JP2000266465A - Apparatus and method for drying substrate - Google Patents

Apparatus and method for drying substrate

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JP2000266465A
JP2000266465A JP11072157A JP7215799A JP2000266465A JP 2000266465 A JP2000266465 A JP 2000266465A JP 11072157 A JP11072157 A JP 11072157A JP 7215799 A JP7215799 A JP 7215799A JP 2000266465 A JP2000266465 A JP 2000266465A
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gas
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JP11072157A
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Inventor
Mitsuaki Yoshitani
光明 芳谷
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Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To remove a treating liquid adhered to a rear end of a substrate without increasing a total amount of gas supplied to an air knife, by increasably switching an amount of the gas flowing to a second main tube by a second flow switching means, and additionally supplying a reduced amount of the gas in the first tube to a second main tube. SOLUTION: A flow controller 4 receiving an OFF signal from a first sensor PS1 and an ON signal from a second sensor PS2 sets an opening/closing valve V11 to a closed state, an opening/closing valve V21 to an open state, and an opening/closing valve V22 to a closed state. As a result, a gas supplied from a gas supply source to a main supply tube and branched to a first main tube L1 is branched to a bypass tube L11, then again returned to the tube L1, and supplied to a first air knife AK1. Contrarily, a gas branched to a second main tube L2 side is supplied to a second air knife AK2 without branching to a bypass tube 21. Thus, splash of cleaning liquid scattered from a substrate W can be prevented from being invaded into the knife AK1.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示器用基板等のFPD(Flat Panel Display)用基板、フォトマスク用基板および半導体基板などの各種の基板に付着した処理液を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置および基板乾燥方法に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display FPD (Flat Panel Display) substrate dexterity substrate, drying the substrate to remove the processing solution adhering to various substrates such as a substrate and a semiconductor substrate for photomasks It relates to a substrate drying apparatus and a substrate drying method is.

【0002】 [0002]

【従来の技術】その主面に処理液が付着した基板を乾燥させる基板乾燥装置として、例えば実公平8―3001 2. Description of the Related Art As a substrate drying apparatus for drying a substrate processing liquid adhered to the main surface, for example the actual fair 8-3001
号公報に開示されたものが知られている。 Those disclosed in JP are known. この基板乾燥装置は、処理液である純水洗浄液が付着しローラコンベアによって搬送される基板の主面に、基板の搬送方向に沿って配置された2つのエアナイフから層状に気体を吹き付けることによって、基板の主面から純水洗浄液を吹き飛ばして除去し基板を乾燥させる。 The substrate drying device, the main surface of the substrate to the pure water cleaning solution is a process liquid is conveyed by attachment to the roller conveyor, by blowing a gas from the two air knife disposed along the conveying direction of the substrate in layers, the substrate was removed by blowing a pure water cleaning liquid from the main surface of the substrate and dried. また、上述の2つのエアナイフには給気ファンに流路接続された給気路から分岐した2つの分岐管がそれぞれ流路接続されている。 Further, the two air knife above two branch pipes branched from the air supply passage is the passage connected to the air supply fan are respectively connected flow paths. このように基板乾燥装置に給気ファンが設けられずに、上記の給気路が工場設備として設置された気体供給設備と流路接続される構成も一般的である。 Thus, without the air supply fan is provided on a substrate drying device, the aforementioned structure in which the air supply passage is installed gas supply system and the flow path connecting the plant facilities also common.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】上述の給気ファンまたは気体供給設備からの2つのエアナイフへの気体の供給量が十分でない場合に、基板の搬送方向における基板の後端部に付着した処理液を十分に除去できないという問題が発生する。 If [0005] the supply of gas to the two air knife from above of the air supply fan or gas supply facility is not sufficient, the treatment liquid attached to the rear end of the substrate in the transport direction of the substrate is a problem that can not be sufficiently removed. この問題を解決するために、基板乾燥装置に給気能力の高い給気ファンを設置することが考えられるが、装置コストが増大したり、装置が大型化するなどの別の問題が発生する。 To solve this problem, it is conceivable to install a high supply capability supply fan to the substrate drying apparatus, apparatus cost or increase, device different problems such as upsizing. また、気体供給設備からの基板乾燥装置への気体の供給量を増加させることも考えられるが、この場合は、液晶表示器などの製品を生産する上での製品コストが増大するなどの別の問題が発生する。 Further, to the substrate drying apparatus from the gas supply equipment is also considered to increase the supply amount of gas, in this case, another such product cost in order to produce products such as a liquid crystal display device is increased problems.

【0004】本発明の目的は、上述のような点に鑑み、 An object of the present invention has been made in view of the points mentioned above,
給気ファンや気体供給設備などの気体供給源から2つのエアナイフに供給する気体の総量を増加させることなく、基板の後端に付着した処理液を十分に除去することのできる基板乾燥装置を提供することにある。 Without increasing the total amount of the two gases supplied to the air knife from the gas supply source such as the air supply fan and the gas supply system, provide a substrate drying device which can sufficiently remove the treatment solution attached on the rear end of the substrate It is to. また、本発明の別の目的は、気体供給源から少なくとも2つのエアナイフに供給する気体の総量を増加させることなく、 Another object of the present invention, without increasing the total amount of gas supplied to at least two air knives from the gas supply source,
基板の後端に付着した処理液を十分に除去することのできる基板乾燥方法を提供することにある。 And to provide a substrate drying method capable of sufficiently removing the treatment solution attached on the rear end of the substrate.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するために、請求項1に係る発明は、処理液が付着した基板の主面に気体を層状に吹き付けて基板を乾燥させる基板乾燥装置において、その主面に処理液が付着した基板をその主面に沿った所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、 To solve SUMMARY OF THE INVENTION The above object, the invention according to claim 1, the gas in the main surface of the substrate on which the treatment liquid has been deposited in the substrate drying apparatus for drying the substrate by blowing in layers, conveying means for conveying the substrate processing liquid adhered to the main surface in a predetermined conveying direction along the main surface,
搬送手段によって搬送される基板の主面に気体を層状に吹き付ける第1エアナイフと、第1エアナイフより前記搬送方向の下流側であって前記搬送方向における基板の長さ寸法よりも小さい寸法だけ離間した位置に配置され、搬送手段によって搬送される基板の前記主面に気体を層状に吹き付ける第2エアナイフと、気体供給源に流路接続された主供給管から分岐し、第1エアナイフに流路接続される第1主管と、第1主管に介設され第1主管に流れる気体の流量を切り替える第1流量切替手段と、 A first air knife which blows a gas in a layer on the main surface of the substrate transported by the transport means, were a downstream side of the transport direction from the first air knife spaced apart by a dimension smaller than the length of the substrate in the transport direction is disposed at a position, it splits the gas into the main surface of the substrate transported by the transport means and the second air knife which blows in layers, from the main supply pipe which is the channel connected to the gas source, the flow path connected to the first air knife a first main pipe that is, a first flow rate switching means for switching the flow rate of the gas flowing through the first main pipe interposed in the first main pipe,
前記主供給管から分岐し、第2エアナイフに流路接続される第2主管と、第2主管に介設され第2主管に流れる気体の流量を切り替える第2流量切替手段と、第1エアナイフによる気体の第1吹付け位置に対する基板の位置を検出する第1位置検出手段と、第2エアナイフによる気体の第2吹付け位置に対する基板の位置を検出する第2位置検出手段と、第1吹付け位置を前記基板の後端が通過したことを第1位置検出手段により検出してから、 Branched from the main supply pipe, and a second main pipe which is the flow path connected to the second air knife, and the second flow rate switching means for switching the flow rate of the gas flowing through the second main pipe interposed in the second main pipe, the first air knife a first position detecting means for detecting the position of the substrate relative to the first blowing position of the gas, and the second position detecting means for detecting the position of the substrate relative to the second blowing position of the gas by the second air knife, the first spray position from detection by the first position detecting means that the rear end of the substrate has passed,
第2吹付け位置を基板の後端が通過したことを第2位置検出手段により検出するまでの基板後端処理時間において、第1流量切替手段によって第1主管に流れる気体の量を減少させるとともに、第2流量切替手段によって第2主管に流れる気体の量を増加可能に切り替えて、第1 In the substrate rear processing time the second spray position to be detected by the second position detecting means that the rear end of the board has passed, along with reducing the amount of gas flowing through the first main pipe through the first flow switching means , the amount of gas flowing through the second main pipe through a second flow switching means is switched to be increased, the first
主管における気体の量の減少分を第2主管に追加供給する流量制御手段とを備えたことを特徴とする。 Characterized by comprising an additional supplying flow rate control means to decrease the amount of gas in the second main pipe in the main pipe.

【0006】また、請求項2に係る発明は、上記の第1 [0006] The invention according to claim 2, first the
流量切替手段が、第1主管に介設された第1主管開閉用バルブと、第1主管開閉用バルブを迂回するように第1 Flow rate switching means comprises a first main pipe opening and closing valve interposed in the first main pipe, so as to bypass the first main pipe opening and closing valve first
主管に流路接続され第1主管が流す気体の量より少ない量の気体を流す第1バイパス管とを有することを特徴とする。 And having a first bypass pipe to flow from the lower amount of gas the amount of gas the first main pipe is the channel connected to the main pipe shed.

【0007】さらに、請求項3に係る発明は、上記の第1バイパス管に第1バイパス管開閉用バルブが設けられていることを特徴とする。 Furthermore, the invention according to claim 3, characterized in that the first bypass pipe for opening and closing valve to the first bypass pipe described above is provided.

【0008】またさらに、請求項4に係る発明は、上記の第1流量切替手段が、第1主管に介設され第1主管に流れる気体の量を調節可能な第1流量調節バルブを有することを特徴とする。 [0008] Further, the invention according to claim 4, the first flow rate switching means described above, to have a first flow rate control valve capable of regulating the amount of gas flowing through the first main pipe interposed in the first main pipe the features.

【0009】また、請求項5に係る発明は、上記の第2 Further, according to Claim 5 invention, the second the
流量切替手段が、第2主管に介設された第2主管開閉用バルブと、第2主管開閉用バルブを迂回するように第2 Flow rate switching means, and a second main pipe opening and closing valve interposed in the second main pipe, so as to bypass the second main pipe opening and closing valve second
主管に流路接続され第2主管が流す気体の量より少ない量の気体を流す第2バイパス管とを有することを特徴とする。 And having a second bypass pipe to flow from the lower amount of gas the amount of the flow path connected to the main pipe gas the second main pipe shed.

【0010】さらに、請求項6に係る発明は、上記の第2バイパス管に第2バイパス管開閉用バルブが設けられていることを特徴とする。 Furthermore, the invention according to claim 6, characterized in that a second bypass pipe opening and closing valve provided in the second bypass pipe above.

【0011】またさらに、請求項7に係る発明は、上記の第2流量切替手段が、第2主管に介設され第2主管に流れる気体の量を調節可能な第2流量調節バルブを有することを特徴とする。 [0011] Further, the invention according to claim 7, said second flow rate switching means, having a second flow regulating valve adjustable amount of gas flowing through the second main pipe interposed in the second main pipe the features.

【0012】請求項8に係る発明は、気体供給源に流路接続された主供給管からそれぞれ分岐した少なくとも2 [0012] The invention according to claim 8, at least two branching respectively from a main supply pipe, which is the channel connected to the gas source
つの分岐管にそれぞれ流路接続され、基板の搬送方向における基板の長さ寸法よりも小さい寸法だけ互いに離間するとともに前記搬送方向に沿って配置された少なくとも2つのエアナイフによって、搬送される基板の主面に気体を層状にそれぞれ吹き付けて基板に付着した処理液を除去する基板乾燥方法において、搬送される基板の後端が前記搬送方向の上流側に配置された第1エアナイフによる気体の第1吹付け位置を通過し、前記基板の後端が第1エアナイフより下流側に配置された第2エアナイフによる気体の第2吹付け位置を通過するまでの間において、第1エアナイフへの気体の供給量を減少させて、 One of the connected flow path branch, by at least two air knives are arranged along the conveying direction with only separated from each other smaller than the length dimension of the substrate in the transport direction of the substrate, a main board to be conveyed in the substrate drying method for removing a treatment liquid gas to the surface attached to the substrate by spraying the respective layers, the first blowing gas by the first air knife the rear end of the substrate to be transported is placed on the upstream side in the transport direction passes Paste position, during the period until passing through the second blowing position of the gas by the second air knife the rear end of the substrate is arranged downstream of the first air knife, the supply amount of gas into the first air knife to reduce the,
この気体の量の減少分を第2エアナイフに追加供給して第2エアナイフからの気体の吐出量を増加させることを特徴とする。 And characterized in that the decrease in the amount of the gas to increase the discharge amount of the gas from the second air knife was additionally supplied to the second air knife.

【0013】また、請求項9に係る発明は、第1吹付け位置および第2吹付け位置が搬送される基板の主面上にあるときに、第1エアナイフからの気体の吐出量と第2 Further, according to the invention according to claim 9, when the first blowing position and a second spraying position is on the main surface of the substrate to be conveyed, the discharge amount of the gas from the first air knife and a second
エアナイフからの気体の吐出量とをほぼ同等とすることを特徴とする。 Characterized by the discharge amount of the gas from the air knife substantially equal.

【0014】さらに請求項10に係る発明は、搬送される基板の前端が第1吹付け位置を通過し、前記基板の前端が第2吹付け位置に達するまでの間において、第2エアナイフへの気体の供給量を減少させることを特徴とする。 Furthermore the invention according to claim 10, the front end of the substrate to be conveyed through the first spraying position, during the period until the front end of the substrate reaches a second blowing position, to a second air knife wherein the reducing the supply amount of the gas.

【0015】またさらに、請求項11に係る発明は、第2エアナイフへの気体供給量の減少分を第1エアナイフに追加供給して第1エアナイフからの気体の吐出量を増加させることを特徴とする。 [0015] Further, the invention according to claim 11, and characterized by increasing the discharge amount of the gas from the first air knife and additionally supplied decrease in gas supply to the second air knife to the first air knife to.

【0016】 [0016]

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described with reference to the accompanying drawings preferred embodiments of the present invention. 図1はこの発明の第1実施形態を示す模式図である。 Figure 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention. 図1において、基板洗浄装置1は、液晶表示器用の矩形状基板Wの主面に処理液である洗浄液を供給して基板Wを洗浄するものである。 In Figure 1, the substrate cleaning apparatus 1 is intended for cleaning a substrate W by supplying a cleaning liquid is a processing liquid to the main surface of the rectangular substrate W of the liquid crystal display dexterity. 基板乾燥装置2は、基板洗浄装置1によって洗浄された基板Wの主面に付着した洗浄液を除去するものである。 Apparatus for drying a substrate 2 is to remove the washing liquid adhered to the main surface of the cleaned substrate W by the substrate cleaning apparatus 1.

【0017】基板洗浄装置1には、洗浄液CLが供給される基板Wの周囲を覆う略箱型の洗浄槽11が設けられている。 [0017] substrate cleaning apparatus 1, the cleaning tank 11 of the substantially box-covering the periphery of the substrate W which cleaning liquid CL is supplied is provided. この洗浄槽11の上流側側面には、基板Wを洗浄槽11に搬入するための搬入口12が形成され、下流側側面には基板Wを洗浄槽11から搬出するための搬出口13が形成されている。 The upstream side of the cleaning tank 11, entrance 12 is formed for carrying the substrate W in the cleaning tank 11, carry-out port 13 for unloading the substrate W from the cleaning tank 11 on the downstream side surface is formed It is. また、洗浄槽11の底面は漏斗状であり、この底面中央付近には、基板Wに供給された洗浄液CLおよび洗浄槽11内の雰囲気を洗浄槽11 Further, the bottom surface of the cleaning tank 11 is funnel-shaped, in the vicinity of the center of the bottom, the cleaning tank 11 to the atmosphere in the cleaning liquid CL and cleaning tank 11 is supplied to the substrate W
外へ排出するための排出口14が形成されている。 Outlet 14 for discharging to the outside is formed.

【0018】洗浄槽11の内部には、基板Wをほぼ水平に支持しつつその主面に沿った搬送方向(図1において右方向)に例えば100cm/minの搬送速度で搬送する複数の搬送ローラ15が互いに平行に前記搬送方向に沿って配列されている。 The inside of the cleaning tank 11, a plurality of conveying rollers for conveying (1 right) conveying direction along the main surface while substantially horizontally support the substrate W at a conveying speed of, for example, 100 cm / min 15 are arranged along the conveying direction in parallel to each other. この複数の搬送ローラ15の上方には、基板Wの上側主面に洗浄液CLを供給する複数のノズル16が洗浄槽11に固定された図示しない取付部材によって配置されている。 The Above the plurality of conveying rollers 15 are arranged by attachment members (not shown) a plurality of nozzles 16 for supplying a cleaning liquid CL into the upper surface is fixed to the cleaning tank 11 of the substrate W. 各ノズル16には、基板洗浄装置1外に工場設備として設置された洗浄液供給源LSに流路接続された洗浄液供給管17が、それぞれ流路接続されている。 Each nozzle 16, the cleaning liquid supply pipe 17 which is the passage connected to the cleaning liquid supply source LS to the outer substrate cleaning apparatus 1 is installed as factory equipment, are respectively connected flow paths.

【0019】基板洗浄装置1の下流側には基板乾燥装置2が隣接配置されている。 [0019] On the downstream side of the substrate cleaning apparatus 1 is a substrate drying device 2 are adjacently disposed. 基板乾燥装置2は、乾燥処理される基板Wの周囲を覆う乾燥槽21を備えている。 Apparatus for drying a substrate 2 is provided with a drying tank 21 covering the periphery of the substrate W to be dried. この乾燥槽21の上流側側面は、洗浄槽11の下流側側面と当接している。 The upstream side of the drying tank 21 is in contact with the downstream side of the cleaning tank 11. また、乾燥槽21の上流側側面には、 Further, the upstream side surface of the drying tank 21,
乾燥槽12内に基板Wを搬入するための搬入口22が洗浄槽11の搬出口13と連通するように形成されている。 Entrance 22 for carrying the substrate W in the drying chamber 12 is formed so as to communicate with the outlet port 13 of the cleaning tank 11. 乾燥槽21の下流側側面には、乾燥槽21内から基板Wを搬出するための搬出口23が形成されている。 Downstream side of the drying tank 21, outlet port 23 for unloading the substrate W from the inside drying chamber 21 is formed. 乾燥槽21の底面は漏斗状であり、この底面中央付近には、基板Wから除去された洗浄液および乾燥槽21内の雰囲気を乾燥槽21外へ排出するための排出口24が形成されている。 Bottom of the drying chamber 21 is funnel-shaped, in the vicinity of the center of the bottom, discharge opening 24 for discharging the atmosphere in the cleaning liquid and the drying vessel 21 which is removed from the substrate W to the drying chamber 21 outside is formed .

【0020】乾燥槽21の内部には、基板Wをほぼ水平に支持しつつその主面に沿った搬送方向(図1において右方向)に例えば100cm/minの搬送速度で搬送する複数の搬送ローラ25が互いに平行に前記搬送方向に沿って配列されている。 [0020] in the interior of the drying chamber 21, a plurality of conveying rollers for conveying (1 right) conveying direction along the main surface while substantially horizontally support the substrate W at a conveying speed of, for example, 100 cm / min 25 are arranged along the conveying direction in parallel to each other. 複数の搬送ローラ25の上方には、第1エアナイフAK1および第2エアナイフAK Above the plurality of conveying rollers 25, the first air knife AK1 and second air knife AK
2が乾燥槽21の上部内面に固定された図示しない取付部材によって基板の搬送方向に沿って互いに平行に配置されている。 2 are arranged in parallel with each other along the conveying direction of the substrate by a mounting member (not shown) fixed to the upper inner surface of the drying tank 21. また、図1に示すように第1エアナイフA The first air knife A, as shown in FIG. 1
K1および第2エアナイフAK2は、鉛直方向に対して例えば10度から50度の範囲内で傾斜しているとともに、図4に示すように搬送方向と直交する方向に対して例えば5度から50度の範囲内で傾斜している。 K1 and the second air knife AK2, together with inclined within a range of 50 degrees for example 10 degrees with respect to the vertical direction, 50 degrees for example 5 degrees relative to a direction perpendicular to the conveying direction as shown in FIG. 4 It is inclined in the range of.

【0021】第1エアナイフAK1および第2エアナイフAK2は、同じ構造であり、搬送される基板Wの上主面と対向する先端には、基板の搬送方向と直交する基板の幅寸法よりも若干大きな長さ寸法を有するスリット状の吐出口が形成されている。 The first air knife AK1 and second air knife AK2 is the same structure, the tip facing upper main surface and the substrate W transported, a large slightly larger than the width dimension of the substrate perpendicular to the conveyance direction of the substrate slit-like discharge port having a length dimension is formed.

【0022】第1エアナイフAK1および第2エアナイフAK2には、基板乾燥装置21外に工場設備として設置された気体供給源ASに流路接続された主供給管LS [0022] The first air knife AK1 and second air knife AK2, apparatus for drying a substrate 21 outside the main supply pipe is the channel connected to the installed gas source AS as plant equipment LS
からそれぞれ分岐した第1主管L1、第2主管L2がそれぞれ流路接続されている。 The first main pipe L1, the second main pipe L2 are connected flow paths branching from each. 主供給管LSには、主供給管LS内を流れる気体を清浄にするフィルタFLが介設されている。 The main supply pipe LS, and the filter FL to the gas flowing through the main supply pipe LS clean is interposed.

【0023】第1主管L1および第2主管L2には流量切換部3が介設されている。 The flow rate switching unit 3 is interposed in the first main pipe L1 and a second main pipe L2. 流量切換部3は、第1主管L1に介設された第1流量切換部31と第2主管L2に介設された第2流量切換部32とから構成される。 Flow switching unit 3 is composed of a first flow switching unit 31 and the second flow switching unit 32 which is interposed in the second main pipe L2, which is interposed in the first main pipe L1. 第1 First
流量切換部31は、第1主管L1に介設された開閉バルブV11と、この開閉バルブV11を迂回するように第1主管L1に流路接続されたバイパス管L11を備えている。 Flow switching unit 31 is provided with a closing valve V11 which is interposed in the first main pipe L1, a bypass pipe L11 that is the channel connected to the first main pipe L1 to bypass the on-off valve V11. また、バイパス管L11には開閉バルブV12が介設されている。 Moreover, the opening and closing valve V12 is interposed in the bypass pipe L11.

【0024】バイパス管L11の配管径は、第1主管L The pipe diameter of the bypass pipe L11, the first main pipe L
1の配管径よりも小さく、その結果、バイパス管L11 Less than 1 of the pipe diameter, so that the bypass pipe L11
内を流れる気体の量は、第1主管L1内を流れる気体の量よりも少なくなる。 The amount of gas flowing through the inner is smaller than the amount of gas flowing through the first main pipe L1. 具体的には、第1主管L1は、例えば300L/min(リットル/分)以下の量の気体を流すことが可能であり、バイパス管L11は例えば1 Specifically, the first main pipe L1 is capable to flow, for example, 300L / min (liter / min) or less amount of gas, the bypass pipe L11 is, for example, 1
0L/min以下の量の気体を流すことが可能である。 It is possible to flow 0L / min following amounts of gases.

【0025】第2流量切換部32は、第2主管L2に介設された開閉バルブV21と、この開閉バルブV21を迂回するように第2主管L2に流路接続されたバイパス管L21を備えている。 The second flow switching unit 32 is provided with an opening and closing valve V21 which is interposed in the second main pipe L2, a bypass pipe L21 that is the passage connected to the second main pipe L2 to bypass the on-off valve V21 there. バイパス管L21には開閉バルブV22が介設されている。 Off valve V22 is interposed in the bypass pipe L21. バイパス管L21の配管径は、第2主管L2の配管径よりも小さく、その結果、バイパス管L21内を流れる気体の量は、第2主管L2内を流れる気体の量よりも少なくなる。 Pipe diameter of the bypass pipe L21 is smaller than the pipe diameter of the second main pipe L2, As a result, the amount of gas flowing through the bypass pipe L21 is smaller than the amount of gas flowing through the second main pipe L2. 具体的には、第2 More specifically, the second
主管L2は、例えば600L/min(リットル/分) Main L2, for example 600L / min (liter / min)
以下の量の気体を流すことが可能であり、バイパス管L It is possible to flow the following amounts of gas, the bypass pipe L
21は例えば300L/min以下の量の気体を流すことが可能である。 21 it is possible to flow the following amounts of gases e.g. 300L / min. 図1において、開閉バルブV11および開閉バルブV22はそれぞれ開状態であり、開閉バルブV12および開閉バルブV21は閉状態である。 In Figure 1, the opening and closing valve V11 and closing valve V22 are each open state, the opening and closing valve V12 and closing valve V21 is closed. なお、図1および後述する各図において、各バルブの開閉状態を明瞭にするために、開状態にあるバルブは黒塗りで図示され、閉状態にあるバルブは白抜きで図示されている。 Note that in each drawing Figure 1 and described below, for the sake of clarity the opening and closing states of the valves, the valve in the open state shown in black, the valve in the closed state is illustrated by a hollow.

【0026】第1エアナイフAK1による気体a1の吹付け位置である第1吹付け位置p1の下方および第2エアナイフAK2による気体a2の吹付け位置である第2 The second is a blowing position of the gas a2 by lower and second air knife AK2 first blowing position p1 is blowing position of the gas a1 by the first air knife AK1
吹付け位置p2の下方には、第1センサPS1および第2センサPS2が搬送方向に沿って配置されている。 Below the spraying position p2, the first sensor PS1 and second sensor PS2 are arranged along the conveying direction. 第1センサPS1および第2センサPS2は共に振り子式のセンサであり、支点を中心に揺動自在な振り子部とこの振り子部の変位を検出する検出部とから構成されている。 First sensor PS1 and second sensor PS2 are both sensor pendulum, and a central swingable pendulum portion fulcrum and a detection unit for detecting a displacement of the pendulum part. 直立状態にある振り子部が、搬送される基板Wの前端Fによって押し倒される位置に第1センサPS1および第2センサPS2の高さ位置が設定されている。 Pendulum part in the upright state, the height position of the first sensor PS1 and second sensor PS2 is set at a position that is pushed down by the front end F of the substrate W transported.

【0027】上述のように各センサPS1、PS2の高さ位置が設定されているので、搬送される基板Wの前端Fが、その自重によって直立状態にある各センサPS [0027] Since the height position of each sensor PS1, PS2 as described above is set, the front end F of the substrate W to be conveyed, each sensor PS in the upright state by its own weight
1、PS2の振り子部の先端と接触し振り子部を押し倒すことによって、各センサPS1、PS2の振り子部が支点を中心に傾斜し傾斜状態となる。 1, by pushing down the contact pendulum part with the tip of the pendulum part of PS2, pendulum part of the sensors PS1, PS2 is tilted inclined state about a fulcrum. この傾斜状態は、 This inclination state,
振り子部の先端が基板の下側主面に接触している間は維持される。 While the tip of the pendulum part is in contact with the lower principal surface of the substrate is maintained. 各検出部は、各振り子部の直立状態から傾斜状態への変位をそれぞれ検出し、基板Wの前端Fが各センサPS1、PS2上を通過したことをそれぞれ検出する。 Each detector, a displacement of the inclined state from the upright state of the pendulum part detects each respectively detect that the front end F of the substrate W has passed the respective sensors PS1, PS2 above.

【0028】また、基板Wの搬送に連れて、基板Wの後端Rが各センサPS1、PS2上を通過すると、各センサPS1、PS2の各振り子部の先端と基板Wの下側主面とが接触しなくなり、傾斜状態にある各振り子部がその自重によってそれぞれ直立状態に復帰する。 Further, as the conveyance of the substrate W, the rear end R of the substrate W passes each sensor PS1, PS2 upper and lower principal surface of the tip and the substrate W of each pendulum part of each sensor PS1, PS2 there is no longer in contact, the pendulum part is returned to the respective upright by its own weight in the inclined state. この傾斜状態から直立状態への各振り子部の変位を各検出部がそれぞれ検出し、基板Wの後端Rが各センサPS1、PS Each detector displacement of the pendulum part from the inclined state to the upright state is respectively detected, the rear end R are each sensor PS1 of the substrate W, PS
2上を通過したことをそれぞれ検出する。 That passes over 2 respectively detect.

【0029】第1センサPS1には、第1信号線SL1 [0029] The first sensor PS1, the first signal line SL1
の一方端が電気的に接続され、第2センサPS2には、 One end is electrically connected to the second sensor PS2,
第2信号線SL2の一方端が電気的に接続されている。 One end of the second signal line SL2 is electrically connected.
第1信号線SL1および第2信号線SL2の他方端はそれぞれ流量制御部4に電気的に接続されている。 The other end of the first signal line SL1 and the second signal line SL2 are respectively electrically connected to the flow control unit 4. 流量制御部4は、基板乾燥装置2などを統括的に制御するマイクロコンピュータを含む制御装置内に設けられている。 Flow control unit 4 is provided in the control unit including a microcomputer which generally controls the apparatus for drying a substrate 2.
流量制御部4は、第1センサPS1および第2センサP Flow control unit 4, the first sensor PS1 and second sensor P
S2から第1信号線SL1および第2信号線SL2を介して送信される信号に基づいて、各開閉バルブV11, From S2, based on a signal transmitted via the first signal line SL1 and the second signal line SL2, the opening and closing valves V11,
V12,V21,V22にその開閉動作を指示する信号を送信する。 V12, V21, and transmits a signal indicating the opening and closing operation to V22. 流量制御部4は、制御装置とは別個のロジック回路によって構成しても良い。 Flow control unit 4 may be configured by a separate logic circuit of the control device.

【0030】次に、上述の基板洗浄装置1および基板乾燥装置2の動作について説明する。 Next, the operation of the substrate cleaning apparatus 1 and the substrate drying apparatus 2 described above. 図1に示すように、 As shown in FIG. 1,
洗浄槽11の搬入口12から搬入された基板Wは、洗浄槽11内を複数の搬送ローラ15によってほぼ水平に支持されつつその主面に沿った方向に搬送される。 The substrate W carried from the carry-in port 12 of the cleaning tank 11 is conveyed to the cleaning tank 11 in a direction along the main surface while being supported substantially horizontally by a plurality of conveying rollers 15. 基板W The substrate W
が洗浄槽11内に搬入されたことを図示しないセンサが検知すると、洗浄液供給源LSから洗浄液供給管17を介して複数のノズル16にそれぞれ供給された洗浄液が、複数のノズル16の吐出口から搬送される基板Wの上側主面に向けてそれぞれ吐出される。 When but a sensor not shown that it has been carried into the cleaning tank 11 is detected, respectively supplied cleaning liquid to a plurality of nozzles 16 from the cleaning liquid supply source LS via the cleaning liquid supply pipe 17, the discharge port of the plurality of nozzles 16 respectively toward the upper surface of the substrate W transported is ejected. 複数のノズル1 A plurality of nozzles 1
6からそれぞれ吐出された洗浄液は、基板Wの上側主面に供給され、基板Wの上側主面が洗浄される。 Each discharged washing liquid from 6 is supplied to the upper surface of the substrate W, the upper surface of the substrate W is cleaned. 基板Wに供給され基板Wから流れ落ちた洗浄液は、排出口14から洗浄槽11外に排出される。 Washing liquid flowing down from the substrate W supplied to the substrate W is discharged to the outside cleaning tank 11 from the discharge port 14. 洗浄処理を終えた基板W The substrate W having been subjected to the cleaning process
は、搬出口13を介して基板乾燥装置2に向けて搬出される。 It is transported toward the substrate drying apparatus 2 through the outlet port 13.

【0031】基板洗浄装置1から搬出され、その上側主面に洗浄液が付着した基板Wは、搬入口22を介して基板乾燥装置2の乾燥槽21内に搬入される。 [0031] carried out from the substrate cleaning apparatus 1, the substrate W which cleaning liquid is attached to the upper major surface is carried into the drying tank 21 of the apparatus for drying a substrate 2 through the inlet port 22. 図2には、 In FIG. 2,
乾燥槽21内に搬入された基板Wの前端Fが第1吹付け位置p1に達する前の状態を示す模式図である。 Front end F of the loaded wafer W into the drying chamber 21 is a schematic view showing a state before reaching the first spraying position p1. また、 Also,
図4(a)は図2に示す状態を説明するための平面図である。 4 (a) is a plan view illustrating a state shown in FIG. 図2に示すように、基板Wの前端Fが第1吹付け位置p1に達する前においては、第1センサPS1および第2センサPS2の振り子部は共に直立状態である。 As shown in FIG. 2, before the front end F of the substrate W reaches the first spraying position p1 is the pendulum portion of the first sensor PS1 and second sensor PS2 are both upright.
このとき、第1センサPS1および第2センサPS2 At this time, the first sensor PS1 and second sensor PS2
は、振り子部が直立状態であることを示すOFF信号を第1信号線SL1および第2信号線SL2を介して流量制御部4にそれぞれ送信する。 The pendulum part transmits respectively an OFF signal through the first signal line SL1 and the second signal line SL2 to the flow control unit 4 indicating the upright. これらのOFF信号を受信した流量制御部4は、開閉バルブV11を開状態に、 Flow control unit 4 which received these OFF signals, the on-off valve V11 opened,
開閉バルブV12を閉状態に、開閉バルブV21を閉状態に、開閉バルブV22を開状態にするように各開閉バルブV11,V12,V21,V22に信号を送信する。 Off valve V12 closed, the opening and closing valve V21 closed, it sends a signal to each of the opening and closing valves V11, V12, V21, V22 to close valve V22 open.

【0032】流量制御部4からの信号を受けた開閉バルブV11は開状態に、開閉バルブV12は閉状態に、開閉バルブV21は閉状態に、開閉バルブV22は開状態となる。 The opening and closing valve V11 that receives a signal from the flow control unit 4 is in the open state, the opening and closing valve V12 is closed, the opening and closing valve V21 is closed, the opening and closing valve V22 is opened. その結果、気体供給源ASから主供給管LSに供給され、第1主管L1側に分岐した気体は、バイパス管L11へ分岐することなく第1エアナイフAK1に気体が供給される。 As a result, is supplied to the main supply pipe LS from the gas supply source AS, branched gas to the first main pipe L1 side, the gas is supplied to the first air knife AK1 without branching into the bypass pipe L11. また、第2主管L2側に分岐した気体は、バイパス管L21へ分岐した後、再び第2主管L2 Further, the gas branches to the second main pipe L2 side, after branching to the bypass pipe L21, again the second main pipe L2
に戻り第2エアナイフAK2に供給される。 It is supplied to the return second air knife AK2 on. 上述のように第1主管L1およびバイパス管L21は、300L/ The first main pipe L1 and the bypass pipe L21 as described above, 300L /
min以下の量の気体を流すことが可能であるので、気体供給源ASから主供給管LSに例えば600L/mi Since min it is possible to flow the following amounts of gas, the main supply pipe LS from the gas supply source AS e.g. 600L / mi
nの量の気体が供給されると、主供給管LSから第1主管L1側へ300L/minの量の気体が分岐し、第2 When n of the amount of gas is supplied, from main supply tube LS to the first main pipe L1 side of 300L / min the amount of gas is branched, the second
主管L2側へ300L/minの量の気体が分岐する。 Gas amounts to the main pipe L2 side 300L / min branches.
そして、第1エアナイフAK1および第2エアナイフA The first air knife AK1 and second air knife A
K2からそれぞれ同等量(約300L/min)の気体が吐出される。 Gases respectively equivalent amounts of K2 (about 300L / min) is ejected.

【0033】そして、複数の搬送ローラ25によって基板Wが搬送され、図1および図4(b)に示すように、 [0033] Then, the substrate W by a plurality of conveyance rollers 25 is conveyed, as shown in FIGS. 1 and 4 (b),
第1吹付け位置p1および第2吹付け位置p2が基板W The first spraying position p1 and the second blowing position p2 is the substrate W
の上側主面上に位置することとなる。 It is to be positioned on the upper major surface of. このとき、搬送される基板Wの搬送方向と直交する幅方向にわたって、各エアナイフAK1,AK2から搬送方向と逆方向に向けて層状に気体a1,a2がそれぞれ吹き付けられて、基板Wの上側主面に付着した洗浄液が主面上から搬送方向の上流側に向けて吹き飛ばされて除去される。 In this case, across the width direction perpendicular to the conveyance direction of the substrate W to be conveyed, by gas a1, a2 is blown respectively in layers toward in the direction opposite to the conveying direction from the air knife AK1, AK2, an upper major surface of the substrate W cleaning liquid adhering is removed blown toward the upstream side in the transport direction from the principal surface. また、各センサPS1,PS2の振り子部は共に傾斜状態となり、流量制御部4にそれぞれON信号が送信される。 Further, the pendulum portion of each sensor PS1, PS2 are both inclined state, respectively ON signal to the flow control unit 4 is transmitted. この状態においても各エアナイフAK1,AK2からそれぞれ同等量の気体が吐出される状態が継続される。 State gas respectively equal amounts from each air knife AK1, AK2 is discharged in this state is continued.

【0034】次に、図3および図4(c)に示すように基板Wの後端Rが第1吹付け位置p1を通過し、第2吹付け位置p2を通過するまでの基板後端処理時間における動作について説明する。 Next, the rear end R of the substrate W as shown in FIG. 3 and FIG. 4 (c) passing the first spray position p1, the substrate rear processing up through the second spraying position p2 for operation in the time described. この基板後端処理時間において、第1センサPS1の振り子部はその先端が基板Wの下側主面と接触していないのでその自重で直立状態に変位している。 In the substrate rear processing time, the pendulum of the first sensor PS1 has its front end is displaced upright under its own weight because it is not in contact with the lower principal surface of the substrate W. 第1センサPS1の検出部は振り子部が直立状態であることを検出し、第1センサPS1から流量制御部4にOFF信号が送信される。 Detection of the first sensor PS1 detects that the pendulum part is upright, OFF signal is transmitted from the first sensor PS1 to the flow control unit 4. 一方、第2センサPS2の振り子部はその先端が基板Wの下側主面と接触し続けているので傾斜状態を維持している。 On the other hand, the pendulum portion of the second sensor PS2 has its tip maintains the inclined state so continue to contact with the lower principal surface of the substrate W. 第2センサPS2の検出部は振り子部が傾斜状態であることを検出し、第2センサPS2から流量制御部4にON信号が送信される。 Detection of the second sensor PS2 detects that the pendulum portion is inclined state, ON signal is transmitted from the second sensor PS2 to the flow control unit 4.

【0035】第1センサPS1からOFF信号を、第2 [0035] The OFF signal from the first sensor PS1, second
センサPS2からON信号をそれぞれ受信した流量制御部4は、図3に示すように開閉バルブV11を閉状態に、開閉バルブV12を開状態に、開閉バルブV21を開状態に、開閉バルブV22を閉状態にそれぞれ設定する。 Flow control unit 4 from the sensor PS2 receives the ON signal, respectively, in the closed state the opening and closing valve V11 as shown in FIG. 3, the opening and closing valve V12 opened, the opening and closing valve V21 opened, the opening and closing valve V22 closed to set to the state. その結果、気体供給源ASから主供給管LSに供給され第1主管L1側に分岐した気体は、バイパス管L1 As a result, the gas is branched into the first main pipe L1 side is supplied to the main supply pipe LS from the gas supply source AS is bypass pipe L1
1に分岐した後、再び第1主管に戻り第1エアナイフA After branching to 1, the first air knife A return to the first main pipe again
K1に供給される。 It is supplied to the K1. これに対し、第2主管L2側に分岐した気体は、バイパス管21に分岐することなく第2エアナイフAK2に供給される。 In contrast, the gas which is branched into the second main pipe L2 side is supplied to the second air knife AK2 without branching to the bypass pipe 21. 上述のようにバイパス管L11は10L/min以下の量しか気体を流すことができないので、図3に示す状態では主供給管LSから第1主管L1側に分岐する気体の量は10L/minとなる。 Since the bypass pipe L11 as described above can not flow 10L / min following amounts only gas, the amount of gas that branches into the first main pipe L1 side from the main supply pipe LS in the state shown in FIG. 3 and 10L / min Become. これに対し、第2主管L2は600L/minの量の気体を流すことが可能であるので、第1主管L1での気体の減少分である290L/minが第2主管L2側に追加供給されて、第2主管L2内には590L/mi In contrast, the second main pipe L2 since it is possible to flow the gas in an amount of 600L / min, 290L / min is a decrease in the gas at the first main pipe L1 is additionally supplied to the second main pipe L2 side Te, the in the second main pipe L2 590L / mi
nの量の気体が流れる。 n of the amount of gas flows. そして、第1エアナイフAK1 Then, the first air knife AK1
からの気体の吐出量は約10L/minに減少し、第2 Discharge amount of the gas from is reduced to about 10L / min, the second
エアナイフAK2からの気体の吐出量は約590L/m Discharge amount of the gas from the air knife AK2 about 590L / m
inに増加する。 Increases in.

【0036】上述のように基板後端処理時間においては、基板Wの後端部に第2エアナイフAK2から多量に気体が吐出され、基板Wの後端部に付着した洗浄液が十分に除去される。 [0036] In the substrate rear processing time as described above, a large amount of gas is discharged from the second air knife AK2 to the rear end portion of the substrate W, the cleaning liquid adhering to the rear end portion of the substrate W is sufficiently removed . また、第1エアナイフAK1に供給する気体の量を減少させ、この減少分を第2エアナイフA Also, reducing the amount of gas supplied to the first air knife AK1, the decrease second air knife A
K2に追加供給するので、気体供給源ASから第1エアナイフAK1および第2エアナイフAK2に供給する気体の総量は例えば600L/minと一定である。 Since additional supply to K2, the total amount of gas supplied to the first air knife AK1 and second air knife AK2 from the gas supply source AS is constant, for example, 600L / min. さらに、第1エアナイフAK1から少量の気体が吐出されているので、第1エアナイフAK1内に基板Wから飛散した洗浄液の飛沫が第1エアナイフAK1内に浸入することを防止でき、第1エアナイフAK1が汚染されることによる基板の再汚染を防止できる。 Further, since a small amount of gas from the first air knife AK1 is discharged, it is possible to prevent the splash of cleaning solution scattered from the substrate W into the first air knife AK1 from entering into the first air knife AK1, the first air knife AK1 recontamination of the substrate due to contamination can be prevented.

【0037】基板後端処理時間は、基板Wの後端Rが第2吹付け位置p2を通過するまで継続される。 The substrate rear treatment time, the rear end R of the substrate W is continued so as to pass through a second spraying position p2. すなわち、図4(d)に示すように基板Wの後端Rが第2吹付け位置p2を通過すると、第2センサPS2の振り子部が基板Wの下側主面に接触しなくなるので、その自重で直立状態に変位する。 That is, the rear end R of the substrate W as shown in FIG. 4 (d) passes through the second spray position p2, since the pendulum portion of the second sensor PS2 is no longer in contact with the lower principal surface of the substrate W, the displaced in the upright state by its own weight. その結果、図2に示すように第1 As a result, first as shown in FIG. 2
センサPS1および第2センサPS2が共に直立状態となり、上述したように第1エアナイフAK1および第2 Sensor PS1 and second sensor PS2 is turned both upright, first air knife AK1 as described above and a second
エアナイフAK2からほぼ同等量(約300L/mi Almost the same amount from the air knife AK2 (about 300L / mi
n)の気体を吐出しつつ、図4(d)に示すように次に乾燥処理すべき基板W2を待機する状態となる。 While ejecting gas n), a state of waiting for substrate W2 to be next drying process as shown in FIG. 4 (d).

【0038】次に流量切換部3の変形例について図5を用いて説明する。 [0038] Next, a modification of the flow rate switching unit 3 will be described with reference to FIG. 図5において図1における符号と同じ符号が付されている部材は、図1に図示される部材と同じ部材を示し、その詳細な説明は省略する。 Member the same reference numerals as those in FIG 1 are given in Figure 5 shows the same members as shown in Figure 1, and detailed description thereof will be omitted. なお、図5 It should be noted that, as shown in FIG. 5
においてc1,c2,c3,c4は、第1主管L1および第2主管L2との各接続部である。 In c1, c2, c3, c4 are the connecting portions of the first main pipe L1 and a second main pipe L2.

【0039】図5(a)に示すように、バイパス管L1 As shown in FIG. 5 (a), the bypass pipe L1
2,L22に開閉バルブを設けず流量切換を開閉バルブV11,V21のみで行う構成でも良い。 2, L22-off valve a flow switch without providing an opening and closing valve V11, may be V21 performed only in the configuration. 具体的には、 In particular,
上述の基板後端処理時間(図4(c))において開閉バルブV11を閉状態とし、開閉バルブV21を開状態とする。 Close valve V11 are closed at the substrate rear processing time described above (FIG. 4 (c)), the opening and closing valve V21 opened. また、図4(a)(b)(d)に示す状態においては、開閉バルブV11を開状態とし、開閉バルブV2 In the state shown in FIG. 4 (a) (b) (d), on-off valve V11 opened, the opening and closing valve V2
1を閉状態とする。 1 in the closed state.

【0040】図5(b)に示すように、第1主管L1にバイパス管を設ける代わりに第1主管L1にスローリーク機能付のバルブV13を介設させても良い。 As shown in FIG. 5 (b), it may be interposed a valve V13 dated slow leak function to the first main pipe L1 instead of providing the bypass pipe to the first main pipe L1. バブル1 Bubble 1
3は閉状態において少量(例えば10L/min)の気体を流すことが可能なバルブである。 3 is a valve capable of supplying a gas of a small amount in the closed state (e.g., 10L / min). 具体的には、上述の基板後端処理時間(図4(c))においてバルブV1 Specifically, the valve V1 in the substrate rear processing time described above (FIG. 4 (c))
3を閉状態とし、開閉バルブV21を開状態に、開閉バルブ22を閉状態とする。 3 are closed, the opening and closing valve V21 opened, the opening and closing valve 22 closed. また、図4(a)(b) Further, FIG. 4 (a) (b)
(d)に示す状態においては、バルブV13を開状態とし、開閉バルブV21を閉状態に、開閉バルブ22を開状態とする。 In the state (d), the the valve V13 opened and the opening and closing valve V21 in the closed state, the opening and closing valve 22 opened.

【0041】図5(c)に示すように第1主管L1および第2主管L2にそれぞれ流量調節機能付のバルブ1 [0041] Figure 5 valves with each flow regulating function to the first main pipe L1 and the second main pipe L2 as shown in (c) 1
4,24をそれぞれ介設させても良い。 4, 24 may be each is interposed a. このバルブ1 The valve 1
4,24は、流量制御部4からの電気信号に基づいてバルブ14,24内のオリフィス径の開度を変更しバルブ14,24内を流れる気体の量を調節できるものである。 4, 24 is one that can adjust the amount of gas flowing through the change of the opening degree of the orifice diameter in the valve 14, 24 based on the electric signal from the flow control unit 4 within the valve 14, 24. 具体的には、上述の基板後端処理時間(図4 Specifically, the above-described substrate rear processing time (FIG. 4
(c))においてバルブ14内のオリフィス径が小さくなるように開度を変更し、バルブV24内のオリフィス径が大きくなるように開度を変更する。 (C)) and changing the opening as orifice diameter in the valve 14 decreases at, changing the opening as orifice diameter in the valve V24 is increased. また、図4 In addition, FIG. 4
(a)(b)(d)に示す状態においては、バルブV1 In the state shown in (a) (b) (d), the valve V1
4内のオリフィス径とバルブV24内のオリフィス径とが同等となるようにそれぞれの開度を変更する。 Orifice diameters of 4 and the orifice diameter in the valve V24 to change each opening such that the equivalent.

【0042】また、図3に示す第1実施形態で、基板後端処理時間において、開閉バルブ11,12を共に閉状態とし、第1エアナイフAK1からの気体の吐出を停止しても良い。 Further, in the first embodiment shown in FIG. 3, the substrate rear processing time, the opening and closing valve 11, 12 both closed, may be stopped discharge of the gas from the first air knife AK1.

【0043】次に、図6(a)に示すように基板Wの前端Rが第1吹付け位置p1を通過し、第2吹付け位置p Next, the front end R of the substrate W as shown in FIG. 6 (a) through the first spraying position p1, the second blowing position p
2を通過するまでの基板前端処理時間における変形例について説明する。 Modification in the substrate front processing time to pass through the 2 will be described. この基板前端処理時間において図6 Figure in the substrate front processing time 6
(b)に示すように開閉バルブ21,22を共に閉状態として第2エアナイフAK2からの気体の吐出を停止する。 (B) the opening and closing valve 21, 22 as shown in both stop the discharge of the gas from the second air knife AK2 as closed. そして、開閉バルブ11を開状態に、開閉バルブV Then, the opening and closing valve 11 in the open state, the opening and closing valve V
12を閉状態にして第2エアナイフAK2からのみ例えば約300L/minの量の気体を吐出する。 12 discharges the amount of gas, for example, only about 300L / min from the second air knife AK2 in the closed state.

【0044】また、図5(c)に示す流量切換部3を用いて、さらに第1主管L1の配管径および第2主管L2 [0044] Also, with a flow rate switching unit 3 shown in FIG. 5 (c), further pipe diameter and the second main pipe L2 of the first main pipe L1
の配管径を共に例えば600L/minの量の気体を流すことが可能な配管径に設定しても良い。 Of may be set to the pipe diameter capable pipe diameter both flow example 600L / min of the amount of gas. そして、バルブ24のオリフィス径を小さくしバルブ14のオリフィス径を大きくするようにバルブ24,14のオリフィスの開度をそれぞれ変更すると、第1主管L1には多量(例えば590L/min)の気体が流れ、第2主管L Then, changing each opening of the orifice of the valve 24, 14 so as to increase the orifice diameter of the smaller orifice diameter of the valve 24 the valve 14, the first main pipe L1 is a gas of a large amount (e.g., 590L / min) flow, the second main pipe L
2には少量(例えば10L/min)の気体が流れる。 Gas a small amount to 2 (e.g. 10L / min) flow.
その結果、第1エアナイフAK1からは多量の気体が基板Wの前端部に向けて吐出されて基板Wの前端部に付着した洗浄液が効率良く除去される。 As a result, the cleaning liquid from the first air knife AK1 a large amount of gas was attached to the front end portion of the substrate W is discharged toward the front end of the substrate W can be efficiently removed. また、第2エアナイフAK2から少量の気体が吐出され、第2エアナイフA Further, a small amount of gas discharged from the second air knife AK2, second air knife A
K2内の汚染が防止できる。 Contamination in the K2 can be prevented.

【0045】本発明は、上述の各実施形態に限定されるものではない。 [0045] The present invention is not limited to the embodiments described above. 例えば基板乾燥装置2によって基板Wの主面から除去する処理液は、現像液、エッチング液、剥離液等の各種の処理液でもよい。 For example, the processing liquid to be removed from the main surface of the substrate W by the substrate drying apparatus 2, the developing solution, the etching solution may be a variety of processing liquid stripper like. 上述の各実施形態においては、複数の搬送ローラ15,16によって基板Wは水平に支持されつつ搬送されるが、基板Wの搬送方向に向かって左右に傾斜させた傾斜姿勢で基板Wの主面に沿った方向に基板Wを搬送しても良い。 In the embodiments described above, although the substrate W by a plurality of conveying rollers 15, 16 are conveyed while supported horizontally, the main surface of the substrate W in an inclined position which is inclined to the left and right toward the conveying direction of the substrate W direction may transport the substrate W along the. この場合、各エアナイフAK1,AK2のスリット状の吐出口と基板Wの主面との間隔を一定にするために、各エアナイフを基板Wとそれぞれ平行に設置するのが好ましい。 In this case, the distance between the main surfaces of each air knife AK1, slit-shaped discharge port of AK2 and the substrate W in order to maintain a constant, preferably placed each air knife parallel to respectively the substrate W. また、基板の主面に沿って鉛直方向に基板を搬送させても良い。 Also, it may be transported to the substrate in a vertical direction along the main surface of the substrate. さらに、各エアナイフAK1,AK2が基板Wの搬送方向と直交する方向と平行に配置しても良い。 Furthermore, each air knife AK1, AK2 may be arranged parallel to the direction perpendicular to the conveyance direction of the substrate W. また、各エアナイフAK1,AK2を搬送方向と直交する方向に対し、互いに異なる方向に傾斜させて、平面視でハの字状に配置しても良い。 Further, with respect to a direction perpendicular to the conveying direction of the air knife AK1, AK2, is inclined in different directions, it may be disposed in the form of the slanted roof in plan view. さらに、各エアナイフAK1,AK In addition, each air knife AK1, AK
2を基板Wの下主面側に配置して下側主面に付着した処理液を除去する構成でも良いし、両主面側にそれぞれ配置する構成でも良い。 2 to the may be configured to remove the treatment solution attached on the lower major surface disposed on the lower major surface of the substrate W, it may be configured to respectively disposed on both main surfaces side. 気体供給源ASとして例えば給気ファンなどを基板乾燥装置2に設置しても良い。 And a gas supply source AS for example an air supply fan or the like may be provided on a substrate drying device 2. また、 Also,
各センサPS1,PS2は光学式のセンサでも良い。 Each sensor PS1, PS2 may be an optical sensor. 乾燥処理する基板は略円形の半導体ウエハでも良い。 Substrate drying process may be a generally circular semiconductor wafer.

【0046】 [0046]

【発明の効果】以上詳細に説明した如く、請求項1または請求項8に係る発明によれば、基板後端処理時間において、第1エアナイフに供給する気体の量を減少させ、 As it has been described [Effect Invention above in detail, according to the invention according to claim 1 or claim 8, in the substrate rear processing time, reduces the amount of gas supplied to the first air knife,
この気体の量の減少分を第2エアナイフに追加供給して第2エアナイフからの吐出量を増加させることができるので、第1エアナイフおよび第2エアナイフに供給する気体の総量を増加させることなく、基板の後端部に付着した処理液を十分に除去することができる。 Since the decrease in the amount of the gas can be increased discharge amount from the second air knife was additionally supplied to the second air knife, without increasing the total amount of gas supplied to the first air knife and a second knife, the treatment solution attached on the rear end portion of the substrate can be sufficiently removed.

【0047】また請求項2から請求項7のいずれかに係る発明によれば、第1エアナイフおよび第2エアナイフへの気体の供給量を簡単な構成で切り替えることができる。 [0047] According to the invention of claim 2 according to claim 7, it is possible to switch the supply amount of gas into the first air knife and second air knife with a simple configuration.

【0048】さらに請求項9に係る発明によれば、第1 [0048] Further, according to the invention according to claim 9, first
吹付け位置および第2吹付け位置が基板の主面上にあるときに、第1エアナイフおよび第2エアナイフからの気体の吐出量をほぼ同等とすることができるので、均一な乾燥処理が可能となる。 When spraying position and a second spraying position is on the main surface of the substrate, it is possible to substantially equalize the discharge rate of the gas from the first air knife and second air knife, it can be uniformly dried and Become.

【0049】またさらに、請求項10に係る発明によれば、第1吹付け位置のみが基板の主面上にあるときに第2エアナイフへの気体の供給量を減少させるので、気体の使用量が減少し、製品の生産コストを削減できる。 [0049] Furthermore, according to the invention according to claim 10, since only the first spraying position reduces the supply amount of gas into the second air knife when in the on the main surface of the substrate, the amount of gas but reduced, it is possible to reduce the production cost of the product.

【0050】さらに請求項11に係る発明によれば、第2エアナイフへの気体供給量の減少分を第1エアナイフに供給し第1エアナイフからの気体の吐出量を増加させることができるので、第1エアナイフおよび第2エアナイフに供給する気体の総量を増加させることなく、第1 [0050] Further, according to the invention according to claim 11, it is possible to increase the discharge amount of the gas from the first air knife supplies a decrease in gas supply to the second air knife to the first air knife, the without increasing the total amount of gas supplied to a air knife and a second air knife, first
エアナイフによって基板の前端部に付着した処理液の除去効率が向上できる。 Removal efficiency of the processing liquid adhering to the front end portion of the substrate by an air knife can be improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の第1実施形態を示す模式図である。 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】第1実施形態において第1吹付け位置に基板の前端が到達する前の状態を示す模式図である。 2 is a schematic view showing a state before the front end of the substrate to a first spraying position in the first embodiment reaches.

【図3】第1実施形態において基板後端処理時間の状態を示す模式図である。 3 is a schematic view showing a state of the substrate rear processing time in the first embodiment.

【図4】第1実施形態において、各吹付け位置と基板との位置関係を説明するための平面図である。 [4] In the first embodiment, it is a plan view illustrating the positional relationship between each spraying position and the substrate.

【図5】流量切換部の変形例を示す模式図である。 5 is a schematic diagram showing a modification of the flow switching unit.

【図6】基板前端処理時間における変形例を説明するための説明図である。 6 is an explanatory diagram for explaining a modified example of the substrate front processing time.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板洗浄装置 2 基板乾燥装置 3 流量切換部 4 流量制御部 15、25 搬送ローラ W,W1,W2 基板 AK1 第1エアナイフ AK2 第2エアナイフ AS 気体供給源 LS 主供給管 L1 第1主管 L11,L12,L21,L22 バイパス管 L2 第2主管 p1 第1吹付け位置 p2 第2吹付け位置 PS1 第1センサ PS2 第2センサ V11,V12,V21,V22 開閉バルブ V13,V14,V24 バルブ F 基板の前端 R 基板の後端 1 substrate cleaning apparatus 2 substrate drying device 3 flow converter 4 flow rate control units 15 and 25 conveying roller W, W1, W2 substrate AK1 first air knife AK2 second air knife AS gas source LS main supply pipe L1 first main pipe L11, L12 , L21, L22 bypass pipe L2 second main pipe p1 first blowing position p2 second blowing position PS1 first sensor PS2 second sensor V11, V12, V21, V22-off valve V13, V14, V24 valve F front end of the substrate R the rear end of the substrate

Claims (11)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】処理液が付着した基板の主面に気体を層状に吹き付けて基板を乾燥させる基板乾燥装置において、 その主面に処理液が付着した基板をその主面に沿った所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、 搬送手段によって搬送される基板の主面に気体を層状に吹き付ける第1エアナイフと、 第1エアナイフより前記搬送方向の下流側であって前記搬送方向における基板の長さ寸法よりも小さい寸法だけ離間した位置に配置され、搬送手段によって搬送される基板の前記主面に気体を層状に吹き付ける第2エアナイフと、 気体供給源に流路接続された主供給管から分岐し、第1 1. A gas to the main surface of the substrate on which the treatment liquid has been deposited in the substrate drying apparatus for drying the substrate by blowing in layers, transports the substrate processing liquid adhered to the main surface of a predetermined along its main surface conveying means and the length of the substrate in the first air knife and said conveying direction a downstream side of the transport direction from the first air knife which blows a gas in a layer on the main surface of the substrate transported by the transport means for transporting direction is disposed at a position spaced apart by a dimension smaller than the dimension branches a gas to the major surface of the substrate transported by the transport means and the second air knife which blows in layers, from the main supply pipe which is the channel connected to the gas source , the first
    エアナイフに流路接続される第1主管と、 第1主管に介設され第1主管に流れる気体の流量を切り替える第1流量切替手段と、 前記主供給管から分岐し、第2エアナイフに流路接続される第2主管と、 第2主管に介設され第2主管に流れる気体の流量を切り替える第2流量切替手段と、 第1エアナイフによる気体の第1吹付け位置に対する基板の位置を検出する第1位置検出手段と、 第2エアナイフによる気体の第2吹付け位置に対する基板の位置を検出する第2位置検出手段と、 第1吹付け位置を前記基板の後端が通過したことを第1 A first main pipe which is the passage connected to the air knife, a first flow rate switching means for switching the flow rate of the gas flowing through the first main pipe interposed in the first main pipe, branched from the main supply pipe, the flow path to the second air knife detecting a second main pipe that is connected, a second flow rate switching means for switching the flow rate of the gas flowing through the second main pipe interposed in the second main pipe, the position of the substrate relative to the first blowing position of the gas by the first air knife a first position detecting means, and the second position detecting means for detecting the position of the substrate relative to the second blowing position of the gas by the second air knife, that the first blowing position a rear end of the substrate has passed through the first
    位置検出手段により検出してから、第2吹付け位置を基板の後端が通過したことを第2位置検出手段により検出するまでの基板後端処理時間において、第1流量切替手段によって第1主管に流れる気体の量を減少させるとともに、第2流量切替手段によって第2主管に流れる気体の量を増加可能に切り替えて、第1主管における気体の量の減少分を第2主管に追加供給する流量制御手段と、 From the detection by the position detecting means, the substrate rear processing time that the second blowing position a rear end of the substrate has passed to the detection by the second position detecting means, the first main pipe through the first flow switching means in conjunction with reducing the amount of gas flowing, the amount of gas flowing through the second main pipe through a second flow switching means is switched to be increased, adding to supply flow rate decrease of the amount of gas in the first main pipe to the second main pipe and control means,
    を備えたことを特徴とする基板乾燥装置。 Substrate drying apparatus comprising the.
  2. 【請求項2】第1流量切替手段が、第1主管に介設された第1主管開閉用バルブと、第1主管開閉用バルブを迂回するように第1主管に流路接続され第1主管が流す気体の量より少ない量の気体を流す第1バイパス管とを有することを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥装置。 2. A first flow switching means comprises a first main pipe opening and closing valve interposed in the first main pipe, the flow path connected to the first main pipe to the first main pipe to bypass the first main pipe opening and closing valve substrate drying device according to claim 1, characterized in that it comprises a first bypass pipe to flow from the lower amount of gas the amount of gas is flowed.
  3. 【請求項3】第1バイパス管に第1バイパス管開閉用バルブが設けられていることを特徴とする請求項2に記載の基板乾燥装置。 3. A substrate drying apparatus according to claim 2 in which the first bypass pipe for opening and closing valve in the first bypass pipe, characterized in that it is provided.
  4. 【請求項4】第1流量切替手段が、第1主管に介設され第1主管に流れる気体の量を調節可能な第1流量調節バルブを有することを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥装置。 4. A first flow switching means, the substrate of claim 1, characterized in that it comprises a first flow regulating valve adjustable amount of gas flowing through the first main pipe interposed in the first main pipe drying apparatus.
  5. 【請求項5】第2流量切替手段が、第2主管に介設された第2主管開閉用バルブと、第2主管開閉用バルブを迂回するように第2主管に流路接続され第2主管が流す気体の量より少ない量の気体を流す第2バイパス管とを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板乾燥装置。 Wherein the second flow switching means, and a second main pipe opening and closing valve interposed in the second main pipe, the flow path connected to the second main pipe to the second main pipe to bypass the second main pipe opening and closing valve substrate drying apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a second bypass pipe to flow less amount of gas than the amount of gas flowing is.
  6. 【請求項6】第2バイパス管に第2バイパス管開閉用バルブが設けられていることを特徴とする請求項5に記載の基板乾燥装置。 6. A substrate drying device according to claim 5 in which the second bypass pipe opening and closing valve in the second bypass pipe, characterized in that it is provided.
  7. 【請求項7】第2流量切替手段が、第2主管に介設され第2主管に流れる気体の量を調節可能な第2流量調節バルブを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板乾燥装置。 7. the second flow rate switching means, claims 1 to 4, characterized in that it comprises a second flow control valve capable of regulating the amount of gas flowing through the second main pipe interposed in the second main pipe substrate drying apparatus according to any one of.
  8. 【請求項8】気体供給源に流路接続された主供給管からそれぞれ分岐した少なくとも2つの分岐管にそれぞれ流路接続され、基板の搬送方向における基板の長さ寸法よりも小さい寸法だけ互いに離間するとともに前記搬送方向に沿って配置された少なくとも2つのエアナイフによって、搬送される基板の主面に気体を層状にそれぞれ吹き付けて基板に付着した処理液を除去する基板乾燥方法において、 搬送される基板の後端が前記搬送方向の上流側に配置された第1エアナイフによる気体の第1吹付け位置を通過し、前記基板の後端が第1エアナイフより下流側に配置された第2エアナイフによる気体の第2吹付け位置を通過するまでの間において、第1エアナイフへの気体の供給量を減少させて、この気体の量の減少分を第2エアナイフに 8. respectively connected channel into at least two branch pipes branched from each main supply pipe which is the channel connected to the gas source, spaced from each other smaller than the length dimension of the substrate in the transport direction of the substrate in at least the two air knife, a substrate drying method of removing the processing solution a gas to the major surface of the substrate to be transported attached to the substrate by spraying, respectively in layers arranged along the conveying direction while the substrate is conveyed rear end passes through the first blowing position of the gas by the first air knife arranged on an upstream side of the transport direction of the gas by the second air knife the rear end of the substrate is arranged downstream of the first air knife in until passing through the second blowing position of, it reduces the supply of gas to the first air knife, a decrease in the amount of the gas to the second air knife 追加供給して第2エアナイフからの気体の吐出量を増加させることを特徴とする基板乾燥方法。 Substrate drying method characterized by increasing the discharge amount of the gas from the second air knife was additionally supplied.
  9. 【請求項9】第1吹付け位置および第2吹付け位置が搬送される基板の主面上にあるときに、第1エアナイフからの気体の吐出量と第2エアナイフからの気体の吐出量とをほぼ同等とすることを特徴とする請求項8に記載の基板乾燥方法。 9. When the first spraying position and the second spraying position is on the main surface of the substrate to be transported, and the discharge amount of the gas from the discharge amount and the second air knife of the gas from the first air knife substrate drying method according to claim 8, characterized in that the substantially equal.
  10. 【請求項10】搬送される基板の前端が第1吹付け位置を通過し、前記基板の前端が第2吹付け位置に達するまでの間において、第2エアナイフへの気体の供給量を減少させることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の基板乾燥方法。 10. A front end of the substrate to be conveyed through the first spraying position, during the period until the front end of the substrate reaches a second spray position, reducing the supply amount of gas into the second air knife substrate drying method according to claim 8 or claim 9, characterized in that.
  11. 【請求項11】第2エアナイフへの気体供給量の減少分を第1エアナイフに追加供給して第1エアナイフからの気体の吐出量を増加させることを特徴とする請求項10 11. The method of claim 10, characterized in that to increase the discharge amount of the gas to decrease the gas supply amount from the first air knife and additionally supplied to the first air knife to the second air knife
    に記載の基板乾燥方法。 Substrate drying method according to.
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