JP3495208B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
Substrate processing equipmentInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用ガラス基板のような基板に対して処理を行
う基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing substrates such as semiconductor wafers and glass substrates for liquid crystal display devices.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程で
は、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板のような
基板上に薄膜パターンを形成したり基板を洗浄したりす
るために、処理液を用いた基板処理工程が不可欠であ
る。この基板処理工程では、目的に応じてフッ酸や純水
など複数の処理液が用いられるのが普通である。処理液
を基板に供給する構成としては従来から種々の構成が提
案されているが、その中には、１本の吐出路を複数の処
理液で共用する構成がある。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a treatment liquid is used to form a thin film pattern on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device or to wash the substrate. The existing substrate processing process is indispensable. In this substrate processing step, a plurality of processing solutions such as hydrofluoric acid and pure water are usually used depending on the purpose. Conventionally, various configurations have been proposed as a configuration for supplying the processing liquid to the substrate, and among them, there is a configuration in which one discharge path is shared by a plurality of processing liquids.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】１本の吐出路を複数の
処理液で共用する構成は、たとえば本出願人が先に出願
した特願平８−１５２２２７号に提案されている。この
構成では、１本の吐出路が基板を保持するスピンチャッ
クの中心軸に内設され、当該吐出路の上端部のノズルか
ら基板の下面の中心に向かって薬液および洗浄水の順に
吐出される。吐出される薬液および洗浄水の切換えは、
吐出路の下端部に接続されている三方弁の連通パターン
を制御することで実現される。A structure in which one discharge passage is shared by a plurality of processing liquids is proposed in, for example, Japanese Patent Application No. 8-152227 previously filed by the present applicant. In this configuration, one discharge passage is internally provided in the central axis of the spin chuck that holds the substrate, and the chemical solution and the cleaning water are sequentially discharged from the nozzle at the upper end of the discharge passage toward the center of the lower surface of the substrate. . Switching the discharged chemical liquid and cleaning water is
It is realized by controlling the communication pattern of the three-way valve connected to the lower end of the discharge passage.
【０００４】ところで、先に吐出される薬液は、通常、
吐出路に残留する。したがって、次に洗浄水が吐出され
るとき、吐出路内に残留している薬液が洗浄水に混入す
る。その結果、薬液が混入した洗浄水で基板を洗浄する
ことになるので、基板を十分に洗浄することができなく
なるおそれがある。また、洗浄水を吐出した後は、当該
洗浄水も吐出路内に残留する。したがって、次の処理対
象の基板を処理するとき、吐出される薬液に吐出路内に
残留している洗浄水が混入する。そのため、薬液の濃度
が薄くなるので、次の処理対象の基板に対して十分な薬
液処理を行うことができなくなる。By the way, the chemical liquid discharged first is usually
Remains in the discharge passage. Therefore, when the cleaning water is discharged next time, the chemical liquid remaining in the discharge passage is mixed with the cleaning water. As a result, since the substrate is washed with the washing water mixed with the chemical liquid, it may not be possible to sufficiently wash the substrate. Further, after the cleaning water is discharged, the cleaning water also remains in the discharge passage. Therefore, when the substrate to be processed next is processed, the cleaning liquid remaining in the discharge passage is mixed into the discharged chemical liquid. Therefore, the concentration of the chemical liquid becomes low, and it becomes impossible to sufficiently perform the chemical liquid treatment on the substrate to be processed next.
【０００５】また、吐出後の薬液は回収されて薬液タン
クに戻されて再利用されるのが通常である。しかし、洗
浄水が混入している薬液の再利用を繰り返せば、薬液の
濃度が薄くなる。したがって、このような薬液を用いて
いたのでは所期の目的に沿う処理を行うことができなく
なる。そのため、薬液の節約は図れるけれども、基板の
品質劣化につながるという別の問題が生じることにな
る。Further, the chemical liquid after discharge is usually collected and returned to the chemical liquid tank for reuse. However, if the chemical solution mixed with the wash water is reused repeatedly, the concentration of the chemical solution becomes thin. Therefore, if such a chemical solution is used, it becomes impossible to carry out the treatment according to the intended purpose. Therefore, although the chemical solution can be saved, another problem occurs that the quality of the substrate is deteriorated.
【０００６】さらに、処理液を用いた処理を行った後の
基板は濡れているので、処理液を用いた処理の後には、
通常、基板を乾燥させるため、基板を保持しているスピ
ンチャックを高速回転させるスピン乾燥処理が行われ
る。このとき、スピンチャックの中心軸上端部近傍の雰
囲気は負圧となる。その結果、吐出路内に残留している
処理液が吸引され、ミスト状になってノズルから吐出
し、基板に付着する。したがって、乾燥後の基板には、
残留液が付着した跡（ウォーターマーク）が残ったりす
る。このような残留液の付着痕は、パーティクルとして
把握されるから、歩留りの低下を招くおそれがある。Furthermore, since the substrate after the treatment with the treatment liquid is wet, after the treatment with the treatment liquid,
Usually, in order to dry the substrate, a spin drying process in which a spin chuck holding the substrate is rotated at high speed is performed. At this time, the atmosphere near the upper end of the central axis of the spin chuck has a negative pressure. As a result, the processing liquid remaining in the discharge passage is sucked, becomes a mist, is discharged from the nozzle, and adheres to the substrate. Therefore, the substrate after drying is
A mark (watermark) of the residual liquid may remain. Such residual liquid adhesion marks are recognized as particles, which may reduce the yield.
【０００７】これに対処するため、たとえば次の処理液
を用いて基板を処理する前に、当該次の処理液を吐出路
に供給して吐出路内に残留している前の処理液を当該次
の処理液とともにノズルから排出するプリディスペンス
を行うことが考えられる。この構成によれば、実際に処
理をするときには、他の処理液が混入していない処理液
を基板に供給できるから、所期の目的に沿う処理を行う
ことができる。また、他の処理液の混入の少ない処理液
を回収することができる。In order to deal with this, for example, before the substrate is processed using the next processing liquid, the next processing liquid is supplied to the discharge passage and the previous processing liquid remaining in the discharge passage is removed. It is conceivable to perform pre-dispensing for discharging from the nozzle together with the next processing liquid. According to this configuration, when the processing is actually performed, the processing solution in which no other processing solution is mixed can be supplied to the substrate, so that the processing can be performed according to the intended purpose. In addition, it is possible to collect the processing liquid with less mixing of other processing liquids.
【０００８】しかし、この構成では、プリディスペンス
で吐出される処理液が基板に当たらないようにするため
に、プリディスペンス時だけノズルを移動させる必要が
ある。そのため、ノズルをスピンチャックから分離さ
せ、かつノズルを移動させる機構を備える必要があり、
構成が複雑化するという新たな問題が生じる。そこで、
たとえば特公平７−１１４１９２号公報に開示されてい
る技術を適用することが考えられる。この公告公報に開
示されている技術では、不活性ガスを吐出路を介してノ
ズルから噴射できるようになっている。したがって、処
理液の切換えの際に、不活性ガスを吐出路に供給し、吐
出路内に残留している処理液を押し出して除去すること
が考えられる。However, in this structure, it is necessary to move the nozzle only during the pre-dispensing in order to prevent the processing liquid discharged by the pre-dispensing from hitting the substrate. Therefore, it is necessary to separate the nozzle from the spin chuck and provide a mechanism for moving the nozzle.
A new problem arises that the configuration becomes complicated. Therefore,
For example, it is possible to apply the technique disclosed in Japanese Examined Patent Publication No. 7-114192. In the technology disclosed in this publication, an inert gas can be jetted from a nozzle via a discharge passage. Therefore, it is conceivable to supply an inert gas to the discharge passage and push out and remove the treatment liquid remaining in the discharge passage at the time of switching the treatment liquid.
【０００９】しかし、不活性ガスで押し出された処理液
がミストとなって基板に付着するおそれがある。また、
不活性ガスで残留液を押し出してもすべての残留液を押
し出すことはできないから、残留液が不活性ガスで乾燥
してフレーク状のパーティクルになるおそれがある。そ
のため、次の処理時に、この吐出路内のパーティクルが
次の処理液に混入し、この処理液が基板に供給されたと
きにパーティクルが基板に付着し、基板の品質を劣化さ
せるおそれがある。However, the processing liquid extruded by the inert gas may become mist and adhere to the substrate. Also,
Even if the residual liquid is extruded with the inert gas, not all the residual liquid can be extruded, and therefore the residual liquid may be dried with the inert gas and become flaky particles. Therefore, at the time of the next processing, the particles in the discharge path may be mixed in the next processing liquid, and when the processing liquid is supplied to the substrate, the particles may adhere to the substrate, which may deteriorate the quality of the substrate.
【００１０】さらに、不活性ガスが当たる基板の下面中
央付近だけが部分的に乾燥するから、ガス吐出前に当該
部分に汚れが付着している場合、その汚れを後から除去
することが困難になる。そのため、基板の均一性の確保
が困難になる。そこで、本発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、吐出路内の残留液を簡単な構成で除去す
ることができ、しかも残留液の影響を基板に及ぼさない
ようにすることができる基板処理装置を提供することで
ある。Furthermore, since only the vicinity of the center of the lower surface of the substrate, which is hit by the inert gas, is partially dried, if dirt adheres to the area before the gas is discharged, it becomes difficult to remove the dirt afterwards. Become. Therefore, it becomes difficult to secure the uniformity of the substrate. Therefore, an object of the present invention is to solve the above-described technical problem, to remove the residual liquid in the discharge passage with a simple structure, and to prevent the influence of the residual liquid from affecting the substrate. A substrate processing apparatus is provided.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の請求項１記載の発明は、基板を保持して回転軸を中心
に回転するスピンチャックと、上記回転軸に挿通され、
上記スピンチャックに保持された基板の下面に向けて処
理液を吐出するための吐出口が一方端側に形成された処
理液吐出路と、この処理液吐出路の他方端側に接続さ
れ、上記処理液吐出路に処理液を供給するための処理液
供給路と、上記処理液吐出路の他方端側に接続され、上
記処理液吐出路内の処理液を排出するための処理液排出
路と、上記処理液吐出路と上記処理液供給路および上記
処理液排出路との接続を選択的に切り換えるための切換
手段と、上記処理液排出路に接続され、上記処理液吐出
路内の処理液を負圧の吸引力を利用して吸引するための
負圧吸引手段とを含むことを特徴とする基板処理装置で
ある。In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 1 holds a substrate to center the rotary shaft.
A spin chuck you rotate in, is inserted into the rotary shaft,
A treatment liquid discharge path discharging port formed on one end side for ejecting the processing liquid toward the lower surface of the substrate held by the spin chuck, is connected to the other end side of the treatment liquid ejection passage, the A treatment liquid supply passage for supplying the treatment liquid to the treatment liquid discharge passage, and a treatment liquid discharge passage for discharging the treatment liquid in the treatment liquid discharge passage, which is connected to the other end side of the treatment liquid discharge passage. Switching means for selectively switching the connection between the processing liquid discharge passage and the processing liquid supply passage and the processing liquid discharge passage, and the processing liquid in the processing liquid discharge passage connected to the processing liquid discharge passage. And a negative pressure suction means for sucking the negative pressure using a negative pressure suction force.
【００１２】本発明によれば、処理液吐出路と処理液排
出路とを接続して処理液吐出路内の残留液を排出するこ
とができる。したがって、プリディスペンスを行う場合
のように、ノズルを移動させる複雑な機構を備えなくて
も、残留液を除去することができる。また、処理液が吐
出される吐出口の反対側に向けて残留している処理液を
排出するようにしているから、当該残留液がミストとな
って基板に付着することもない。さらに、処理液吐出路
に気体を供給しているわけでもないから、処理液吐出路
内が乾燥することもない。そのため、残留液がフレーク
状のパーティクルとなることもない。さらにまた、基板
に気体が吹き付けられることもないから、基板が部分的
に乾燥することもない。また、負圧の吸引力によって処
理液吐出路内の処理液を吸引することができるから、処
理液を強制的に処理液吐出路から排出することができ
る。そのため、処理液吐出路内に残留している処理液を
速やかに、かつ確実に排出させることができる。 According to the present invention, it is possible to discharge the residual liquid in the treatment liquid discharge passage by connecting the treatment liquid discharge passage and the treatment liquid discharge passage. Therefore, unlike the case of performing pre-dispensing, the residual liquid can be removed without providing a complicated mechanism for moving the nozzle. Further, since the residual treatment liquid is discharged toward the opposite side of the ejection port through which the treatment liquid is ejected, the residual liquid does not become mist and adhere to the substrate. Further, since the gas is not supplied to the treatment liquid discharge passage, the inside of the treatment liquid discharge passage is not dried. Therefore, the residual liquid does not become flaky particles. Furthermore, since the gas is not blown onto the substrate, the substrate is not partially dried. In addition, the suction force of negative pressure
Since the processing liquid in the physical fluid discharge passage can be aspirated,
It is possible to forcefully discharge the processing liquid from the processing liquid discharge passage.
It Therefore, the treatment liquid remaining in the treatment liquid discharge passage
It can be discharged promptly and reliably.
【００１３】請求項２記載の発明は、上記処理液供給路
は複数であることを特徴とする請求項１記載の基板処理
装置である。本発明では、処理液供給路が複数あるか
ら、複数の処理液を用いる処理を基板に施すことができ
る。したがって、各処理の切り換え時に、処理液吐出路
と処理液排出路とを接続するようにしておけば、各処理
ごとに処理液吐出路に残留する処理液を排出することが
できる。よって、他の処理液が混入していない処理液を
基板に供給できるから、所期の目的に沿う処理を行うこ
とができる。また、他の処理液の混入の少ない処理液を
回収することができる。The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, characterized in that the processing liquid supply paths are plural. In the present invention, since there are a plurality of processing liquid supply paths, it is possible to perform processing using a plurality of processing liquids on the substrate. Therefore, if the treatment liquid discharge passage and the treatment liquid discharge passage are connected at the time of switching of each treatment, the treatment liquid remaining in the treatment liquid discharge passage can be discharged for each treatment. Therefore, it is possible to supply the processing liquid containing no other processing liquid to the substrate, and thus it is possible to perform the processing according to the intended purpose. In addition, it is possible to collect the processing liquid with less mixing of other processing liquids.
【００１４】 なお、このように処理液供給路が複数あ
る場合、処理液供給路を処理液吐出路に接続するとき、
異種の処理液が同時に処理液吐出路に供給されないよう
に、処理液供給路が選択される。請求項３記載の発明
は、基板に向けて処理液を吐出するための吐出口が一方
端側に形成された処理液吐出路と、この処理液吐出路の
他方端側と薬液タンクとに接続され、この薬液タンクに
貯留されている薬液を上記処理液吐出路に供給するため
の薬液供給路と、上記処理液吐出路の他方端側に接続さ
れ、上記処理液吐出路に純水を供給するための純水供給
路と、上記処理液吐出路の他方端側に接続され、上記処
理液吐出路内の処理液を排出するための処理液排出路
と、上記処理液吐出路と、上記薬液供給路、上記純水供
給路および上記処理液排出路との接続を選択的に切り換
えることができ、薬液により基板を処理するときには上
記処理液吐出路と薬液供給路とを接続し、純水により基
板を処理するときには上記処理液吐出路と純水供給路と
を接続し、純水により基板を処理した後には上記処理液
吐出路と処理液排出路とを接続する切換手段と、上記処
理液吐出路の吐出口から基板に向けて吐出された薬液を
回収し、この回収された薬液を上記薬液タンクに戻して
再利用するための薬液回収路とを含むことを特徴とする
基板処理装置である。When there are a plurality of treatment liquid supply passages as described above, when the treatment liquid supply passage is connected to the treatment liquid discharge passage,
The treatment liquid supply passage is selected so that different treatment liquids are not simultaneously supplied to the treatment liquid discharge passage. According to a third aspect of the present invention, a processing liquid discharge path having a discharge port for discharging the processing liquid toward the substrate is formed at one end side, and the other end side of the processing liquid discharge path is connected to the chemical tank. Connected to the chemical liquid supply passage for supplying the chemical liquid stored in the chemical liquid tank to the treatment liquid discharge passage and the other end side of the treatment liquid discharge passage, and supplying pure water to the treatment liquid discharge passage. A pure water supply passage for discharging the treatment liquid, a treatment liquid discharge passage for discharging the treatment liquid in the treatment liquid discharge passage, which is connected to the other end side of the treatment liquid discharge passage, the treatment liquid discharge passage, and The connection between the chemical solution supply path, the pure water supply path, and the processing solution discharge path can be selectively switched.
Connect the processing solution discharge path and the chemical solution supply path, and use pure water as a base.
When processing the plate, the processing liquid discharge path and the pure water supply path
After connecting the substrate and treating the substrate with pure water,
A switching device that connects the discharge passage and the processing liquid discharge passage, and collects the chemical liquid discharged from the discharge port of the processing liquid discharge passage toward the substrate, and returns the collected chemical liquid to the chemical liquid tank for reuse. A substrate processing apparatus including a chemical liquid recovery path for performing the above.
【００１５】[0015]
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の第１実施形態の基板処理装置の構成を示す概略図で
ある。この基板処理装置は、スピンチャック１に保持さ
れている半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板など
の基板Ｗを高速回転させつつ当該基板Ｗにフッ酸のよう
な薬液や純水（以下総称するときは「処理液」とい
う。）を供給して当該基板Ｗを処理するための装置であ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus rotates a substrate W, such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device, held on a spin chuck 1 at a high speed while applying a chemical solution such as hydrofluoric acid or pure water (hereinafter collectively referred to as “hydrogen acid”) to the substrate W. Is a “processing liquid”) to process the substrate W.
【００１７】スピンチャック１は、処理液飛散防止およ
び処理液の分離回収のためのスプラッシュガード２およ
びカップ３内に設けられ、回転板４と、回転板４に立設
され、基板Ｗを保持するためのチャックピン５とを含
む。スピンチャック１の上方には、さらに、薬液ミスト
が周囲に漏れるのを防ぐためのカバー６が設けられてい
る。The spin chuck 1 is provided in a splash guard 2 and a cup 3 for preventing the processing liquid from scattering and separating and collecting the processing liquid, and is erected on the rotating plate 4 and the rotating plate 4 to hold the substrate W. And a chuck pin 5 for. A cover 6 is provided above the spin chuck 1 to prevent the chemical mist from leaking to the surroundings.
【００１８】回転板４には、保持されている状態の基板
Ｗの中心を中心軸が通るように設けられた円筒構造の回
転軸７が連結されている。回転軸７は、回転用モータＭ
1 の駆動力によって回転方向Ｒに沿って回転される。こ
れに伴って、回転板４が回転し、その結果基板Ｗも回転
する。回転軸７の内部空間には、基板Ｗの下面に処理液
を供給するための下側処理液吐出路１０が回転しないよ
うに挿通されている。下側処理液吐出路１０の上端部は
開口しており、下側処理液吐出路１０に供給される処理
液を基板Ｗの下面に向けて吐出する下側ノズル１１とし
て機能する。下側処理液吐出路１０の下端部は、下側マ
ニホールド１２の一端側に接続されている。The rotating plate 4 is connected to a rotating shaft 7 having a cylindrical structure, which is provided so that its central axis passes through the center of the substrate W being held. The rotation shaft 7 is a rotation motor M.
It is rotated in the rotation direction R by the driving force of 1 . Along with this, the rotary plate 4 rotates, and as a result, the substrate W also rotates. A lower processing liquid discharge passage 10 for supplying the processing liquid to the lower surface of the substrate W is inserted into the inner space of the rotating shaft 7 so as not to rotate. The upper end of the lower processing liquid discharge passage 10 is open, and functions as a lower nozzle 11 that discharges the processing liquid supplied to the lower processing liquid discharge passage 10 toward the lower surface of the substrate W. The lower end of the lower processing liquid discharge passage 10 is connected to one end of the lower manifold 12.
【００１９】下側マニホールド１２の他端側には、下側
薬液供給路２０および下側純水供給路２１が接続されて
いる。下側薬液供給路２０および下側純水供給路２１
は、それぞれ、薬液タンクＴＲおよび純水タンクＴＷに
接続されており、その途中部には、それぞれ、下側薬液
弁ＶＲu および下側純水弁ＶＷu が介装されている。ま
た、各タンクＴＲ，ＴＷには、それぞれ、所定の圧力が
常時かけられている。よって、各タンクＴＲ，ＴＷに貯
留されている薬液および純水は、それぞれ、各弁Ｖ
Ｒu ，ＶＷu が開成されている場合に、各供給路２０，
２１を介して下側処理液吐出路１０に供給され、下側ノ
ズル１１から吐出される。A lower chemical solution supply passage 20 and a lower pure water supply passage 21 are connected to the other end of the lower manifold 12. Lower chemical solution supply passage 20 and lower pure water supply passage 21
Are connected to a chemical liquid tank TR and a pure water tank TW, respectively, and a lower chemical liquid valve VR u and a lower pure water valve VW u are interposed in the middle thereof. Further, a predetermined pressure is constantly applied to each of the tanks TR and TW. Therefore, the chemical liquid and the pure water stored in the tanks TR and TW are respectively supplied to the valves V
When R u and VW u are opened, each supply path 20,
It is supplied to the lower processing liquid discharge passage 10 via 21 and is discharged from the lower nozzle 11.
【００２０】下側マニホールド１２の他端側には、ま
た、下側ドレン排出路３０の一端側が接続されている。
下側ドレン排出路３０は、下側処理液吐出路１０に残留
している処理液を排出するためのものである。下側ドレ
ン排出路３０の途中部には、下側ドレン弁ＶＤu が介装
されている。下側ドレン排出路３０の他端側は、下側エ
ジェクタ３１に接続されている。下側エジェクタ３１に
は、下側エジェクタ用弁ＶＥu を介して空気流が与えら
れるようになっている。下側エジェクタ３１は、この与
えられる空気流によって負圧状態を生成し、この負圧に
よる吸引力によって下側処理液吐出路１０内の残留液を
吸引し、廃液タンクＴＤに排出する。The other end of the lower manifold 12 is also connected to one end of the lower drain discharge passage 30.
The lower drain discharge passage 30 is for discharging the processing liquid remaining in the lower processing liquid discharge passage 10. A lower drain valve VD u is provided in the middle of the lower drain discharge passage 30. The other end of the lower drain discharge path 30 is connected to the lower ejector 31. An air flow is applied to the lower ejector 31 via the lower ejector valve VE u . The lower ejector 31 generates a negative pressure state by the applied air flow, sucks the residual liquid in the lower processing liquid discharge passage 10 by the suction force of this negative pressure, and discharges it to the waste liquid tank TD.
【００２１】このように、下側マニホールド１２には、
１本の下側処理液吐出路１０が接続され、２本の供給路
２０，２１が接続され、さらに１本の下側ドレン排出路
３０が接続されている。したがって、下側マニホールド
１２、下側薬液弁ＶＲu 、下側純水弁ＶＷu および下側
ドレン弁ＶＤu は、全体でいわば４方弁となっていると
言える。As described above, the lower manifold 12 has
One lower processing liquid discharge passage 10 is connected, two supply passages 20 and 21 are connected, and further one lower drain discharge passage 30 is connected. Therefore, it can be said that the lower manifold 12, the lower chemical liquid valve VR u , the lower pure water valve VW u, and the lower drain valve VD u are four-way valves as a whole.
【００２２】なお、処理に使用する薬液または純水がさ
らに増えて供給路がたとえばｎ本になった場合には、全
体で（ｎ＋２）方弁になる。スピンチャック１の上方に
は、保持されている基板Ｗの上面に処理液を供給するた
めの上側ノズル５０が配設されている。この上側ノズル
５０には、上側処理液吐出路５１が接続されている。When the amount of chemical liquid or pure water used for the treatment further increases and the number of supply paths becomes, for example, n, the valve becomes a (n + 2) one-way valve as a whole. Above the spin chuck 1, an upper nozzle 50 for supplying a processing liquid to the upper surface of the held substrate W is arranged. An upper processing liquid discharge passage 51 is connected to the upper nozzle 50.
【００２３】上側処理液吐出路５１は、上側マニホール
ド５２の一端側に接続されている。上側マニホールド５
２の他端側には、薬液タンクＴＲおよび純水タンクＴＷ
にそれぞれ接続された上側薬液供給路６０および上側純
水供給路６１が接続されている。上側薬液供給路６０お
よび上側純水供給路６１の途中部には、それぞれ、上側
薬液弁ＶＲo 上側純水弁ＶＷo が介装されている。The upper processing liquid discharge passage 51 is connected to one end of the upper manifold 52. Upper manifold 5
On the other end side of 2, the chemical liquid tank TR and the pure water tank TW
An upper chemical solution supply path 60 and an upper pure water supply path 61, which are respectively connected to, are connected to each other. Upper chemical liquid valves VR o upper pure water valves VW o are provided in the middle of the upper chemical liquid supply passage 60 and the upper pure water supply passage 61, respectively.
【００２４】上側マニホールド５２の他端側には、さら
に、上側ドレン排出路７０が接続されている。上側ドレ
ン排出路７０は、上側処理液吐出路５１内の残留液を排
出するためのもので、その途中部には、上側ドレン弁Ｖ
Ｄo が介装されている。さらに、上側ドレン排出路７０
には、上側エジェクタ７１が接続され、上側エジェクタ
用弁ＶＥo を介して与えられる空気流によって生成され
る負圧による吸引力を利用して上側処理液吐出路５１内
の残留液が吸引され、廃液タンクＴＤに排出されるよう
になっている。An upper drain discharge passage 70 is further connected to the other end of the upper manifold 52. The upper drain discharge passage 70 is for discharging the residual liquid in the upper processing liquid discharge passage 51, and the upper drain valve V is provided in the middle thereof.
D o is interposed. Further, the upper drain discharge path 70
Is connected to an upper ejector 71, and the residual liquid in the upper processing liquid discharge passage 51 is sucked by using the suction force by the negative pressure generated by the air flow given through the upper ejector valve VE o , It is designed to be discharged to the waste liquid tank TD.
【００２５】このように、上側マニホールド５２、上側
薬液弁ＶＲo 、上側純水弁ＶＷo および上側ドレン弁Ｖ
Ｄo も、全体でいわば４方弁となっている。下側処理液
吐出路１０および上側処理液吐出路５１の途中部には、
それぞれ、圧力センサＳＰu ，ＳＰo が設けられてい
る。圧力センサＳＰu ，ＳＰo では、各吐出路１０，５
１内に供給されてくる処理液の液圧が検出される。これ
により、各供給路１０，５１に処理液が確実に供給され
てきているか否かが確認される。As described above, the upper manifold 52, the upper chemical liquid valve VR o , the upper pure water valve VW o, and the upper drain valve V.
The D o is also a so-called 4-way valve as a whole. In the middle of the lower processing liquid discharge passage 10 and the upper processing liquid discharge passage 51,
Pressure sensors SP u and SP o are provided respectively. In the pressure sensors SP u and SP o , the discharge passages 10 and 5 are
The liquid pressure of the processing liquid supplied into the chamber 1 is detected. As a result, it is confirmed whether or not the processing liquid has been reliably supplied to the supply paths 10 and 51.
【００２６】下側処理液吐出路１０の下側マニホールド
１２近傍、および上側処理液吐出路５１の上側マニホー
ルド５２近傍には、それぞれ、発光素子および受光素子
を有する下側光センサＳＬu および上側光センサＳＬo
が配設されている。各光センサＳＬu ，ＳＬo の出力
は、たとえば当該光センサＳＬu ，ＳＬo の光路上に処
理液が存在していない状態ではローレベル、光路上に処
理液が存在していればハイレベルとなる。これにより、
残留液を吸引するとき、残留液がなくなったか否かが確
認される。The lower photosensor SL u and the upper photosensor having light emitting elements and light receiving elements are provided near the lower manifold 12 of the lower processing liquid discharge passage 10 and near the upper manifold 52 of the upper processing liquid discharge passage 51, respectively. Sensor SL o
Is provided. The output of each optical sensor SL u , SL o is, for example, low level when the treatment liquid does not exist on the optical path of the optical sensor SL u , SL o , and high level when the treatment liquid exists on the optical path. Becomes This allows
When aspirating the residual liquid, it is confirmed whether or not the residual liquid is exhausted.
【００２７】カップ３の下部は、しきり部３ａによって
回収部３ｂと廃液部３ｃとに分けられている。回収部３
ｂには、基板Ｗに対して薬液処理が施された後の薬液を
回収するための回収用ドレン口８０が形成されている。
回収用ドレン口８０には、薬液回収路８１の一端が接続
されている。薬液回収路８１の他端は、薬液回収弁ＶＲ
k 、および回収された薬液を浄化するための浄化手段８
２（たとえば薬液用フィルタなど）を介して薬液タンク
ＴＲに接続されている。The lower part of the cup 3 is divided into a collecting part 3b and a waste liquid part 3c by a cut-off part 3a. Collection part 3
A recovery drain port 80 for recovering the chemical liquid after the chemical treatment of the substrate W is formed in b.
One end of a chemical liquid recovery passage 81 is connected to the recovery drain port 80. The other end of the chemical liquid recovery passage 81 has a chemical liquid recovery valve VR.
k , and a purifying means 8 for purifying the recovered chemical liquid
It is connected to the chemical liquid tank TR via 2 (for example, a chemical liquid filter or the like).
【００２８】廃液部３ｃには、基板Ｗに対して洗浄処理
が施された純水（廃液）を廃棄するための廃液用ドレン
口９０が形成されている。廃液用ドレン口９０には、廃
棄用路９１の一端が接続されている。廃棄用路９１の他
端は、廃液タンクＴＤに接続されている。廃棄用路９１
の途中部には、廃棄用路９１に導かれてきた廃液をいっ
たん溜めるとともに、廃棄用路９１内の雰囲気およびス
ピンチャック１近傍の雰囲気を排気する排気ボックス９
２が介装されている。The waste liquid portion 3c is provided with a waste liquid drain port 90 for discarding pure water (waste liquid) on which the substrate W has been cleaned. One end of a waste passage 91 is connected to the waste liquid drain port 90. The other end of the waste passage 91 is connected to the waste liquid tank TD. Waste path 91
An exhaust box 9 for temporarily collecting the waste liquid introduced to the disposal path 91 and exhausting the atmosphere inside the disposal path 91 and the atmosphere near the spin chuck 1 in the middle of
2 is installed.
【００２９】スプラッシュガード２は、ガード上下用モ
ータＭ2 によって、回収位置、この回収位置よりも下方
の廃液位置、この廃液位置よりもさらに下方の基板収容
位置に上下移動可能になっている。基板収容位置は、基
板Ｗを搬送する基板搬送手段（図示せず）によって基板
Ｗがスピンチャック１に対して載置または離隔されると
きにスプラッシュガード２が邪魔にならないような位置
に設定されている。具体的には、スプラッシュガード２
の上端面がスピンチャック１の基板保持面よりも下方に
なるような位置に設定されている。The splash guard 2 can be moved up and down by a guard up / down motor M 2 to a collecting position, a waste liquid position below the collecting position, and a substrate accommodating position further below the waste liquid position. The substrate accommodation position is set to a position where the splash guard 2 does not get in the way when the substrate W is placed on or separated from the spin chuck 1 by a substrate transfer means (not shown) that transfers the substrate W. There is. Specifically, Splash Guard 2
Is set at a position such that the upper end surface thereof is below the substrate holding surface of the spin chuck 1.
【００３０】スプラッシュガード２が回収位置にあると
き、カップ３の回収部３ｂはスピンチャック１のある内
部空間に開放されている。したがって、基板Ｗから振り
切られた薬液は回収部３ｂに導かれ、回収用ドレン口８
０を介して薬液回収路８１に導かれる。スプラッシュガ
ード２が廃液位置にあるとき、カップ３の回収部３ｂは
しきり部３ａによって内部空間から隔絶されている。し
たがって、基板Ｗから振り切られた純水（廃液）は、廃
液部３ｃに溜まり、廃液用ドレン口９０を介して廃液用
路９１に導かれる。When the splash guard 2 is in the recovery position, the recovery part 3b of the cup 3 is open to the internal space where the spin chuck 1 is located. Therefore, the chemical liquid shaken off from the substrate W is guided to the recovery unit 3b, and the recovery drain port 8
It is guided to the chemical liquid recovery path 81 via 0. When the splash guard 2 is at the waste liquid position, the collecting portion 3b of the cup 3 is isolated from the internal space by the cutout portion 3a. Therefore, the pure water (waste liquid) shaken off from the substrate W is collected in the waste liquid portion 3c and guided to the waste liquid passage 91 through the waste liquid drain port 90.
【００３１】なお、スプラッシュガード２の上下移動用
の駆動源としてガード上下用モータＭ2 を採用している
が、たとえば空気圧を利用するシリンダを採用してもよ
いのはもちろんである。図２は、この基板処理装置の電
気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置に
は、制御中枢として機能する制御部１００が設けられて
いる。制御部１００は、ＣＰＵ、ＲＯＭ１０１およびＲ
ＡＭを含むマイクロコンピュータで構成されている。制
御部１００は、ＲＯＭ１０１に記憶されている制御プロ
グラムに従って、薬液処理、洗浄処理および残留液除去
処理を含む一連の基板処理を実行する。Although the guard up / down motor M 2 is used as a drive source for vertically moving the splash guard 2, it goes without saying that, for example, a cylinder utilizing air pressure may be employed. FIG. 2 is a block diagram showing the electrical configuration of this substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus is provided with a control unit 100 that functions as a control center. The control unit 100 includes a CPU, ROM 101 and R
It is composed of a microcomputer including AM. The control unit 100 executes a series of substrate processes including a chemical liquid process, a cleaning process, and a residual liquid removal process according to a control program stored in the ROM 101.
【００３２】制御部１００には、一連の基板処理を実行
する際のパラメータとなる圧力センサＳＰu ，ＳＰo お
よび光センサＳＬu ，ＳＬo の出力が与えられるように
なっている。制御部１００は、一連の基板処理を実行す
るとき、ＲＯＭ１０１に記憶されている制御プログラム
に従って、回転用モータＭ1 およびガード上下用モータ
Ｍ2の駆動を制御するとともに、さらに圧力センサＳＰ
u ，ＳＰo および光センサＳＬu ，ＳＬo の出力に基づ
いて、各弁の開閉を制御する。The control unit 100 is supplied with the outputs of the pressure sensors SP u and SP o and the optical sensors SL u and SL o which are parameters when executing a series of substrate processing. When executing a series of substrate processing, the control unit 100 controls the driving of the rotation motor M 1 and the guard up / down motor M 2 according to the control program stored in the ROM 101, and further, the pressure sensor SP.
The opening and closing of each valve is controlled based on the outputs of u , SP o and the optical sensors SL u , SL o .
【００３３】制御部１００は、基板Ｗに対して上記一連
の基板処理を施すときには、下側薬液弁ＶＲu 、下側純
水弁ＶＷu 、下側ドレン弁ＶＤu および下側エジェクタ
弁ＶＥu 、ならびに上側薬液弁ＶＲo 、上側純水弁ＶＷ
o 、上側ドレン弁ＶＤo および上側エジェクタ用弁ＶＥ
o を選択的に開閉させる。さらに、薬液回収弁ＶＲkを
選択的に開閉させる。When the substrate W is subjected to the above-described series of substrate treatments, the control unit 100 controls the lower chemical liquid valve VR u , the lower pure water valve VW u , the lower drain valve VD u, and the lower ejector valve VE u. , And upper chemical liquid valve VR o , upper pure water valve VW
o , upper drain valve VD o and upper ejector valve VE
Open and close o selectively. Furthermore, the chemical recovery valve VR k is selectively opened and closed.
【００３４】弁の開閉についてさらに詳述すると、下側
薬液弁ＶＲu および上側薬液弁ＶＲ o 、下側純水弁ＶＷ
u および上側純水弁ＶＷo 、下側ドレン弁ＶＤu および
上側ドレン弁ＶＤo 、ならびに下側エジェクタ用弁ＶＥ
u および上側エジェクタ用弁ＶＥo は、それぞれ、ほぼ
同時に開閉される。また、たとえば下側薬液弁ＶＲuお
よび上側薬液弁ＶＲo を開成するときには他の弁は閉成
させるというように、２組以上の弁を同時に開成させる
ことはない。これは、異種の処理液が基板Ｗに同時に供
給されるのを防止するとともに、残留液の回収時には下
側処理液吐出路１０および上側処理液吐出路５１に処理
液を供給しないようにするためである。The opening and closing of the valve will be described in more detail.
Chemical liquid valve VRuAnd upper chemical liquid valve VR o, Lower pure water valve VW
uAnd upper pure water valve VWo, Lower drain valve VDuand
Upper drain valve VDo, And the lower ejector valve VE
uAnd upper ejector valve VEoAre almost
It is opened and closed at the same time. Further, for example, the lower chemical liquid valve VRuOh
And upper chemical liquid valve VRoOther valves close when opening
Open two or more sets of valves simultaneously
There is no such thing. This is because different kinds of processing liquids are simultaneously supplied to the substrate W.
To prevent it from being supplied to the
Processing on the side processing liquid discharge passage 10 and the upper processing liquid discharge passage 51
This is to prevent the liquid from being supplied.
【００３５】このように、この実施形態では、各弁ＶＲ
u ，ＶＷu ，ＶＤu ，ＶＲo ，ＶＷ o ，ＶＤo が切換手
段に相当する。図３は、制御部１００で実行される基板
Ｗに対する一連の基板処理を説明するためのフローチャ
ートである。この基板処理は、薬液処理および洗浄処理
の順に行われる処理であり、薬液処理および洗浄処理後
にそれぞれ残留液除去処理を含む。As described above, in this embodiment, each valve VR is
u, VWu, VDu, VRo, VW o, VDoIs a switching hand
Corresponds to a step. FIG. 3 shows a board executed by the control unit 100.
Flowchart for explaining a series of substrate processing for W
It is This substrate processing is chemical solution processing and cleaning processing.
After chemical treatment and cleaning treatment
Each includes residual liquid removal processing.
【００３６】制御部１００は、ガード上下用モータＭ2
を駆動し、スプラッシュガード２を基板収容位置まで下
げる。この状態において、基板搬送手段（図示せず）に
よって基板Ｗがスピンチャック１まで搬送され、スピン
チャック１にて保持される。その後、制御部１００は、
薬液処理を開始する（ステップＳ１）。すなわち、回転
用モータＭ1 を駆動し、スピンチャック１を回転させ
る。また、ガード上下用モータＭ2 を駆動し、スプラッ
シュガード２を回収位置まで上昇させる。さらに、薬液
の供給を開始させるために、下側薬液弁ＶＲu および上
側薬液弁ＶＲoを開成するとともに、下側純水弁Ｖ
Ｗu 、上側純水弁ＶＷo 、下側ドレン弁ＶＤ u および上
側ドレン弁ＶＤo を閉成する。その結果、薬液は、下側
薬液供給路２０および上側薬液供給路６０を介してそれ
ぞれ下側処理液吐出路１０および上側処理液吐出路５１
に導かれ、下側ノズル１１および上側ノズル５０から吐
出される。これにより、高速回転している基板Ｗの下面
および上面に対して薬液が供給される。The control unit 100 includes a guard up / down motor M.2
Drive to lower the splash guard 2 to the substrate storage position.
Get out. In this state, the substrate transfer means (not shown)
Therefore, the substrate W is transported to the spin chuck 1 and spins.
It is held by the chuck 1. After that, the control unit 100
The chemical treatment is started (step S1). I.e. rotation
Motor M1To rotate the spin chuck 1
It In addition, the motor M for guard up / down2Drive the splatter
Raise the sugar guard 2 to the recovery position. Furthermore, the drug solution
Lower chemical liquid valve VR to start the supply ofuAnd above
Side chemical liquid valve VRoThe lower pure water valve V
Wu, Upper pure water valve VWo, Lower drain valve VD uAnd above
Side drain valve VDoClose. As a result, the drug solution
Through the chemical liquid supply passage 20 and the upper chemical liquid supply passage 60
Lower processing liquid discharge passage 10 and upper processing liquid discharge passage 51, respectively
And is discharged from the lower nozzle 11 and the upper nozzle 50.
Will be issued. As a result, the lower surface of the substrate W rotating at high speed
And the chemical solution is supplied to the upper surface.
【００３７】薬液処理は、制御部１００において、薬液
が下側処理液吐出路１０および上側処理液吐出路５１に
確実に供給されていることが監視されながら行われる。
薬液が確実に供給されているか否かは、圧力センサＳＰ
u ，ＳＰo で検出される液圧が所定値以上であるか否か
によって判断される。高速回転している基板Ｗに供給さ
れた薬液は、基板Ｗの遠心力によって基板Ｗから振り切
られる。その結果、基板Ｗに供給された薬液は、カップ
３の回収部３ｂに導かれ、回収用ドレン口８０を介して
薬液回収路８１に導かれる。The chemical treatment is performed by the controller 100 while monitoring that the chemical is reliably supplied to the lower treatment liquid discharge passage 10 and the upper treatment liquid discharge passage 51.
The pressure sensor SP determines whether or not the chemical liquid is reliably supplied.
It is determined by whether or not the hydraulic pressure detected at u and SP o is a predetermined value or more. The chemical liquid supplied to the substrate W rotating at high speed is shaken off from the substrate W by the centrifugal force of the substrate W. As a result, the chemical solution supplied to the substrate W is guided to the recovery section 3b of the cup 3 and then to the chemical solution recovery path 81 via the recovery drain port 80.
【００３８】制御部１００は、薬液回収路８１に導かれ
てきた薬液を回収して再利用するため、薬液処理の開始
とともに薬液回収弁ＶＲk を開成する。したがって、薬
液回収路８１に導かれてきた薬液は、浄化手段８２で浄
化された後、薬液タンクＴＲに戻される。これにより、
薬液の再利用を図ることができる。制御部１００は、薬
液処理の開始から所定の薬液処理時間が経過したことに
応答して、下側薬液弁ＶＲu 、上側薬液弁ＶＲo および
薬液回収弁ＶＲk を閉成する。これにより、薬液処理が
終了する。The control unit 100 opens the chemical liquid recovery valve VR k at the same time as the start of the chemical liquid processing in order to recover and reuse the chemical liquid guided to the chemical liquid recovery passage 81. Therefore, the chemical liquid introduced to the chemical liquid recovery passage 81 is purified by the purifying means 82 and then returned to the chemical liquid tank TR. This allows
The chemical solution can be reused. The control unit 100 closes the lower chemical solution valve VR u , the upper chemical solution valve VR o, and the chemical solution recovery valve VR k in response to the elapse of a predetermined chemical solution processing time from the start of the chemical solution processing. As a result, the chemical solution treatment is completed.
【００３９】薬液処理の終了後、下側処理液吐出路１０
および上側処理液吐出路５１には、通常、薬液が残留し
ている。制御部１００は、次の洗浄処理を実行するのに
先立ち、残留液を除去する。具体的には、下側ドレン弁
ＶＤu および上側ドレン弁ＶＤo を開成する（ステップ
Ｓ２）。また、下側エジェクタ用弁ＶＥu および上側エ
ジェクタ用弁ＶＥo を開成する。これに伴って、下側エ
ジェクタ３１および上側エジェクタ７１には空気流が与
えられ、負圧状態が生成される。その結果、この負圧に
よる吸引力によって、下側処理液吐出路１０および上側
処理液吐出路５１内の残留液が吸引され、下側ドレン排
出路３０および上側ドレン排出路７０を介して廃液タン
クＴＤに排出される。After the processing of the chemical solution is completed, the lower processing solution discharge passage 10 is formed.
Further, the chemical liquid usually remains in the upper processing liquid discharge passage 51. The controller 100 removes the residual liquid before executing the next cleaning process. Specifically, the lower drain valve VD u and the upper drain valve VD o are opened (step S2). Further, the lower ejector valve VE u and the upper ejector valve VE o are opened. Along with this, an air flow is given to the lower ejector 31 and the upper ejector 71, and a negative pressure state is generated. As a result, the residual liquid in the lower processing liquid discharge passage 10 and the upper processing liquid discharge passage 51 is sucked by the suction force due to this negative pressure, and the waste liquid tank is passed through the lower drain discharge passage 30 and the upper drain discharge passage 70. It is discharged to TD.
【００４０】制御部１００は、残留液を回収している最
中、光センサＳＬu ，ＳＬo により残留液を検出しなく
なったか否かを監視している（ステップＳ３）。その結
果、光センサＳＬu ，ＳＬo により残留液を検出しなく
なった場合には、下側ドレン弁ＶＤu および上側ドレン
ＶＤo を閉成するとともに、下側エジェクタ用弁ＶＥ u
および上側エジェクタ用弁ＶＥo を閉成する。これによ
り、下側処理液吐出路１０および上側処理液吐出路５１
内の残留液をほぼ完全に除去することができる。The control unit 100 controls the recovery of the residual liquid.
Medium, optical sensor SLu, SLoNo residual liquid detected due to
It is monitored whether or not it has become (step S3). That conclusion
Result, optical sensor SLu, SLoNo residual liquid detected due to
If it happens, the lower drain valve VDuAnd upper drain
VDoAnd the lower ejector valve VE u
And upper ejector valve VEoClose. By this
The lower processing liquid discharge passage 10 and the upper processing liquid discharge passage 51.
The residual liquid inside can be removed almost completely.
【００４１】次いで、制御部１００は、洗浄処理を実行
する（ステップＳ４）。洗浄処理では、薬液処理におい
て用いられる薬液が純水に代わる。すなわち、下側純水
弁ＶＷu および上側純水弁ＶＷo が開成される。その他
の下側薬液弁ＶＲu 、下側ドレン弁ＶＤu 、上側薬液弁
ＶＲo および上側ドレン弁ＶＤo 、ならびに薬液回収弁
ＶＲk は閉成される。また、ガード上下用モータＭ2 が
駆動され、スプラッシュガード２が廃液位置に移動され
る。Next, the control section 100 executes a cleaning process (step S4). In the cleaning process, the chemical liquid used in the chemical liquid treatment replaces pure water. That is, the lower pure water valve VW u and the upper pure water valve VW o are opened. The other lower chemical liquid valve VR u , lower drain valve VD u , upper chemical liquid valve VR o and upper drain valve VD o , and chemical liquid recovery valve VR k are closed. Further, the guard up / down motor M 2 is driven, and the splash guard 2 is moved to the waste liquid position.
【００４２】これにより、基板Ｗの下面および上面に純
水が供給され、基板Ｗの下面および上面が洗浄される。
また、基板Ｗから振り切られる純水（廃液）は、しきり
部３ａで遮られてカップ３の廃液部３ｃに溜まり、廃液
用ドレン口９０から廃液用路９１を介して廃液タンクＴ
Ｄに廃棄される。洗浄処理が開始されるとき、下側処理
液吐出路１０および上側処理液吐出路５１内に残留して
いる薬液はほぼ完全に除去されている。したがって、洗
浄処理で用いられる純水には、薬液が混入することがな
い。そのため、基板Ｗをきれいに洗浄することができ
る。As a result, pure water is supplied to the lower surface and the upper surface of the substrate W, and the lower surface and the upper surface of the substrate W are cleaned.
Further, the pure water (waste liquid) shaken off from the substrate W is blocked by the cut-off portion 3a and collected in the waste liquid portion 3c of the cup 3, and is discharged from the waste liquid drain port 90 through the waste liquid passage 91 to the waste liquid tank T.
Discarded in D. When the cleaning process is started, the chemical liquid remaining in the lower processing liquid discharge passage 10 and the upper processing liquid discharge passage 51 is almost completely removed. Therefore, the pure water used in the cleaning process does not contain the chemical solution. Therefore, the substrate W can be cleaned cleanly.
【００４３】洗浄処理終了後、制御部１００は、残留液
除去処理を実行する（ステップＳ５，Ｓ６）。すなわ
ち、下側光センサＳＬu ，ＳＬo の出力に基づいて残留
液がなくなったと判断されるまで下側ドレン弁ＶＤu お
よび上側ドレン弁ＶＤo を開成するとともに、下側エジ
ェクタ用弁ＶＥu および上側エジェクタ用弁ＶＥo を開
成する。After the cleaning process is completed, the control unit 100 executes the residual liquid removing process (steps S5 and S6). That is, the lower drain valve VD u and the upper drain valve VD o are opened, and the lower ejector valve VE u and VE u are opened until it is determined that the residual liquid is exhausted based on the outputs of the lower photosensors SL u and SL o. Open the upper ejector valve VE o .
【００４４】その結果、下側エジェクタ３１および上側
エジェクタ７１によって生成される負圧の吸引力によっ
て下側処理液吐出路１０および上側処理液吐出路５１に
残留している純水が強制的に除去される。これにより、
次の処理対象の基板Ｗに対して薬液処理を実行すると
き、薬液を純水で薄めることなく、薬液処理を実行する
ことができる。そのため、次の処理対象の基板Ｗに対し
て薬液処理を十分に施すことができる。しかも、このと
きに使用される薬液は純水で薄められていないから、処
理後の薬液を回収するときも純水で薄められていない状
態で回収することができる。そのため、薬液を回収して
繰り返し再利用する場合でも、基板Ｗに対して所期の目
的に沿う薬液処理を施すことができる。As a result, the pure water remaining in the lower processing liquid discharge passage 10 and the upper processing liquid discharge passage 51 is forcibly removed by the suction force of the negative pressure generated by the lower ejector 31 and the upper ejector 71. To be done. This allows
When performing the chemical treatment on the next substrate W to be processed, the chemical treatment can be executed without diluting the chemical with pure water. Therefore, the chemical treatment can be sufficiently performed on the next substrate W to be treated. Moreover, since the chemical liquid used at this time is not diluted with pure water, it is possible to collect the treated chemical liquid in a state where it is not diluted with pure water. Therefore, even when the chemical liquid is collected and repeatedly reused, the substrate W can be subjected to the chemical liquid treatment according to the intended purpose.
【００４５】なお、上記の説明では、基板Ｗの上面およ
び下面を同時に処理する場合について説明しているが、
たとえば基板Ｗの上面および下面のいずれか一方のみを
処理するようにしてもよいのはもちろんである。以上の
ようにこの第１実施形態の基板処理装置によれば、処理
液を用いた処理終了後、次の処理液を用いる処理を行う
前に、従前の処理液を吸引して除去しているから、次の
処理液に従前の処理液が混入することがない。したがっ
て、基板Ｗに対して所期の目的に沿った処理を施すこと
ができる。そのため、基板Ｗの高品質化を図ることがで
きる。しかも、薬液を回収するとき、純水で薄められて
いない薬液を回収することができるから、薬液を回収し
て繰り返し再利用する場合でも、基板Ｗに対して所期の
目的に沿う薬液処理を確実に施すことができる。In the above description, the case where the upper surface and the lower surface of the substrate W are processed at the same time is explained.
Of course, for example, only one of the upper surface and the lower surface of the substrate W may be processed. As described above, according to the substrate processing apparatus of the first embodiment, after the processing using the processing liquid is completed and before the processing using the next processing liquid is performed, the previous processing liquid is sucked and removed. Therefore, the previous processing liquid does not mix with the next processing liquid. Therefore, the substrate W can be processed according to the intended purpose. Therefore, the quality of the substrate W can be improved. Moreover, since the chemical liquid which is not diluted with pure water can be collected when the chemical liquid is collected, even if the chemical liquid is collected and repeatedly reused, the chemical treatment of the substrate W according to the intended purpose can be performed. It can be applied reliably.
【００４６】また、処理液除去のために、たとえば下側
ドレン弁ＶＤu が途中に介装された下側ドレン排出路３
０を下側処理液供給路１０が接続された下側マニホール
ド１２に接続し、下側ドレン弁ＶＤu を処理終了後に開
成させる構成を採用している。したがって、下側ノズル
１１から残留液を吐出するプリディスペンスを行う場合
のように、残留液除去処理のために下側ノズル１１を移
動させる複雑な構成を備える必要がなく、構成が簡単に
なる。In order to remove the processing liquid, for example, a lower drain discharge passage 3 in which a lower drain valve VD u is provided on the way.
0 is connected to the lower manifold 12 to which the lower processing liquid supply passage 10 is connected, and the lower drain valve VD u is opened after the processing is completed. Therefore, unlike the case of performing the pre-dispensing for discharging the residual liquid from the lower nozzle 11, it is not necessary to have a complicated structure for moving the lower nozzle 11 for the residual liquid removing process, and the structure is simplified.
【００４７】さらに、不活性ガスをたとえば下側処理液
吐出路１０に供給して処理液を除去しているわけではな
いから、残留液ミストが下側ノズル１１から吐出される
ことがない。また、下側処理液吐出路１０の内部が乾燥
することがないから、除去しきれなかった残留液がフレ
ーク状のパーティクルとなるのを防止できる。そのた
め、基板Ｗにパーティクルが付着するのを未然に防止で
きる。さらに、不活性ガスが基板Ｗの下面中央付近に吹
き付けられることもないから、基板Ｗが部分的に乾燥す
ることもない。そのため、基板Ｗに汚れが付着していて
も、その汚れを容易に除去することができる。よって、
基板Ｗの高品質化を図ることができる。Furthermore, since the inert gas is not supplied to the lower processing liquid discharge passage 10 to remove the processing liquid, the residual liquid mist is not discharged from the lower nozzle 11. Further, since the inside of the lower processing liquid discharge passage 10 is not dried, it is possible to prevent the residual liquid that cannot be completely removed from becoming flaky particles. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate W. Further, since the inert gas is not blown near the center of the lower surface of the substrate W, the substrate W is not partially dried. Therefore, even if dirt is attached to the substrate W, the dirt can be easily removed. Therefore,
The quality of the substrate W can be improved.
【００４８】図４は、本発明の第２実施形態の基板処理
装置の構成を示す概略図である。図４において、図１と
同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。上
記第１実施形態の基板処理装置は、薬液および純水を用
いて基板Ｗを処理する装置であるのに対して、この第２
実施形態の基板処理装置は、純水を用いて基板Ｗを洗浄
するための装置である。FIG. 4 is a schematic view showing the arrangement of a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 4, the same reference numerals are used for the same functional parts as in FIG. While the substrate processing apparatus of the first embodiment is an apparatus for processing the substrate W using a chemical solution and pure water, the second embodiment
The substrate processing apparatus of the embodiment is an apparatus for cleaning the substrate W using pure water.
【００４９】この第２実施形態の基板処理装置は、上述
のように、純水を用いて基板Ｗを洗浄するための装置で
あるために、上記第１実施形態の基板処理装置のよう
に、薬液ミストが周囲に漏れるのを防ぐためのカバー６
は不要となる。また、薬液を回収する必要もないから、
スプラッシュガード２は、廃液位置とこの廃液位置より
も低い基板収容位置とに上下移動できるようにされてい
る。Since the substrate processing apparatus of the second embodiment is an apparatus for cleaning the substrate W with pure water as described above, like the substrate processing apparatus of the first embodiment, Cover 6 for preventing chemical mist from leaking to the surroundings
Is unnecessary. Also, since it is not necessary to collect the liquid medicine,
The splash guard 2 is vertically movable to a waste liquid position and a substrate housing position lower than the waste liquid position.
【００５０】下側処理液吐出路１０の下端部には、下側
純水供給路２１および下側ドレン排出路３０が継手２０
０を介して接続されている。このように、継手２００、
下側純水弁ＶＷu および下側ドレン弁ＶＤu は、全体で
いわば３方弁になっていると言える。同様に、上側処理
液吐出路５１の下端部には、上側純水供給路６１および
上側ドレン排出路７０が継手２０１を介して接続されて
おり、継手２０１、上側純水弁ＶＷo および上側ドレン
弁ＶＤo が全体でいわば３方弁になっている。At the lower end of the lower processing liquid discharge passage 10, a lower pure water supply passage 21 and a lower drain discharge passage 30 are connected.
It is connected through 0. Thus, the joint 200,
It can be said that the lower pure water valve VW u and the lower drain valve VD u are, as a whole, three-way valves. Similarly, an upper pure water supply passage 61 and an upper drain discharge passage 70 are connected to a lower end portion of the upper processing liquid discharge passage 51 through a joint 201, and the joint 201, the upper pure water valve VW o, and the upper drain. The valve VD o is, as it were, a three-way valve.
【００５１】スピンチャック１の上方には、窒素ガスな
どの不活性ガスを噴射するためのガスノズル２１０が配
設されている。ガスノズル２１０には、ガスタンクＴＧ
から不活性ガスが供給されるガス供給路２１１の一端部
が連結されている。ガス供給路２１１の途中部には、ガ
ス弁ＶＧが介装されている。図５は、この第２実施形態
の基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図で
ある。図５において、図２と同じ機能部分については同
一の参照符号を使用する。A gas nozzle 210 for injecting an inert gas such as nitrogen gas is disposed above the spin chuck 1. The gas nozzle 210 has a gas tank TG.
One end of a gas supply path 211 to which the inert gas is supplied from is connected. A gas valve VG is provided in the middle of the gas supply path 211. FIG. 5 is a block diagram showing the main electrical configuration of the substrate processing apparatus of this second embodiment. 5, the same reference numerals are used for the same functional parts as in FIG.
【００５２】この基板処理装置には、制御中枢として機
能する制御部２２０が備えられている。制御部２２０
は、ＣＰＵ、ＲＯＭ２２１およびＲＡＭを含むマイクロ
コンピュータで構成されたものである。制御部２２０
は、ＲＯＭ２２１に格納されている制御プログラムに従
って、純水洗浄処理、残留液除去処理およびスピン乾燥
処理を含む一連の基板洗浄処理を実行する。This substrate processing apparatus is provided with a control section 220 which functions as a control center. Control unit 220
Is a microcomputer including a CPU, a ROM 221, and a RAM. Control unit 220
Performs a series of substrate cleaning processes including a pure water cleaning process, a residual liquid removing process, and a spin drying process according to a control program stored in the ROM 221.
【００５３】制御部２２０は、上記一連の処理を実行す
るとき、ＲＯＭ２２１に格納されている制御プログラム
に従って、回転用モータＭ1 およびガード上下用モータ
Ｍ2の駆動を制御する。また、圧力センサＳＰu ，ＳＰ
o および光センサＳＬu ，ＳＬo の出力に基づいて、弁
ＶＷu ，ＶＤu 、ＶＥu 、ＶＷo 、ＶＤo 、ＶＥo 、Ｖ
Ｇを選択的に開閉させる。When executing the above series of processing, the control unit 220 controls the driving of the rotation motor M 1 and the guard up / down motor M 2 according to the control program stored in the ROM 221. In addition, pressure sensors SP u and SP
o and the outputs of the optical sensors SL u , SL o , based on the valves VW u , VD u , VE u , VW o , VD o , VE o , V
G is selectively opened and closed.
【００５４】図６は、制御部２２０において実行される
一連の基板洗浄処理を説明するためのフローチャートで
ある。制御部２２０は、ガード上下用モータＭ2 を駆動
し、スプラッシュガード２を基板収容位置まで下げる。
この状態において、基板搬送手段（図示せず）によって
基板Ｗがスピンチャック１まで搬送され、スピンチャッ
ク１にて保持される。FIG. 6 is a flow chart for explaining a series of substrate cleaning processing executed by the controller 220. The control unit 220 drives the guard up / down motor M 2 to lower the splash guard 2 to the substrate accommodation position.
In this state, the substrate W is transported to the spin chuck 1 by the substrate transport means (not shown) and is held by the spin chuck 1.
【００５５】その後、洗浄処理を開始する（ステップＴ
１）。すなわち、ガード上下用モータＭ2 を駆動し、ス
プラッシュガード２を廃液位置まで上昇させる。また、
回転用モータＭ1 を駆動し、スピンチャック１を高速回
転させる。さらに、下側純水弁ＶＷu および上側純水弁
ＶＷo を開成し、純水の供給を開始する。その結果、高
速回転している基板Ｗの下面および上面に純水が供給さ
れる。これにより、基板Ｗが洗浄される。また、基板Ｗ
を洗浄しているときに基板Ｗから振り切られる純水（廃
液）は、廃液用路９１を介して廃液タンクＴＤに導かれ
る。なお、他の下側ドレン弁ＶＤu 、下側エジェクタ用
弁ＶＥu 、上側ドレン弁ＶＤo 、上側エジェクタ用弁Ｖ
Ｅo およびガス弁ＶＧは閉成させたままにする。Then, the cleaning process is started (step T).
1). That is, the guard up / down motor M 2 is driven to raise the splash guard 2 to the waste liquid position. Also,
The rotation motor M 1 is driven to rotate the spin chuck 1 at high speed. Further, the lower deionized water valve VW u and the upper deionized water valve VW o are opened to start the deionized water supply. As a result, pure water is supplied to the lower surface and the upper surface of the substrate W that is rotating at high speed. As a result, the substrate W is cleaned. Also, the substrate W
Pure water (waste liquid) shaken off from the substrate W during cleaning is guided to the waste liquid tank TD through the waste liquid passage 91. Other lower drain valve VD u , lower ejector valve VE u , upper drain valve VD o , upper ejector valve V
Leave E o and the gas valve VG closed.
【００５６】制御部２２０は、洗浄処理開始から所定の
洗浄時間が経過したことに応答して、下側純水弁ＶＷu
および上側純水弁ＶＷo を閉成する。これにより、洗浄
処理が終了する。その後、制御部２２０は、スピン乾燥
処理および残留液除去処理を同時に実行する（ステップ
Ｔ２，Ｔ３）。すなわち、回転用モータＭ1 をさらに高
い回転数で駆動させ、下側光センサＳＬu および上側光
センサＳＬo の出力に基づいて残留液がなくなったと判
断されるまで、下側ドレン弁ＶＤu 、下側エジェクタ用
弁ＶＥu 、上側ドレン弁ＶＤo および上側エジェクタ用
弁ＶＥo を開成する。さらに、ガス弁ＶＧを開成する。The control unit 220 responds to the lapse of a predetermined cleaning time from the start of the cleaning process, and then the lower pure water valve VW u.
And the upper pure water valve VW o is closed. This completes the cleaning process. After that, the control unit 220 simultaneously executes the spin drying process and the residual liquid removing process (steps T2 and T3). That is, the lower drain valve VD u , until the residual liquid is exhausted based on the outputs of the lower photosensor SL u and the upper photosensor SL o by driving the rotation motor M 1 at a higher rotational speed. The lower ejector valve VE u , the upper drain valve VD o, and the upper ejector valve VE o are opened. Further, the gas valve VG is opened.
【００５７】その結果、何ら処理液を供給しない状態で
基板Ｗを高速回転させているから、基板Ｗに付着してい
る水滴が基板Ｗの遠心力によって基板Ｗから振り切られ
る。これにより、基板Ｗが乾燥される。このスピン乾燥
処理は、基板Ｗにウォーターマークが形成されるのを防
止し、乾燥効果をさらに向上させるために、ガスノズル
２１０から吐出している不活性ガスによって基板Ｗがブ
ローされながら行われる。As a result, since the substrate W is rotated at high speed without supplying any processing liquid, the water droplets adhering to the substrate W are shaken off from the substrate W by the centrifugal force of the substrate W. As a result, the substrate W is dried. This spin drying process is performed while the substrate W is being blown by the inert gas discharged from the gas nozzle 210 in order to prevent the formation of a watermark on the substrate W and further improve the drying effect.
【００５８】また、基板Ｗから振り切られた純水（廃
液）は、廃液用ドレン口９０から廃液用路９１を介して
廃液タンクＴＤに排出される。さらに、下側エジェクタ
３１によって生成される負圧の吸引力によって下側処理
液吐出路１０に残留している純水が強制的に除去され
る。以上のようにこの第２実施形態の基板処理装置によ
っても、下側処理液吐出路１０に残留している純水を簡
単な構成で確実に除去することができる。しかも、特に
下側ノズル１１において、下側ノズル１１の反対側に下
側処理液吐出路１０内の残留液を吸引するようにしてい
るから、残留液ミストが生じることがない。また、下側
処理液吐出路１０内を乾燥させることもないから、除去
しきれなかった残留液がフレーク状のパーティクルとな
ることもない。The pure water (waste liquid) shaken off from the substrate W is discharged from the waste liquid drain port 90 to the waste liquid tank TD through the waste liquid passage 91. Further, the negative pressure suction force generated by the lower ejector 31 forcibly removes the pure water remaining in the lower processing liquid discharge passage 10. As described above, also with the substrate processing apparatus of the second embodiment, the pure water remaining in the lower processing liquid discharge passage 10 can be reliably removed with a simple configuration. Moreover, particularly in the lower nozzle 11, since the residual liquid in the lower processing liquid discharge passage 10 is sucked to the opposite side of the lower nozzle 11, no residual liquid mist is generated. Further, since the inside of the lower processing liquid discharge passage 10 is not dried, the residual liquid that cannot be completely removed does not become flaky particles.
【００５９】本発明の実施の形態の説明は以上のとおり
であるが、本発明は上述の実施形態に限定されるもので
はない。たとえば上記実施形態では、残留液を強制的に
除去するための構成として空気流を与えることによって
負圧状態を生成するエジェクタ３１，７１を採用してい
るが、たとえば水流を生じさせることによって負圧状態
を生成するアスピレータを採用してもよい。要は、負圧
状態を生成できるものであればよい。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments. For example, in the above-described embodiment, the ejectors 31 and 71 that generate a negative pressure state by applying an air flow are adopted as a configuration for forcibly removing the residual liquid, but, for example, by generating a water flow, a negative pressure is generated. An aspirator that generates a state may be adopted. What is essential is that it can generate a negative pressure state.
【００６０】また、上記実施形態では、エジェクタ３
１，７１によって生成される負圧による吸引力を利用し
て残留液を強制的に除去する場合について説明している
が、たとえば残留液を自重によって除去するようにして
もよい。この構成によれば、負圧状態を生成するのに必
要な構成は不要となるから、構成が簡単になる。その
他、特許請求の範囲に記載された範囲内で種々の設計変
更を施すことが可能である。In the above embodiment, the ejector 3 is used.
Although the case where the residual liquid is forcibly removed by utilizing the suction force generated by the negative pressure generated by 1, 71 has been described, the residual liquid may be removed by its own weight, for example. According to this configuration, the configuration required to generate the negative pressure state is not necessary, so the configuration is simplified. In addition, various design changes can be made within the scope described in the claims.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、処理液吐
出路に残留している処理液を確実に除去することができ
るから、基板に対して所期の目的に沿う処理を確実に施
すことができる。しかも、たとえば薬液処理および純水
処理の順に基板に処理を施す場合、純水終了後処理液吐
出路に残留している純水を確実に除去できるから、次に
薬液処理を基板に施すとき、薬液の濃度が純水で薄めら
れることがない。したがって、薬液を再利用のために回
収する場合、濃度が薄められていない薬液を回収でき
る。そのため、薬液を繰り返し再利用しても所期の目的
に沿う薬液処理を基板に施すことができる。よって、薬
液を節約することができる。As described above, according to the present invention, the treatment liquid remaining in the treatment liquid discharge passage can be surely removed, so that the substrate can be surely treated according to the intended purpose. Can be given. Moreover, for example, when the substrate is processed in the order of the chemical solution treatment and the pure water treatment, the pure water remaining in the treatment liquid discharge passage can be surely removed after the completion of the pure water. The chemical solution is not diluted with pure water. Therefore, when recovering the chemical solution for reuse, it is possible to recover the chemical solution whose concentration is not diluted. Therefore, even if the chemical solution is repeatedly reused, the substrate can be subjected to the chemical solution treatment according to the intended purpose. Therefore, the chemical solution can be saved.
【００６２】また、以上のような効果を奏するための構
成としては、処理液吐出路を処理液供給路と処理液排出
路とに選択的に接続できるようにするだけでよいから、
プリディスペンスを行う場合のように、ノズルを移動さ
せる複雑な機構を備える必要がない。そのため、構成を
簡単にすることができる。また、処理液が吐出される吐
出口の反対側に向けて処理液吐出路内に残留している処
理液を排出するようにしているから、当該残留液がミス
トとなって基板に付着することもない。Further, as a structure for achieving the above effects, it is sufficient that the treatment liquid discharge passage can be selectively connected to the treatment liquid supply passage and the treatment liquid discharge passage.
It is not necessary to provide a complicated mechanism for moving the nozzle as in the case of performing the pre-dispensing. Therefore, the configuration can be simplified. Further, since the processing liquid remaining in the processing liquid discharge passage is discharged toward the opposite side of the discharge port through which the processing liquid is discharged, the residual liquid becomes mist and adheres to the substrate. Nor.
【００６３】さらに、処理液吐出路に気体を供給してい
るわけでもないから、処理液吐出路内が乾燥することも
ない。そのため、除去しきれなかった残留液がフレーク
状のパーティクルとなることもない。よって、基板にパ
ーティクルが付着することもない。さらにまた、基板に
気体が吹き付けられないから、基板が部分的に乾燥する
こともない。そのため、基板に汚れが付着していても、
その汚れを容易に除去することができる。また、負圧の
吸引力によって処理液を強制的に処理液吐出路から排出
することができる。そのため、処理液吐出路内に残留し
ている処理液を速やかに、かつ確実に排出させることが
できる。 Further, since the gas is not supplied to the treatment liquid discharge passage, the inside of the treatment liquid discharge passage is not dried. Therefore, the residual liquid that cannot be completely removed does not become flaky particles. Therefore, particles do not adhere to the substrate. Furthermore, since the gas is not blown to the substrate, the substrate is not partially dried. Therefore, even if the substrate is dirty,
The dirt can be easily removed. Also, of negative pressure
The processing liquid is forcibly discharged from the processing liquid discharge path by the suction force.
can do. Therefore, it remains in the processing liquid discharge passage.
The treated liquid can be discharged quickly and surely.
it can.
【００６４】また、請求項２記載の発明によれば、複数
の処理液を用いる各処理の切り換え時に処理液吐出路と
処理液排出路とを接続することができるので、各処理ご
とに処理液吐出路内に残留する処理液を排出することが
できる。そのため、次の処理に用いられる処理液に従前
の処理に用いられた処理液が混入することがないから、
処理を十分に基板に施すことができる。According to the second aspect of the present invention, since the treatment liquid discharge passage and the treatment liquid discharge passage can be connected to each other when the treatment liquids using a plurality of treatment liquids are switched, the treatment liquids can be connected to each treatment liquid. The processing liquid remaining in the discharge passage can be discharged. Therefore, since the treatment liquid used in the previous treatment is not mixed with the treatment liquid used in the next treatment,
The treatment can be fully applied to the substrate.
【００６５】[0065]
【図１】本発明の第１実施形態の基板処理装置の構成を
示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図で
ある。FIG. 2 is a block diagram showing an electrical configuration of a substrate processing apparatus.
【図３】制御部で実行される基板の下面に対する一連の
基板処理を説明するためのフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating a series of substrate processing performed on a lower surface of a substrate by a control unit.
【図４】本発明の第２実施形態の基板処理装置の構成を
示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図で
ある。FIG. 5 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus.
【図６】制御部で実行される一連の基板洗浄処理を説明
するためのフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart for explaining a series of substrate cleaning processing executed by the control unit.
１０ 下側処理液吐出路 １１ 下側ノズル １２ 下側マニホールド ２０ 下側薬液供給路 ２１ 下側純水供給路 ３０ 下側ドレン排出路 ３１ 下側エジェクタ ５０ 上側ノズル ５１ 上側処理液吐出路 ５２ 上側マニホールド ６０ 上側薬液供給路 ６１ 上側純水供給路 ７０ 上側ドレン排出路 ７１ 上側エジェクタ １００，２２０ 制御部 ２００，２０１ 継手 ＳＬu 下側光センサ ＳＬo 上側光センサ ＶＲu 下側薬液弁 ＶＷu 下側純水弁 ＶＤu 下側ドレン弁 ＶＲo 上側薬液弁 ＶＷo 上側純水弁 ＶＤo 上側ドレン弁 Ｗ 基板10 Lower Processing Liquid Discharging Channel 11 Lower Nozzle 12 Lower Manifold 20 Lower Chemical Supply Channel 21 Lower Pure Water Supply Channel 30 Lower Drain Discharging Channel 31 Lower Ejector 50 Upper Nozzle 51 Upper Processing Liquid Discharging Channel 52 Upper Manifold 60 Upper Chemical Solution Supply Channel 61 Upper Pure Water Supply Channel 70 Upper Drain Discharge Channel 71 Upper Ejector 100, 220 Control Units 200, 201 Joint SL u Lower Optical Sensor SL o Upper Optical Sensor VR u Lower Chemical Liquid Valve VW u Lower Pure Water valve VD u Lower drain valve VR o Upper chemical liquid valve VW o Upper pure water valve VD o Upper drain valve W Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−78799（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-7-78799 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B08B 3/02
Claims (3)
ピンチャックと、上記回転軸に挿通され、上記 スピンチャックに保持され
た基板の下面に向けて処理液を吐出するための吐出口が
一方端側に形成された処理液吐出路と、 この処理液吐出路の他方端側に接続され、上記処理液吐
出路に処理液を供給するための処理液供給路と、 上記処理液吐出路の他方端側に接続され、上記処理液吐
出路内の処理液を排出するための処理液排出路と、 上記処理液吐出路と上記処理液供給路および上記処理液
排出路との接続を選択的に切り換えるための切換手段
と、 上記処理液排出路に接続され、上記処理液吐出路内の処
理液を負圧の吸引力を利用して吸引するための負圧吸引
手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。A spin chuck 1. A holds the substrate you rotate about an axis of rotation, is inserted into the rotary shaft, ejection for ejecting the processing liquid toward the lower surface of the substrate held by the spin chuck A treatment liquid discharge passage having an outlet formed on one end side, a treatment liquid supply passage connected to the other end side of the treatment liquid discharge passage for supplying treatment liquid to the treatment liquid discharge passage, and the treatment liquid A processing liquid discharge passage connected to the other end side of the discharge passage for discharging the processing liquid in the processing liquid discharge passage, and a connection between the processing liquid discharge passage, the processing liquid supply passage, and the processing liquid discharge passage. And a negative pressure suction means that is connected to the processing liquid discharge path and that sucks the processing liquid in the processing liquid discharge path by using a negative pressure suction force. A substrate processing apparatus characterized by the above.
とする請求項１記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid supply paths are plural.
口が一方端側に形成された処理液吐出路と、 この処理液吐出路の他方端側と薬液タンクとに接続さ
れ、この薬液タンクに貯留されている薬液を上記処理液
吐出路に供給するための薬液供給路と、 上記処理液吐出路の他方端側に接続され、上記処理液吐
出路に純水を供給するための純水供給路と、 上記処理液吐出路の他方端側に接続され、上記処理液吐
出路内の処理液を排出するための処理液排出路と、 上記処理液吐出路と、上記薬液供給路、上記純水供給路
および上記処理液排出路との接続を選択的に切り換える
ことができ、薬液により基板を処理するときには上記処
理液吐出路と薬液供給路とを接続し、純水により基板を
処理するときには上記処理液吐出路と純水供給路とを接
続し、純水により基板を処理した後には上記処理液吐出
路と処理液排出路とを接続する切換手段と、 上記処理液吐出路の吐出口から基板に向けて吐出された
薬液を回収し、この回収された薬液を上記薬液タンクに
戻して再利用するための薬液回収路とを含むことを特徴
とする基板処理装置。3. A processing liquid discharge path having a discharge port for discharging a processing liquid toward a substrate formed at one end side, and the other end side of the processing liquid discharge path is connected to a chemical liquid tank. A chemical liquid supply passage for supplying the chemical liquid stored in the chemical liquid tank to the treatment liquid discharge passage and the other end side of the treatment liquid discharge passage for supplying pure water to the treatment liquid discharge passage. A pure water supply path, a processing liquid discharge path connected to the other end side of the processing liquid discharge path for discharging the processing liquid in the processing liquid discharge path, the processing liquid discharge path, and the chemical solution supply path. , Selectively switching the connection between the pure water supply passage and the processing liquid discharge passage
It is possible to treat the substrate with a chemical solution.
Connect the physical solution discharge path and the chemical solution supply path, and clean the substrate with pure water.
When processing, connect the processing solution discharge path and the pure water supply path.
Then, after processing the substrate with pure water, discharge the above processing liquid
A switching means for connecting the passage and the treatment liquid discharge passage, and a chemical liquid discharged toward the substrate from the discharge outlet of the treatment liquid discharge passage, and the collected chemical liquid is returned to the chemical liquid tank for reuse. And a chemical solution recovery path for the purpose of processing the substrate.
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