JP2002353189A - Drying method and drying processor for substrate - Google Patents

Drying method and drying processor for substrate

Info

Publication number
JP2002353189A
JP2002353189A JP2001155471A JP2001155471A JP2002353189A JP 2002353189 A JP2002353189 A JP 2002353189A JP 2001155471 A JP2001155471 A JP 2001155471A JP 2001155471 A JP2001155471 A JP 2001155471A JP 2002353189 A JP2002353189 A JP 2002353189A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
gas
air knife
drying
detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001155471A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4718043B2 (en
Inventor
Yukinobu Nishibe
幸伸 西部
Akinori Iso
明典 磯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2001155471A priority Critical patent/JP4718043B2/en
Publication of JP2002353189A publication Critical patent/JP2002353189A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4718043B2 publication Critical patent/JP4718043B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a drying method reducing the amount of a gas, without reducing drying efficiency when drying a cleaned substrate. SOLUTION: In the drying method drying the substrate 4, cleaned by processing liquid by jetting the gas from an air knife 8 to the substrate while carrying it in a prescribed direction, the jetted amount of the gas from the air knife is controlled, corresponding to the relative position of the substrate and the air knife.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は基板に付着した処
理液を気体によって除去する基板の乾燥処理方法及び乾
燥処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for drying a substrate for removing a processing liquid attached to the substrate with a gas.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、液晶表示装置や半導体装置の
製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハなどの
基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスやフ
ォトプロセスがある。これらのプロセスにおいては、上
記基板を所定の薬液で処理した後、純水などの処理液で
洗浄処理するということが行われる。基板の洗浄処理と
しては、たとえば超音波振動を与えた処理液によって洗
浄するメガソニック洗浄などが行われる。
2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, there are a film forming process and a photo process for forming a circuit pattern on a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer. In these processes, after the substrate is treated with a predetermined chemical solution, the substrate is washed with a treatment solution such as pure water. As the substrate cleaning process, for example, megasonic cleaning for cleaning with a processing solution subjected to ultrasonic vibration is performed.

【0003】上記基板を処理液で洗浄処理したならば、
この基板にエアーナイフによって気体を噴射し、基板に
付着した処理液を乾燥除去する乾燥処理が行われる。
[0003] If the above substrate is cleaned with a processing solution,
A gas is sprayed onto the substrate by an air knife to perform a drying process for drying and removing the processing liquid attached to the substrate.

【0004】上記基板に対して行なうフォトプロセスで
の薬液処理、処理液による洗浄処理及びエアーナイフに
よる乾燥処理は上記基板を搬送ローラなどの搬送手段で
搬送しながら順次連続的に行うようにしている。
The chemical treatment, the cleaning treatment with the treatment liquid, and the drying treatment with the air knife in the photo process performed on the substrate are sequentially and continuously performed while the substrate is transported by transport means such as transport rollers. .

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板をエア
ーナイフによって乾燥処理する場合、基板が大型化する
に伴い気体の使用量が増大するということがある。すな
わち、基板が大型化すると、洗浄処理によって基板に付
着残留する処理液が増大する。そのため、基板に付着残
留した処理液を除去するために、エアーナイフから基板
に向けて噴射する気体の量も増大させなければならな
い。たとえば、基板の大きさが1m×1mの大きさにな
ると、洗浄処理された基板を乾燥処理するために要する
気体の噴射量は約3000l/min程度が必要とな
る。
When the substrate is dried by an air knife, the amount of gas used may increase as the substrate becomes larger. That is, as the size of the substrate increases, the amount of the processing liquid remaining on the substrate due to the cleaning process increases. Therefore, in order to remove the processing liquid remaining on the substrate, the amount of gas injected from the air knife toward the substrate must be increased. For example, when the size of the substrate is 1 m × 1 m, the gas injection amount required to dry the cleaned substrate needs to be about 3000 l / min.

【0006】しかしながら、基板を乾燥処理する間、そ
のように多量の気体を常時使用し続けたのでは、工場内
のほかの箇所で気体を使用している場合、その箇所に気
体を十分に供給できなくなるということがあり、それを
解消するためには工場における気体の供給能力を大幅に
増大させなければならないということになる。
However, if such a large amount of gas is constantly used during the drying process of the substrate, if the gas is used in another part of the factory, the gas is sufficiently supplied to that part. In some cases, the gas supply capacity in the factory must be greatly increased in order to solve the problem.

【0007】この発明は、基板の乾燥処理に用いられる
気体の量を、乾燥処理能率の低下を招くことなく低減す
ることができるようにした基板の乾燥処理方法及び乾燥
処理装置を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for drying a substrate, wherein the amount of gas used for drying the substrate can be reduced without reducing the efficiency of the drying processing. is there.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、処理
液によって洗浄された基板を所定方向に搬送しながら、
この基板にエアーナイフから気体を噴射して乾燥する乾
燥処理方法において、上記エアーナイフからの気体の噴
射量を、上記基板と上記エアーナイフとの相対位置に応
じて制御することを特徴とする基板の乾燥処理方法にあ
る。
According to a first aspect of the present invention, a substrate cleaned by a processing liquid is transported in a predetermined direction.
In the drying processing method of injecting a gas from an air knife to the substrate to dry the substrate, the amount of the gas ejected from the air knife is controlled according to a relative position between the substrate and the air knife. Drying method.

【0009】請求項2の発明は、処理液によって洗浄さ
れた基板を所定方向に搬送しながら、この基板にエアー
ナイフから気体を噴射して乾燥する乾燥処理方法におい
て、上記基板が上記エアーナイフの気体の噴射領域に到
達したことを検出する第1の検出工程と、この第1の検
出工程の検出に基づいて上記エアーナイフからの気体の
噴射量を設定する第1の設定工程と、上記基板が上記エ
アーナイフによる気体の噴射領域の所定の位置まで搬送
されたことを検出する第2の検出工程と、この第2の検
出工程の検出に基づいて上記エアーナイフからの気体の
噴射量を上記第1の設定工程によって設定された噴射量
よりも減少させる第2の設定工程と、上記基板が上記エ
アーナイフによる気体の噴射領域から外れる直前まで搬
送されたことを検出する第3の検出工程と、この第3の
検出工程の検出に基づいて上記エアーナイフからの気体
の噴射量を上記第2の設定工程によって設定された噴射
量よりも増加させる第3の設定工程とを具備したことを
特徴とする基板の乾燥処理方法にある。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a drying method in which a substrate cleaned by a processing liquid is transported in a predetermined direction while gas is sprayed from an air knife to the substrate to dry the substrate. A first detection step of detecting that the gas has reached the gas ejection region, a first setting step of setting the gas ejection amount from the air knife based on the detection of the first detection step, and the substrate Detecting that the air knife has been transported to a predetermined position in the gas injection region by the air knife, and determining the amount of gas injection from the air knife based on the detection in the second detection step. A second setting step of reducing the injection amount from that set in the first setting step, and detecting that the substrate has been conveyed until just before it comes out of a gas injection area by the air knife. And a third setting step of increasing the injection amount of gas from the air knife over the injection amount set in the second setting step based on the detection in the third detection step. And a method for drying a substrate.

【0010】請求項3の発明は、処理液によって洗浄さ
れた基板を所定方向に搬送しながら、この基板にエアー
ナイフから気体を噴射して乾燥する乾燥処理装置におい
て、上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、上記基
板が上記エアーナイフの気体の噴射領域に到達したこと
を検出する第1の検出手段と、上記基板が上記エアーナ
イフによる気体の噴射領域の所定の位置まで搬送された
ことを検出する第2の検出手段と、上記基板が上記エア
ーナイフによる気体の噴射領域から外れる直前まで搬送
されたことを検出する第3の検出手段と、上記第1乃至
第3の検出手段による検出に基づいて上記エアーナイフ
から噴射される気体の噴射量を制御する制御手段とを具
備したことを特徴とする基板の乾燥処理装置にある。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a drying apparatus for drying a substrate which has been washed by a processing liquid by injecting gas from an air knife to the substrate while drying the substrate in the predetermined direction. Transport means for detecting that the substrate has reached the gas ejection region of the air knife, and first detection means for detecting that the substrate has been transported to a predetermined position in the gas ejection region of the air knife. Detecting means for detecting that the substrate has been transported to a position immediately before the substrate comes out of the gas injection region of the air knife, and detecting the first to third detecting means. Control means for controlling the injection amount of the gas injected from the air knife based on the above.

【0011】請求項4の発明は、上記エアーナイフに気
体を供給する管路に並列に設けられた複数の流量調整弁
と、上記第1乃至第3のスイッチによる基板の搬送位置
の検出に基づいて上記流量調整弁の開度を制御する制御
装置とを備えていることを特徴とする請求項3記載の基
板の処理装置にある。
According to a fourth aspect of the present invention, a plurality of flow control valves provided in parallel to a pipeline for supplying gas to the air knife, and the detection of the substrate transfer position by the first to third switches. 4. The apparatus for processing a substrate according to claim 3, further comprising a control device for controlling an opening degree of said flow control valve.

【0012】この発明によれば、エアーナイフに対する
基板の搬送位置に応じて上記エアーナイフから噴射する
気体の量を制御するようにしたから、基板の乾燥処理能
率を低下させることなく、気体の使用量を低減すること
が可能となる。
According to the present invention, the amount of gas injected from the air knife is controlled in accordance with the transfer position of the substrate with respect to the air knife, so that the use of gas can be performed without lowering the efficiency of drying the substrate. The amount can be reduced.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1と図2に示すこの発明の処理装置は、
隣接して設けられた洗浄処理槽1と乾燥処理装置を構成
する乾燥処理槽2を備えている。洗浄処理槽1、乾燥処
理槽2の内部及びこれら処理槽1,2の前後には搬送手
段を構成する複数の搬送ローラ3が所定間隔で回転可能
に配設されている。
The processing apparatus of the present invention shown in FIGS.
A cleaning treatment tank 1 provided adjacently and a drying treatment tank 2 constituting a drying treatment device are provided. A plurality of transport rollers 3 constituting transport means are rotatably disposed at predetermined intervals inside the cleaning tank 1 and the drying tank 2 and before and after the processing tanks 1 and 2.

【0015】各搬送ローラ3は図示しない駆動手段によ
って回転駆動されるようになっており、それによってた
とえば液晶表示装置用のガラス基板などの基板4を矢印
方向に搬送するようになっている。
Each of the transport rollers 3 is driven to rotate by a driving means (not shown), thereby transporting a substrate 4 such as a glass substrate for a liquid crystal display in the direction of an arrow.

【0016】上記洗浄処理槽1内には、搬送ローラ3に
よって搬送される基板4の上方に第1の超音波洗浄器5
と第2の超音波洗浄器6とが基板4の搬送方向に沿って
所定の間隔で配設されている。
In the cleaning tank 1, a first ultrasonic cleaner 5 is provided above a substrate 4 transported by a transport roller 3.
And the second ultrasonic cleaner 6 are arranged at a predetermined interval along the transport direction of the substrate 4.

【0017】各超音波洗浄器5,6の長さ寸法は基板4
の幅寸法の半分よりも長く設定され、長さ方向一端部を
基板4の幅方向に対して重合させており、それによって
これら一対の超音波洗浄器5,6は基板4の上面の幅方
向全長にわたって超音波振動が与えられた純水などの処
理液を供給できるようになっている。
The length of each of the ultrasonic cleaners 5 and 6 is
Is set to be longer than half of the width dimension of the substrate 4, and one end in the length direction is overlapped with the width direction of the substrate 4, so that the pair of ultrasonic cleaners 5, 6 A processing liquid such as pure water to which ultrasonic vibration has been applied over the entire length can be supplied.

【0018】なお、洗浄処理槽1内には、一対の超音波
洗浄器5,6を設ける代わりに、基板4の幅寸法と同等
若しくはそれ以上の長さの1つの超音波洗浄器を設ける
ようにしてもよい。
In the cleaning tank 1, a single ultrasonic cleaner having a length equal to or greater than the width of the substrate 4 is provided instead of providing a pair of ultrasonic cleaners 5 and 6. It may be.

【0019】上記乾燥処理槽2には、図2に示すよう
に、搬送される基板4の上面と下面とに対向して一対の
上記エアーナイフ8が基板4の搬送方向に対して角度θ
(図1に示す)で傾斜して配設されている。各エアーナ
イフ8の上記基板4の上面及び下面に対向するそれぞれ
の端面にはスリット9が開口形成され、これらスリット
9は基板4の搬送方向と逆方向に所定の角度で傾斜して
いる。
As shown in FIG. 2, the drying tank 2 has a pair of air knives 8 opposed to the upper surface and the lower surface of the substrate 4 to be conveyed at an angle θ with respect to the direction in which the substrate 4 is conveyed.
(Shown in FIG. 1). Slits 9 are formed in respective end surfaces of the air knives 8 facing the upper and lower surfaces of the substrate 4, and these slits 9 are inclined at a predetermined angle in a direction opposite to the direction in which the substrate 4 is transported.

【0020】各エアーナイフ8のスリット9からは、上
記基板4の上面と下面とに、所定の圧力に加圧された空
気や不活性ガスなどの気体が基板4の搬送方向と逆方向
に向けて噴射されるようになっている。
From the slit 9 of each air knife 8, a gas such as air or an inert gas pressurized to a predetermined pressure is directed to the upper and lower surfaces of the substrate 4 in a direction opposite to the direction in which the substrate 4 is transported. Is to be injected.

【0021】各エアーナイフ8から噴射される気体の量
は、上記基板4とエアーナイフ8との相対位置によって
制御される。すなわち、上記乾燥処理槽2には、図3
(a)に示すように基板4の前端縁4aの幅方向一端側
の角部がエアーナイフ8から噴射される気体の領域に到
達したことを検出する第1のスイッチ11と、図3
(c)に示すように基板4の後端縁4bの幅方向一端側
の角部がエアーナイフ8から噴射される気体の領域に到
達する位置まで搬送されたことを検出する第2のスイッ
チ12とが設けられている。これら第1、第2のスイッ
チ11,12の検出信号は制御装置13に入力される。
The amount of gas injected from each air knife 8 is controlled by the relative position between the substrate 4 and the air knife 8. That is, the drying tank 2 shown in FIG.
As shown in FIG. 3A, a first switch 11 for detecting that the corner at one end in the width direction of the front edge 4a of the substrate 4 has reached the region of the gas ejected from the air knife 8, and FIG.
As shown in FIG. 3C, a second switch 12 for detecting that the corner at the one end in the width direction of the rear edge 4b of the substrate 4 has been transported to a position where it reaches the region of the gas ejected from the air knife 8. Are provided. The detection signals of the first and second switches 11 and 12 are input to the control device 13.

【0022】上記制御装置13には、第2のスイッチ1
2の検出信号によって作動して所定時間経過後にタイム
アップするタイマ10が接続されている。第1、第2の
スイッチ11,12と、タイマ10とは基板4の搬送位
置を検出する第1乃至第3の検出手段を構成している。
The control device 13 includes a second switch 1
A timer 10 which is activated by the detection signal of No. 2 and which times up after a predetermined time has elapsed is connected. The first and second switches 11 and 12 and the timer 10 constitute first to third detecting means for detecting the transfer position of the substrate 4.

【0023】上下一対のエアーナイフ8には管路14が
接続されている。この管路14は気体の供給源(図示せ
ず)に連通している上記管路14の中途部には第1の流
量制御弁15と第2の流量制御弁16とが並列に設けら
れている。これらの流量制御弁15、16は上記制御装
置13によって開度が制御されるようになっている。こ
の実施の形態では、上記流量制御弁15,16の開度
は、後述するように開閉制御される。
A pipe 14 is connected to the pair of upper and lower air knives 8. A first flow control valve 15 and a second flow control valve 16 are provided in parallel at an intermediate portion of the pipe 14 communicating with a gas supply source (not shown). I have. The opening of these flow control valves 15 and 16 is controlled by the control device 13. In this embodiment, the opening of the flow control valves 15 and 16 is controlled to open and close as described later.

【0024】上記洗浄処理槽2には、図2に示すように
減圧装置18が接続されている。この減圧装置18は上
記洗浄処理槽1を、この洗浄処理槽1に隣接する乾燥処
理槽2よりも低圧に維持するようになっている。それに
より、洗浄処理槽1から乾燥処理槽2に、ミスト状にな
った処理液が浸入するのを防止する。
A pressure reducing device 18 is connected to the cleaning tank 2 as shown in FIG. The decompression device 18 maintains the cleaning tank 1 at a lower pressure than the drying tank 2 adjacent to the cleaning tank 1. This prevents the processing liquid in the form of mist from entering the drying processing tank 2 from the cleaning processing tank 1.

【0025】なお、図示しないが、洗浄処理槽1には搬
入口、乾燥処理槽2には搬出口、これらの槽1,2を区
画する仕切り壁には通口が形成されていて、これら搬入
口、搬出口及び通口はそれぞれ図示しないゲート弁によ
って開閉されるようになっている。
Although not shown, a carry-in port is formed in the cleaning tank 1, a carry-out port is formed in the drying tank 2, and a through-hole is formed in a partition wall separating the tanks 1 and 2. The port, the carry-out port, and the port are each opened and closed by a gate valve (not shown).

【0026】つぎに、上記構成の処理装置によって基板
4を処理する際の作用について説明する。
Next, the operation when processing the substrate 4 by the processing apparatus having the above configuration will be described.

【0027】洗浄処理槽1の上流側の図示しない処理部
で薬液などによって所定の処理が行われた純水などの基
板4は、搬送ローラ3によって洗浄処理槽1に搬入され
る。洗浄処理槽1内では、第1、第2の超音波洗浄器
5,6から基板4の上面に向けて超音波振動が与えられ
た処理液が噴射される。それによって、基板4の上面は
処理液によって超音波洗浄されることになる。
A substrate 4, such as pure water, which has been subjected to a predetermined treatment with a chemical solution or the like in a processing section (not shown) on the upstream side of the cleaning tank 1, is carried into the cleaning tank 1 by the transport rollers 3. In the cleaning tank 1, a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied is sprayed from the first and second ultrasonic cleaners 5 and 6 toward the upper surface of the substrate 4. Thereby, the upper surface of the substrate 4 is ultrasonically cleaned with the processing liquid.

【0028】基板4を洗浄処理する際、多量の処理液が
使用される。そのため、洗浄処理槽1で洗浄処理された
基板4には上面に多量の処理液が付着残留することにな
る。
When cleaning the substrate 4, a large amount of processing liquid is used. Therefore, a large amount of the processing liquid adheres and remains on the upper surface of the substrate 4 cleaned in the cleaning processing tank 1.

【0029】超音波洗浄器5、6で洗浄処理された基板
4は乾燥処理槽2に搬入される。搬入後、図4に示すよ
うにT時間が経過し、乾燥処理槽2に搬入された基板
4の前端縁4aの幅方向一端部が図3(a)に示すよう
にエアーナイフ8から噴射される気体の噴射領域に至る
と、そのことが第1のスイッチ11によって検出され、
その検出信号が制御装置13に入力される。
The substrate 4 cleaned by the ultrasonic cleaners 5 and 6 is carried into the drying tank 2. After loading, after one hour T as shown in FIG. 4, one widthwise end portion of the front edge 4a of the loaded wafer 4 to drying tank 2 from an air knife 8 as shown in FIG. 3 (a) injection Is reached by the first switch 11,
The detection signal is input to the control device 13.

【0030】制御装置13に第1のスイッチ11の検出
信号が入力されると、この制御装置13から第1の流量
制御弁15と第2の流量制御弁16とに駆動信号が出力
され、その駆動信号によって一対の流量制御弁15,1
6が開放される。それによって、一対のエアーナイフ8
に管路14を通じて図4にVで示す最大流量の気体が
供給されるから、これらエアーナイフ8のスリット9か
ら噴射する気体によって基板4の板面に付着残留した処
理液は基板4の板面を搬送方向と逆方向に押し流され
る。
When the detection signal of the first switch 11 is input to the control device 13, a drive signal is output from the control device 13 to the first flow control valve 15 and the second flow control valve 16, and the drive signal is output. A pair of flow control valves 15 and 1 are driven by a drive signal.
6 is released. Thereby, a pair of air knives 8
The gas at the maximum flow rate indicated by V 1 in FIG. 4 is supplied through the pipe 14. The surface is swept away in the direction opposite to the transport direction.

【0031】第1のスイッチ11が基板4を検出した検
出信号によって第1、第2の流量制御弁15,16の両
方が開放されるため、一対のエアーナイフ8に供給され
る気体の量は管路14によって供給することができる流
量の最大量となる。
Since both the first and second flow control valves 15 and 16 are opened by the detection signal that the first switch 11 has detected the substrate 4, the amount of gas supplied to the pair of air knives 8 is This is the maximum amount of flow that can be supplied by line 14.

【0032】そのため、基板4の乾燥処理を開始した時
点では、基板4の板面に付着残留する処理液の量が多い
が、一対のエアーナイフ8から最大流量Vで気体が噴
射されるため、基板4の乾燥処理を確実に行なうことが
可能となる。
Therefore, when the drying process of the substrate 4 is started, a large amount of the processing liquid adheres to and remains on the plate surface of the substrate 4, but the gas is jetted from the pair of air knives 8 at the maximum flow rate V 1. In addition, the drying process of the substrate 4 can be performed reliably.

【0033】時間tが経過すると、基板4は乾燥処理
されながら図3(b)の搬送位置を経て図3(c)の位
置まで搬送され、そのことが第2のスイッチ12によっ
て検出される。つまり、基板4の後端縁4bの幅方向一
端部がエアーナイフ8から噴射される気体の噴射領域に
到達すると、そのことを第2のスイッチ12が検出す
る。
After the elapse of time t 2 , the substrate 4 is transported to the position shown in FIG. 3C via the transport position shown in FIG. 3B while being subjected to the drying process, and this is detected by the second switch 12. . That is, when one end in the width direction of the rear edge 4b of the substrate 4 reaches the ejection area of the gas ejected from the air knife 8, the second switch 12 detects that.

【0034】第2のスイッチ12が基板4を検出する
と、制御装置13はその検出信号によって第2の流量制
御弁16を閉じ、一対のエアーナイフ8から噴射される
気体の量を図4にVで示すように最大流量Vの半分
にする。
When the second switch 12 detects the substrate 4, the control device 13 closes the second flow control valve 16 based on the detection signal, and determines the amount of gas injected from the pair of air knives 8 in FIG. as shown by two to half of the maximum flow rate V 1.

【0035】それにより、エアーナイフ8から噴射され
る気体は基板4に残留する処理液を緩やかに押し流すか
ら、勢い良く押し流す場合のように処理液が基板4の搬
送方向後端縁4bで跳ねることが防止される。つまり、
処理液が基板4の後端縁4bではねて基板4の乾燥処理
された部分に再付着するのが防止される。
As a result, the gas ejected from the air knife 8 gently flushes the processing liquid remaining on the substrate 4, so that the processing liquid splashes at the rear edge 4 b of the substrate 4 in the transport direction as in the case of vigorously wiping the processing liquid. Is prevented. That is,
The treatment liquid is prevented from splashing on the rear edge 4b of the substrate 4 and re-adhering to the dried portion of the substrate 4.

【0036】しかも、エアーナイフ8に供給する気体の
量を半減することができるから、気体の使用量を大幅に
低減することができる。さらに、基板4の後端縁4bの
幅方向一端部がエアーナイフ8の噴射領域に到達した時
点では、基板4の上面に付着残留する処理液の量が乾燥
処理開始時に比べて大幅に減少しているから、その時点
で気体の供給量をVからVに半減しても、基板4の
乾燥処理に悪影響を及ぼすことがない。つまり、基板4
の乾燥処理能率が低下することがない。
Moreover, since the amount of gas supplied to the air knife 8 can be halved, the amount of gas used can be greatly reduced. Further, when one end in the width direction of the rear edge 4b of the substrate 4 reaches the ejection area of the air knife 8, the amount of the processing liquid remaining on the upper surface of the substrate 4 is significantly reduced as compared with the time when the drying process is started. since it is, even if half the supply amount of the gas at that time V 2 from V 1, does not adversely affect the drying processing of the substrate 4. That is, the substrate 4
There is no decrease in the efficiency of drying.

【0037】基板4が所定の位置まで搬送されたことを
第2のスイッチ12が検出すると、その時点から制御装
置13に接続されたタイマ10が作動する。タイマ10
が作動してから図4にTで示す所定時間が経過する
と、図3(d)に示すようにエアーナイフ8から噴射さ
れる気体によって乾燥処理されていない部分は基板4の
後端縁4bの幅方向他端部だけとなる。
When the second switch 12 detects that the substrate 4 has been transported to a predetermined position, the timer 10 connected to the control device 13 starts operating from that point. Timer 10
When There predetermined time has elapsed as indicated by T 3 in FIG. 4 in operation, the portion which is not dried by the gas injected from the air knife 8 as shown in FIG. 3 (d) the rear edge 4b of the substrate 4 At the other end in the width direction.

【0038】タイマがタイムアップする経過時間T
は、制御装置13からの駆動信号によって第2の流量制
御弁16が開放されて一対のエアーナイフ8には最大流
量V の気体が供給される。それによって、基板4の後
端縁4bの幅方向他端部に押し流された処理液はその後
端縁4bから確実に除去されることになる。
Elapsed time T when timer expires3so
Is controlled by the drive signal from the control device 13
The control valve 16 is opened and the pair of air knives 8 flows to the maximum.
Quantity V 1Is supplied. Thereby, after the substrate 4
The processing liquid pushed to the other end in the width direction of the edge 4b is thereafter
It will be surely removed from the edge 4b.

【0039】すなわち、上述したように、エアーナイフ
8からの気体の噴射領域に基板4の前端縁4aの幅方向
一端部が到達した時点から、後端縁4bの幅方向一端部
が到達するまでの間は気体の噴射量を最大とし、その
後、乾燥処理されていない部分が基板4の後端縁4bの
幅方向他端部だけとなるまでは気体の噴射量を最大時の
半分とし、さらに基板4の後端縁4bの幅方向他端部を
乾燥処理する時には再び気体の噴射量を最大にした。
That is, as described above, from the time when one end in the width direction of the front edge 4a of the substrate 4 reaches the gas injection region of the air knife 8 to the time when one end in the width direction of the rear edge 4b reaches. During this period, the gas injection amount is maximized, and thereafter, the gas injection amount is set to a half of the maximum time until the portion that has not been dried is only the other end in the width direction of the rear edge 4b of the substrate 4, and When the other end in the width direction of the rear edge 4b of the substrate 4 was subjected to the drying process, the gas injection amount was again maximized.

【0040】そのため、気体の噴射量を常時最大として
乾燥処理する場合に比べて気体の使用量を大幅に低減す
ることができる。しかも、気体の噴射量を低減するタイ
ミングは、基板4の全面に処理液が付着残留している場
合に比べてその量が低減しているときであるから、気体
の供給量を半減しても、基板4に付着残留する処理液を
確実に除去し、基板4を乾燥処理することが可能であ
る。
Therefore, the amount of gas used can be significantly reduced as compared with the case where the drying process is performed by always maximizing the gas injection amount. In addition, the timing of reducing the gas injection amount is when the amount of the processing liquid is reduced as compared with the case where the processing liquid adheres and remains on the entire surface of the substrate 4. In addition, the processing liquid remaining on the substrate 4 can be reliably removed, and the substrate 4 can be dried.

【0041】この発明は上記一実施の形態に限定され
ず、種々変形可能である。たとえば、気体の供給量を調
整するために、管路に2つの流量制御弁を並列に設けた
が、その数は3つ以上であってもよく、たとえば3つに
することで、気体の噴射量を最大噴射量に対して3分の
1或いは3分の2に低減制御することができる。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, two flow control valves are provided in parallel in a pipeline in order to adjust the gas supply amount, but the number may be three or more. The amount can be controlled to be reduced to one third or two thirds of the maximum injection amount.

【0042】また、基板が所定の位置まで搬送されたこ
とを第1のスイッチと第2のスイッチ及び第2のスイッ
チの検出信号によって作動するタイマがタイムアップす
ることで、基板を乾燥処理する気体の噴射量を制御する
ようにしたが、これらの検出手段のうち、タイマに代わ
り、基板を所定の位置まで搬送されたことを第3のスイ
ッチによって検出するようにしてもよい。
Further, when the timer operated by the detection signals of the first switch, the second switch, and the second switch times out that the substrate has been transported to the predetermined position, the gas for drying the substrate is processed. Although the injection amount is controlled, a third switch may be used to detect that the substrate has been transported to a predetermined position instead of the timer.

【0043】また、基板が所定の位置に搬送されてきた
ことを最初にスイッチで検出したならば、そのスイッチ
の検出信号でタイマを作動させ、以後はそのタイマに設
定された設定時間に基づいて気体の噴射量を制御するよ
うにしてもよい。つまり、搬送ローラによる基板の搬送
速度は一定であるから、最初に基板の位置をスイッチで
検出すれば、以後はタイマの経過時間に応じて基板の搬
送位置を検出し、気体の噴射量を制御することが可能と
なる。
If the switch detects that the substrate has been transported to the predetermined position for the first time, the timer is activated by the detection signal of the switch, and thereafter, based on the set time set in the timer. The gas injection amount may be controlled. In other words, since the transfer speed of the substrate by the transfer roller is constant, if the position of the substrate is first detected by the switch, the transfer position of the substrate is detected according to the elapsed time of the timer, and the gas injection amount is controlled. It is possible to do.

【0044】[0044]

【発明の効果】この発明によれば、エアーナイフに対す
る基板の搬送位置に応じて上記エアーナイフから噴射す
る気体の量を制御するようにした。
According to the present invention, the amount of gas injected from the air knife is controlled in accordance with the position of the substrate transferred to the air knife.

【0045】そのため、基板の乾燥処理能力を低下させ
ることなく、気体の使用量を低減することが可能とな
る。
Therefore, it is possible to reduce the amount of gas used without lowering the drying processing ability of the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施の形態に係る処理装置の平面
図。
FIG. 1 is a plan view of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】処理装置の側面図。FIG. 2 is a side view of the processing apparatus.

【図3】エアーナイフと基板との相対位置と、気体の噴
射量との関係を説明するための図。
FIG. 3 is a diagram for explaining a relationship between a relative position between an air knife and a substrate and a gas injection amount.

【図4】基板の搬送位置と気体の噴射量との関係を示す
タイムチャート。
FIG. 4 is a time chart showing a relationship between a substrate transfer position and a gas injection amount.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3…搬送ローラ(搬送手段) 4…基板 8…エアーナイフ 11…第1のスイッチ 12…第2のスイッチ 13…制御装置 14…管路 15…第1の流量制御弁 16…第2の流量制御弁 DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Conveyance roller (conveyance means) 4 ... Substrate 8 ... Air knife 11 ... 1st switch 12 ... 2nd switch 13 ... Control device 14 ... Pipe line 15 ... 1st flow control valve 16 ... 2nd flow control valve

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理液によって洗浄された基板を所定方
向に搬送しながら、この基板にエアーナイフから気体を
噴射して乾燥する乾燥処理方法において、 上記エアーナイフからの気体の噴射量を、上記基板と上
記エアーナイフとの相対位置に応じて制御することを特
徴とする基板の乾燥処理方法。
1. A drying processing method for injecting gas from an air knife to a substrate and drying the substrate while transporting the substrate cleaned by the processing liquid in a predetermined direction. A method for drying a substrate, wherein the method is controlled according to a relative position between the substrate and the air knife.
【請求項2】 処理液によって洗浄された基板を所定方
向に搬送しながら、この基板にエアーナイフから気体を
噴射して乾燥する乾燥処理方法において、 上記基板が上記エアーナイフの気体の噴射領域に到達し
たことを検出する第1の検出工程と、 この第1の検出工程の検出に基づいて上記エアーナイフ
からの気体の噴射量を設定する第1の設定工程と、 上記基板が上記エアーナイフによる気体の噴射領域の所
定の位置まで搬送されたことを検出する第2の検出工程
と、 この第2の検出工程の検出に基づいて上記エアーナイフ
からの気体の噴射量を上記第1の設定工程によって設定
された噴射量よりも減少させる第2の設定工程と、 上記基板が上記エアーナイフによる気体の噴射領域から
外れる直前まで搬送されたことを検出する第3の検出工
程と、 この第3の検出工程の検出に基づいて上記エアーナイフ
からの気体の噴射量を上記第2の設定工程によって設定
された噴射量よりも増加させる第3の設定工程とを具備
したことを特徴とする基板の乾燥処理方法。
2. A method for drying a substrate by jetting a gas from an air knife onto the substrate while transporting the substrate cleaned by the processing liquid in a predetermined direction, wherein the substrate is placed in a gas injection region of the air knife. A first detection step of detecting that the air has arrived; a first setting step of setting the amount of gas injected from the air knife based on the detection of the first detection step; A second detection step of detecting that the gas has been conveyed to a predetermined position in the gas injection area; and a first setting step of determining a gas injection amount from the air knife based on the detection of the second detection step. A second setting step of reducing the injection amount from the injection amount set by the air knife, and a third detection step of detecting that the substrate has been transported until immediately before the substrate comes out of a gas injection region by the air knife. And a third setting step of, based on the detection in the third detection step, increasing the injection amount of the gas from the air knife above the injection amount set in the second setting step. A method for drying a substrate.
【請求項3】 処理液によって洗浄された基板を所定方
向に搬送しながら、この基板にエアーナイフから気体を
噴射して乾燥する乾燥処理装置において、 上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、 上記基板が上記エアーナイフの気体の噴射領域に到達し
たことを検出する第1の検出手段と、 上記基板が上記エアーナイフによる気体の噴射領域の所
定の位置まで搬送されたことを検出する第2の検出手段
と、 上記基板が上記エアーナイフによる気体の噴射領域から
外れる直前まで搬送されたことを検出する第3の検出手
段と、 上記第1乃至第3の検出手段による検出に基づいて上記
エアーナイフから噴射される気体の噴射量を制御する制
御手段とを具備したことを特徴とする基板の乾燥処理装
置。
3. A drying apparatus for drying a substrate washed by a processing liquid by spraying a gas from an air knife onto the substrate while transporting the substrate in a predetermined direction, comprising: a transport unit configured to transport the substrate in a predetermined direction; First detection means for detecting that the substrate has reached the gas ejection region of the air knife; and second detection for detecting that the substrate has been transported to a predetermined position in the gas ejection region of the air knife. Detecting means for detecting that the substrate has been conveyed until just before the substrate deviates from the gas injection area by the air knife; and detecting the air based on the detection by the first to third detecting means. A drying unit for drying the substrate, comprising: a control unit configured to control an injection amount of gas injected from the knife.
【請求項4】 上記制御手段は、上記エアーナイフに気
体を供給する管路に並列に設けられた複数の流量調整弁
と、上記第1乃至第3の検出手段による基板の搬送位置
の検出に基づいて上記流量調整弁の開度を制御する制御
装置とを備えていることを特徴とする請求項3記載の基
板の処理装置。
4. The control means includes: a plurality of flow control valves provided in parallel with a pipe for supplying gas to the air knife; and a first to third detection means for detecting a substrate transfer position. 4. The apparatus for processing a substrate according to claim 3, further comprising: a control device that controls an opening degree of the flow control valve based on the control information.
JP2001155471A 2001-05-24 2001-05-24 Substrate drying processing method and drying processing apparatus Expired - Fee Related JP4718043B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001155471A JP4718043B2 (en) 2001-05-24 2001-05-24 Substrate drying processing method and drying processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001155471A JP4718043B2 (en) 2001-05-24 2001-05-24 Substrate drying processing method and drying processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002353189A true JP2002353189A (en) 2002-12-06
JP4718043B2 JP4718043B2 (en) 2011-07-06

Family

ID=18999655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001155471A Expired - Fee Related JP4718043B2 (en) 2001-05-24 2001-05-24 Substrate drying processing method and drying processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4718043B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197408A (en) * 1997-09-19 1999-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and device for drying substrate
JP2000266465A (en) * 1999-03-17 2000-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for drying substrate
JP2001135609A (en) * 1999-11-01 2001-05-18 Hitachi Ltd Method and device for processing substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197408A (en) * 1997-09-19 1999-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and device for drying substrate
JP2000266465A (en) * 1999-03-17 2000-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for drying substrate
JP2001135609A (en) * 1999-11-01 2001-05-18 Hitachi Ltd Method and device for processing substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP4718043B2 (en) 2011-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3918401B2 (en) Substrate drying apparatus, drying method, and substrate manufacturing method
KR100991086B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3495208B2 (en) Substrate processing equipment
JP2000223458A (en) Substrate-processing apparatus
JP2001284777A (en) Apparatus and method for treatment of board
JP3699293B2 (en) Peeling apparatus and peeling method
JP3790691B2 (en) Substrate drying method and substrate drying apparatus
JP2001227868A (en) Substrate drier and drying method
JP4718043B2 (en) Substrate drying processing method and drying processing apparatus
JP2001102289A (en) Device and method for substrate processing
JPH10223593A (en) Single-wafer cleaning device
JP2001035778A (en) Substrate treatment apparatus
JPH0994546A (en) Liquid-extraction device for substrate
JP2988828B2 (en) Substrate drainer / dryer
JP2000173963A (en) Board processing apparatus
JP2004148224A (en) Method for washing air knife, air knife, and wet etching apparatus
JP4663919B2 (en) Substrate dryer
JPH11204489A (en) Substrate drying device and drying of substrate
JP4160651B2 (en) Substrate processing equipment
JP3489992B2 (en) Substrate processing equipment
JP2001284310A (en) Apparatus and method for treating substrate
JP3659526B2 (en) Substrate drainer
JP2000252254A (en) Substrate processing equipment
JP2002043266A (en) Substrate processing apparatus and method, liquid cutting mist-knife
JPH11216433A (en) Substrate treating device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080514

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110329

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110331

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees