JP2002110619A - Substrate-treating apparatus - Google Patents

Substrate-treating apparatus

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JP2002110619A
JP2002110619A JP2000292489A JP2000292489A JP2002110619A JP 2002110619 A JP2002110619 A JP 2002110619A JP 2000292489 A JP2000292489 A JP 2000292489A JP 2000292489 A JP2000292489 A JP 2000292489A JP 2002110619 A JP2002110619 A JP 2002110619A
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JP
Japan
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substrate
gas
blowing
processing chamber
air
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Application number
JP2000292489A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuaki Yoshitani
光明 芳谷
Koji Toyoda
浩司 豊田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-treating apparatus that can smoothly substitute atmosphere, without disturbing an air current in a treatment chamber, has excellent cleanliness, and prevents increase in cost. SOLUTION: A substrate W is carried into a drying treatment chamber 4 by a roller conveyer 1. The carrying in/out of the substrate W is detected sensors 38 and 40. When the substrate is conveyed to the gas-spraying position of an air knife 9, gas is blown out of air knives 9a, 9b, 9c, and 9d, and liquid is blown off from both the surfaces of the substrate W for drying. When the substrate W is conveyed furthermore and does not exist at the gas-spraying position, gas is blown out of only the air knives 9a and 9b, and blow-off from the air knives 9c and 9d is inhibited for stopping. While the substrate W does not exist at the gas-spraying position, the gas will not blow out of the air knives 9c and 9d upward, by thus preventing disturbance in downward air current, formed by a clean cir current introducing mechanism 13 in the drying treatment chamber 4, and smoothly discharging treatment-liquid mist or the like.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルや
プラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半
導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板などの基板
の表面に処理を施す基板処理装置に関し、特に基板に対
して気体を吹き出して処理するものに関する。
The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a surface of a substrate such as a glass substrate used for manufacturing a liquid crystal display panel or a plasma display panel, a semiconductor wafer, and a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus. In particular, the present invention relates to a method of processing by blowing gas to a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の基板処理装置としては、従来、
特開平7−14819号公報に開示されているものが知
られている。この従来例は、基板の上下に設けたエアナ
イフから気体を基板に供給して基板の表面に付着した液
体を吹き飛ばして除去して乾燥処理する基板乾燥処理装
置である。ここでは、処理室の上部に設けたクリーンユ
ニットにより、清浄な空気によるダウンフローを処理室
内に形成するとともに、処理室の下部に設けた排気口か
ら排気を行っている。そして、搬入口から処理室内に搬
入した基板に対してエアナイフから基板に対して気体を
吹き付けて基板表面に付着した液体を除去し、乾燥させ
た後に搬出する処理を行なっている。
2. Description of the Related Art As this type of substrate processing apparatus,
One disclosed in JP-A-7-14819 is known. This conventional example is a substrate drying processing apparatus that supplies a gas to the substrate from air knives provided above and below the substrate, blows off liquid adhering to the surface of the substrate, removes the liquid, and performs drying processing. Here, a downflow by clean air is formed in the processing chamber by a clean unit provided in an upper part of the processing chamber, and exhaust is performed from an exhaust port provided in a lower part of the processing chamber. Then, a process is performed in which a gas is blown from an air knife to the substrate carried into the processing chamber from the carry-in entrance to remove the liquid attached to the substrate surface, dried, and then carried out.

【発明が解決しようとする課題】一般にこの種の装置で
は、基板を清浄に保つことが必要条件とされる。しかる
にこの従来例のような装置においては、液体が付着した
基板に気体を吹き出して液体を吹き飛ばして乾燥させる
という原理上、ある程度の液ミストが発生することが多
い。そのため、発生したミストが基板に付着するのを防
止することが重要となる。上記公報においては、装置の
上部にクリーンユニットを設け、処理室内に清浄で均一
な層流のダウンフローを発生させて、処理室内のミスト
を含んだ雰囲気を清浄な気流で置換しようとしている。
Generally, in this type of apparatus, it is necessary to keep the substrate clean. However, in an apparatus such as this conventional example, a certain amount of liquid mist is often generated due to the principle that a gas is blown out to a substrate to which a liquid has adhered and the liquid is blown off and dried. Therefore, it is important to prevent the generated mist from adhering to the substrate. In the above publication, a clean unit is provided at the upper part of the apparatus, and a clean and uniform laminar downflow is generated in the processing chamber to replace an atmosphere containing mist in the processing chamber with a clean airflow.

【0003】しかしながら、このような構成では、乾燥
させた基板を処理室から搬出した後は、上下のエアナイ
フから吹き出した空気が基板の搬送路付近で衝突し、気
体の一部は上向きの渦状、他の一部は下向きの渦状にな
るなどして乱流が発生する。そしてこのような乱流が発
生すると、ダウンフローの層流が乱れ、雰囲気を円滑に
置換することができない。また、雰囲気の置換速度を上
げるためには、ダウンフローのエア量を増加させたり排
気量を増加させることも考えられるが、これらの方法は
いずれもランニングコストのアップにつながるという不
都合がある。
However, in such a configuration, after the dried substrate is carried out of the processing chamber, the air blown from the upper and lower air knives collide near the substrate transfer path, and a part of the gas is upwardly swirled. The other part is turbulent due to a downward spiral. When such a turbulent flow occurs, the laminar flow of the down flow is disturbed, and the atmosphere cannot be replaced smoothly. In order to increase the replacement speed of the atmosphere, it is conceivable to increase the amount of air in the downflow or increase the amount of exhaust. However, any of these methods has a disadvantage that the running cost is increased.

【0004】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであつて、処理室の気流を乱すことがなく雰囲気を
円滑に置換できて清浄度が高く、かつコストアップを生
じることがない基板処理装置を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has been made in consideration of the above circumstances, and is capable of smoothly replacing an atmosphere without disturbing an air flow in a processing chamber, having high cleanliness, and having no cost increase. A processing device is provided.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を処理する処理室を構成する室構成体と、処理室の上部
から処理室内に気流を導入する気流導入機構と、処理室
の下部から処理室内の雰囲気を排出する排出機構と、処
理室内で基板を保持する保持手段と、前記処理室内の基
板の上面に向けて上方から下方に気体を吹き出す第1吹
き出し機構と、前記処理室内の基板の下面に向けて下方
から上方に気体を吹き出す第2吹き出し機構と、前記第
2吹き出し機構の吹き付け対象となる基板が不在の際
に、前記第2吹き出し機構による上方に向けた気体の吹
き出しを抑制する制御手段とを備えたことを特徴とす
る。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a chamber constituting a processing chamber for processing a substrate, an airflow introducing mechanism for introducing an airflow from above the processing chamber into the processing chamber, and A discharge mechanism for discharging the atmosphere in the processing chamber from below, holding means for holding the substrate in the processing chamber, a first blowing mechanism for blowing gas downward from above toward the upper surface of the substrate in the processing chamber, A second blowing mechanism for blowing gas upward from below toward the lower surface of the substrate, and upward blowing of gas by the second blowing mechanism when the substrate to be blown by the second blowing mechanism is absent. And a control means for suppressing the occurrence of the pressure.

【0006】この構成によれば、処理室の気流を乱すこ
とがなく雰囲気を円滑に置換できて清浄度が高く、かつ
コストアップを生じることがない。
According to this configuration, the atmosphere can be replaced smoothly without disturbing the airflow in the processing chamber, the cleanliness is high, and the cost does not increase.

【0007】請求項2の発明は、請求項1において、前
記制御手段が、前記第1吹き出し機構を制御する機能を
さらに有し、前記第2吹き出し機構の吹き付け対象とな
る基板が不在の際に、前記第1吹き出し機構による下方
に向けた気体の吹き出しを抑制しないよう制御するもの
である。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the control means further has a function of controlling the first blowing mechanism, and when the substrate to be blown by the second blowing mechanism is absent. The control is performed so as not to suppress the downward blowing of the gas by the first blowing mechanism.

【0008】この構成によれば、処理室内により積極的
に下降気流を形成できるので、より短時間で雰囲気を置
換し処理室外へ排出できる。
According to this structure, the downdraft can be formed more positively in the processing chamber, so that the atmosphere can be replaced in a shorter time and discharged to the outside of the processing chamber.

【0009】請求項3の発明は、請求項1において、前
記制御手段が、前記第1吹き出し機構を制御する機能を
さらに有し、前記第2吹き出し機構の吹き付け対象とな
る基板が不在の際に、前記第1吹き出し機構による下方
に向けた気体の吹き出しをも抑制するものである。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the control means further has a function of controlling the first blowing mechanism, and when the substrate to be blown by the second blowing mechanism is absent. This also suppresses the downward blowing of gas by the first blowing mechanism.

【0010】この構成によれば、気体消費量をより低減
できてより低コストとなる。
According to this configuration, the gas consumption can be further reduced and the cost can be reduced.

【0011】請求項4の発明は、請求項4乃至3におい
て、前記基板保持手段が、前記基板を保持しつつ所定方
向に搬送する搬送機構を含むものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the fourth aspect, the substrate holding means includes a transfer mechanism for transferring the substrate in a predetermined direction while holding the substrate.

【0012】この構成によれば、基板を搬送しつつ処理
することができる。
According to this configuration, the processing can be performed while transporting the substrate.

【0013】請求項5の発明は、請求項1乃至4におい
て、前記第2吹き出し機構の近傍に設けられ、前記吹き
付け対象となる基板の不在を検出するセンサを備えたも
のである。
According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, a sensor is provided near the second blowing mechanism and detects the absence of the substrate to be sprayed.

【0014】この構成によれば、基板が第2吹き出し機
構の近傍にないときに基板の不在を正確に検出できて気
体の吹き出しの抑制をより確実に行え、また必要な時の
み気体を吹き出すことができて低コスト化できる。
According to this structure, when the substrate is not in the vicinity of the second blowing mechanism, the absence of the substrate can be accurately detected and the blowing of gas can be more reliably suppressed, and the gas is blown only when necessary. Cost can be reduced.

【0015】請求項6の発明は、請求項1乃至4におい
て、前記処理室に対して基板を搬入及び/又は搬出する
ための開口が室構成体に形成されており、前記吹き付け
対象となる基板の不在を検出するセンサが前記開口の近
傍に設けられていることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in any of the first to fourth aspects, an opening for loading and / or unloading the substrate into and from the processing chamber is formed in a chamber constituting body, and the substrate to be sprayed is provided. A sensor for detecting the absence of the sensor is provided near the opening.

【0016】この構成によれば、処理室内における基板
の有無を確実に検出できて、それにより気体の吹き出し
の抑制をより確実に行える。
According to this configuration, the presence or absence of the substrate in the processing chamber can be reliably detected, whereby the blow-out of gas can be more reliably suppressed.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係る基板処理
装置の第1実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面
図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板W
(以下、単に基板Wと称する)を水平姿勢または若干の
傾斜姿勢として図中左から右へ向って搬送機構であるロ
ーラコンベア1で搬送しつつ、エッチング液や剥離液、
現像液等の薬液を供給して基板Wに対して薬液処理を施
し、かつ当該処理後に純水を供給して洗浄処理し、さら
にその後基板Wに乾燥空気を供給して乾燥処理するもの
である。この基板処理装置は、薬液処理を施す薬液処理
装置と、洗浄処理を施す洗浄処理装置と、乾燥処理を施
す乾燥処理装置とからなるが、図1では洗浄処理装置B
と乾燥処理装置Cのみを示す。薬液処理装置は洗浄処理
装置Bに隣接して図中ではその洗浄処理装置Bの左方に
配置されるが、図示は省略している。洗浄処理装置Bに
おいて、洗浄処理室2内には、後述する純水供給機構と
接続されたノズルNが設けられ、流量調整可能な開閉弁
22およびフィルタ23を介して給水路21から供給さ
れた純水が基板Wにスプレー状に供給される。乾燥処理
装置Cにおいて、乾燥処理室4は室構成体3によって区
画形成され、室構成体3の洗浄処理装置B側にあたる前
壁5には基板搬入のための開口6が、また前壁5と対向
する後壁には基板搬出のための開口8が、それぞれ開口
形成されている。ローラコンベア1は、図示しない薬液
処理装置から洗浄処理装置Bと乾燥処理装置Cまで、基
板Wを水平または若干の傾斜をもった姿勢で保持しつつ
搬送すべく設けられ、開口6の洗浄処理装置B側から開
口6を経て開口8の外側まで連なるように配置されてい
る。このローラコンベア1は、基板Wの搬送進行方向左
右の端部のみを支えて搬送するものである。乾燥処理室
4内のローラコンベア1の上方及び下方にはそれぞれ、
搬送される基板Wの上面及び下面に乾燥気体を吹き付け
て基板Wに付着している純水を除去して乾燥させるエア
ナイフ9a,9b,9c,9d(これらを総称する場合
には単にエアナイフ9と記す)が配置されている。エア
ナイフ9a,9bはローラコンベア1の上側に基板進行
方向に順に設けられて基板Wの進行方向の上流側の斜め
下向きに傾斜して設けられ、エアナイフ9c,9dはロ
ーラコンベア1の下側に基板進行方向に順に設けられて
基板Wの進行方向の上流側の斜め上向きに傾斜して設け
られ、搬送される基板Wに気体を吹き出すようになって
いる。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of a main part of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus has a rectangular glass substrate W
(Hereinafter, simply referred to as a substrate W) in a horizontal posture or a slightly inclined posture, while being conveyed from left to right in FIG.
A chemical solution such as a developing solution is supplied to perform chemical treatment on the substrate W, and after the treatment, pure water is supplied to perform a cleaning process, and thereafter, dry air is supplied to the substrate W to perform a drying process. . The substrate processing apparatus includes a chemical processing apparatus for performing a chemical processing, a cleaning processing apparatus for performing a cleaning processing, and a drying processing apparatus for performing a drying processing.
And only the drying apparatus C are shown. The chemical processing apparatus is disposed adjacent to the cleaning apparatus B and to the left of the cleaning apparatus B in the figure, but is not shown. In the cleaning apparatus B, a nozzle N connected to a pure water supply mechanism, which will be described later, is provided in the cleaning processing chamber 2, and the nozzle N is supplied from a water supply channel 21 via an on-off valve 22 and a filter 23 capable of adjusting a flow rate. Pure water is supplied to the substrate W in a spray form. In the drying processing apparatus C, the drying processing chamber 4 is defined by the chamber component 3, and an opening 6 for carrying in a substrate is formed in a front wall 5 corresponding to the cleaning processing device B side of the chamber component 3, and the front wall 5 is connected to the front wall 5. Openings 8 for carrying out the substrate are formed in the opposite rear walls. The roller conveyor 1 is provided to transport the substrate W from a chemical processing apparatus (not shown) to a cleaning processing apparatus B and a drying processing apparatus C while holding the substrate W in a horizontal or slightly inclined posture. It is arranged so as to continue from the side B to the outside of the opening 8 via the opening 6. The roller conveyor 1 transports the substrate W while supporting only the left and right ends in the transporting direction of the substrate W. Above and below the roller conveyor 1 in the drying chamber 4, respectively,
Air knives 9a, 9b, 9c, and 9d for spraying dry gas onto the upper and lower surfaces of the conveyed substrate W to remove pure water adhering to the substrate W and dry them (when these are collectively referred to simply as air knives 9) Are described). The air knives 9a and 9b are sequentially provided on the upper side of the roller conveyor 1 in the substrate traveling direction, and are provided obliquely downward on the upstream side in the traveling direction of the substrate W, and the air knives 9c and 9d are disposed on the lower side of the roller conveyor 1 on the lower side. It is provided in order in the traveling direction and is provided obliquely upward on the upstream side in the traveling direction of the substrate W so as to blow gas to the substrate W to be transported.

【0018】室構成体3の上壁11には吸気口12が開
口形成され、この吸気口12には乾燥処理室4内に清浄
な気流を導入する清浄気流導入機構13が備えられる。
清浄気流導入機構13は、図示はしていないが上方から
下方に向けて送風する送風機構と、その送風機構からの
気流を清浄にするフィルタとを含んでいる。室構成体3
の下壁14には排水および排気が可能な排気口15が開
口形成される。この排気口15からの排気路34には気
液分離器16を介して排気ブロア10が連通接続されて
いる。この排気ブロア10によって乾燥処理室4の雰囲
気を排出可能である。また、排気路34には、ダンパー
35が設けられている。ダンパー35は全開状態と半開
状態とを切り替え可能であり、半開時の開度は任意に設
定可能である。乾燥処理室4の前壁5の開口6より下側
および後壁7の開口8より下側には、散水管17が設け
られており、純水タンク18とポンプ19とからなる純
水供給機構から、給水路20と流量調整可能な開閉弁2
2及びフィルタ23を介して純水が供給される。散水管
17は前壁5および後壁7に純水を散布してそれらを清
浄でかつ濡れた状態に保つ。またこの純水供給機構は前
述の洗浄処理室2内のノズルNとも給水路21を介して
接続され、ノズルNから基板Wに純水を供給する。
An intake port 12 is formed in the upper wall 11 of the chamber structure 3, and the intake port 12 is provided with a clean air flow introduction mechanism 13 for introducing a clean air flow into the drying processing chamber 4.
Although not shown, the clean air flow introduction mechanism 13 includes a blower mechanism that blows air downward from above and a filter that cleans the airflow from the blower mechanism. Room component 3
An exhaust port 15 capable of draining and exhausting is formed in the lower wall 14. The exhaust blower 10 is connected to an exhaust path 34 from the exhaust port 15 via a gas-liquid separator 16. The atmosphere in the drying chamber 4 can be exhausted by the exhaust blower 10. Further, a damper 35 is provided in the exhaust path 34. The damper 35 can be switched between a fully open state and a half open state, and the opening degree at the half open state can be arbitrarily set. A sprinkling pipe 17 is provided below the opening 6 of the front wall 5 of the drying processing chamber 4 and below the opening 8 of the rear wall 7, and a pure water supply mechanism including a pure water tank 18 and a pump 19. From the water supply channel 20 and the on-off valve 2 with adjustable flow rate
Pure water is supplied through the filter 2 and the filter 23. Sprinkler pipes 17 spray pure water on front wall 5 and rear wall 7 to keep them clean and wet. This pure water supply mechanism is also connected to the nozzle N in the above-described cleaning chamber 2 via the water supply path 21, and supplies pure water to the substrate W from the nozzle N.

【0019】エアナイフ9a,9b,9c,9dには、
流量調整可能な開閉弁30a,30bを含む弁機構30
と乾燥気体供給源29とからなる乾燥気体供給機構31
が、エアフィルタ32a,32bを介して接続されてい
る。すなわちエアナイフ9a,9bには開閉弁30aが
接続され、エアナイフ9c,9dには開閉弁30bが接
続されている。また、この乾燥気体供給機構31と排気
ブロア10と清浄気流導入機構13とは、制御装置33
によって動作制御される。また、乾燥処理室4内のエア
ナイフ9a,9cの吹き出し位置の基板進行方向上流側
には、エアナイフ9a,9c位置への基板の進入を検出
するセンサ38が設けられており、エアナイフ9b,9
dの吹き出し位置の基板進行方向下流側には、エアナイ
フ9b,9d位置からの基板の退出を検出するセンサ4
0が設けられている。センサ38,40は制御装置33
に接続されており(図示省略)、検出結果を伝達する。
制御装置33はこれらセンサ38,40の検出結果を参
照して弁機構30等を制御する。この基板処理装置の動
作を図2を参照して以下に説明する。図2(a)〜
(e)のそれぞれにおいて、乾燥処理室4の上部の上か
ら下へ向けた矢印は清浄気流導入機構13による気流
を、乾燥処理室4の下部の上から下へ向けた矢印は排気
口15からの排気気流を、乾燥処理室4の中段上側の斜
め下向きの矢印二つはそれぞれエアナイフ9a,9bに
吹き出された気流を、乾燥処理室4の中段下側の斜め上
向きの矢印二つはそれぞれエアナイフ9c,9dによる
気流を、上部で上から下へ向けた矢印は清浄気流導入機
構13に吹き出された気流を、それぞれ表し、エアナイ
フ9a,9b,9c,9dによる気流相当の矢印が描か
れていない場合は該当するエアナイフが吹き出しが抑制
された状態となって吹き出しが停止していることを表
す。基板は図2(a)中に矢印で示されるように右向き
に搬送される。
The air knives 9a, 9b, 9c and 9d include:
Valve mechanism 30 including on-off valves 30a, 30b with adjustable flow rate
Gas supply mechanism 31 composed of a gas and a dry gas supply source 29
Are connected via the air filters 32a and 32b. That is, the open / close valve 30a is connected to the air knives 9a and 9b, and the open / close valve 30b is connected to the air knives 9c and 9d. The dry gas supply mechanism 31, the exhaust blower 10, and the clean air flow introduction mechanism 13 are connected to a control device 33.
The operation is controlled by A sensor 38 for detecting the entry of the substrate into the position of the air knives 9a and 9c is provided on the upstream side of the air knifes 9a and 9c in the drying processing chamber 4 at the blowing position of the air knives 9a and 9c.
A sensor 4 for detecting the retreat of the substrate from the positions of the air knives 9b and 9d is provided downstream of the blowing position of the substrate d in the substrate traveling direction.
0 is provided. The sensors 38 and 40 are connected to the control device 33.
(Not shown) to transmit the detection result.
The control device 33 controls the valve mechanism 30 and the like with reference to the detection results of the sensors 38 and 40. The operation of the substrate processing apparatus will be described below with reference to FIG. FIG.
In each of (e), the arrow from the upper part to the lower part of the drying chamber 4 indicates the airflow by the clean airflow introducing mechanism 13, and the arrow from the lower part of the drying chamber 4 from the outlet 15. The two diagonally downward arrows on the upper middle stage of the drying chamber 4 indicate the airflows blown out to the air knives 9a and 9b, respectively, and the two diagonally upward arrows on the lower middle stage of the drying chamber 4 indicate the air knives, respectively. Arrows from 9c and 9d toward the top and downward from the top represent airflows blown out to the clean airflow introduction mechanism 13, and arrows corresponding to the airflows from the air knives 9a, 9b, 9c and 9d are not drawn. In this case, the corresponding air knife is in a state in which the blowing is suppressed and the blowing is stopped. The substrate is transported rightward as indicated by the arrow in FIG.

【0020】薬液処理装置によって薬液処理された基板
Wはローラコンベア1によって洗浄処理装置Bへ搬送さ
れ、ノズルNから供給される純水によって洗浄処理され
る。洗浄処理された基板Wは続いて乾燥処理装置Cへ搬
送される(図2(a))。乾燥処理装置Cにおいて、清
浄気流導入機構13は常時一定の風量の清浄気体を乾燥
処理室4内へ供給し、排気ブロア10は一定の風量を排
気するよう制御装置33によって制御されている。そし
て、基板Wが乾燥処理室4内にない間、すなわち図2
(a)に示すように基板不在の状態では、制御手段33
はエアナイフ9a,9bからの気体の吹き出しを行い、
エアナイフ9c,9dからの気体の吹き出しを停止する
ように、開閉弁30aを開き開閉弁30bを閉じるよう
に弁機構30を制御している。またこのとき、ダンパー
35は半開状態となるよう制御手段33によって制御さ
れている。このときのダンパー35の半開状態は、排気
路34から排気される風量が、清浄気流導入機構13か
ら供給される清浄気体の風量とエアナイフ9a,9bか
ら吹き出される風量との和とほぼ等しくなり、乾燥処理
室4内の圧力が、開口6を介して連通している洗浄処理
室2の圧力や、開口8を介して連通している乾燥処理室
4外の圧力と略同一になるように設定されている。この
ときエアナイフ9のうち、気体の吹き出し方向が下向き
であるエアナイフ9a,9bからのみ気体を吹き出して
いるので、このエアナイフ9a,9bからの気体の吹き
出しが乾燥処理室4内に形成されている清浄な下向きの
気流を乱すことは少ない。また、開口6や開口8からの
乾燥処理室4への気流の出入りはほとんどない。
The substrate W that has been subjected to the chemical treatment by the chemical treatment device is conveyed to the cleaning treatment device B by the roller conveyor 1 and is subjected to the cleaning treatment with pure water supplied from the nozzle N. The substrate W having been subjected to the cleaning processing is subsequently transported to the drying processing apparatus C (FIG. 2A). In the drying processing apparatus C, the clean air flow introduction mechanism 13 constantly supplies a clean gas having a constant air volume into the drying processing chamber 4, and the exhaust blower 10 is controlled by the control device 33 to exhaust a constant air volume. Then, while the substrate W is not in the drying processing chamber 4, that is, in FIG.
As shown in (a), when the substrate is absent, the control means 33
Performs blowing of gas from the air knives 9a and 9b,
The valve mechanism 30 is controlled so that the on-off valve 30a is opened and the on-off valve 30b is closed so as to stop the gas blowing from the air knives 9c and 9d. At this time, the damper 35 is controlled by the control means 33 so as to be in a half-open state. When the damper 35 is in the half-open state at this time, the amount of air exhausted from the exhaust path 34 is almost equal to the sum of the amount of clean gas supplied from the clean air flow introduction mechanism 13 and the amount of air blown out from the air knives 9a and 9b. So that the pressure in the drying chamber 4 is substantially the same as the pressure in the cleaning chamber 2 communicating through the opening 6 and the pressure outside the drying chamber 4 communicating through the opening 8. Is set. At this time, since the gas is blown out only from the air knives 9a and 9b of the air knives 9 whose gas blowout directions are downward, the gas blown out from the air knives 9a and 9b is cleaned in the drying processing chamber 4. It is unlikely to disturb the downward airflow. Further, there is almost no air flow into and out of the drying processing chamber 4 through the openings 6 and 8.

【0021】基板Wが乾燥処理室4内に搬入されてエア
ナイフ9a,9cの位置にさしかかり、センサ38によ
ってその存在が検出されると、制御装置33は弁機構3
0を制御して開閉弁30a,30bを共に開く。これに
より、乾燥気体がエアナイフ9a,9b,9c,9dへ
供給されてその前を通過中の基板Wに向けて噴き出さ
れ、これによって基板Wの両面に付着している純水が吹
き飛ばされ除去されるとともに、基板Wが乾燥される
(図2(b)(c))。また、制御装置33は乾燥気体
供給機構31を動作させるのと同時に、ダンパー35を
全開状態とするよう制御する。これにより、排気路34
を介して乾燥処理室4から排出される排気の単位時間当
たりの量が増大する。その増大量は、エアナイフ9c,
9dから乾燥処理室4内に供給される乾燥気体の量とほ
ぼ等しくなり、乾燥処理室4内の圧力が、開口6を介し
て連通している洗浄処理室2の圧力や、開口8を介して
連通している乾燥処理室4外の圧力と略同一になるよう
に設定されている。これにより、エアナイフ9c,9d
からの乾燥気体噴き出し時においても、開口6や開口8
からの乾燥処理室4への気流の出入りがほとんどない状
態が保たれる。基板Wがエアナイフ9b,9dの位置を
通過して乾燥処理室4から搬出されようとする際には、
センサ40は基板が通過したことを検出し、これによっ
て制御装置33はふたたび開閉弁30bを閉じ、気体の
吹き出し方向が上向きであるエアナイフ9c,9dへの
乾燥気体の供給を停止し、エアナイフ9c,9dからの
噴き出しが停止される(図2(d))。このときは図
(a)に示した状態と同様に、気体の吹き出し方向が下
向きであるエアナイフ9a,9bからのみ気体を吹き出
しているので、このエアナイフ9a,9bからの気体の
吹き出しが乾燥処理室4内に形成されている清浄な下向
きの気流を乱すことは少ない。また、制御装置33は乾
燥気体供給機構31の動作を停止させるのと同時に、ダ
ンパー35を半開状態とするよう制御する。これによ
り、排気路34を介して乾燥処理室4から排出される排
気の単位時間当たりの量が減少し、基板W搬入前と同じ
状態となる。これにより、開口6や開口8からの乾燥処
理室4への気流の出入りがほとんどない状態が保たれ
る。そして、次なる基板Wが乾燥処理室4内に搬入され
てエアナイフ9a,9cの位置にさしかかると、図2
(b)に示す状態と同様に乾燥気体がエアナイフ9a,
9b,9c,9dへ供給されてその前を通過中の基板W
に向けて噴き出される。
When the substrate W is carried into the drying processing chamber 4 and reaches the positions of the air knives 9a and 9c and the presence thereof is detected by the sensor 38, the control device 33 activates the valve mechanism 3
0 to open both the on-off valves 30a and 30b. As a result, the dry gas is supplied to the air knives 9a, 9b, 9c, 9d and is blown out toward the substrate W passing therethrough, whereby the pure water adhering to both surfaces of the substrate W is blown off and removed. Then, the substrate W is dried (FIGS. 2B and 2C). Further, the control device 33 controls the damper 35 to be fully opened at the same time when the dry gas supply mechanism 31 is operated. Thereby, the exhaust path 34
, The amount of exhaust air discharged from the drying processing chamber 4 per unit time increases. The increase amount is the air knife 9c,
From 9d, the amount of the dry gas supplied into the drying chamber 4 is substantially equal to the pressure of the cleaning chamber 2 communicating through the opening 6 and the pressure in the drying chamber 4 through the opening 8. The pressure is set so as to be substantially the same as the pressure outside the drying processing chamber 4 which is in communication. Thereby, the air knives 9c, 9d
Even when the dry gas is blown out from the opening 6 and the opening 8
Thus, a state where almost no airflow enters and exits from the drying processing chamber 4 is maintained. When the substrate W is to be carried out of the drying processing chamber 4 through the positions of the air knives 9b and 9d,
The sensor 40 detects that the substrate has passed, whereby the control device 33 closes the on-off valve 30b again, stops the supply of the dry gas to the air knives 9c, 9d whose gas blowing directions are upward, and the air knife 9c, The blowing from 9d is stopped (FIG. 2 (d)). At this time, the gas is blown only from the air knives 9a and 9b whose blowing direction is downward, as in the state shown in FIG. There is little disturbance to the clean downward airflow formed in 4. The control device 33 controls the damper 35 to be in a half-open state at the same time as stopping the operation of the dry gas supply mechanism 31. As a result, the amount of exhaust air discharged from the drying processing chamber 4 through the exhaust path 34 per unit time is reduced, and the state is the same as before the substrate W is loaded. As a result, a state where almost no airflow enters and exits the drying processing chamber 4 from the openings 6 and 8 is maintained. Then, when the next substrate W is carried into the drying processing chamber 4 and approaches the positions of the air knives 9a and 9c, FIG.
In the same manner as in the state shown in FIG.
Substrates W supplied to 9b, 9c, 9d and passing therethrough
Spouted towards.

【0022】このように、基板Wがエアナイフ9の位置
に存在している間にはエアナイフ9a,9b,9c,9
dからの気体の吹き付けを行い、エアナイフ9の位置に
存在していない間には、上向きのエアナイフ9c,9d
からの気体の供給を停止しているので、清浄気流導入機
構13によって乾燥処理室4内に形成されている清浄な
下向きの気流が乱されることはなく、乾燥処理室4内の
雰囲気の置換が円滑に行われ、清浄度合いを高く保つこ
とができる。
As described above, while the substrate W is at the position of the air knife 9, the air knives 9a, 9b, 9c, 9
d, the air knives 9c and 9d are directed upward while they are not at the position of the air knife 9.
Is stopped, the clean downward airflow formed in the drying chamber 4 is not disturbed by the clean airflow introduction mechanism 13, and the atmosphere in the drying chamber 4 is replaced. Is performed smoothly, and the degree of cleanliness can be kept high.

【0023】さらに、制御装置33はエアナイフ9a,
9b,9c,9dからの気体の吹き付け動作に伴って、
ダンパー35を切換制御して、エアナイフ9a,9b,
9c,9dからの気体の吹き付け動作の有無にかかわら
ず開口6や開口8からの乾燥処理室4への気流の出入り
がほとんどない状態に保つようにしているので、より円
滑に雰囲気の置換を行え、また乾燥処理室4周囲の気流
を乱したりすることがない。
Further, the control device 33 controls the air knife 9a,
With the blowing operation of the gas from 9b, 9c, 9d,
By switching the damper 35, the air knives 9a, 9b,
Irrespective of the operation of blowing gas from 9c and 9d, the airflow into and out of the drying processing chamber 4 from the opening 6 and the opening 8 is kept almost non-existent, so that the atmosphere can be replaced more smoothly. Further, the air flow around the drying processing chamber 4 is not disturbed.

【0024】なお、上記実施形態では、センサ38,4
0をエアナイフ9の位置近傍に設けて基板Wがエアナイ
フ9の吹き出し位置に存在しているか否かを検出してい
るので、基板Wの不在を正確に検出できて気体の吹き出
しの抑制をより確実に行うことができ、また必要な解き
のみ気体を吹き出すことができて低コストである。な
お、それらセンサを開口6,8の近傍に設けて、基板W
が乾燥処理室4内に存在しているか否かを検出して制御
する構成でもよい。かかる構成では、乾燥処理室4内に
おける基板Wの有無を確実に検出できて、それにより気
体の吹き出しの抑制をより確実に行える。
In the above embodiment, the sensors 38, 4
0 is provided near the position of the air knife 9 to detect whether or not the substrate W is at the position where the air knife 9 blows out. Therefore, the absence of the substrate W can be accurately detected, and the suppression of gas blowing can be more reliably achieved. In addition, the gas can be blown out only for the necessary solution and the cost is low. Note that these sensors are provided in the vicinity of the openings 6 and 8 so that the substrate W
May be configured to detect and control whether or not is present in the drying processing chamber 4. With such a configuration, the presence or absence of the substrate W in the drying processing chamber 4 can be reliably detected, and thereby, the suppression of gas blowing can be more reliably performed.

【0025】また、この実施形態では、制御装置33
が、エアナイフ9c,9dの吹き付け位置に、吹き付け
対象となる基板Wが不在の際において、エアナイフ9
c,9dによる上方に向けた気体の吹き出しを停止する
ように抑制し、他方エアナイフ9a,9bによる下方に
向けた気体の吹き出しを抑制しない。そのため、エアナ
イフ9a,9bからの気体によって乾燥処理室4内によ
り積極的に下降気流を形成できるので、より短時間で雰
囲気を置換して乾燥処理室4外へ排出できる。
In this embodiment, the control device 33
However, when the substrate W to be sprayed is not present at the spray position of the air knives 9c and 9d, the air knife 9
It suppresses the upward blow of the gas by c and 9d to be stopped, and does not suppress the downward blow of the gas by the air knives 9a and 9b. For this reason, the gas from the air knives 9a and 9b can more positively form a descending airflow in the drying processing chamber 4, so that the atmosphere can be replaced in a shorter time and discharged to the outside of the drying processing chamber 4.

【0026】また、上記実施形態の変形例として、制御
装置33が、エアナイフ9c,9dの吹き付け位置に、
吹き付け対象となる基板Wが不在の際において、エアナ
イフ9c,9dによる上方に向けた気体の吹き出しを停
止するように抑制し、同時にエアナイフ9a,9bによ
る下方に向けた気体の吹き出しをも停止するように抑制
する構成とすることができる。この変形例の基板処理装
置の動作を図3に示す。図3(a)〜(e)はそれぞれ
図2(a)〜(e)に対応する。この場合、吹き付け対
象となる基板Wが存在していない場合に積極的に下降気
流を形成することはないが、上方に向けた気体の吹き出
しは停止されており、乾燥処理室4の気流を乱すことが
なく雰囲気を円滑に置換できて清浄度が高く、かつ気体
消費量をより低減できてより低コストで処理ができる。
As a modification of the above embodiment, the control device 33 moves the air knives 9c and 9d to the spray positions.
When the substrate W to be sprayed is absent, the upward blowing of gas by the air knives 9c and 9d is suppressed to be stopped, and the downward blowing of gas by the air knives 9a and 9b is simultaneously stopped. Can be configured to be suppressed. FIG. 3 shows the operation of the substrate processing apparatus of this modification. FIGS. 3A to 3E correspond to FIGS. 2A to 2E, respectively. In this case, when the substrate W to be sprayed does not exist, a downward airflow is not actively formed, but the upward blowing of the gas is stopped, and the airflow in the drying processing chamber 4 is disturbed. The atmosphere can be replaced smoothly, the cleanliness can be increased, the gas consumption can be further reduced, and the processing can be performed at lower cost.

【0027】さらに、他の変形例として、1段目のエア
ナイフ9a,9cと2段目のエアナイフ9b,9dとを
それぞれ別々に制御できるように構成することもでき
る。この場合、基板Wの後端が1段目のエアナイフ9
a,9cを通過したときにエアナイフ9cの吹き出しを
抑制し、続いて基板Wの後端が2段目のエアナイフ9
b,9dを通過したときにエアナイフ9dの吹き出しを
抑制することができる。かかる構成によれば、基板の処
理タクトタイムが短く、基板の搬送時間間隔が短く、基
板と基板との距離が短い場合においても、エアナイフ9
の吹き出し抑制の時間を確保することができ、このよう
な場合においても処理コストを低減することができる。
また、さらに別の変形例として、基板Wの後端が1段目
のエアナイフ9a,9cを通過したときにエアナイフ9
a,9cの両方の吹き出しを抑制し、続いて基板Wの後
端が2段目のエアナイフ9b,9dを通過したときにエ
アナイフ9b,9dの両方の吹き出しを抑制する構成で
もよい。
Further, as another modification, the first-stage air knives 9a and 9c and the second-stage air knives 9b and 9d can be separately controlled. In this case, the rear end of the substrate W is the first-stage air knife 9.
a, 9c, the blowing of the air knife 9c is suppressed.
When the air knife 9d passes through the air knife 9d, the blowing of the air knife 9d can be suppressed. According to this configuration, even when the processing tact time of the substrate is short, the transport time interval of the substrate is short, and the distance between the substrate and the substrate is short, the air knife 9 can be used.
Can be secured, and the processing cost can be reduced even in such a case.
As still another modification, when the rear end of the substrate W passes through the first-stage air knives 9a and 9c, the air knife 9
A configuration may be adopted in which both blowing out of both the air knives 9b and 9d are suppressed when the rear end of the substrate W passes through the second-stage air knives 9b and 9d.

【0028】さらに、上記実施形態ではエアナイフ9か
らの吹き出しの抑制を、気体の吹き出しを完全に停止さ
せることによって実現していたが、例えば、乾燥処理室
4内で清浄気流導入機構13から排気口15に向けて形
成される下降気流を実質的に乱さない程度まで、気体の
吹き出し量を実質的に低減することによっても実現する
ことができる。
Further, in the above embodiment, the suppression of the blowing from the air knife 9 is realized by completely stopping the blowing of the gas. It can also be realized by substantially reducing the amount of gas blown out to a level that does not substantially disturb the descending airflow formed toward 15.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る基板処理装置によれば、処理室の気流を乱すこと
がなく雰囲気を円滑に置換できて清浄度が高く、かつコ
ストアップを生じることがない基板処理装置を提供でき
る。
As is apparent from the above description, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the atmosphere can be replaced smoothly without disturbing the airflow in the processing chamber, the cleanliness is high, and the cost is increased. It is possible to provide a substrate processing apparatus that does not generate any.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る基板処理装置の要部の
概略構成を示す模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of a main part of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態に係る基板処理装置の動作を
説明する模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view illustrating an operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施形態の変形例に係る基板処理装置
の動作を説明する模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view illustrating an operation of a substrate processing apparatus according to a modification of the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W・・・基板 3・・・室構成体 4・・・乾燥処理室 9a,9b,9c,9d ・・・エアナイフ 10・・・排気ブロア 13・・・清浄気流導入機構 33・・・制御装置 35・・・ダンパー W ... Substrate 3 ... Chamber structure 4 ... Drying processing chamber 9a, 9b, 9c, 9d ... Air knife 10 ... Exhaust blower 13 ... Clean air flow introduction mechanism 33 ... Control device 35 ・ ・ ・ Damper

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 572B Fターム(参考) 3L113 AA02 AB02 AC31 AC35 AC48 AC50 AC54 AC67 BA34 CA20 CB23 DA24 5F031 CA02 CA05 CA07 FA01 FA02 FA04 GA53 JA01 JA22 NA02 NA16 5F046 LA07 LA14 MA05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 572B F-term (Reference) 3L113 AA02 AB02 AC31 AC35 AC48 AC50 AC54 AC67 BA34 CA20 CB23 DA24 5F031 CA02 CA05 CA07 FA01 FA02 FA04 GA53 JA01 JA22 NA02 NA16 5F046 LA07 LA14 MA05

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を処理する処理室を構成する室構成
体と、 処理室の上部から処理室内に気流を導入する気流導入機
構と、 処理室の下部から処理室内の雰囲気を排出する排出機構
と、 処理室内で基板を保持する保持手段と、 前記処理室内の基板の上面に向けて上方から下方に気体
を吹き出す第1吹き出し機構と、 前記処理室内の基板の下面に向けて下方から上方に気体
を吹き出す第2吹き出し機構と、 少なくとも前記第2吹き出し手段を制御する制御手段と
を備え、 前記制御手段は、前記第2吹き出し機構の吹き付け対象
となる基板が不在の際に、前記第2吹き出し機構による
上方に向けた気体の吹き出しを抑制するように制御する
ものであることを特徴とする基板処理装置。
1. A chamber constituting a processing chamber for processing a substrate, an airflow introducing mechanism for introducing an airflow from an upper part of the processing chamber into the processing chamber, and a discharging mechanism for discharging an atmosphere in the processing chamber from a lower part of the processing chamber. Holding means for holding the substrate in the processing chamber, a first blowing mechanism for blowing gas downward from above toward the upper surface of the substrate in the processing chamber, and upward from below toward the lower surface of the substrate in the processing chamber. A second blowing mechanism for blowing gas; and control means for controlling at least the second blowing means, wherein the control means controls the second blowing when the substrate to be blown by the second blowing mechanism is absent. A substrate processing apparatus that controls so as to suppress upward blowing of gas by a mechanism.
【請求項2】前記制御手段は、前記第1吹き出し機構を
制御する機能をさらに有し、前記第2吹き出し機構の吹
き付け対象となる基板が不在の際に、前記第1吹き出し
機構による下方に向けた気体の吹き出しを抑制しないよ
う制御するものである請求項1記載の基板処理装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein said control means has a function of controlling said first blow-out mechanism. When there is no substrate to be blown by said second blow-out mechanism, said control means is directed downward by said first blow-out mechanism. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus controls so as not to suppress blowing of the gas.
【請求項3】前記制御手段は、前記第1吹き出し機構を
制御する機能をさらに有し、前記第2吹き出し機構の吹
き付け対象となる基板が不在の際に、前記第1吹き出し
機構による下方に向けた気体の吹き出しをも抑制するも
のである請求項1記載の基板処理装置。
3. The control device according to claim 1, further comprising a function of controlling the first blowing mechanism, wherein when the substrate to be blown by the second blowing mechanism is absent, the first blowing mechanism is directed downward by the first blowing mechanism. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the blowout of the generated gas is suppressed.
【請求項4】前記基板保持手段は、前記基板を保持しつ
つ所定方向に搬送する搬送機構を含むことを特徴とする
請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said substrate holding means includes a transport mechanism for transporting said substrate in a predetermined direction while holding said substrate.
【請求項5】前記第2吹き出し機構の近傍に設けられ、
前記吹き付け対象となる基板の不在を検出するセンサを
備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記
載の基板処理装置。
5. A device provided near the second blowing mechanism,
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a sensor that detects the absence of the substrate to be sprayed.
【請求項6】前記処理室に対して基板を搬入及び/又は
搬出するための開口が室構成体に形成されており、前記
吹き付け対象となる基板の不在を検出するセンサが前記
開口の近傍に設けられていることを特徴とする請求項1
乃至4のいずれかに基板処理装置。
6. An opening for loading and / or unloading a substrate to and from the processing chamber is formed in a chamber component, and a sensor for detecting the absence of the substrate to be sprayed is provided near the opening. 2. The device according to claim 1, wherein
A substrate processing apparatus.
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