現象によって各噴出孔１４からの噴出速度の均一化を図ることができ、これにより、基板Ｋを確実にかつ均一に冷却することができる。
【００３９】
なお、上記の例では、アンロード室１１の底面１１ａに、一対のベント管１３を設置し、これらベント管１３の噴出孔１４から、それぞれの基板Ｋへベントガスを噴出させるようにしたが、一本のベント管１３に、それぞれの基板Ｋへ向かって噴出する噴出孔１４をそれぞれ形成し、この一本のベント管１３の噴出孔１４から、その両側の基板Ｋの高さ方向中央部分にベントガスを吹き付けるようにしても良い。
【００４０】
また、図３に示すものは、ベント管１３が上下に配設されたアンロード室１１である。
つまり、このアンロード室１１では、アンロード室１１内に基板Ｋが搬送されて設置された状態にて、上下に配設されたベント管１３へベントガス供給源からベントガスが供給され、これにより、これら上下のベント管１３のそれぞれの噴出孔１４からベントガスが音速にて噴出され、断熱膨張して低温となり、基板Ｋの高さ方向中央部分に、巾方向へわたって吹き付けられる。
【００４１】
これにより、アンロード室１１内に設置された基板Ｋは、その上下から噴出されるベントガスが高さ方向中央部分にて巾方向へわたって均一に吹き付けられ、その後、基板Ｋの高さ方向中央部分から上下方向へ分散し、基板Ｋの表面に沿って流される。これにより、基板Ｋは、その全体がベントガスによって均一かつ迅速に冷却される。これにより、熱座屈の発生がさらに確実に抑えられる。
【００４２】
また、上記の例では、上下にそれぞれ２本のベント管１３を備えたが、この場合も、ベント管１３の数は２本ずつに限定されることはなく、上下に一本ずつ設けても良く、あるいは、上下に３本ずつベント管１３を設け、基板Ｋをさらに満遍なくかつ迅速に冷却させるようにしても良い。
【００４３】
なお、ベント管１３としては、基板Ｋを巾方向にわたって冷却すべく、アンロード室１１内に設置された基板Ｋの巾寸法よりも長いものを用いるのが好ましく、特に、図４に示すように、アンロード室１１の巾方向略全長にわたる長さのベント管１３を設置することにより、基板Ｋを均一かつ迅速に冷却させることができるだけでなく、アンロード室１１内におけるベントガスが整流され、このアンロード室１１の隅部におけるベントガスの流れのよどみを解消することができ、ベントガスのよどみによるアンロード室１１の隅部におけるゴミやパーティクルなどの塵の蓄積をなくすことができ、蓄積したゴミ、塵が舞い上がって基板Ｋへ付着することによる品質の低下等の不具合を解消することができる。
【００４４】
また、図５に示すものは、アンロード室１１の中央部分に、冷却機構２１を備えたものである。この冷却機構２１は、その内部に、冷却媒体が循環される循環路２２が設けられ、また、アンロード室１１内に搬入される基板Ｋと対向する冷却壁面２３を有している。
この冷却壁面２３は、減圧雰囲気での輻射を主とする伝熱を促進するために、例えば、ブラスト処理等を施すことにより表面が黒色とされて輻射率が高められている。
【００４５】
そして、この例では、アンロード室１１に製膜後の基板Ｋが搬入されると、ベント管１３の噴出孔１４から噴出されたベントガスが基板Ｋの高さ方向中央部分に巾方向へわたって吹き付けられ、さらに、基板Ｋの上下方向に分散されて表面に沿って流され、これにより、基板Ｋが全体にわたって均一にかつ迅速に冷却される。
【００４６】
さらに、基板Ｋは、その冷却が、対向位置に配設された冷却壁面２３を有する冷却機構２１によって、さらに促進される。
また、基板Ｋを冷却したベントガスは、冷却媒体が循環される循環路２２が設けられた冷却機構２１の冷却壁面２３に沿って流れることにより、この冷却壁面２３との間にて円滑に熱交換が行われて冷却され、これにより、基板Ｋのベントガスの気体伝熱による冷却もさらに促進される。
【００４７】
図６に示すものは、アンロード室１１から送り出される基板Ｋを、大気圧下にて、上方から冷却する冷却装置３１を備えたものである。
この冷却装置３１は、上方から空気を吸い込み、下方へ吹き出させるファン３２を有しており、このファン３２の上方側には、ＨＥＰＡフィルタ等の空気清浄フィルタ３３が設けられ、下方側には、空気を分流させる複数の孔を有した分流板３４が設けられた構造とされている。
そして、この冷却装置３１では、アンロード室１１から搬送されて基板Ｋが送り出されると、空気清浄フィルタ３３によって清浄された空気がファン３２によって吸い込まれ、分流板３４によって基板Ｋの上方から分散されて吹き出される。
【００４８】
つまり、アンロード室１１から送り出された基板Ｋには、その上部に設けられた冷却装置３１によって清浄された空気が満遍なく吹き付けられて、アンロード室１１における冷却後に、さらに確実に急速に冷却される。
これにより、特に、真空処理室１内におけるプラズマ処理の温度が高い場合などにおいても、搬送装置７によって搬送させる前に、確実に冷却させることができる。
しかも、基板Ｋへ吹き付ける空気が空気清浄フィルタ３３によって清浄されるので、塵や埃を基板Ｋへ付着させることなく基板Ｋを冷却させることができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の製膜装置によれば、下記の効果を得ることができる。
請求項１記載の製膜装置によれば、真空処理室から送り込まれた基板の巾方向に沿って配設されたベント管の複数の噴出孔から基板の高さ方向略中央部分に向かってベントガスが噴出され、基板の表面に沿って上下方向へ分散して流れるので、基板を全面にわたって均等にかつ迅速に冷却することができる。
つまり、基板を、その全面にわたって偏り無く迅速に冷却することができるので、基板が大型かつ重厚であるため熱容量が大きい場合でも、アンロード室にて短時間に十分に冷却させることができ、これにより、その後、基板を搬送する搬送装置にて基板を支持する部材として、高価な耐熱性に優れた材料を用いる必要をなくすことができ、これにより、装置のコスト低減を図ることができ、さらには、冷却時間の短縮化による生産性の向上も図ることができる。
しかも、基板を均等に冷却させることができるので、冷却の不均一による熱座屈であるバックリングの発生をなくすことができ、これにより、バックリングによる基板の破損などの悪影響をなくすことができる。
【００５０】
請求項２記載の製膜装置によれば、ベント管の各噴出孔から音速にてベントガスが噴出されることにより、いわゆるチョーク現象によって各噴出孔からの噴出速度の均一化を図ることができ、これにより、基板を確実にかつ均一に冷却することができる。
【００５１】
請求項３記載の製膜装置によれば、複数のベント管が設けられているので、これらベント管によって、アンロード室内へ送り込まれる複数の基板へそれぞれ満遍なくベントガスを吹き付けて冷却させることができる。
【００５２】
請求項４記載の製膜装置によれば、アンロード室の下部及び上部に設けられたベント管によって、アンロード室内へ送り込まれる基板へ確実にかつ均一にベントガスを吹き付けて冷却させることができる。
【００５３】
請求項５記載の製膜装置によれば、アンロード室の巾方向全長にわたる長さのベント管が設置されているので、基板を均一かつ迅速に冷却させることができるだけでなく、アンロード室内におけるベントガスが整流され、アンロード室の隅部におけるベントガスの流れのよどみを解消することができ、ベントガスのよどみによるアンロード室の隅部におけるゴミやパーティクルなどの塵の蓄積をなくすことができ、蓄積したゴミ、塵が舞い上がって基板へ付着することによる品質の低下等の不具合を解消することができる。
【００５４】
請求項６記載の製膜装置によれば、基板の対向位置に配設される冷却壁面を有する冷却機構が設けられているので、基板の表面に沿って流れることにより基板を冷却したベントガスを冷却機構の冷却壁面に沿って流して冷却させることができる。
【００５５】
請求項７記載の製膜装置によれば、冷却機構の冷却壁面が、その表面を黒色とすることにより、輻射率が高められているので、さらなる冷却効率の向上を図ることができる。
【００５６】
請求項８記載の製膜装置によれば、アンロード室から送り出された基板へ冷却装置によって空気を吹き付けることにより、基板をさらに確実に冷却することができる。
これにより、特に、真空処理室内における処理の温度が高い場合などにおいても、搬送装置によって搬送させる前に、確実に冷却させることができる。
【００５７】
請求項９記載の製膜装置によれば、分流板によってファンからの空気が基板へ満遍なく分散されるので、アンロード室から送り出された基板をさらに確実にかつ満遍なく冷却することができ、バックリングの発生をさらに抑えることができる。
【００５８】
請求項１０記載の製膜装置によれば、基板へ吹き付ける空気が空気清浄フィルタによって清浄されるので、塵や埃を基板へ付着させることなく基板をさらに冷却させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略斜視図である。
【図２】本発明の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略側面図である。
【図５】本発明の他の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態例の製膜装置を説明するアンロード室及びその下流側の斜視図である。
【図７】製膜装置の従来例を説明する製膜装置の概略斜視図である。
【符号の説明】
１真空処理室
７搬送装置
１１アンロード室
１３ベント管
１４噴出孔
２１冷却機構
２３冷却壁面
３１冷却装置
３２ファン
３３空気清浄フィルタ
３４分流板
Ｋ基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a film forming apparatus such as a plasma CVD apparatus, a sputtering apparatus, and a dry etching apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a film forming apparatus having a plasma CVD apparatus, a sputtering apparatus, a dry etching apparatus or the like is known as an apparatus for forming a film on a base material.
As this type of film forming apparatus, there are mainly an inline type in which a plurality of processing chambers are arranged in series, and a cluster type in which a plurality of substrate processing chambers are arranged in parallel around the central substrate transfer common chamber. As shown in FIG. 7, the in-line type is provided with an unload chamber 2 adjacent to the vacuum processing chamber 1.
[0003]
The vacuum processing chamber 1 includes, for example, a film forming unit 3 that performs film forming processing of two substrates K per batch, and substrate heaters 4 are provided on both sides of the film forming unit 3.
In the vacuum processing chamber 1, in the case of a plasma CVD apparatus, a film-forming gas containing a source gas made of SiH ₄ (silane gas) or the like is sent in a state where the inside is reduced in pressure, and the substrate K is heated by the substrate heater 4. However, by supplying high frequency power to a ladder electrode (not shown) provided as a non-grounded electrode, plasma is generated to decompose the source gas, and a silicon film is formed on the surface of the substrate K heated by the substrate heater 4. It is to be given.
[0004]
In the unload chamber 2, the substrate K is taken out to atmospheric pressure with the vacuum processing chamber 1 kept in a reduced pressure environment, and a vent gas provided at the center of the bottom of the unload chamber 2. The unload chamber 2 is returned to the atmospheric pressure by a vent gas such as nitrogen gas blown into the unload chamber 2 from the ejection section 5, and the substrate K is cooled at the same time, and then a transport device having a plurality of transport rollers 6. 7, transferred from the transport carriage 8 supporting the substrate K onto the transport roller 6 of the transport device 7, and transported by these transport rollers 6.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the substrate K that has been heated at the time of plasma processing in the vacuum processing chamber 1 has a small amount of cooling of the substrate because of heat transfer mainly due to radiation in a reduced pressure environment. In particular, the substrate K is large and heavy. In some cases, since the heat capacity of the substrate is large, the unload chamber 2 may not be sufficiently cooled and sent to the transfer device 7.
For this reason, a portion that contacts the substrate K such as the transport roller 6 constituting the transport device 7 has to be formed from an extremely expensive material having excellent heat resistance, resulting in an increase in cost of the device.
[0006]
Here, if the cooling time in the unload chamber 2 is lengthened, the substrate K can be sufficiently cooled. In this case, since the substrate K is stagnated in the unload chamber 2, the productivity is greatly reduced. There was a problem that.
Moreover, in the unload chamber 2 in which the vent gas is ejected from the vent gas ejection section 5 at the center of the bottom, the substrate K is not cooled uniformly by the vent gas, causing a partial temperature difference, resulting in thermal buckling called buckling. It may occur, and the substrate K may be adversely affected by interference or restraint with a member that supports the substrate K.
[0007]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and even a large substrate can be sufficiently cooled after film formation, and can reduce the cost of the apparatus and improve the product quality. The object is to provide a membrane device.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a film forming apparatus according to claim 1 is fed with a vacuum processing chamber for forming a film on a substrate under a reduced pressure environment, and a substrate subjected to film forming processing in the vacuum processing chamber. An unload chamber in which the fed substrate is returned to the atmospheric pressure environment and the substrate is cooled, and the unload chamber has a width as a transport direction of the fed substrate. arranged along the direction, the vent tube having a plurality of ejection holes are provided at intervals along the longitudinal direction, the vent gas that is fed into the vent tube from the plurality of jet holes, the substrate Sprayed uniformly across the width direction to a substantially central portion in the height direction, which is the vertical direction with respect to the transport direction, and dispersed vertically from the substantially central portion in the height direction of the substrate along the surface of the substrate. It is characterized by being washed away .
[0009]
That is, vent gas is ejected from the plurality of ejection holes of the vent pipe disposed along the width direction of the substrate fed from the vacuum processing chamber toward the substantially central portion in the height direction of the substrate, along the surface of the substrate. Since it flows in a distributed manner in the vertical direction, the substrate can be uniformly and rapidly cooled over the entire surface.
In other words, since the substrate can be quickly cooled over the entire surface without unevenness, even if the heat capacity is large because the substrate is large and heavy, it can be sufficiently cooled in a short time in the unload chamber. Therefore, it is possible to eliminate the need to use an expensive material having excellent heat resistance as a member for supporting the substrate in the transporting device that transports the substrate, thereby reducing the cost of the device. The productivity can also be improved by shortening the cooling time.
Moreover, since the substrate can be cooled uniformly, the occurrence of buckling, which is thermal buckling due to non-uniform cooling, can be eliminated, thereby eliminating adverse effects such as breakage of the substrate due to buckling. .
[0010]
The film-forming apparatus according to claim 2 is the film-forming apparatus according to claim 1, wherein the jet hole of the vent pipe is accelerating at a speed of sound until a differential pressure between the vent gas fed into the unload chamber reaches a predetermined pressure. It is characterized by being formed in a diameter to be ejected.
[0011]
In this way, the vent gas is ejected from each vent hole of the vent pipe at a sonic speed, so that the jet velocity from each jet hole can be made uniform by the so-called choke phenomenon, and the jet flow rate can be made uniform. Thereby, a board | substrate can be cooled reliably and uniformly.
Moreover, since the vent gas ejected at the speed of sound is adiabatically expanded, the vent gas is cooled, and the substrate cooling is promoted.
[0012]
The film forming apparatus according to claim 3 is the film forming apparatus according to claim 1 or 2, wherein a plurality of the substrates are fed from the vacuum processing chamber into the unload chamber, and the vent pipe includes the substrate It is characterized by being arranged in parallel along the line.
[0013]
That is, since a plurality of vent pipes are provided, the vent gases can be uniformly blown and cooled by the vent pipes to the plurality of substrates fed into the unload chamber.
[0014]
The film forming apparatus according to claim 4 is the film forming apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the vent pipes are respectively provided at a lower part and an upper part of the unload chamber. .
[0015]
In this way, the vent pipes provided at the lower part and the upper part of the unload chamber can cool the vent gas reliably and uniformly to the substrate fed into the unload chamber.
[0016]
The film forming apparatus according to claim 5 is the film forming apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the vent pipe is provided over substantially the entire length in the width direction inside the unload chamber. It is said.
[0017]
In other words, since the vent pipe having the length in the entire width direction of the unload chamber is installed, not only can the substrate be cooled uniformly and rapidly, but also the vent gas in the unload chamber is rectified and the corner of the unload chamber is rectified. It is possible to eliminate the stagnation of the flow of the vent gas in the section, and the accumulation of dust such as dust and particles in the corner of the unload chamber due to the stagnation of the vent gas can be eliminated, and the accumulated dust and dust rise and adhere to the substrate It is possible to eliminate problems such as deterioration in quality due to the operation.
[0018]
The film forming apparatus according to claim 6 is the film forming apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein a cooling mechanism having a cooling wall surface facing the fed substrate is provided in the unload chamber. It is characterized by having.
[0019]
As described above, since the cooling mechanism having the cooling wall surface disposed at the opposite position of the substrate is provided, the vent gas that has cooled the substrate by flowing along the surface of the substrate flows along the cooling wall surface of the cooling mechanism. Can be cooled.
[0020]
The film forming apparatus according to claim 7 is the film forming apparatus according to claim 6, wherein the cooling wall surface is black.
[0021]
Since the heat transfer is mainly due to radiation under a reduced pressure environment, the cooling wall surface of the cooling mechanism is made black on the surface so that the radiation rate is increased. The amount of heat transfer to the can be increased, and the cooling efficiency can be further improved.
[0022]
The film forming apparatus according to claim 8 is characterized in that in the film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7, the film forming apparatus includes a cooling device that blows cooling air to the substrate sent out from the unload chamber. .
[0023]
That is, the substrate can be further reliably cooled by blowing air to the substrate sent out from the unload chamber by the cooling device. This is because the amount of heat transfer for gas is large due to the atmospheric pressure atmosphere, and the amount of heat transfer for cooling the substrate is large.
Thereby, in particular, even when the temperature of the processing in the vacuum processing chamber is high, it can be surely and rapidly cooled before being transferred by the transfer device.
[0024]
The film-forming apparatus according to claim 9 is the film-forming apparatus according to claim 8, wherein the cooling device sends out air toward the substrate, and the cooling air sent out from the fan is dispersed toward the substrate. And a flow dividing plate having a plurality of holes.
[0025]
That is, since the air from the fan is evenly distributed to the substrate by the flow dividing plate, the substrate sent out from the unload chamber can be cooled more reliably and uniformly, and the occurrence of substrate buckling can be suppressed.
[0026]
The film forming apparatus according to claim 10 is the film forming apparatus according to claim 8 or 9, wherein the cooling device is provided with an air purifying filter for purifying air blown to the substrate. .
[0027]
Thus, since the air sprayed on the substrate is cleaned by the air cleaning filter, the substrate can be further cooled without adhering dust or dirt to the substrate.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In FIG.1 and FIG.2, the code | symbol 11 is the unload chamber which comprises the film forming apparatus of this embodiment. In the unload chamber 11, a pair of long vent pipes 13 are provided on the bottom 11 a at positions along the substrate K that is transported by the transport carriage 12.
[0029]
A plurality of ejection holes 14 are formed in the vent pipes 13 at intervals from each other along the longitudinal direction thereof. A vent gas supply source (not shown) is connected to the vent pipe 13 at one end, and a vent gas such as nitrogen gas is supplied from the vent gas supply source at a high pressure.
When the vent gas is supplied to the vent pipe 13 from the vent gas supply source, the vent gas is ejected from the ejection holes 14 of the vent pipe 13.
[0030]
Here, the ejection hole 14 of the vent pipe 13 is a hole that is sufficiently small with respect to the pressure of the supplied vent gas, and the vent gas ejected from the ejection hole 14 is supplied from the gas supply pressure and the unload chamber 11. It is set to a magnitude that causes a so-called choke phenomenon in which it is ejected at the speed of sound until the pressure difference from the internal pressure reaches a predetermined pressure.
[0031]
When the choke phenomenon occurs as described above, uniform pressure loss occurs in each of the ejection holes 14 of the vent pipe 13, whereby the vent gases are ejected uniformly from the ejection holes 14 of the vent pipe 13. .
Here, the predetermined pressure is a pressure at which vent gas is ejected into the unload chamber 11 and the substrate K is cooled by heat transfer of the vent gas. As a specific example, the predetermined pressure is a differential pressure that is a predetermined pressure. Is about 1000 Pa, the diameter of the ejection hole 14 of the vent pipe 13 is preferably about 1 mm.
Further, when the vent gas ejected from these ejection holes 14 is ejected from the ejection holes 14, the vent gas is adiabatically expanded to become a low temperature, and thus the cooling of the substrate K is promoted.
[0032]
Further, in the ejection holes 14, the ejection direction of the vent gas to be ejected is directed to a substantially central portion in the height direction of the substrate K supported by the transport carriage 12.
As a result, the vent gas sprayed from the ejection hole 14 of the vent pipe 13 and adiabatically expanded to become a low temperature and blown to the substrate K is dispersed in the vertical direction along the surface of the substrate K from the central portion of the substrate K. It has become. For this reason, cooling is performed from the center of the substrate K to the periphery, and generation of buckling can be suppressed by cooling from the center of the substrate K, which is harder to cool than the periphery of the substrate K.
[0033]
When the substrate K after film formation supported by the transfer carriage 12 from the vacuum processing chamber 1 is transferred into the unload chamber 11, the vent gas from the vent gas supply source is pressurized to the vent pipe 13 in the unload chamber 11. Supplied at
The vent gas supplied to the vent pipe 13 causes a choke phenomenon due to a large pressure difference between the gas pressure of the vent gas and the internal pressure of the decompressed unload chamber 11, and thereby, along the longitudinal direction of the vent pipe 13. Vent gas is ejected from each ejection hole 14 formed in this way at a speed of sound, further adiabatically expanded to become a low temperature, and uniform in the width direction at the center portion in the height direction of the substrate K supported by the transport carriage 12. Is sprayed on.
[0034]
The vent gas thus uniformly sprayed across the width direction onto the center portion in the height direction of the substrate K is dispersed in the vertical direction from the center portion in the height direction of the substrate K, and along the surface of the substrate K. Washed away.
As a result, the entire substrate K is uniformly and rapidly cooled from the center of the substrate K to the periphery by the vent gas, and occurrence of buckling is suppressed.
[0035]
Thereafter, when the differential pressure between the internal pressure and the gas pressure reaches a predetermined pressure, the choke phenomenon disappears and the substrate K is cooled by heat transfer of the vent gas filled in the unload chamber 11.
Then, the substrate K that is uniformly and sufficiently cooled in the unload chamber 11 is transported from the unload chamber 11 to the transport device 7 side by the transport cart 12, and then the transport rollers of the transport cart 7 from the transport cart 12. 6 is delivered to the next process by these transport rollers 6.
[0036]
Thus, according to the film forming apparatus, the center in the height direction of the substrate K from the plurality of ejection holes 14 of the vent pipe 13 disposed along the width direction of the substrate K sent from the vacuum processing chamber 1. Since the vent gas is jetted toward the portion and flows in the vertical direction along the surface of the substrate K, the substrate K can be uniformly and rapidly cooled over the entire surface.
[0037]
That is, since the substrate K can be quickly cooled without any deviation over the entire surface, even if the heat capacity is large because the substrate K is large and heavy, it can be sufficiently cooled in the unload chamber 11 in a short time. This makes it possible to eliminate the need to use an expensive material having excellent heat resistance as a member such as the transport roller 6 that supports the substrate K in the transport device 7 that transports the substrate K thereafter. The cost of the apparatus can be reduced, and further, the productivity can be improved by shortening the cooling time.
[0038]
In addition, since the substrate K can be cooled uniformly, the occurrence of buckling, which is thermal buckling due to non-uniform cooling, can be eliminated, thereby eliminating adverse effects such as damage to the substrate K due to buckling. be able to.
Further, the vent gas is ejected from each ejection hole 14 of the vent pipe 13 at a sonic velocity, so that the ejection speed from each ejection hole 14 can be made uniform by a so-called choke phenomenon. It is possible to cool reliably and uniformly.
[0039]
In the above example, a pair of vent pipes 13 are installed on the bottom surface 11a of the unload chamber 11, and vent gas is ejected from the ejection holes 14 of these vent pipes 13 to the respective substrates K. Each of the vent pipes 13 is formed with an ejection hole 14 that ejects toward each substrate K. From the ejection hole 14 of this one vent pipe 13, vent gas is formed at the center in the height direction of the substrate K on both sides thereof. You may make it spray.
[0040]
Further, what is shown in FIG. 3 is an unload chamber 11 in which vent pipes 13 are arranged up and down.
In other words, in this unload chamber 11, the vent gas is supplied from the vent gas supply source to the vent pipe 13 disposed above and below in a state where the substrate K is transported and installed in the unload chamber 11. Vent gas is ejected from the respective ejection holes 14 of the upper and lower vent pipes 13 at the speed of sound, adiabatically expands and becomes low temperature, and is sprayed across the width direction to the central portion of the substrate K in the height direction.
[0041]
Thereby, the substrate K installed in the unload chamber 11 is blown uniformly in the width direction at the central portion in the height direction, and then the center in the height direction of the substrate K. Dispersed in the vertical direction from the portion, and flows along the surface of the substrate K. As a result, the entire substrate K is uniformly and rapidly cooled by the vent gas. Thereby, generation | occurrence | production of a thermal buckling is suppressed more reliably.
[0042]
In the above example, two vent pipes 13 are provided on the upper and lower sides, but in this case, the number of vent pipes 13 is not limited to two. Alternatively, three vent pipes 13 may be provided at the top and bottom to cool the substrate K evenly and quickly.
[0043]
In addition, as the vent pipe 13, it is preferable to use a pipe longer than the width dimension of the substrate K installed in the unload chamber 11 in order to cool the substrate K in the width direction. In particular, as shown in FIG. By installing the vent pipe 13 having a length that extends over the entire length in the width direction of the unload chamber 11, not only can the substrate K be cooled uniformly and quickly, but also the vent gas in the unload chamber 11 is rectified. The stagnation of the flow of the vent gas at the corner of the unload chamber 11 can be eliminated, and accumulation of dust such as dust and particles at the corner of the unload chamber 11 due to the stagnation of the vent gas can be eliminated. Problems such as quality degradation due to dust rising and adhering to the substrate K can be solved.
[0044]
In addition, what is shown in FIG. 5 is provided with a cooling mechanism 21 at the center of the unload chamber 11. The cooling mechanism 21 is provided therein with a circulation path 22 through which a cooling medium is circulated, and has a cooling wall surface 23 facing the substrate K carried into the unload chamber 11.
The cooling wall surface 23 has a black surface to increase the radiation rate, for example, by performing a blasting process or the like in order to promote heat transfer mainly of radiation in a reduced pressure atmosphere.
[0045]
In this example, when the substrate K after film formation is loaded into the unload chamber 11, the vent gas ejected from the ejection hole 14 of the vent pipe 13 extends in the width direction to the central portion in the height direction of the substrate K. Further, the substrate K is sprayed and dispersed in the vertical direction of the substrate K to flow along the surface, so that the substrate K is uniformly and rapidly cooled throughout.
[0046]
Further, the cooling of the substrate K is further promoted by the cooling mechanism 21 having the cooling wall surface 23 disposed at the opposing position.
In addition, the vent gas that has cooled the substrate K flows along the cooling wall surface 23 of the cooling mechanism 21 provided with the circulation path 22 through which the cooling medium is circulated, so that heat exchange with the cooling wall surface 23 is smoothly performed. In this way, the cooling of the substrate K by the gas heat transfer of the vent gas is further promoted.
[0047]
6 is provided with a cooling device 31 that cools the substrate K delivered from the unload chamber 11 from above under atmospheric pressure.
The cooling device 31 has a fan 32 that sucks air from above and blows it out downward. An air purifying filter 33 such as a HEPA filter is provided on the upper side of the fan 32, and on the lower side, The flow dividing plate 34 having a plurality of holes for diverting air is provided.
In the cooling device 31, when the substrate K is transported from the unload chamber 11 and sent out, the air purified by the air cleaning filter 33 is sucked in by the fan 32 and dispersed from above the substrate K by the flow dividing plate 34. And blown out.
[0048]
That is, the substrate K sent out from the unload chamber 11 is uniformly blown with clean air by the cooling device 31 provided on the substrate K, and after the cooling in the unload chamber 11, the substrate K is more reliably and rapidly cooled. The
Thereby, especially when the temperature of the plasma processing in the vacuum processing chamber 1 is high, it can be reliably cooled before being transported by the transport device 7.
Moreover, since the air sprayed onto the substrate K is cleaned by the air cleaning filter 33, the substrate K can be cooled without adhering dust or dirt to the substrate K.
[0049]
【The invention's effect】
As described above, according to the film forming apparatus of the present invention, the following effects can be obtained.
According to the film forming apparatus of claim 1, the vent gas is directed from the plurality of ejection holes of the vent pipe disposed along the width direction of the substrate fed from the vacuum processing chamber toward a substantially central portion in the height direction of the substrate. Are ejected and distributed in the vertical direction along the surface of the substrate, so that the substrate can be uniformly and quickly cooled over the entire surface.
In other words, since the substrate can be quickly cooled over the entire surface without unevenness, even if the heat capacity is large because the substrate is large and heavy, it can be sufficiently cooled in a short time in the unload chamber. Therefore, it is possible to eliminate the need to use an expensive material having excellent heat resistance as a member for supporting the substrate in the transporting device that transports the substrate, thereby reducing the cost of the device. The productivity can also be improved by shortening the cooling time.
In addition, since the substrate can be cooled uniformly, the occurrence of buckling, which is thermal buckling due to non-uniform cooling, can be eliminated, thereby eliminating adverse effects such as breakage of the substrate due to buckling. .
[0050]
According to the film forming apparatus of claim 2, the vent gas is ejected from each vent hole of the vent pipe at a speed of sound, so that the jet velocity from each jet hole can be made uniform by a so-called choke phenomenon, Thereby, a board | substrate can be cooled reliably and uniformly.
[0051]
According to the film forming apparatus of the third aspect, since the plurality of vent pipes are provided, the vent gas can be uniformly blown and cooled by the vent pipes to the plurality of substrates fed into the unload chamber.
[0052]
According to the film forming apparatus of the fourth aspect, the vent gas provided in the lower part and the upper part of the unload chamber can be cooled by blowing the vent gas reliably and uniformly to the substrate fed into the unload chamber.
[0053]
According to the film forming apparatus of the fifth aspect, since the vent pipe having the length in the entire width direction of the unload chamber is installed, not only the substrate can be cooled uniformly and quickly, but also in the unload chamber. The vent gas is rectified, and the stagnation of the vent gas flow at the corner of the unload chamber can be eliminated, and the accumulation of dust such as dust and particles at the corner of the unload chamber due to the stagnation of the vent gas can be eliminated and accumulated. It is possible to eliminate problems such as quality degradation due to the dust and dust rising and adhering to the substrate.
[0054]
According to the film forming apparatus of the sixth aspect, since the cooling mechanism having the cooling wall surface disposed at the opposite position of the substrate is provided, the vent gas that has cooled the substrate is cooled by flowing along the surface of the substrate. It can be cooled by flowing along the cooling wall of the mechanism.
[0055]
According to the film forming apparatus of the seventh aspect, since the emissivity is increased by making the surface of the cooling wall surface of the cooling mechanism black, the cooling efficiency can be further improved.
[0056]
According to the film forming apparatus of the eighth aspect, the substrate can be further reliably cooled by blowing air to the substrate sent out from the unload chamber by the cooling device.
Thereby, especially when the temperature of the process in a vacuum processing chamber is high, it can cool reliably before conveying with a conveying apparatus.
[0057]
According to the film forming apparatus of claim 9, since the air from the fan is uniformly distributed to the substrate by the flow dividing plate, the substrate sent out from the unload chamber can be more reliably and uniformly cooled, and the buckling Can be further suppressed.
[0058]
According to the film forming apparatus of the tenth aspect, since the air sprayed onto the substrate is cleaned by the air cleaning filter, the substrate can be further cooled without adhering dust or dirt to the substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic perspective view of an unload chamber constituting a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an unload chamber constituting a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an unload chamber constituting a film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic side view of an unload chamber constituting a film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an unload chamber constituting a film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an unload chamber and a perspective view of the downstream side for explaining a film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic perspective view of a film forming apparatus for explaining a conventional example of the film forming apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum processing chamber 7 Conveyance apparatus 11 Unload chamber 13 Vent pipe 14 Ejection hole 21 Cooling mechanism 23 Cooling wall surface 31 Cooling device 32 Fan 33 Air purifying filter 34 Current dividing plate K Substrate

Claims

A vacuum processing chamber for forming a film on the substrate in a reduced pressure environment, and a substrate on which film formation processing has been performed in the vacuum processing chamber are sent, and the sent substrate is returned to an atmospheric pressure environment and the substrate is cooled. A film forming apparatus having an unloading chamber,
The unload chamber is provided along a width direction as a conveyance direction of the substrate fed in, and is provided with a vent pipe having a plurality of ejection holes at intervals along the longitudinal direction,
The vent gas sent to the vent pipe is uniformly blown across the width direction from the plurality of ejection holes to a substantially central portion in the height direction which is the vertical direction with respect to the transport direction of the substrate. An apparatus for forming a film, wherein the film is distributed in the vertical direction along the surface of the substrate from a substantially central portion in the height direction of the substrate .

2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the ejection hole of the vent pipe is formed to have a diameter that ejects at a sonic speed until a differential pressure between the fed vent gas and the unload chamber reaches a predetermined pressure. apparatus.

The plurality of substrates are fed into the unload chamber from the vacuum processing chamber, and a plurality of the vent pipes are arranged in parallel along the substrate. The film forming apparatus as described.

The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the vent pipe is provided at a lower part and an upper part of the unload chamber, respectively.

The film forming apparatus according to claim 1, wherein the vent pipe is provided over substantially the entire length in the width direction inside the unload chamber.

The film forming apparatus according to claim 1, wherein the unload chamber is provided with a cooling mechanism having a cooling wall surface facing the fed substrate.

The film forming apparatus according to claim 6, wherein the cooling wall surface is black.

The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a cooling device that blows cooling air onto the substrate that is sent out from the unload chamber.

The said cooling device has a fan which sends out air toward the said board | substrate, and a shunt plate which has the some hole which disperse | distributes the cooling air sent out from this fan toward the said board | substrate. The film forming apparatus as described.

The film forming apparatus according to claim 8 or 9, wherein the cooling device is provided with an air purifying filter for purifying air blown onto the substrate.