JP7002605B2 - Board processing equipment and board processing method - Google Patents

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Description

この発明は、第1の薬剤流体および第2の薬剤流体を用いて基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。前記基板の例には、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate using a first chemical fluid and a second chemical fluid. Examples of the substrate include a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for FED (Field Emission Display), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, and a substrate for a photomask. Includes ceramic substrates, solar cell substrates, etc.

半導体装置や液晶表示装置の製造工程には、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に薬液による処理を施すために、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。枚葉式の基板処理装置は、隔壁により区画された処処理チャンバの内部に、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に第1の薬液を供給するための第1の薬液ノズルと、スピンチャックに保持されている基板の上面に第2の薬液を供給するための第2の薬液ノズルとを備えている。第1の薬液ノズルは吐出口を有し、第1の薬液ノズルには、薬液供給源からの薬液を第1の薬液ノズルに供給するための薬液配管が接続されている。 In the manufacturing process of semiconductor devices and liquid crystal display devices, a single-wafer type substrate processing device that processes the substrates one by one in order to treat the surface of the substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel with a chemical solution is used. May be used. The single-wafer type substrate processing apparatus has a spin chuck that holds and rotates the substrate almost horizontally inside a processing chamber partitioned by a partition wall, and a first chemical solution on the upper surface of the substrate held by the spin chuck. A first chemical solution nozzle for supplying the second chemical solution and a second chemical solution nozzle for supplying the second chemical solution to the upper surface of the substrate held by the spin chuck are provided. The first chemical solution nozzle has a discharge port, and the chemical solution pipe for supplying the chemical solution from the chemical solution supply source to the first chemical solution nozzle is connected to the first chemical solution nozzle.

このような基板処理装置において、第1の薬液と第2の薬液とが接触に危険を伴うような組合せ(すなわち、接触に適さないような組合せ)であることがある。このような接触に適さないような組合せの薬液を用いた処理を一つの処理チャンバで行う場合、処理チャンバの内部で接触しないように、一方の薬液の供給時に他方の薬液用のバルブの新規開成を禁止したり、基板の回転速度の検出値が回転数範囲外になると薬液用のバルブの開成を禁止したりするインターロック処理の実行が提案されている(たとえば特許文献1,2参照)。 In such a substrate processing apparatus, the first chemical solution and the second chemical solution may be a combination that poses a risk of contact (that is, a combination that is not suitable for contact). When processing with a combination of chemicals that is not suitable for such contact is performed in one treatment chamber, a valve for the other chemical is newly opened when one of the chemicals is supplied so as not to make contact inside the treatment chamber. It has been proposed to execute an interlock process such as prohibiting the opening of a valve for a chemical solution when the detection value of the rotation speed of the substrate is out of the rotation speed range (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

特許第4917469号公報Japanese Patent No. 4917469 特許第4917470号公報Japanese Patent No. 4917470

しかしながら、第2の薬剤流体(第2の薬液)を用いた処理中に、スピンチャックの周辺に第1のノズルが配置されていると、第2の薬剤流体を含む雰囲気が、吐出口を介して薬剤流体配管(薬液配管)に進入するおそれがある。薬剤流体配管の内部への第2の薬剤流体を含む雰囲気の進入は、第1の薬剤流体と第2の薬剤流体との接触の原因になり得る。 However, if the first nozzle is arranged around the spin chuck during the treatment using the second chemical fluid (second chemical liquid), the atmosphere containing the second chemical fluid is transmitted through the discharge port. There is a risk of entering the chemical fluid piping (chemical liquid piping). The entry of the atmosphere containing the second drug fluid into the inside of the drug fluid pipe can cause contact between the first drug fluid and the second drug fluid.

そこで、この発明の目的は、基板処理に用いられる複数種の薬剤流体の組合せが接触に適さないような組合せであっても、薬剤流体配管の内部におけるそれらの薬剤流体の接触の発生を防止しながら、当該複数種の薬剤流体を用いた処理を一つの処理チャンバにおいて完遂できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to prevent the occurrence of contact between the chemical fluids inside the chemical fluid piping even if the combination of the plurality of chemical fluids used for the substrate treatment is not suitable for contact. However, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of completing a process using the plurality of types of chemical fluids in one processing chamber.

の発明は、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配置されて、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて流体を吐出するための吐出口を有する第1のノズルと、前記第1のノズルに接続され、内部が前記吐出口に連通する薬剤流体配管を有し、前記薬剤流体配管を介して前記第1のノズルに第1の薬剤流体を供給するための第1の薬剤流体供給ユニットと、前記薬剤流体配管に分岐接続された水配管を有し、前記水配管を介して前記薬剤流体配管に水を供給するための第1の水供給ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に、前記第1の薬剤流体とは種類の異なる流体である第2の薬剤流体を供給するための第2のノズルを有する第2の薬剤流体供給ユニットと、前記第1の薬剤流体供給ユニット、前記第2の薬剤流体供給ユニットおよび前記第1の水供給ユニットを制御する制御ユニットとを含み、前記制御ユニットは、前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給することにより前記第1のノズルから前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第1の薬剤流体を吐出して、前記第1の薬剤流体を用いた処理を、前記基板保持ユニットに保持されている基板に施す第1の処理工程と、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上方に前記第1のノズルを配置した状態で、前記第2のノズルから前記第2の薬剤流体を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に供給して、前記第2の薬剤流体を用いた処理を、前記基板保持ユニットに保持されている基板に施す第2の処理工程と、前記第1の処理工程の実行後、かつ前記第2の処理工程の実行前において、前記第1の水供給ユニットからの水を前記薬剤流体配管に供給して、前記薬剤流体配管の内部にある前記第1の薬剤流体を水で置換する第1の水置換工程とを実行する、基板処理装置を提供する。 The present invention is a processing chamber, a substrate holding unit arranged in the processing chamber to hold a substrate, and a discharge for discharging a fluid toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. It has a first nozzle having an outlet and a drug fluid pipe connected to the first nozzle and having an inside communicating with the discharge port, and the first drug is connected to the first nozzle via the drug fluid pipe. A first drug fluid supply unit for supplying a fluid and a water pipe branched and connected to the drug fluid pipe, and a first for supplying water to the drug fluid pipe via the water pipe. A second nozzle for supplying a second drug fluid, which is a fluid different from the first drug fluid, is provided on the main surface of the water supply unit and the substrate held by the board holding unit. A second drug fluid supply unit and a control unit for controlling the first drug fluid supply unit, the second drug fluid supply unit, and the first water supply unit are included, and the control unit is the first. By supplying the drug fluid of 1 to the drug fluid pipe, the first drug fluid is discharged from the first nozzle toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit, and the first drug fluid is discharged. The first processing step of applying the treatment using the chemical fluid to the substrate held in the substrate holding unit, and the state in which the first nozzle is arranged above the substrate held in the substrate holding unit. Then, the second chemical fluid is supplied from the second nozzle to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit, and the process using the second chemical fluid is performed by the substrate holding unit. After the execution of the second treatment step and the execution of the first treatment step applied to the substrate held in the above, and before the execution of the second treatment step, the water from the first water supply unit is used as the drug. Provided is a substrate processing apparatus for supplying to a fluid pipe and performing a first water replacement step of replacing the first drug fluid inside the drug fluid pipe with water.

この構成によれば、第1の薬剤流体を用いる第1の処理工程、および第2の薬剤流体を用いる第2の処理工程が、共通の処理チャンバ内において実行される。第1の処理工程では、第1の薬剤流体を薬剤流体配管に供給することにより、第1のノズルから基板の主面に向けて第1の薬剤流体が吐出される。 According to this configuration, the first treatment step using the first drug fluid and the second treatment step using the second drug fluid are performed in a common treatment chamber. In the first processing step, by supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe, the first drug fluid is discharged from the first nozzle toward the main surface of the substrate.

また、第1の処理工程の実行後、かつ第2の処理工程の実行前において、第1の水置換工程が実行される。第2の処理工程の開始前には、第1の処理工程で用いられた第1の薬剤流体が薬剤流体配管の内部に残存しているおそれがある。しかしながら、第2の処理工程に先立って薬剤流体配管の内部を水で置換することにより、第2の処理工程の開始時には、薬剤流体配管の内部に第1の薬剤流体は残留していない。したがって、当該第2の処理工程において第2の薬剤流体が薬剤流体配管内に進入しても、薬剤流体配管の内部で第1の薬剤流体と接触しない。これにより、第2の処理工程において、薬剤流体配管の内部における第1の薬剤流体と第2の薬剤流体との接触を防止できる。 Further, the first water replacement step is executed after the execution of the first treatment step and before the execution of the second treatment step. Before the start of the second treatment step, the first chemical fluid used in the first treatment step may remain inside the chemical fluid pipe. However, by substituting the inside of the drug fluid pipe with water prior to the second treatment step, the first drug fluid does not remain inside the drug fluid pipe at the start of the second treatment step. Therefore, even if the second drug fluid enters the drug fluid pipe in the second processing step, it does not come into contact with the first drug fluid inside the drug fluid pipe. This makes it possible to prevent the contact between the first drug fluid and the second drug fluid inside the drug fluid pipe in the second processing step.

以上により、基板処理に用いられる複数種の薬剤流体(第1の薬剤流体および第2の薬剤流体)の組合せが接触に適さないような組合せであっても、薬剤流体配管の内部におけるそれらの薬剤流体の接触の発生を防止しながら、当該複数種の薬剤流体を用いた処理を一つの処理チャンバにおいて完遂できる基板処理装置を提供できる。
また、この明細書において、「接触に適さないような組合せ」であるとは、「接触に危険が伴うような組合せ」だけでなく、「接触により生成物を生成するような組合せ」も含む趣旨である。「接触により生成物を生成するような組合せ」には、酸とアルカリとの組合せも含む。
As described above, even if the combination of a plurality of types of drug fluids (first drug fluid and second drug fluid) used for substrate treatment is not suitable for contact, those drugs inside the drug fluid pipe are used. It is possible to provide a substrate processing apparatus capable of completing processing using the plurality of types of chemical fluids in one processing chamber while preventing the occurrence of fluid contact.
Further, in this specification, the term "combination that is not suitable for contact" includes not only "combination that causes danger in contact" but also "combination that produces a product by contact". Is. The "combination that produces a product by contact" also includes a combination of an acid and an alkali.

前記基板処理装置が、前記薬剤流体配管に介装された薬剤流体バルブであって、前記薬剤流体配管における前記水配管の分岐接続位置よりも下流側に配置された薬剤流体バルブをさらに含んでいてもよい。前記制御ユニットが、前記薬剤流体バルブを制御してもよい。前記第1の処理工程において、前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給しながら前記薬剤流体バルブを開いてもよい。前記薬剤流体バルブを閉じた状態で前記第2の処理工程を実行してもよい。前記第1の水置換工程において、前記薬剤流体バルブを開いた状態で前記薬剤流体配管に水を供給してもよい。
の発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記薬剤流体配管の内部を吸引するための吸引ユニットをさらに含む。そして、前記制御ユニットは前記吸引ユニットをさらに制御する。そして、前記制御ユニットは、前記第1の水置換工程の終了後、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第1の吸引工程をさらに実行する。
この構成によれば、第1の水置換工程の終了後、薬剤流体配管の内部が吸引される。この吸引によって、薬剤流体配管の内部から水が除去され、吸引後には薬剤流体配管の内部に水が残存しないか、あるいは薬剤流体配管の内部に残存する水の量は少ない。これにより、第1の水置換工程の終了後における第1のノズルからの水の落液を抑制または防止でき、ゆえに、基板の主面のパーティクル汚染を抑制または防止できる。
The substrate processing device is a chemical fluid valve interposed in the chemical fluid pipe, and further includes a chemical fluid valve arranged on the downstream side of the branch connection position of the water pipe in the chemical fluid pipe. May be good. The control unit may control the drug fluid valve. In the first processing step, the drug fluid valve may be opened while supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe. The second processing step may be performed with the chemical fluid valve closed. In the first water replacement step, water may be supplied to the chemical fluid pipe with the chemical fluid valve open.
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a suction unit for sucking the inside of the drug fluid pipe. Then , the control unit further controls the suction unit . Then , after the completion of the first water replacement step, the control unit further executes the first suction step of sucking the inside of the drug fluid pipe .
According to this configuration, after the completion of the first water replacement step, the inside of the chemical fluid pipe is sucked. By this suction, water is removed from the inside of the chemical fluid pipe, and after suction, no water remains inside the chemical fluid pipe, or the amount of water remaining inside the chemical fluid pipe is small. Thereby, it is possible to suppress or prevent the water from falling from the first nozzle after the completion of the first water replacement step, and therefore, it is possible to suppress or prevent particle contamination on the main surface of the substrate.

の発明の一実施形態は、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配置されて、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて流体を吐出するための吐出口を有する第1のノズルと、前記第1のノズルに接続され、内部が前記吐出口に連通する薬剤流体配管を有し、前記薬剤流体配管を介して前記第1のノズルに第1の薬剤流体を供給するための第1の薬剤流体供給ユニットと、前記薬剤流体配管に分岐接続された水配管を有し、前記水配管を介して前記薬剤流体配管に水を供給するための第1の水供給ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に、前記第1の薬剤流体とは種類の異なる流体である第2の薬剤流体を供給するための第2のノズルを有する第2の薬剤流体供給ユニットと、前記第1の薬剤流体供給ユニット、前記第2の薬剤流体供給ユニットおよび前記第1の水供給ユニットを制御する制御ユニットとを含み、前記制御ユニットは、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上方に前記第1のノズルを配置した状態で、前記第2のノズルから前記第2の薬剤流体を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に供給して、前記第2の薬剤流体を用いた処理を当該基板に施す第2の処理工程と、前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給することにより前記第1のノズルから前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第1の薬剤流体を吐出して、前記第1の薬剤流体を用いた処理を当該基板に施す第1の処理工程と、前記第2の処理工程の実行後、かつ前記第1の処理工程の実行前において、前記第1の水供給ユニットからの水を前記薬剤流体配管に供給して、前記薬剤流体配管の内部を水で置換する第2の水置換工程とを実行する、基板処理装置を提供する。 In one embodiment of the present invention, the fluid is discharged toward the processing chamber, the substrate holding unit arranged in the processing chamber and holding the substrate, and the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. It has a first nozzle having a discharge port for the operation, and a drug fluid pipe which is connected to the first nozzle and whose inside communicates with the discharge port, and is connected to the first nozzle via the drug fluid pipe. To supply water to the drug fluid pipe via the water pipe, having a first drug fluid supply unit for supplying the first drug fluid and a water pipe branched and connected to the drug fluid pipe. A second for supplying a second chemical fluid, which is a fluid different from the first chemical fluid, to the first water supply unit and the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. The control unit includes a second drug fluid supply unit having a nozzle of the above, a control unit for controlling the first drug fluid supply unit, the second drug fluid supply unit, and the first water supply unit. Is a substrate in which the second chemical fluid is held in the substrate holding unit from the second nozzle in a state where the first nozzle is arranged above the substrate held in the substrate holding unit. The first treatment step of supplying to the main surface of the above and applying the treatment using the second chemical fluid to the substrate, and the first treatment by supplying the first chemical fluid to the chemical fluid pipe. The first processing step of discharging the first chemical fluid from the nozzle toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit and performing the treatment using the first chemical fluid on the substrate. After the execution of the second treatment step and before the execution of the first treatment step, the water from the first water supply unit is supplied to the drug fluid pipe to the inside of the drug fluid pipe. Provided is a substrate processing apparatus for performing a second water replacement step of replacing with water.

この構成によれば、第2の薬剤流体を用いる第2の処理工程、および第1の薬剤流体を用いる第1の処理工程が、共通の処理チャンバ内において実行される。第1の処理工程では、第1の薬剤流体を薬剤流体配管に供給することにより、第1のノズルから基板の主面に向けて第1の薬剤流体が吐出される。
また、第2の処理工程の後、第1の処理工程に先立って第2の水置換工程が実行される。第2の処理工程の終了後でかつ第1の処理工程の開始前には、第2の処理工程において用いられた第2の薬剤流体が薬剤流体配管内に進入し、当該薬剤流体配管の内部に残存しているおそれがある。しかしながら、第1の処理工程に先立って薬剤流体配管の内部を水で置換することにより、第1の処理工程の開始時には、薬剤流体配管の内部に第2の薬剤流体は残留していない。したがって、第1の処理工程において薬剤流体配管に第1の薬剤流体が供給されても、第2の薬剤流体と接触しない。これにより、第1の処理工程において、薬剤流体配管の内部における第1の薬剤流体と第2の薬剤流体との接触を防止できる。
According to this configuration, a second treatment step using the second drug fluid and a first treatment step using the first drug fluid are performed in a common treatment chamber. In the first processing step, by supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe, the first drug fluid is discharged from the first nozzle toward the main surface of the substrate.
Further, after the second treatment step, the second water replacement step is executed prior to the first treatment step. After the end of the second treatment step and before the start of the first treatment step, the second chemical fluid used in the second treatment step enters the chemical fluid pipe and is inside the chemical fluid pipe. There is a possibility that it remains in. However, by substituting the inside of the chemical fluid pipe with water prior to the first treatment step, the second chemical fluid does not remain inside the chemical fluid pipe at the start of the first treatment step. Therefore, even if the first drug fluid is supplied to the drug fluid pipe in the first treatment step, it does not come into contact with the second drug fluid. This makes it possible to prevent the contact between the first chemical fluid and the second chemical fluid inside the chemical fluid pipe in the first treatment step.

以上により、基板処理に用いられる複数種の薬剤流体(第1の薬剤流体および第2の薬剤流体)の組合せが接触に適さないような組合せであっても、薬剤流体配管の内部におけるそれらの薬剤流体の接触の発生を防止しながら、当該複数種の薬剤流体を用いた処理を一つの処理チャンバにおいて完遂できる基板処理装置を提供できる。
前記基板処理装置が、前記薬剤流体配管に介装された薬剤流体バルブであって、前記薬剤流体配管における前記水配管の分岐接続位置よりも下流側に配置された薬剤流体バルブをさらに含んでいてもよい。前記制御ユニットが、前記薬剤流体バルブを制御してもよい。前記薬剤流体バルブを閉じた状態で前記第2の処理工程を実行してもよい。前記第1の処理工程において、前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給しながら前記薬剤流体バルブを開いてもよい。前記第2の水置換工程において、前記薬剤流体バルブを開いた状態で前記薬剤流体配管に水を供給してもよい。
の発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記薬剤流体配管の内部を吸引するための吸引ユニットをさらに含む。そして、前記制御ユニットは前記吸引ユニットをさらに制御する。そして、前記制御ユニットは、前記第2の水置換工程の終了後、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第1の吸引工程をさらに実行する。
この構成によれば、第2の水置換工程の終了後、薬剤流体配管の内部が吸引される。この吸引によって、薬剤流体配管の内部から水が除去され、吸引後には薬剤流体配管の内部に水が残存しないか、あるいは薬剤流体配管の内部に残存する水の量は少ない。これにより、第2の水置換工程の終了後における第1のノズルからの水の落液を抑制または防止でき、ゆえに、基板の主面のパーティクル汚染を抑制または防止できる。
As described above, even if the combination of a plurality of types of drug fluids (first drug fluid and second drug fluid) used for substrate treatment is not suitable for contact, those drugs inside the drug fluid pipe are used. It is possible to provide a substrate processing apparatus capable of completing processing using the plurality of types of chemical fluids in one processing chamber while preventing the occurrence of fluid contact.
The substrate processing device is a chemical fluid valve interposed in the chemical fluid pipe, and further includes a chemical fluid valve arranged on the downstream side of the branch connection position of the water pipe in the chemical fluid pipe. May be good. The control unit may control the drug fluid valve. The second processing step may be performed with the chemical fluid valve closed. In the first processing step, the drug fluid valve may be opened while supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe. In the second water replacement step, water may be supplied to the chemical fluid pipe with the chemical fluid valve open.
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a suction unit for sucking the inside of the drug fluid pipe. Then , the control unit further controls the suction unit . Then , after the completion of the second water replacement step, the control unit further executes the first suction step of sucking the inside of the drug fluid pipe .
According to this configuration, after the completion of the second water replacement step, the inside of the chemical fluid pipe is sucked. By this suction, water is removed from the inside of the chemical fluid pipe, and after suction, no water remains inside the chemical fluid pipe, or the amount of water remaining inside the chemical fluid pipe is small. Thereby, it is possible to suppress or prevent the water from falling from the first nozzle after the completion of the second water replacement step, and therefore, it is possible to suppress or prevent particle contamination on the main surface of the substrate.

の発明の一実施形態では、前記制御ユニットは、前記第2の処理工程の後において前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面から前記第2の薬剤流体を水で洗い流すべく、前記第1の処理工程に先立って、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に水を供給する第1の水供給工程をさらに実行する。そして、前記制御ユニットは、前記第1の水供給工程として前記第2の水置換工程を実行する。 In one embodiment of the invention, the control unit is designed to flush the second chemical fluid from the main surface of the substrate held by the substrate holding unit with water after the second processing step. Prior to the first treatment step, a first water supply step of supplying water to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit is further executed . Then , the control unit executes the second water replacement step as the first water supply step .

この構成によれば、第2の処理工程の後において基板の主面から第2の薬剤流体を水で洗い流す第1の水供給工程に並行して、薬剤流体配管の内部を水で置換する第2の水置換工程を実行する。これにより、第1の水供給工程を、第2の水置換工程とタイミングで行う場合と比較して、全体の処理時間を短縮できる。 According to this configuration, after the second treatment step, the inside of the chemical fluid pipe is replaced with water in parallel with the first water supply step of flushing the second chemical fluid from the main surface of the substrate with water. Perform the water replacement step of 2. As a result, the total treatment time can be shortened as compared with the case where the first water supply step is performed at the same timing as the second water replacement step.

の発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記第1のノズルとは別のノズルであって、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて流体を吐出するための第3のノズルと、前記第3のノズルに水を供給するための第2の水供給ユニットとをさらに含む。そして、前記制御ユニットは前記第2の水供給ユニットをさらに制御する。そして、前記制御ユニットは、前記第1の処理工程を、前記第2の処理工程の終了後に開始し、かつ前記第2の処理工程の後、前記第1の処理工程の開始に先立って、前記第3のノズルに水を供給することにより前記第3のノズルから前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて水を吐出開始する第2の水供給工程を実行する。そして、前記制御ユニットは、前記第1の処理工程における前記薬剤流体配管への前記第1の薬剤流体の供給を、前記第2の水供給工程の終了に先立って開始する。 In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus discharges fluid toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit, which is a nozzle different from the first nozzle. A third nozzle for supplying water to the third nozzle and a second water supply unit for supplying water to the third nozzle are further included. Then , the control unit further controls the second water supply unit . Then , the control unit starts the first processing step after the end of the second processing step, and after the second processing step, prior to the start of the first processing step, said. A second water supply step is executed in which water is supplied to the third nozzle to start discharging water from the third nozzle toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. Then, the control unit starts supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe in the first processing step prior to the end of the second water supply step .

この構成によれば、第2の水供給の終了後直ちに第1の薬剤流体を吐出口から吐出することができる。すなわち、第2の水供給工程の終了後直ちに第1の処理工程を開始できる。これにより、全体の処理時間を短縮できる。
の発明の一実施形態では、前記制御ユニットは、前記第2の水供給工程の終了前に、前記第1の処理工程を開始する。
According to this configuration, the first chemical fluid can be discharged from the discharge port immediately after the end of the second water supply. That is, the first treatment step can be started immediately after the end of the second water supply step. As a result, the entire processing time can be shortened.
In one embodiment of the invention, the control unit initiates the first treatment step prior to the end of the second water supply step .

この構成によれば、第2の水供給の終了前から、第1の薬剤流体を吐出口から吐出することができる。これにより、全体の処理時間をより一層短縮できる。
の発明の一実施形態では、前記制御ユニットは、前記第1の処理工程における前記第1のノズルからの前記第1の薬剤流体の吐出終了後に、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第2の吸引工程をさらに実行する。
According to this configuration, the first chemical fluid can be discharged from the discharge port even before the end of the second water supply. As a result, the total processing time can be further shortened.
In one embodiment of the present invention, the control unit sucks the inside of the drug fluid pipe after the discharge of the first drug fluid from the first nozzle in the first processing step is completed. The suction step of 2 is further executed .

の発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に対向する基板対向面を有する対向部材をさらに含む。そして、前記第1のノズルの前記吐出口は、前記基板対向面に設けられている。
この構成によれば、基板の主面に対向する対向部材が設けられており、対向部材の基板対向面に、第1のノズルの吐出口が設けられている。そのため、第2の処理工程において、基板の主面への第2の薬剤流体の供給に伴って第2の薬剤流体が、吐出口から薬剤流体配管の内部に進入するおそれがある。薬剤流体配管の内部への第2の薬剤流体を含む雰囲気の進入は、第1の薬剤流体と第2の薬剤流体との接触の原因になり得る。
しかしながら、薬剤流体配管の内部が水で置換される。そのため、基板の主面に対向する対向部材が設けられ、この対向部材の基板対向面に第1のノズルの吐出口が設けられている場合であっても、薬剤流体配管の内部における第1の薬剤流体と第2の薬剤流体との接触を防止できる。
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes an opposed member having a substrate facing surface facing the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. The discharge port of the first nozzle is provided on the surface facing the substrate .
According to this configuration, the facing member facing the main surface of the substrate is provided, and the ejection port of the first nozzle is provided on the facing surface of the facing member. Therefore, in the second processing step, the second chemical fluid may enter the inside of the chemical fluid pipe from the discharge port as the second chemical fluid is supplied to the main surface of the substrate. The entry of the atmosphere containing the second drug fluid into the inside of the drug fluid pipe can cause contact between the first drug fluid and the second drug fluid.
However, the inside of the drug fluid pipe is replaced with water. Therefore, even when the facing member facing the main surface of the substrate is provided and the discharge port of the first nozzle is provided on the facing surface of the facing member, the first inside the chemical fluid piping is provided. Contact between the drug fluid and the second drug fluid can be prevented.

記水は、炭酸水を含んでいてもよい。
記第1の薬剤流体は、有機溶剤を含み、前記第2の薬剤流体は、硫酸含有液を含んでいてもよい。
の発明の一実施形態は、処理チャンバ内で基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程と、第1の薬剤流体を、第1のノズルに接続された薬剤流体配管を介して前記第1のノズルに供給することにより前記第1のノズルから、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第1の薬剤流体を吐出して、前記第1の薬剤流体を用いた処理を、前記基板保持ユニットに保持されている基板に施す第1の処理工程と、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上方に前記第1のノズルを配置した状態で、前記第1の薬剤流体とは種類の異なる流体である第2の薬剤流体を第2のノズルから、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に供給して、前記第2の薬剤流体を用いた処理を、前記基板保持ユニットに保持されている基板に施す第2の処理工程と、前記第1の処理工程の実行後、かつ前記第2の処理工程の実行前において、前記薬剤流体配管に分岐接続された水配管を介して、前記薬剤流体配管に水を供給して、前記薬剤流体配管の内部にある前記第1の薬剤流体を水で置換する第1の水置換工程とを含む、基板処理方法を提供する。
前記薬剤流体配管には薬剤流体バルブが介装されていてもよい。前記薬剤流体バルブは、前記薬剤流体配管における前記水配管の分岐接続位置よりも下流側に配置されていてもよい。前記第1の処理工程において、前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給しながら前記薬剤流体バルブを開いてもよい。前記薬剤流体バルブを閉じた状態で前記第2の処理工程を実行してもよい。前記第1の水置換工程において、前記薬剤流体バルブを開いた状態で前記薬剤流体配管に水を供給してもよい。
The water may contain carbonated water.
The first drug fluid may contain an organic solvent, and the second drug fluid may contain a sulfuric acid-containing liquid.
One embodiment of the present invention comprises a substrate holding step of holding a substrate by a substrate holding unit in a processing chamber and the first drug fluid via a drug fluid pipe connected to a first nozzle. The first chemical fluid was discharged from the first nozzle toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit by supplying the fluid to the nozzle, and the first chemical fluid was used. The first processing step of performing the processing on the substrate held in the substrate holding unit, and the first processing in a state where the first nozzle is arranged above the substrate held in the substrate holding unit. A second chemical fluid, which is a fluid different from the chemical fluid, is supplied from the second nozzle to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit, and the treatment using the second chemical fluid is used. Is branched and connected to the chemical fluid piping after the execution of the second processing step and the execution of the first processing step and before the execution of the second processing step. Substrate treatment comprising a first water replacement step of supplying water to the drug fluid pipe through the water pipe and replacing the first drug fluid inside the drug fluid pipe with water. Provide a method.
A drug fluid valve may be interposed in the drug fluid pipe. The chemical fluid valve may be arranged on the downstream side of the branch connection position of the water pipe in the chemical fluid pipe. In the first processing step, the drug fluid valve may be opened while supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe. The second processing step may be performed with the chemical fluid valve closed. In the first water replacement step, water may be supplied to the chemical fluid pipe with the chemical fluid valve open.

の発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第1の水置換工程の終了後、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第1の吸引工程をさらに含む。 In one embodiment of the invention, the substrate treatment method further comprises a first suction step of sucking the inside of the drug fluid pipe after the completion of the first water replacement step.

の発明の一実施形態は、処理チャンバ内で基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程と、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上方に、第1の薬剤流体を吐出するための第1のノズルを配置した状態で、前記第1の薬剤流体とは種類の異なる流体である第2の薬剤流体を第2のノズルから当該基板の主面に供給して、前記第2の薬剤流体を用いた処理を当該基板に施す第2の処理工程と、前記第1の薬剤流体を薬剤流体配管に供給することにより前記第1のノズルから前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第1の薬剤流体を吐出して、前記第1の薬剤流体を用いた処理を当該基板に施す第1の処理工程と、前記第2の処理工程の実行後、前記第1の処理工程の実行前において、前記薬剤流体配管に分岐接続された水配管を介して前記薬剤流体配管に水を供給して、前記薬剤流体配管の内部を水で置換する第2の水置換工程とを含む、基板処理方法を提供する。
前記薬剤流体配管には薬剤流体バルブが介装されていてもよい。前記薬剤流体バルブは、前記薬剤流体配管における前記水配管の分岐接続位置よりも下流側に配置されていてもよい。前記薬剤流体バルブを閉じた状態で前記第2の処理工程を実行してもよい。前記第1の処理工程において、前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給しながら前記薬剤流体バルブを開いてもよい。前記第2の水置換工程において、前記薬剤流体バルブを開いた状態で前記薬剤流体配管に水を供給してもよい。
One embodiment of the present invention is for a substrate holding step of holding a substrate by a substrate holding unit in a processing chamber and for discharging a first chemical fluid above the substrate held by the substrate holding unit. With the first nozzle arranged, a second drug fluid, which is a fluid different from the first drug fluid, is supplied from the second nozzle to the main surface of the substrate, and the second drug is supplied. A second processing step of applying a treatment using a fluid to the substrate, and a main substrate of the substrate held by the substrate holding unit from the first nozzle by supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe. After executing the first treatment step of discharging the first chemical fluid toward the surface and performing the treatment using the first chemical fluid on the substrate and the second treatment step, the first treatment step is performed. A second water replacement step of supplying water to the chemical fluid pipe via a water pipe branched and connected to the chemical fluid pipe and replacing the inside of the chemical fluid pipe with water before the execution of the treatment step of To provide a substrate processing method including and.
A drug fluid valve may be interposed in the drug fluid pipe. The chemical fluid valve may be arranged on the downstream side of the branch connection position of the water pipe in the chemical fluid pipe. The second processing step may be performed with the chemical fluid valve closed. In the first processing step, the drug fluid valve may be opened while supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe. In the second water replacement step, water may be supplied to the chemical fluid pipe with the chemical fluid valve open.

の発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第2の水置換工程の終了後、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第1の吸引工程をさらに含む。
の発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第2の処理工程の後において前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面から前記第2の薬剤流体を水で洗い流すべく、前記第1の処理工程に先立って、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に水を供給する第1の水供給工程をさらに含む。そして、前記第1の水供給工程は、前記第2の水置換工程を含む。
In one embodiment of the invention, the substrate treatment method further comprises a first suction step of sucking the inside of the drug fluid pipe after completion of the second water replacement step.
In one embodiment of the present invention, the substrate processing method is intended to flush the second chemical fluid from the main surface of the substrate held by the substrate holding unit with water after the second processing step. The first water supply step of supplying water to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit is further included prior to the first treatment step. The first water supply step includes the second water replacement step .

の発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第1の処理工程を、前記第2の処理工程の終了後に開始し、前記第2の処理工程の後、前記第1の処理工程に先立って、前記第1のノズルとは別のノズルである第3のノズルに水を供給することにより前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第3のノズルから水を吐出する第2の水供給工程をさらに含む。そして、前記第1の処理工程は、前記薬剤流体配管への前記第1の薬剤流体の供給を、前記第2の水供給工程の終了に先立って実行開始する。 In one embodiment of the present invention, the substrate processing method starts the first processing step after the end of the second processing step, and after the second processing step, the first processing. Prior to the step, the third nozzle, which is a nozzle different from the first nozzle, is supplied with water from the third nozzle toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. A second water supply step of discharging water is further included. Then , the first treatment step starts the supply of the first chemical fluid to the chemical fluid pipe prior to the end of the second water supply step .

の発明の一実施形態では、前記第2の水供給工程に並行して、前記第1の処理工程を実行する。 In one embodiment of the invention, the first treatment step is performed in parallel with the second water supply step .

の発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第1の処理工程における前記第1のノズルからの前記第1の薬剤流体の吐出終了後に、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第2の吸引工程をさらに含む。 In one embodiment of the present invention, the substrate processing method sucks the inside of the chemical fluid pipe after the discharge of the first chemical fluid from the first nozzle in the first processing step is completed. A second suction step is further included.

記水は、炭酸水を含んでいてもよい。
記第1の薬剤流体は、有機溶剤を含み、前記第2の薬剤流体は、硫酸含有液を含んでいてもよい。
The water may contain carbonated water.
The first drug fluid may contain an organic solvent, and the second drug fluid may contain a sulfuric acid-containing liquid.

図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view for explaining the internal layout of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 図2Aは、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。FIG. 2A is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a processing unit provided in the substrate processing apparatus. 図2Bは、前記処理ユニットに含まれる対向部材の周辺の構成を具体的に説明するための図である。FIG. 2B is a diagram for specifically explaining the configuration around the facing member included in the processing unit. 図2Cは、前記処理ユニットの下部の構成例を拡大して示す図解的な断面図である。FIG. 2C is a schematic cross-sectional view showing an enlarged configuration example of the lower part of the processing unit. 図3は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。FIG. 3 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus. 図4は、前記処理ユニットによる第1の基板処理例を説明するための流れ図である。FIG. 4 is a flow chart for explaining a first substrate processing example by the processing unit. 図5A-5Bは、前記第1の基板処理例を説明するための図解的な図である。5A-5B is a schematic diagram for explaining the first substrate processing example. 図5C-5Dは、図5Bに続く工程を説明するための図解的な図である。5C-5D is a schematic diagram for explaining the process following FIG. 5B. 図5E-5Fは、図5Dに続く工程を説明するための図解的な図である。5E-5F is a schematic diagram for explaining the process following FIG. 5D. 図5G-5Hは、図5Fに続く工程を説明するための図解的な図である。5G-5H is a schematic diagram for explaining the process following FIG. 5F. 図6は、前記第1の基板処理例の主要な工程における、第1の液体検知センサおよび第2の液体検知センサによる監視状況を説明するための図解的な図である。FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a monitoring situation by the first liquid detection sensor and the second liquid detection sensor in the main process of the first substrate processing example. 図7は、前記第1の基板処理例における、ハードインターロックを説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the hard interlock in the first substrate processing example. 図8は、前記処理ユニットによる第2の基板処理例を説明するための図解的な図である。FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a second substrate processing example by the processing unit. 図9は、前記処理ユニットによる第3の基板処理例を説明するための図解的な図である。FIG. 9 is a schematic diagram for explaining a third substrate processing example by the processing unit.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御ユニット3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤCと基板搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。基板搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view for explaining the internal layout of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. The substrate processing device 1 is a single-wafer processing device that processes substrates W such as silicon wafers one by one. In this embodiment, the substrate W is a disk-shaped substrate. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 for processing the substrate W with the processing liquid, a load port LP on which a carrier C accommodating a plurality of substrates W processed by the processing unit 2 is mounted, and a load port. It includes transfer robots IR and CR that transfer the substrate W between the LP and the processing unit 2, and a control unit 3 that controls the substrate processing device 1. The transfer robot IR transfers the substrate W between the carrier C and the substrate transfer robot CR. The substrate transfer robot CR transfers the substrate W between the transfer robot IR and the processing unit 2. The plurality of processing units 2 have, for example, a similar configuration.

図2Aは、処理ユニット2の構成例を説明するための図解的な断面図である。
処理ユニット2は、箱形の処理チャンバ4と、処理チャンバ4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面(主面)に対向する基板対向面6を有する対向部材7とを含む。対向部材7は、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面の中央部に向けて流体を吐出するための第1の吐出口(吐出口)8を有する第1のノズル9と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面の中央部に向けて流体を吐出するための第2の吐出口10を有する第2のノズル(第3のノズル)11と、第1の薬剤流体としての液体の有機溶剤(低表面張力を有する有機溶剤)の一例のイソプロピルアルコール(isopropyl alcohol:IPA)を第1のノズル9に供給するための有機溶剤供給ユニット(第1の薬剤流体供給ユニット)12と、第2のノズル11に、リンス液としての水(たとえば炭酸水)を供給するためのリンス用水供給ユニット(第2の水供給ユニット)13と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に、第2の薬剤流体としての硫酸含有液の一例の硫酸過酸化水素水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:SPM)を供給するための硫酸含有液供給ユニット(第2の薬剤流体供給ユニット)14と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に、洗浄薬液の一例のSC1(NHOHおよびHを含む液体)を供給するための洗浄薬液供給ユニット15と、スピンチャック5を取り囲む筒状の処理カップ16とを含む。
FIG. 2A is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2.
The processing unit 2 holds the box-shaped processing chamber 4 and one substrate W in a horizontal posture in the processing chamber 4, and rotates the substrate W around the vertical rotation axis A1 passing through the center of the substrate W. It includes a spin chuck (board holding unit) 5 and a facing member 7 having a board facing surface 6 facing the upper surface (main surface) of the board W held by the spin chuck 5. The facing member 7 has a first nozzle 9 having a first discharge port (discharge port) 8 for discharging a fluid toward the center of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5, and a spin chuck. A second nozzle (third nozzle) 11 having a second discharge port 10 for discharging the fluid toward the central portion of the upper surface of the substrate W held in 5, and the first drug fluid. An organic solvent supply unit (first chemical fluid supply unit) 12 for supplying isopropyl alcohol (IPA), which is an example of a liquid organic solvent (organic solvent having a low surface tension), to the first nozzle 9. , A rinse water supply unit (second water supply unit) 13 for supplying water as a rinse liquid (for example, carbonated water) to the second nozzle 11, and the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5. A sulfuric acid-containing liquid supply unit (second chemical fluid supply unit) for supplying an example of a sulfate-containing liquid mixture (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture (SPM)) as a second chemical fluid. ) 14, a cleaning chemical supply unit 15 for supplying SC1 (a liquid containing NH 4 OH and H 2 O 2 ), which is an example of a cleaning chemical solution, and a spin on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5. Includes a tubular processing cup 16 that surrounds the chuck 5.

処理チャンバ4は、スピンチャック5やノズルを収容する箱状の隔壁18と、隔壁18の上部から隔壁18内に清浄空気(フィルタによってろ過された空気)を送る送風ユニットとしてのFFU(ファン・フィルタ・ユニット)19とを含む。
FFU19は、隔壁18の上方に配置されており、隔壁18の天井に取り付けられている。FFU19は、隔壁18の天井から処理チャンバ4内に下向きに清浄空気を送る。また、処理カップ16の底部には、排気液配管81が接続されており、排気液配管81は、基板処理装置1が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けて処理チャンバ4内の気体を導出する。したがって、処理チャンバ4内を下方に流れるダウンフロー(下降流)が、FFU19および排気液配管81によって形成される。基板Wの処理は、処理チャンバ4内にダウンフローが形成されている状態で行われる。
The processing chamber 4 includes a box-shaped partition wall 18 accommodating a spin chuck 5 and a nozzle, and an FFU (fan filter) as a blowing unit that sends clean air (air filtered by a filter) from the upper portion of the partition wall 18 into the partition wall 18. -Including unit) 19.
The FFU 19 is arranged above the partition wall 18 and is attached to the ceiling of the partition wall 18. The FFU 19 sends clean air downward from the ceiling of the partition wall 18 into the processing chamber 4. Further, an exhaust gas pipe 81 is connected to the bottom of the processing cup 16, and the exhaust liquid pipe 81 is located in the processing chamber 4 toward the exhaust gas processing equipment provided in the factory where the substrate processing device 1 is installed. Derivation of gas. Therefore, a downflow (downflow) flowing downward in the processing chamber 4 is formed by the FFU 19 and the exhaust liquid pipe 81. The processing of the substrate W is performed in a state where a downflow is formed in the processing chamber 4.

スピンチャック5として、基板Wを水平方向に挟んで基板Wを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック5は、スピンモータ22と、このスピンモータ22の駆動軸と一体化された下スピン軸23と、下スピン軸23の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース24とを含む。
スピンベース24の上面には、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材25が配置されている。複数個の挟持部材25は、スピンベース24の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
As the spin chuck 5, a holding type chuck that sandwiches the substrate W in the horizontal direction and holds the substrate W horizontally is adopted. Specifically, the spin chuck 5 has a spin motor 22, a lower spin shaft 23 integrated with the drive shaft of the spin motor 22, and a disc-shaped disc-shaped body attached substantially horizontally to the upper end of the lower spin shaft 23. Includes spin base 24 and.
On the upper surface of the spin base 24, a plurality of (three or more, for example, six) holding members 25 are arranged on the peripheral edge thereof. The plurality of sandwiching members 25 are arranged at an appropriate interval on the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the substrate W at the upper peripheral peripheral portion of the spin base 24.

また、スピンチャック5としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Wの裏面を真空吸着することにより、基板Wを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック5に保持されている基板Wを回転させる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
図2Bは、処理ユニット2に含まれる対向部材7の周辺の構成を具体的に説明するための図である。
Further, the spin chuck 5 is not limited to the pinch type, for example, the substrate W is held in a horizontal posture by vacuum suctioning the back surface of the substrate W, and further rotates around a vertical rotation axis in that state. By doing so, a vacuum suction type (vacuum chuck) that rotates the substrate W held by the spin chuck 5 may be adopted.
FIG. 2B is a diagram for specifically explaining the configuration around the facing member 7 included in the processing unit 2.

図2A,2Bに示すように、対向部材7は、遮断板26と、遮断板26に同軸に設けられた上スピン軸27とを含む。遮断板26は、基板Wとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状である。基板対向面6は、遮断板26の下面を形成しており、基板Wの上面全域に対向する円形である。
基板対向面6の中央部には、遮断板26および上スピン軸27を上下に貫通する円筒状の貫通穴28が形成されている。貫通穴28の内周壁は、円筒面によって区画されている。貫通穴28の内部には、第1のノズル9および第2のノズル11が挿通されている。第1および第2のノズル9,11は、それぞれ、上スピン軸27の回転軸線A2(回転軸線A1と同軸)に沿って上下方向に延びている。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the facing member 7 includes a blocking plate 26 and an upper spin shaft 27 coaxially provided on the blocking plate 26. The blocking plate 26 has a disk shape having a diameter substantially the same as or larger than that of the substrate W. The substrate facing surface 6 forms the lower surface of the blocking plate 26, and is circular so as to face the entire upper surface of the substrate W.
A cylindrical through hole 28 that vertically penetrates the blocking plate 26 and the upper spin shaft 27 is formed in the central portion of the substrate facing surface 6. The inner peripheral wall of the through hole 28 is partitioned by a cylindrical surface. A first nozzle 9 and a second nozzle 11 are inserted inside the through hole 28. The first and second nozzles 9 and 11 extend in the vertical direction along the rotation axis A2 (coaxial with the rotation axis A1) of the upper spin shaft 27, respectively.

具体的には、貫通穴28の内部には、遮断板26の回転軸線A2に沿って上下に延びる中心軸ノズル29が挿通している。中心軸ノズル29は、図2Bに示すように、第1および第2のノズル9,11と、第1および第2のノズル9,11を取り囲む筒状のケーシング30とを含む。この実施形態では、第1および第2のノズル9,11は、それぞれ、インナーチューブである。第1の吐出口8は、第1のノズル9の下端に形成されている。第2の吐出口10は、第2のノズル11の下端に形成されている。ケーシング30は、回転軸線A2に沿って上下方向に延びている。ケーシング30は、貫通穴28の内部に非接触態で挿入されている。したがって、遮断板26の内周は、径方向に間隔を空けてケーシング30の外周を取り囲んでいる。 Specifically, a central shaft nozzle 29 extending vertically along the rotation axis A2 of the blocking plate 26 is inserted inside the through hole 28. As shown in FIG. 2B, the central axis nozzle 29 includes first and second nozzles 9, 11 and a cylindrical casing 30 surrounding the first and second nozzles 9, 11. In this embodiment, the first and second nozzles 9 and 11 are inner tubes, respectively. The first discharge port 8 is formed at the lower end of the first nozzle 9. The second discharge port 10 is formed at the lower end of the second nozzle 11. The casing 30 extends in the vertical direction along the rotation axis A2. The casing 30 is inserted into the through hole 28 in a non-contact manner. Therefore, the inner circumference of the blocking plate 26 surrounds the outer circumference of the casing 30 at intervals in the radial direction.

図2Aに示すように、上スピン軸27には、遮断板回転ユニット31が結合されている。遮断板回転ユニット31は、遮断板26ごと上スピン軸27を回転軸線A2まわりに回転させる。遮断板26には、電動モータ、ボールねじ等を含む構成の遮断板昇降ユニット32が結合されている。遮断板昇降ユニット32は、中心軸ノズル29ごと遮断板26を鉛直方向に昇降する。遮断板昇降ユニット32は、遮断板26の基板対向面6がスピンチャック5に保持されている基板Wの上面に近接する近接位置(図5A等参照)と、近接位置の上方に設けられた退避位置(図2Aや図5G等参照)の間で、遮断板26および中心軸ノズル29を昇降させる。遮断板昇降ユニット32は、近接位置と退避位置との間の各位置で遮断板26を保持可能である。 As shown in FIG. 2A, a cutoff plate rotating unit 31 is coupled to the upper spin shaft 27. The cutoff plate rotation unit 31 rotates the upper spin shaft 27 together with the cutoff plate 26 around the rotation axis A2. A cutoff plate elevating unit 32 including an electric motor, a ball screw, and the like is coupled to the cutoff plate 26. The cutoff plate elevating unit 32 raises and lowers the cutoff plate 26 together with the central axis nozzle 29 in the vertical direction. The cutoff plate elevating unit 32 has a proximity position (see FIG. 5A and the like) in which the substrate facing surface 6 of the cutoff plate 26 is close to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5, and a retracted position provided above the close position. The blocking plate 26 and the central axis nozzle 29 are moved up and down between the positions (see FIGS. 2A, 5G, etc.). The cutoff plate elevating unit 32 can hold the cutoff plate 26 at each position between the proximity position and the retracted position.

また、遮断板26に関連して、遮断板26の近接位置への配置を検出するための遮断板近接位置センサ33(図2A~2Cで図示しない)が設けられている。
図2Bに示すように、有機溶剤供給ユニット12は、第1のノズル9に接続され、内部が第1の吐出口8に連通する有機溶剤配管(薬剤流体配管)34と、有機溶剤配管34に介装され、有機溶剤配管34を開閉する第1の有機溶剤バルブ35と、第1の有機溶剤バルブ35よりも下流側の有機溶剤配管34に介装され、有機溶剤配管34を開閉する第2の有機溶剤バルブ(薬剤流体バルブ)36と、第1の有機溶剤バルブ35が閉状態にあることを検知するバルブ閉センサ37とを含む。
Further, in connection with the cutoff plate 26, a cutoff plate proximity position sensor 33 (not shown in FIGS. 2A to 2C) for detecting the arrangement of the cutoff plate 26 at a close position is provided.
As shown in FIG. 2B, the organic solvent supply unit 12 is connected to the organic solvent pipe (drug fluid pipe) 34, which is connected to the first nozzle 9 and whose inside communicates with the first discharge port 8, and the organic solvent pipe 34. A second organic solvent valve 35 that is interposed to open and close the organic solvent pipe 34 and a second organic solvent pipe 34 that is interposed in the organic solvent pipe 34 downstream of the first organic solvent valve 35 to open and close the organic solvent pipe 34 . 36 includes an organic solvent valve (drug fluid valve) 36 and a valve closing sensor 37 for detecting that the first organic solvent valve 35 is in a closed state.

図2Bに示すように、有機溶剤配管34において第1の有機溶剤バルブ35と第2の有機溶剤バルブ36との間に設定された第1の分岐位置38には、第1の水配管39が分岐接続されている。以降の説明において、有機溶剤配管34における第1の分岐位置38よりも下流側の下流側部分40を、「有機溶剤下流側部分40」という。有機溶剤配管34における第1の分岐位置38よりも上流側の上流側部分41を、「有機溶剤上流側部分41」という。この実施形態では、第1の分岐位置38は、有機溶剤配管34の上端に近い位置に設定されている。そのため、有機溶剤下流側部分40に有機溶剤が存在しない状態において、第1の有機溶剤バルブ35の開成後第2のノズル11(第2の吐出口10)に有機溶剤が到達するまでの時間は長くなる(たとえば約3秒)。 As shown in FIG. 2B, the first water pipe 39 is located at the first branch position 38 set between the first organic solvent valve 35 and the second organic solvent valve 36 in the organic solvent pipe 34. It is branched and connected. In the following description, the downstream portion 40 on the downstream side of the first branch position 38 in the organic solvent pipe 34 is referred to as "organic solvent downstream portion 40". The upstream portion 41 on the upstream side of the first branch position 38 in the organic solvent pipe 34 is referred to as an “organic solvent upstream portion 41”. In this embodiment, the first branch position 38 is set to a position close to the upper end of the organic solvent pipe 34. Therefore, in a state where the organic solvent does not exist in the portion 40 on the downstream side of the organic solvent, the time until the organic solvent reaches the second nozzle 11 (second discharge port 10) after the opening of the first organic solvent valve 35 is It gets longer (for example, about 3 seconds).

第1の有機溶剤バルブ35が開かれると、有機溶剤供給源からの有機溶剤が、第2の有機溶剤バルブ36へと供給される。この状態で第2の有機溶剤バルブ36が開かれると、第2の有機溶剤バルブ36に供給された有機溶剤が、第1の吐出口8から基板Wの上面中央部に向けて吐出される。
図2Bに示すように、有機溶剤下流側部分40において、第2の有機溶剤バルブ36の介装位置よりも上流側の所定の第1の検出位置42には、有機溶剤下流側部分40の内部の液体の存否を検出するための第1の液体検知センサ43が配置されている。第1の液体検知センサ43は、第1の検出位置42における有機溶剤配管34の内部の液体の存否を検出し、その検出結果に応じた信号を制御ユニット3に送出する。有機溶剤配管34の内部の液体の先端が、第1の検出位置42よりも前進している(第1のノズル9側に位置している)とき、第1の液体検知センサ43によって液体が検出される。有機溶剤配管34の内部の液体の先端が、第1の検出位置42よりも後退している(有機溶剤供給源側に位置している)とき、第1の液体検知センサ43によっては、液体は検出されない。
When the first organic solvent valve 35 is opened, the organic solvent from the organic solvent supply source is supplied to the second organic solvent valve 36. When the second organic solvent valve 36 is opened in this state, the organic solvent supplied to the second organic solvent valve 36 is discharged from the first discharge port 8 toward the center of the upper surface of the substrate W.
As shown in FIG. 2B, in the organic solvent downstream side portion 40, the inside of the organic solvent downstream side portion 40 is located at a predetermined first detection position 42 on the upstream side of the interposition position of the second organic solvent valve 36. A first liquid detection sensor 43 for detecting the presence or absence of the liquid in the above is arranged. The first liquid detection sensor 43 detects the presence or absence of the liquid inside the organic solvent pipe 34 at the first detection position 42, and sends a signal according to the detection result to the control unit 3. When the tip of the liquid inside the organic solvent pipe 34 is advanced from the first detection position 42 (located on the side of the first nozzle 9), the liquid is detected by the first liquid detection sensor 43. Will be done. When the tip of the liquid inside the organic solvent pipe 34 is retracted from the first detection position 42 (located on the organic solvent supply source side), the liquid may be released by the first liquid detection sensor 43. Not detected.

図2Bに示すように、有機溶剤下流側部分40において、第2の有機溶剤バルブ36の介装位置よりも下流側の所定の第2の検出位置44には、有機溶剤下流側部分40の内部の液体の存否を検出するための第2の液体検知センサ45が配置されている。第2の液体検知センサ45は、第2の検出位置44における有機溶剤配管34の内部の液体の存否を検出し、その検出結果に応じた信号を制御ユニット3に送出する。有機溶剤配管34の内部の液体の先端が、第2の検出位置44よりも前進している(第1のノズル9側に位置している)とき、第2の液体検知センサ45によって液体が検出される。有機溶剤配管34の内部の液体の先端が、第2の検出位置44よりも後退している(有機溶剤供給源側に位置している)とき、第2の液体検知センサ45によっては、液体は検出されない。 As shown in FIG. 2B, in the organic solvent downstream side portion 40, the inside of the organic solvent downstream side portion 40 is located at a predetermined second detection position 44 on the downstream side of the interposition position of the second organic solvent valve 36. A second liquid detection sensor 45 for detecting the presence or absence of the liquid in the above is arranged. The second liquid detection sensor 45 detects the presence or absence of the liquid inside the organic solvent pipe 34 at the second detection position 44, and sends a signal according to the detection result to the control unit 3. When the tip of the liquid inside the organic solvent pipe 34 is advanced from the second detection position 44 (located on the side of the first nozzle 9), the liquid is detected by the second liquid detection sensor 45. Will be done. When the tip of the liquid inside the organic solvent pipe 34 is retracted from the second detection position 44 (located on the organic solvent supply source side), the liquid may be released by the second liquid detection sensor 45. Not detected.

第1の液体検知センサ43および第2の液体検知センサ45は、それぞれ、たとえば液検知用のファイバセンサ(たとえば(株)キーエンス社製FU95S)であり、有機溶剤配管34の外周壁に直付け配置または近接配置されている。第1の液体検知センサ43および/または第2の液体検知センサ45は、たとえば静電容量型のセンサによって構成されていてもよい。 The first liquid detection sensor 43 and the second liquid detection sensor 45 are, for example, fiber sensors for liquid detection (for example, FU95S manufactured by KEYENCE CORPORATION), respectively, and are directly attached to the outer peripheral wall of the organic solvent pipe 34. Or they are placed in close proximity. The first liquid detection sensor 43 and / or the second liquid detection sensor 45 may be composed of, for example, a capacitance type sensor.

図2Bに示すように、第1の水配管39には、水供給源からの水(たとえば炭酸水)が供給されるようになっている。第1の水配管39の途中部には、第1の水配管39を開閉するための第1の水バルブ46が介装されている。第1の水バルブ46が開かれると、第1の水配管39から有機溶剤下流側部分40へと供給される。また、第1の水バルブ46が閉じられると、第1の水配管39から有機溶剤下流側部分40への水の供給が停止される。第1の水配管39から有機溶剤配管34へと供給される水は、たとえば炭酸水である。第1の水配管39および第1の水バルブ46は、置換用水供給ユニット(第1の水供給ユニット)47に含まれている。 As shown in FIG. 2B, water from a water supply source (for example, carbonated water) is supplied to the first water pipe 39. A first water valve 46 for opening and closing the first water pipe 39 is interposed in the middle of the first water pipe 39. When the first water valve 46 is opened, the water is supplied from the first water pipe 39 to the organic solvent downstream portion 40. Further, when the first water valve 46 is closed, the supply of water from the first water pipe 39 to the organic solvent downstream side portion 40 is stopped. The water supplied from the first water pipe 39 to the organic solvent pipe 34 is, for example, carbonated water. The first water pipe 39 and the first water valve 46 are included in the replacement water supply unit (first water supply unit) 47.

図2Bに示すように、第1の水配管39の途中部(すなわち、第1の分岐位置38と第1の水バルブ46との間)に設定された第2の分岐位置48には、吸引配管49が分岐接続されている。以降の説明において、第1の水配管39における第2の分岐位置48よりも下流側の下流側部分50を、「水下流側部分50」という。
図2Bに示すように、吸引配管49の途中部には、吸引配管49を開閉するための吸引バルブ51が介装されている。吸引配管49の先端には吸引装置52が接続されている。吸引装置52は、たとえば、図2Aに示すように、真空発生器53と、真空発生器53を作動させるための駆動バルブ54とを含む。吸引装置52は、真空発生により吸引力を発生させるものに限られず、たとえば、アスピレータ等であってもよい。
As shown in FIG. 2B, suction is performed at the second branch position 48 set in the middle of the first water pipe 39 (that is, between the first branch position 38 and the first water valve 46). The pipe 49 is branched and connected. In the following description, the downstream portion 50 on the downstream side of the second branch position 48 in the first water pipe 39 is referred to as a “water downstream portion 50”.
As shown in FIG. 2B, a suction valve 51 for opening and closing the suction pipe 49 is interposed in the middle of the suction pipe 49. A suction device 52 is connected to the tip of the suction pipe 49. The suction device 52 includes, for example, a vacuum generator 53 and a drive valve 54 for operating the vacuum generator 53, as shown in FIG. 2A. The suction device 52 is not limited to a device that generates a suction force by generating a vacuum, and may be, for example, an aspirator or the like.

図2Bに示すように、吸引装置52(真空発生器53)の作動状態において、第1の有機溶剤バルブ35および第1の水バルブ46が閉じられかつ第2の有機溶剤バルブ36が開かれた状態で吸引バルブ51が開かれると、吸引装置52の働きが有効化され、有機溶剤下流側部分40および水下流側部分50の内部が排気され、有機溶剤下流側部分40および水下流側部分50に含まれる液体(水または有機溶剤)が、吸引配管49へと引き込まれる。吸引装置52および吸引バルブ51は、吸引ユニット55に含まれている。 As shown in FIG. 2B, in the operating state of the suction device 52 (vacuum generator 53), the first organic solvent valve 35 and the first water valve 46 are closed and the second organic solvent valve 36 is opened. When the suction valve 51 is opened in this state, the function of the suction device 52 is activated, the inside of the organic solvent downstream side portion 40 and the water downstream side portion 50 is exhausted, and the organic solvent downstream side portion 40 and the water downstream side portion 50 are exhausted. The liquid (water or organic solvent) contained in is drawn into the suction pipe 49. The suction device 52 and the suction valve 51 are included in the suction unit 55.

図2Bに示すように、リンス用水供給ユニット13は、第2のノズル11に接続され、内部が第2の吐出口10に連通する第2の水配管56と、第2の水配管56を開閉して、第2の水配管56から第2のノズル11への水の供給および供給停止を切り替える第2の水バルブ57とを含む。第2の水バルブ57が開かれると、水供給源からの水が、第2の水配管56へと供給され、第2の吐出口10から基板Wの上面中央部に向けて吐出される。 As shown in FIG. 2B, the rinse water supply unit 13 opens and closes a second water pipe 56, which is connected to the second nozzle 11 and whose inside communicates with the second discharge port 10, and a second water pipe 56. A second water valve 57 that switches between supplying and stopping the supply of water from the second water pipe 56 to the second nozzle 11 is included. When the second water valve 57 is opened, water from the water supply source is supplied to the second water pipe 56, and is discharged from the second discharge port 10 toward the center of the upper surface of the substrate W.

図2Aに示すように、処理ユニット2は、さらに、ケーシング30の外周と遮断板26の内周との間の筒状の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス配管58と、不活性ガス配管58に介装された不活性ガスバルブ59とを含む。不活性ガスバルブ59が開かれると、不活性ガス供給源からの不活性ガスが、ケーシング30の外周と遮断板26の内周との間を通って、遮断板26の下面中央部から下方に吐出される。したがって、遮断板26が近接位置に配置されている状態で、不活性ガスバルブ59が開かれると、遮断板26の下面中央部から吐出された不活性ガスが基板Wの上面と遮断板26の基板対向面6との間を外方に(回転軸線A1から離れる方向に)広がり、基板Wと遮断板26との空気が不活性ガスに置換される。不活性ガス配管58内を流れる不活性ガスは、たとえば窒素ガスである。不活性ガスは、窒素ガスに限らず、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの他の不活性ガスであってもよい。 As shown in FIG. 2A, the processing unit 2 further includes an inert gas pipe 58 that supplies the inert gas to the cylindrical space between the outer periphery of the casing 30 and the inner circumference of the blocking plate 26, and the inert gas. It includes an inert gas valve 59 interposed in the pipe 58. When the Inactive gas valve 59 is opened, the inert gas from the Inactive gas supply source passes between the outer periphery of the casing 30 and the inner circumference of the blocking plate 26, and is discharged downward from the center of the lower surface of the blocking plate 26. Will be done. Therefore, when the inert gas valve 59 is opened with the blocking plate 26 arranged at a close position, the inert gas discharged from the central portion of the lower surface of the blocking plate 26 is applied to the upper surface of the substrate W and the substrate of the blocking plate 26. It spreads outward (in the direction away from the rotation axis A1) between the facing surface 6 and the air between the substrate W and the blocking plate 26 is replaced with the inert gas. The inert gas flowing in the inert gas pipe 58 is, for example, nitrogen gas. The inert gas is not limited to nitrogen gas, and may be another inert gas such as helium gas or argon gas.

図2Aに示すように、硫酸含有液供給ユニット14は、硫酸含有液ノズル(第2のノズル)60と、硫酸含有液ノズル60に接続された硫酸含有液配管61と、硫酸含有液配管61に介装された硫酸含有液バルブ62と、硫酸含有液ノズル60を移動させる第1のノズル移動ユニット63とを含む。第1のノズル移動ユニット63は、モータ等を含む。第1のノズル移動ユニット63には、硫酸含有液ノズル60が退避位置にあること検出するためのノズル退避センサ64が結合されている。 As shown in FIG. 2A, the sulfuric acid-containing liquid supply unit 14 is provided in the sulfuric acid-containing liquid nozzle (second nozzle) 60, the sulfuric acid-containing liquid pipe 61 connected to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60, and the sulfuric acid-containing liquid pipe 61. It includes an intervening sulfuric acid-containing liquid valve 62 and a first nozzle moving unit 63 for moving the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60. The first nozzle moving unit 63 includes a motor and the like. A nozzle retracting sensor 64 for detecting that the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is in the retracted position is coupled to the first nozzle moving unit 63.

第1のノズル移動ユニット63が、たとえばステッピングモータによって構成されている場合、当該ステッピングモータを制御するための、モータ制御部から出力される、硫酸含有液ノズル60の移動量(アームの揺動角度)に応じたエンコーダ信号を参照して、ノズル退避センサ64は、硫酸含有液ノズル60が退避位置にあるか否かを検出できる。
硫酸含有液ノズル60は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。硫酸含有液配管61には、硫酸含有液供給源からの硫酸含有液が供給されている。この実施形態では、硫酸含有液配管61には、硫酸含有液として、高温(たとえば約170℃~約200℃)の硫酸過酸化水素水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:SPM)が供給される。硫酸と過酸化水素水との反応熱により、前記の高温まで昇温されたSPMが硫酸含有液配管61に供給されている。
When the first nozzle moving unit 63 is composed of, for example, a stepping motor, the amount of movement of the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 (swing angle of the arm) output from the motor control unit for controlling the stepping motor. ), The nozzle withdrawal sensor 64 can detect whether or not the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is in the retracted position.
The sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is, for example, a straight nozzle that discharges a liquid in a continuous flow state. A sulfuric acid-containing liquid from a sulfuric acid-containing liquid supply source is supplied to the sulfuric acid-containing liquid pipe 61. In this embodiment, the sulfuric acid-containing liquid pipe 61 is supplied with a high-temperature (for example, about 170 ° C. to about 200 ° C.) sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture (SPM) as the sulfuric acid-containing liquid. To. The SPM heated to the high temperature is supplied to the sulfuric acid-containing liquid pipe 61 by the heat of reaction between the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution.

硫酸含有液バルブ62が開かれると、硫酸含有液配管61から硫酸含有液ノズル60に供給された高温のSPMが、硫酸含有液ノズル60から下方に吐出される。硫酸含有液バルブ62が閉じられると、硫酸含有液ノズル60からの、高温のSPMの吐出が停止される。第1のノズル移動ユニット63は、硫酸含有液ノズル60から吐出された高温のSPMが基板Wの上面に供給される処理位置と、硫酸含有液ノズル60が平面視でスピンチャック5の側方に退避した退避位置との間で、硫酸含有液ノズル60を移動させる。 When the sulfuric acid-containing liquid valve 62 is opened, the high-temperature SPM supplied from the sulfuric acid-containing liquid pipe 61 to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is discharged downward from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60. When the sulfuric acid-containing liquid valve 62 is closed, the discharge of high-temperature SPM from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is stopped. The first nozzle moving unit 63 has a processing position where the high-temperature SPM discharged from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is supplied to the upper surface of the substrate W, and the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is located sideways to the spin chuck 5 in a plan view. The sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is moved to and from the retracted retracted position.

図2Aに示すように、洗浄薬液供給ユニット15は、洗浄薬液ノズル65と、洗浄薬液ノズル65に接続された洗浄薬液配管66と、洗浄薬液配管66に介装された洗浄薬液バルブ67と、洗浄薬液ノズル65を移動させる第2のノズル移動ユニット68とを含む。洗浄薬液ノズル65は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。洗浄薬液配管66には、洗浄薬液供給源からの洗浄薬液(たとえばSC1)が供給されている。 As shown in FIG. 2A, the cleaning chemical liquid supply unit 15 includes a cleaning chemical liquid nozzle 65, a cleaning chemical liquid pipe 66 connected to the cleaning chemical liquid nozzle 65, a cleaning chemical liquid valve 67 interposed in the cleaning chemical liquid pipe 66, and cleaning. It includes a second nozzle moving unit 68 for moving the chemical solution nozzle 65. The cleaning chemical solution nozzle 65 is, for example, a straight nozzle that discharges a solution in a continuous flow state. A cleaning chemical solution (for example, SC1) from a cleaning chemical solution supply source is supplied to the cleaning chemical solution pipe 66.

洗浄薬液バルブ67が開かれると、洗浄薬液配管66から洗浄薬液ノズル65に供給されたSC1が、洗浄薬液ノズル65から下方に吐出される。洗浄薬液バルブ67が閉じられると、洗浄薬液ノズル65からの洗浄薬液の吐出が停止される。第2のノズル移動ユニット68は、洗浄薬液ノズル65から吐出されたSC1が基板Wの上面に供給される処理位置と、洗浄薬液ノズル65が平面視でスピンチャック5の側方に退避した退避位置との間で、洗浄薬液ノズル65を移動させる。さらに、第2のノズル移動ユニット68は、洗浄薬液ノズル65から吐出された洗浄薬液が基板Wの上面中央部に着液する中央位置と、洗浄薬液ノズル65から吐出された洗浄薬液が基板Wの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、洗浄薬液ノズル65を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。 When the cleaning chemical liquid valve 67 is opened, the SC1 supplied from the cleaning chemical liquid pipe 66 to the cleaning chemical liquid nozzle 65 is discharged downward from the cleaning chemical liquid nozzle 65. When the cleaning chemical solution valve 67 is closed, the discharge of the cleaning chemical solution from the cleaning chemical solution nozzle 65 is stopped. The second nozzle moving unit 68 has a processing position where the SC1 discharged from the cleaning chemical solution nozzle 65 is supplied to the upper surface of the substrate W and a retracting position where the cleaning chemical solution nozzle 65 retracts to the side of the spin chuck 5 in a plan view. The cleaning chemical solution nozzle 65 is moved between and. Further, in the second nozzle moving unit 68, the cleaning chemical liquid discharged from the cleaning chemical liquid nozzle 65 is located at the center of the upper surface of the substrate W, and the cleaning chemical liquid discharged from the cleaning chemical liquid nozzle 65 is located on the substrate W. The cleaning chemical solution nozzle 65 is horizontally moved to and from the peripheral edge position where the liquid is landed on the upper peripheral edge portion. Both the central position and the peripheral position are processing positions.

図2Cは、処理ユニット2の下部の構成例を拡大して示す図解的な断面図である。
図2A,2Cに示すように、処理カップ16は、スピンチャック5を取り囲む、基板Wの周囲に飛散した処理液(洗浄薬液およびリンス液)を受け止めるための第1および第2のガード71,72と、個々のガード71,72を独立して昇降させるガード昇降ユニット73とを含む。ガード昇降ユニット73は、個々のガード71,72を独立して昇降させる。なお、ガード昇降ユニット73は、たとえはボールねじ機構を含む構成である。
FIG. 2C is a schematic cross-sectional view showing an enlarged configuration example of the lower part of the processing unit 2.
As shown in FIGS. 2A and 2C, the processing cup 16 surrounds the spin chuck 5 and has first and second guards 71 and 72 for receiving the processing liquids (cleaning chemicals and rinsing liquids) scattered around the substrate W. And a guard elevating unit 73 that raises and lowers the individual guards 71 and 72 independently. The guard elevating unit 73 independently elevates and elevates the individual guards 71 and 72. The guard elevating unit 73 is configured to include, for example, a ball screw mechanism.

処理カップ16は上下方向に重なるように収容可能であり、ガード昇降ユニット73が2つのガード71,72のうちの少なくとも一つを昇降させることにより、処理カップ16の展開および収容が行われる。
内側の第1のガード71は、スピンチャック5の周囲を取り囲み、スピンチャック5による基板Wの回転軸線A1に対してほぼ回転対称な形状を有している。図2Cに示すように、第1のガード71は、平面視において円環状をなす底部74と、この底部74の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部75と、底部74の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部76と、内周縁と外周縁との間に対応する底部74の一部から上方に立ち上がる円筒状の案内部77とを一体的に備えている。
The processing cup 16 can be accommodated so as to overlap in the vertical direction, and the guard elevating unit 73 raises and lowers at least one of the two guards 71 and 72 to deploy and accommodate the processing cup 16.
The inner first guard 71 surrounds the spin chuck 5 and has a shape substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis A1 of the substrate W by the spin chuck 5. As shown in FIG. 2C, the first guard 71 has an annular bottom portion 74 in a plan view, a cylindrical inner wall portion 75 rising upward from the inner peripheral edge of the bottom portion 74, and an upper portion from the outer peripheral edge of the bottom portion 74. A cylindrical outer wall portion 76 that rises above the inner peripheral edge and a cylindrical guide portion 77 that rises upward from a part of the corresponding bottom portion 74 between the inner peripheral edge and the outer peripheral edge are integrally provided.

案内部77は、底部74から立ち上がる円筒状の本体部78と、この本体部78の上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(回転軸線A1に近づく方向)斜め上方に延びる筒状の上端部79とを含む。
内壁部75と案内部77との間は、基板Wの処理に使用された処理液(硫酸含有液、洗浄薬液および水)を集めて排液するための第1の排液溝80が区画されている。第1の排液溝80の底部の最も低い箇所には、図示しない負圧源から延びる排気液配管81が接続されている。これにより、第1の排液溝80の内部が強制的に排気され、第1の排液溝80に集められた処理液、および第1の排液溝80内の雰囲気が、排気液配管81を介して排出される。雰囲気とともに排出される処理液は、排気液配管81の途中部に介装された気液分離器97によって雰囲気から分離される。排気液配管81には、気液分離器97を介して、複数の排液分岐配管(硫酸含有液用分岐配管82、洗浄薬液用分岐配管83および水用分岐配管84)が、それぞれ排液分岐バルブ85が介して接続されている。個々の排液分岐バルブ85には、当該排液分岐バルブ85が閉状態にあることを検知する第2のバルブ閉センサ95とを含む。
The guide portion 77 has a cylindrical main body portion 78 that rises from the bottom portion 74, and a cylindrical upper end portion 79 that extends diagonally upward toward the center side (direction approaching the rotation axis A1) while drawing a smooth arc from the upper end portion of the main body portion 78. And include.
A first drainage groove 80 for collecting and draining the treatment liquid (sulfuric acid-containing liquid, cleaning chemical liquid, and water) used for treating the substrate W is partitioned between the inner wall portion 75 and the guide portion 77. ing. An exhaust liquid pipe 81 extending from a negative pressure source (not shown) is connected to the lowest portion of the bottom of the first drainage groove 80. As a result, the inside of the first drainage groove 80 is forcibly exhausted, and the treatment liquid collected in the first drainage groove 80 and the atmosphere in the first drainage groove 80 are combined with the exhaust liquid pipe 81. Is discharged through. The treatment liquid discharged together with the atmosphere is separated from the atmosphere by the gas-liquid separator 97 interposed in the middle of the exhaust liquid pipe 81. In the exhaust liquid pipe 81, a plurality of drainage branch pipes (branch pipe 82 for sulfuric acid-containing liquid, branch pipe 83 for cleaning chemical liquid, and branch pipe 84 for water) are respectively connected to the drainage branch pipe 81 via the gas-liquid separator 97. The valve 85 is connected via. Each drainage branch valve 85 includes a second valve closing sensor 95 that detects that the drainage branch valve 85 is in the closed state.

後述する硫酸含有液工程(図4のステップS3)では、排液分岐バルブ85のうち、硫酸含有液用分岐配管82用の排液分岐バルブ85のみが開かれており、排気液配管81を流通する処理液は、硫酸含有液用分岐配管82へと供給され、その後、硫酸含有液を排液処理するための処理装置(図示しない)に送られる。
また、後述する第1および第2のリンス工程(図4のステップS4およびステップS6)では、排液分岐バルブ85のうち、水用分岐配管84用の排液分岐バルブ85のみが開かれており、排気液配管81を流通する処理液は、水用分岐配管84へと供給され、その後、水を排液処理するための処理装置(図示しない)に送られる。
In the sulfuric acid-containing liquid step (step S3 in FIG. 4), which will be described later, only the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 is opened among the drainage branch valves 85, and the drainage liquid pipe 81 is circulated. The treatment liquid to be treated is supplied to the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82, and then sent to a treatment device (not shown) for draining the sulfuric acid-containing liquid.
Further, in the first and second rinsing steps (steps S4 and S6 in FIG. 4) described later, only the drainage branch valve 85 for the water branch pipe 84 is opened among the drainage branch valves 85. The treatment liquid flowing through the exhaust liquid pipe 81 is supplied to the water branch pipe 84, and then sent to a treatment device (not shown) for drainage treatment of water.

また、後述する洗浄薬液工程(図4のステップS5)では、排液分岐バルブ85のうち、洗浄薬液用分岐配管83用の排液分岐バルブ85のみが開かれており、排気液配管81を流通する処理液は、洗浄薬液用分岐配管83へと供給され、その後、洗浄薬液を排液処理するための処理装置(図示しない)に送られる。
また、案内部77と外壁部76との間は、基板Wの処理に使用された有機溶剤を集めて回収するための第2の排液溝86とされている。第2の排液溝86において、たとえば底部には、排気配管87の一端が接続されている。これにより、第2の排液溝86の内部が強制的に排気され、第2の排液溝86内の雰囲気が、排気配管87を介して排出される。
Further, in the cleaning chemical liquid step (step S5 in FIG. 4) described later, of the drainage branch valves 85, only the drainage branch valve 85 for the cleaning chemical liquid branch pipe 83 is opened, and the drainage liquid pipe 81 is circulated. The processing liquid to be treated is supplied to the branch pipe 83 for cleaning chemicals, and then sent to a processing apparatus (not shown) for draining the cleaning chemicals.
Further, between the guide portion 77 and the outer wall portion 76, there is a second drainage groove 86 for collecting and recovering the organic solvent used for treating the substrate W. In the second drainage groove 86, for example, one end of the exhaust pipe 87 is connected to the bottom. As a result, the inside of the second drainage groove 86 is forcibly exhausted, and the atmosphere in the second drainage groove 86 is discharged through the exhaust pipe 87.

排気配管87の他端は、図示しない負圧源に接続されている。排気配管87には、排気配管87を開閉するための排気バルブ101が介装されている。排気バルブ101には、当該排気バルブ101が開状態にあることを検知するバルブ開センサ21が設けられている。
外側の第2のガード72は、回転軸線A1に対してほぼ回転対称な形状を有している。第2のガード72は、第1のガード71の案内部77の外側においてスピンチャック5の周囲を取り囲んでいる。第2のガード72の上端部88には、スピンチャック5によって保持された基板Wよりも直径が大きい開口89が形成されており、第2のガード72の上端90は、開口89を区画する開口端となっている。
The other end of the exhaust pipe 87 is connected to a negative pressure source (not shown). An exhaust valve 101 for opening and closing the exhaust pipe 87 is interposed in the exhaust pipe 87. The exhaust valve 101 is provided with a valve open sensor 21 for detecting that the exhaust valve 101 is in the open state.
The outer second guard 72 has a shape substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis A1. The second guard 72 surrounds the spin chuck 5 outside the guide portion 77 of the first guard 71. An opening 89 having a diameter larger than that of the substrate W held by the spin chuck 5 is formed in the upper end portion 88 of the second guard 72, and the upper end 90 of the second guard 72 is an opening for partitioning the opening 89. It is the end.

第2のガード72は、案内部77と同軸円筒状をなす下端部91と、下端部91の上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(回転軸線A1に近づく方向)斜め上方に延びる筒状の上端部88と、上端部88の先端部を下方に折り返して形成された折返し部92とを有している。
下端部91は、第2の排液溝86上に位置し、第1のガード71と第2のガード72が最も近接した状態で、第2の排液溝86に収容される長さに形成されている。また、上端部88は、第1のガード71の案内部77の上端部79と上下方向に重なるように設けられ、第1のガード71と第2のガード72とが最も近接した状態で、案内部77の上端部79に対してごく微少な隙間を保って近接するように形成されている。折返し部92は、第1のガード71と第2のガード72とが最も近接した状態で、案内部77の上端部79と水平方向に重なるように形成されている。
The second guard 72 has a lower end portion 91 that forms a coaxial cylindrical shape with the guide portion 77, and a tubular shape that extends diagonally upward toward the center side (direction approaching the rotation axis A1) while drawing a smooth arc from the upper end of the lower end portion 91. It has an upper end portion 88 and a folded portion 92 formed by folding the tip end portion of the upper end portion 88 downward.
The lower end portion 91 is located on the second drainage groove 86, and is formed to have a length accommodated in the second drainage groove 86 with the first guard 71 and the second guard 72 closest to each other. Has been done. Further, the upper end portion 88 is provided so as to overlap the upper end portion 79 of the guide portion 77 of the first guard 71 in the vertical direction, and the guide is provided in a state where the first guard 71 and the second guard 72 are closest to each other. It is formed so as to be close to the upper end portion 79 of the portion 77 while maintaining a very small gap. The folded-back portion 92 is formed so that the first guard 71 and the second guard 72 are closest to each other and horizontally overlap with the upper end portion 79 of the guide portion 77.

図2Aに示すように、ガード昇降ユニット73は、ガードの上端部が基板Wより上方に位置する上位置と、ガードの上端部が基板Wより下方に位置する下位置との間で、各ガード71,72を昇降させる。ガード昇降ユニット73は、上位置と下位置との間の任意の位置で各ガード71,72を保持可能である。基板Wへの処理液の供給や基板Wの乾燥は、いずれかのガード71,72が基板Wの周端面に対向している状態で行われる。 As shown in FIG. 2A, the guard elevating unit 73 has a guard between an upper position where the upper end of the guard is located above the board W and a lower position where the upper end of the guard is located below the board W. Move 71 and 72 up and down. The guard elevating unit 73 can hold the guards 71 and 72 at any position between the upper position and the lower position. The supply of the processing liquid to the substrate W and the drying of the substrate W are performed in a state where any of the guards 71 and 72 faces the peripheral end surface of the substrate W.

内側の第1のガード71を基板Wの周端面に対向させる場合には、図5A等に示すように、第1および第2のガード71,72のいずれもが上位置に配置される。この状態では、折返し部92が案内部77の上端部79と水平方向に重なっている。
第1のガード71に関連して、第1のガード71の上位置への配置を検出するためのガード上位置センサ93と、第1のガード71の上位置への配置を検出するためのガード下位置センサ94とが設けられている。
When the inner first guard 71 faces the peripheral end surface of the substrate W, both the first and second guards 71 and 72 are arranged at the upper positions as shown in FIG. 5A and the like. In this state, the folded-back portion 92 overlaps the upper end portion 79 of the guide portion 77 in the horizontal direction.
In relation to the first guard 71, a guard upper position sensor 93 for detecting the upper position of the first guard 71 and a guard for detecting the upper position of the first guard 71. A lower position sensor 94 is provided.

一方、外側の第2のガード72を基板Wの周端面に対向させる場合には、図2Aや図5G等に示すように、第2のガード72が上位置に配置され、かつ第1のガード71が下位置に配置される。
図3は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御ユニット3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御ユニット3はCPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
On the other hand, when the outer second guard 72 faces the peripheral end surface of the substrate W, the second guard 72 is arranged at an upper position and the first guard is arranged as shown in FIGS. 2A and 5G. 71 is placed in the lower position.
FIG. 3 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus 1.
The control unit 3 is configured by using, for example, a microcomputer. The control unit 3 has an arithmetic unit such as a CPU, a fixed memory device, a storage unit such as a hard disk drive, and an input / output unit. The storage unit stores the program executed by the arithmetic unit.

第2のノズル移動ユニット63,68、遮断板回転ユニット31、遮断板昇降ユニット32およびガード昇降ユニット73等の動作を制御する。また、制御ユニット3は、第1の有機溶剤バルブ35、第2の有機溶剤バルブ36、第1の水バルブ46、吸引バルブ51、駆動バルブ54、第2の水バルブ57、不活性ガスバルブ59、硫酸含有液バルブ62、洗浄薬液バルブ67、排液分岐バルブ85等を開閉する。さらに、制御ユニット3には、第1のバルブ開センサ21の検出出力、遮断板近接位置センサ33の検出出力、バルブ閉センサ37の検出出力、第1の液体検知センサ43の検出出力、第2の液体検知センサ45の検出出力、ノズル退避センサ64の検出出力、ガード上位置センサ93の検出出力、ガード下位置センサ94の検出出力、第2のバルブ閉センサ95の検出出力等が入力されるようになっている。 It controls the operations of the second nozzle moving units 63 and 68, the blocking plate rotating unit 31, the blocking plate elevating unit 32, the guard elevating unit 73, and the like. Further, the control unit 3 includes a first organic solvent valve 35, a second organic solvent valve 36, a first water valve 46, a suction valve 51, a drive valve 54, a second water valve 57, and an inert gas valve 59. The sulfuric acid-containing liquid valve 62, the cleaning chemical liquid valve 67, the drainage branch valve 85, and the like are opened and closed. Further, the control unit 3 has a detection output of the first valve open sensor 21, a detection output of the cutoff plate proximity position sensor 33, a detection output of the valve close sensor 37, a detection output of the first liquid detection sensor 43, and a second. The detection output of the liquid detection sensor 45, the detection output of the nozzle retract sensor 64, the detection output of the guard upper position sensor 93, the detection output of the guard lower position sensor 94, the detection output of the second valve closing sensor 95, etc. are input. It has become like.

図4は、処理ユニット2による第1の基板処理例を説明するための流れ図である。図5A~5Hは、第1の基板処理例を説明するための図解的な図である。
以下、図2A~図4を参照しながら、第1の基板処理例について説明する。図5A~5Hについては適宜参照する。第1の基板処理例は、基板Wの上面に形成されたレジストを除去するためのレジスト除去処理である。以下で述べるように、第1の基板処理例は、SPM等の硫酸含有液を用いて基板Wを処理する硫酸含有液工程S3と、IPA等の液体の有機溶剤を用いて基板Wを処理する有機溶剤工程(第1の処理工程)S7とを含む。硫酸含有液と有機溶剤とは、接触に危険(この場合、急激な反応)が伴うような薬剤流体(薬液、または薬剤成分を含む気体)の組合せである。
FIG. 4 is a flow chart for explaining a first substrate processing example by the processing unit 2. 5A to 5H are schematic diagrams for explaining a first substrate processing example.
Hereinafter, the first substrate processing example will be described with reference to FIGS. 2A to 4. Refer to FIGS. 5A to 5H as appropriate. The first substrate processing example is a resist removing process for removing a resist formed on the upper surface of the substrate W. As described below, in the first substrate processing example, the substrate W is treated with a sulfuric acid-containing liquid step S3 in which the substrate W is treated with a sulfuric acid-containing liquid such as SPM, and the substrate W is treated with a liquid organic solvent such as IPA. It includes an organic solvent step (first treatment step) S7. The sulfuric acid-containing liquid and the organic solvent are a combination of a drug fluid (a drug solution or a gas containing a drug component) such that contact is dangerous (in this case, a rapid reaction).

処理ユニット2によってレジスト除去処理が基板Wに施されるときには、処理チャンバ4の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Wが搬入される(図4のステップS1)。搬入される基板Wは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。また、基板Wの表面には、微細で高アスペクト比の微細パターンが形成されている。
具体的には、制御ユニット3は、対向部材7(すなわち、遮断板26および中心軸ノズル29)が退避位置に退避し、全ての移動ノズル(すなわち、硫酸含有液ノズル60および洗浄薬液ノズル65)がスピンチャック5の上方から退避し、かつ第1および第2のガード71,72が下位置に下げられる。その結果、第1および第2のガード71,72の上端がいずれも基板Wの保持位置よりも下方に配置される。この状態で、基板Wを保持している基板搬送ロボットCR(図1参照)のハンドH(図1参照)を処理チャンバ4の内部に進入させることにより、基板Wがその表面(レジスト形成面)を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡される。その後、スピンチャック5に基板Wが保持される(基板保持工程)。
When the resist removing process is applied to the substrate W by the processing unit 2, the substrate W after the ion implantation process at a high dose is carried into the inside of the processing chamber 4 (step S1 in FIG. 4). It is assumed that the substrate W to be carried in has not been processed for ashing the resist. Further, a fine pattern having a high aspect ratio is formed on the surface of the substrate W.
Specifically, in the control unit 3, the facing member 7 (that is, the blocking plate 26 and the central shaft nozzle 29) is retracted to the retracted position, and all the moving nozzles (that is, the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 and the cleaning chemical liquid nozzle 65) are retracted. Is retracted from above the spin chuck 5, and the first and second guards 71 and 72 are lowered to the lower position. As a result, the upper ends of the first and second guards 71 and 72 are both arranged below the holding position of the substrate W. In this state, by allowing the hand H (see FIG. 1) of the substrate transfer robot CR (see FIG. 1) holding the substrate W to enter the inside of the processing chamber 4, the substrate W becomes its surface (resist forming surface). Is handed over to the spin chuck 5 with the head facing upward. After that, the substrate W is held by the spin chuck 5 (substrate holding step).

その後、制御ユニット3は、スピンモータ22によって基板Wの回転を開始させる。基板Wは予め定める液処理速度(1~500rpmの範囲内で、たとえば約100rpm)まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。また、制御ユニット3は、ガード昇降ユニット73を制御して、第1および第2のガード71,72をそれぞれ上位置まで上昇させて、第1のガード71を基板Wの周端面に対向させる。 After that, the control unit 3 starts the rotation of the substrate W by the spin motor 22. The substrate W is increased to a predetermined liquid treatment rate (within the range of 1 to 500 rpm, for example, about 100 rpm) and maintained at that liquid treatment rate. Further, the control unit 3 controls the guard elevating unit 73 to raise the first and second guards 71 and 72 to the upper positions, respectively, so that the first guard 71 faces the peripheral end surface of the substrate W.

基板Wの回転速度が液処理速度に達すると、次いで、炭酸水を基板Wの上面に供給して基板Wを除電する除電工程(図4のステップS2)が行われる。具体的には、制御ユニット3は、第2の水バルブ57を開く。これにより、図5Aに示すように、第2のノズル11の第2の吐出口10から、基板Wの上面中央部に向けて炭酸水が吐出される。第2のノズル11から吐出された炭酸水は、基板Wの上面中央部に着液し、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。 When the rotation speed of the substrate W reaches the liquid treatment speed, a static elimination step (step S2 in FIG. 4) is performed in which carbonated water is supplied to the upper surface of the substrate W to eliminate static electricity from the substrate W. Specifically, the control unit 3 opens the second water valve 57. As a result, as shown in FIG. 5A, carbonated water is discharged from the second discharge port 10 of the second nozzle 11 toward the center of the upper surface of the substrate W. The carbonated water discharged from the second nozzle 11 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and flows on the upper surface of the substrate W toward the peripheral edge portion of the substrate W.

また、この実施形態では、除電工程S2は、第2のノズル11からの炭酸水の吐出だけでなく、併せて、第1のノズル9の第1の吐出口8から炭酸水を吐出することによって実現される。つまり、除電工程S2は、有機溶剤配管34の内部を炭酸水で置換する第1の水置換工程T1を含む。具体的には、制御ユニット3は、除電工程S2の開始と同期して、第2の有機溶剤バルブ36を開きかつ第1の有機溶剤バルブ35および吸引バルブ51を閉じながら、第1の水バルブ46を開く。これにより、第1の水配管39からの炭酸水が、有機溶剤下流側部分40に供給される。有機溶剤下流側部分40の内壁に、前回のレジスト除去処理時に使用したIPAの液滴が付着している場合には、このIPAの液滴が炭酸水によって置換される。有機溶剤下流側部分40に供給された炭酸水は、第1のノズル9から吐出されて基板Wの上面中央部に着液し、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。また、有機溶剤下流側部分40の管内に前回のレジスト除去処理時に使用したIPA雰囲気が混入している場合も、炭酸水により除去される。 Further, in this embodiment, the static elimination step S2 not only discharges the carbonated water from the second nozzle 11, but also discharges the carbonated water from the first discharge port 8 of the first nozzle 9. It will be realized. That is, the static elimination step S2 includes a first water replacement step T1 for replacing the inside of the organic solvent pipe 34 with carbonated water. Specifically, the control unit 3 opens the second organic solvent valve 36 and closes the first organic solvent valve 35 and the suction valve 51 in synchronization with the start of the static elimination step S2, while closing the first water valve. Open 46. As a result, the carbonated water from the first water pipe 39 is supplied to the organic solvent downstream portion 40. When the IPA droplets used in the previous resist removing treatment are attached to the inner wall of the organic solvent downstream portion 40, the IPA droplets are replaced by carbonated water. The carbonated water supplied to the portion 40 on the downstream side of the organic solvent is discharged from the first nozzle 9 and landed on the central portion of the upper surface of the substrate W, and receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W to move on the upper surface of the substrate W. It flows toward the peripheral edge of the substrate W. Further, when the IPA atmosphere used in the previous resist removing treatment is mixed in the pipe of the organic solvent downstream side portion 40, it is also removed by carbonated water.

基板Wの上面に供給された炭酸水は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散し、第1のガード71の内壁に受け止められる。そして、第1のガード71の内壁を伝って流下する炭酸水は、第1の排液溝80に集められた後排気液配管81に導かれる。除電工程S2では、水用分岐配管84用の排液分岐バルブ85を開き、かつ硫酸含有液用分岐配管82用の排液分岐バルブ85および洗浄薬液用分岐配管83用の排液分岐バルブ85を閉じることにより、排気液配管81を通る液体の流通先が水用分岐配管84に設定されている。そのため、除電工程S2では、排気液配管81に導かれた炭酸水は、水用分岐配管84を通して、炭酸水を排液処理するための処理装置(図示しない)へと導かれる。前回のレジスト除去処理時に使用したIPAの液滴が第1のガード71の内壁や第1の排液溝80、排気液配管81の管壁に付着している場合には、このIPAの液滴が炭酸水によって洗い流される。 The carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W scatters from the peripheral edge of the substrate W toward the side of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. Then, the carbonated water flowing down along the inner wall of the first guard 71 is guided to the exhaust liquid pipe 81 after being collected in the first drainage groove 80. In the static elimination step S2, the drainage branch valve 85 for the water branch pipe 84 is opened, and the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the drainage branch valve 85 for the cleaning chemical liquid branch pipe 83 are opened. By closing, the flow destination of the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 is set to the water branch pipe 84. Therefore, in the static elimination step S2, the carbonated water guided to the exhaust liquid pipe 81 is guided to a treatment device (not shown) for draining the carbonated water through the water branch pipe 84. If the IPA droplets used in the previous resist removal process adhere to the inner wall of the first guard 71, the first drainage groove 80, and the pipe wall of the exhaust liquid pipe 81, the IPA droplets are attached. Is washed away with carbonated water.

基板Wの上面への炭酸水の供給により、基板W上の上面に炭酸水の液膜が形成される。炭酸水の液膜が基板Wの上面に接液することにより、スピンチャック5に保持されている基板Wが除電される。この実施形態では、除電工程S2が第1の水置換工程T1を含むので、第1の水置換工程T1を、除電工程S2と別のタイミングで行う場合と比較して、レジスト除去処理全体の処理時間を短縮できる。 By supplying carbonated water to the upper surface of the substrate W, a liquid film of carbonated water is formed on the upper surface of the substrate W. When the liquid film of carbonated water comes into contact with the upper surface of the substrate W, the substrate W held by the spin chuck 5 is statically eliminated. In this embodiment, since the static elimination step S2 includes the first water replacement step T1, the entire resist removing process is processed as compared with the case where the first water replacement step T1 is performed at a timing different from that of the static elimination step S2. You can save time.

そして、炭酸水の吐出開始から所定時間が経過すると、制御ユニット3は、図5Bに示すように、第2の水バルブ57を開いた状態に維持しながら第1の水バルブ46を閉じて、第2のノズル11からの炭酸水の吐出を維持しながら第1のノズル9からの炭酸水の吐出を停止させる。
第1のノズル9からの炭酸水の吐出停止後、有機溶剤配管34の内の炭酸水を吸引する第1の水吸引工程T2(第1の吸引工程)が実行される。この第1の水吸引工程T2は、第1の水置換工程T1後に有機溶剤配管34の内部に存在している炭酸水を、吸引ユニット55によって吸引するものである。
Then, when a predetermined time has elapsed from the start of discharging the carbonated water, the control unit 3 closes the first water valve 46 while keeping the second water valve 57 open, as shown in FIG. 5B. While maintaining the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11, the discharge of the carbonated water from the first nozzle 9 is stopped.
After stopping the discharge of the carbonated water from the first nozzle 9, the first water suction step T2 (first suction step) of sucking the carbonated water in the organic solvent pipe 34 is executed. In the first water suction step T2, the carbonated water existing inside the organic solvent pipe 34 after the first water replacement step T1 is sucked by the suction unit 55.

具体的には、制御ユニット3は、第1の水置換工程T1の終了後、第2の有機溶剤バルブ36を開きかつ第1の有機溶剤バルブ35および第1の水バルブ46を閉じながら、吸引バルブ51を開く。これにより、有機溶剤下流側部分40および水下流側部分50の内部が排気され、図5Bに示すように、有機溶剤下流側部分40および水下流側部分50に存在している炭酸水が、吸引配管49へと引き込まれる(吸引)。炭酸水の吸引は、炭酸水の先端面が配管内の所定の待機位置(たとえば吸引配管49または水下流側部分50に設定)に後退するまで行われる。炭酸水の先端面が、待機位置まで後退すると、制御ユニット3は吸引バルブ51を閉じる。これにより、第1の水置換工程T1が終了する。 Specifically, after the completion of the first water replacement step T1, the control unit 3 sucks while opening the second organic solvent valve 36 and closing the first organic solvent valve 35 and the first water valve 46. Open the valve 51. As a result, the inside of the organic solvent downstream side portion 40 and the water downstream side portion 50 is exhausted, and as shown in FIG. 5B, the carbonated water existing in the organic solvent downstream side portion 40 and the water downstream side portion 50 is sucked. It is drawn into the pipe 49 (suction). The suction of the carbonated water is performed until the tip surface of the carbonated water recedes to a predetermined standby position in the pipe (for example, set in the suction pipe 49 or the water downstream side portion 50). When the tip surface of the carbonated water recedes to the standby position, the control unit 3 closes the suction valve 51. As a result, the first water replacement step T1 is completed.

第1の水置換工程T1の終了後に第1の水吸引工程T2が実行されることにより、第1の水吸引工程T2の実行後には、有機溶剤配管34の内部に炭酸水が存在しない。これにより、第1の水置換工程T1の終了後における第1のノズル9からの炭酸水の落液を抑制または防止できる。
炭酸水の吐出開始から所定時間が経過すると、制御ユニット3は、第1の水バルブ46を閉じて、第2のノズル11からの炭酸水の吐出を停止させる。これにより、除電工程S2が終了する。
Since the first water suction step T2 is executed after the completion of the first water replacement step T1, carbonated water does not exist inside the organic solvent pipe 34 after the execution of the first water suction step T2. This makes it possible to suppress or prevent the drop of carbonated water from the first nozzle 9 after the completion of the first water replacement step T1.
When a predetermined time has elapsed from the start of discharging the carbonated water, the control unit 3 closes the first water valve 46 and stops the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11. As a result, the static elimination step S2 is completed.

また、この実施形態では、第1の水吸引工程T2と、除電工程S2の一部(第2のノズル11からの炭酸水の吐出)とを並行して行うので、第1の水吸引工程T2を、除電工程S2の終了後に別途行う場合と比較して、レジスト除去処理全体の処理時間を短縮できる。
次いで、制御ユニット3は、高温のSPMを基板Wの上面に供給する硫酸含有液工程(第2の処理工程。図4のステップS3)を行う。硫酸含有液工程S3では、基板Wの表面からレジストを剥離すべく、制御ユニット3は、硫酸含有液ノズル60からの高温のSPMを、基板Wの上面中央部に供給する。
Further, in this embodiment, since the first water suction step T2 and a part of the static elimination step S2 (discharge of carbonated water from the second nozzle 11) are performed in parallel, the first water suction step T2 Compared with the case where the static elimination step S2 is performed separately after the completion of the static elimination step S2, the processing time of the entire resist removing processing can be shortened.
Next, the control unit 3 performs a sulfuric acid-containing liquid step (second processing step; step S3 in FIG. 4) of supplying high-temperature SPM to the upper surface of the substrate W. In the sulfuric acid-containing liquid step S3, the control unit 3 supplies high-temperature SPM from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 to the central portion of the upper surface of the substrate W in order to peel the resist from the surface of the substrate W.

具体的には、硫酸含有液工程S3において、制御ユニット3は、第1のノズル移動ユニット63を制御することにより、硫酸含有液ノズル60を退避位置から中央位置に移動させる。これにより、硫酸含有液ノズル60が基板Wの中央部の上方に配置される。その後、制御ユニット3は、硫酸含有液バルブ62を開く。これにより、高温(たとえば約170℃~約200℃)のSPMが硫酸含有液配管61から硫酸含有液ノズル60に供給され、この硫酸含有液ノズル60の吐出口から高温のSPMが吐出される。硫酸含有液ノズル60から吐出された高温のSPMは、基板Wの上面の中央部に着液し、基板Wの回転による遠心力を受けて、基板Wの上面に沿って外方に流れる。これにより、図5Cに示すように、基板Wの上面全域がSPMの液膜によって覆われる。高温のSPMにより、基板Wの表面からレジストが剥離されて、当該基板Wの表面から除去される。 Specifically, in the sulfuric acid-containing liquid step S3, the control unit 3 moves the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 from the retracted position to the central position by controlling the first nozzle moving unit 63. As a result, the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is arranged above the central portion of the substrate W. After that, the control unit 3 opens the sulfuric acid-containing liquid valve 62. As a result, high-temperature (for example, about 170 ° C. to about 200 ° C.) SPM is supplied to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 from the sulfuric acid-containing liquid pipe 61, and high-temperature SPM is discharged from the discharge port of the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60. The high-temperature SPM discharged from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and flows outward along the upper surface of the substrate W. As a result, as shown in FIG. 5C, the entire upper surface of the substrate W is covered with the liquid film of SPM. The high temperature SPM strips the resist from the surface of the substrate W and removes it from the surface of the substrate W.

基板Wの上面に供給されたSPMは、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散し、第1のガード71の内壁に受け止められる。そして、第1のガード71の内壁を伝って流下するSPMは、第1の排液溝80に集められた後排気液配管81に導かれる。硫酸含有液工程S3では、硫酸含有液用分岐配管82用の排液分岐バルブ85を開き、かつ洗浄薬液用分岐配管83用の排液分岐バルブ85および水用分岐配管84用の排液分岐バルブ85を閉じることにより、排気液配管81を通る液体の流通先が硫酸含有液用分岐配管82に設定されている。そのため、除電工程S2では、排気液配管81に導かれたSPMは、硫酸含有液用分岐配管82を通して、硫酸含有液を排液処理するための処理装置(図示しない)へと導かれる。そのため、硫酸含有液工程S3の後には、第1のガード71の内壁や第1の排液溝80、排気液配管81の管壁にSPMの液滴が付着している。 The SPM supplied to the upper surface of the substrate W scatters from the peripheral edge of the substrate W toward the side of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. Then, the SPM flowing down along the inner wall of the first guard 71 is guided to the after-exhaust liquid pipe 81 collected in the first drainage groove 80. In the sulfuric acid-containing liquid step S3, the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 is opened, and the drainage branch valve 85 for the cleaning chemical branch pipe 83 and the drainage branch valve for the water branch pipe 84 are opened. By closing the 85, the flow destination of the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 is set to the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82. Therefore, in the static elimination step S2, the SPM guided to the exhaust liquid pipe 81 is guided to a processing device (not shown) for draining the sulfuric acid-containing liquid through the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82. Therefore, after the sulfuric acid-containing liquid step S3, droplets of SPM adhere to the inner wall of the first guard 71, the first drainage groove 80, and the pipe wall of the exhaust liquid pipe 81.

硫酸含有液工程S3では、高温のSPMの基板Wへの供給により、基板Wの上面の周囲に大量のSPMのミストが発生する。硫酸含有液工程S3では、遮断板26および中心軸ノズル29は退避位置(たとえば、遮断板26の基板対向面6がスピンベース24の上面から上方に十分な間隔(たとえば約150mm)を隔てられているのであるが、硫酸含有液工程S3において使用されるSPMが極めて高温(たとえば約170℃~約200℃)であるため、硫酸含有液工程S3では大量のSPMのミストが発生し、その結果、このSPMのミストが第1の吐出口8から有機溶剤配管34の内部に入り込み、有機溶剤配管34の内部に(奥深くまで)進入する。 In the sulfuric acid-containing liquid step S3, a large amount of SPM mist is generated around the upper surface of the substrate W due to the supply of the high temperature SPM to the substrate W. In the sulfuric acid-containing liquid step S3, the cutoff plate 26 and the central shaft nozzle 29 are separated from each other at a retracted position (for example, the substrate facing surface 6 of the cutoff plate 26 is sufficiently spaced upward from the upper surface of the spin base 24 (for example, about 150 mm). However, since the SPM used in the sulfuric acid-containing liquid step S3 is extremely high temperature (for example, about 170 ° C. to about 200 ° C.), a large amount of SPM mist is generated in the sulfuric acid-containing liquid step S3, and as a result, a large amount of SPM mist is generated. The mist of this SPM enters the inside of the organic solvent pipe 34 from the first discharge port 8 and enters the inside of the organic solvent pipe 34 (deeply).

この場合、前回のレジスト除去処理で用いられたIPAが有機溶剤配管34の内部に残存していると(有機溶剤配管34の内部へのIPAの液滴の付着も含む)、硫酸含有液工程S3において、有機溶剤配管34内に進入したSPMのミストが、有機溶剤配管34の内部でIPAと接触するおそれがある。有機溶剤配管34の内部でSPMのミストがIPAと接触するとパーティクルが発生し、有機溶剤配管34の内部が、パーティクル発生源になるおそれがある。 In this case, if the IPA used in the previous resist removal treatment remains inside the organic solvent pipe 34 (including adhesion of IPA droplets to the inside of the organic solvent pipe 34), the sulfuric acid-containing liquid step S3 In, the mist of SPM that has entered the organic solvent pipe 34 may come into contact with the IPA inside the organic solvent pipe 34. When the SPM mist comes into contact with the IPA inside the organic solvent pipe 34, particles are generated, and the inside of the organic solvent pipe 34 may become a particle generation source.

しかしながら、この実施形態では、硫酸含有液工程S3に先立って第1の水置換工程T1を実行しているから、硫酸含有液工程S3の開始時には、有機溶剤配管34の内部にIPAは残留していない。したがって、硫酸含有液工程S3においてSPMのミストが有機溶剤配管34内に進入しても、有機溶剤配管34の内部でIPAと接触しない。そのため、硫酸含有液工程S3においてIPAとSPMとの接触を防止でき、これにより、有機溶剤配管34の内部がパーティクル発生源になることを抑制または防止できる。 However, in this embodiment, since the first water replacement step T1 is executed prior to the sulfuric acid-containing liquid step S3, the IPA remains inside the organic solvent pipe 34 at the start of the sulfuric acid-containing liquid step S3. do not have. Therefore, even if the SPM mist enters the organic solvent pipe 34 in the sulfuric acid-containing liquid step S3, it does not come into contact with the IPA inside the organic solvent pipe 34. Therefore, it is possible to prevent the IPA from coming into contact with the SPM in the sulfuric acid-containing liquid step S3, thereby suppressing or preventing the inside of the organic solvent pipe 34 from becoming a particle generation source.

硫酸含有液工程S3において、高温のSPMの吐出開始から予め定める期間が経過すると、硫酸含有液工程S3が終了する。具体的には、制御ユニット3は、硫酸含有液バルブ62を閉じて、硫酸含有液ノズル60からの高温のSPMの吐出を停止させ、その後、第1のノズル移動ユニット63を制御して、硫酸含有液ノズル60を退避位置まで退避させる。 In the sulfuric acid-containing liquid step S3, when a predetermined period elapses from the start of discharging the high-temperature SPM, the sulfuric acid-containing liquid step S3 ends. Specifically, the control unit 3 closes the sulfuric acid-containing liquid valve 62 to stop the discharge of high-temperature SPM from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60, and then controls the first nozzle moving unit 63 to control sulfuric acid. The liquid-containing nozzle 60 is retracted to the retracted position.

次いで、リンス液としての炭酸水を基板Wの上面に供給する第1のリンス工程(図4のステップS4)が行われる。具体的には、制御ユニット3は、第2の水バルブ57を開く。これにより、図5Dに示すように、第2のノズル11の第2の吐出口10から、基板Wの上面中央部に向けて炭酸水が吐出される。第2のノズル11から吐出された炭酸水は、基板Wの上面中央部に着液し、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。 Next, a first rinsing step (step S4 in FIG. 4) of supplying carbonated water as a rinsing liquid to the upper surface of the substrate W is performed. Specifically, the control unit 3 opens the second water valve 57. As a result, as shown in FIG. 5D, carbonated water is discharged from the second discharge port 10 of the second nozzle 11 toward the center of the upper surface of the substrate W. The carbonated water discharged from the second nozzle 11 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and flows on the upper surface of the substrate W toward the peripheral edge portion of the substrate W.

また、この実施形態では、第1のリンス工程S4は、第2のノズル11からの炭酸水の吐出だけでなく、併せて、第1のノズル9の第1の吐出口8から炭酸水を吐出することによって実現される。つまり、第1のリンス工程S4は、第2のノズル11からの炭酸水の吐出に並行して、有機溶剤配管34の内部を炭酸水で置換する第2の水置換工程T3を含む。具体的には、制御ユニット3は、第1のリンス工程S4の開始と同期して、第2の有機溶剤バルブ36を開きかつ第1の有機溶剤バルブ35および吸引バルブ51を閉じながら、第1の水バルブ46を開く。これにより、第1の水配管39からの炭酸水が、有機溶剤下流側部分40に供給され、有機溶剤下流側部分40の内壁に付着しているSPMの液滴が炭酸水によって置換される。有機溶剤下流側部分40に供給された炭酸水は、第1のノズル9から吐出されて基板Wの上面中央部に着液し、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。 Further, in this embodiment, in the first rinsing step S4, not only the carbonated water is discharged from the second nozzle 11, but also the carbonated water is discharged from the first discharge port 8 of the first nozzle 9. It is realized by doing. That is, the first rinsing step S4 includes a second water replacement step T3 in which the inside of the organic solvent pipe 34 is replaced with carbonated water in parallel with the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11. Specifically, the control unit 3 opens the second organic solvent valve 36 and closes the first organic solvent valve 35 and the suction valve 51 in synchronization with the start of the first rinsing step S4. Open the water valve 46 of. As a result, the carbonated water from the first water pipe 39 is supplied to the organic solvent downstream side portion 40, and the droplets of SPM adhering to the inner wall of the organic solvent downstream side portion 40 are replaced by the carbonated water. The carbonated water supplied to the portion 40 on the downstream side of the organic solvent is discharged from the first nozzle 9 and landed on the central portion of the upper surface of the substrate W, and receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W to move on the upper surface of the substrate W. It flows toward the peripheral edge of the substrate W.

基板Wの上面に供給された炭酸水は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散し、第1のガード71の内壁に受け止められる。そして、第1のガード71の内壁を伝って流下する炭酸水は、第1の排液溝80に集められた後排気液配管81に導かれる。第1のリンス工程S4では、水用分岐配管84用の排液分岐バルブ85を開き、かつ硫酸含有液用分岐配管82用の排液分岐バルブ85および洗浄薬液用分岐配管83用の排液分岐バルブ85を閉じることにより、排気液配管81を通る液体の流通先が水用分岐配管84に設定されている。そのため、排気液配管81に導かれた炭酸水は、水用分岐配管84を通して、水を排液処理するための処理装置(図示しない)へと導かれる。硫酸含有液工程S3において使用したSPMの液滴が第1のガード71の内壁や第1の排液溝80、排気液配管81の管壁に付着している場合には、このSPMの液滴が炭酸水によって洗い流される。 The carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W scatters from the peripheral edge of the substrate W toward the side of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. Then, the carbonated water flowing down along the inner wall of the first guard 71 is guided to the exhaust liquid pipe 81 after being collected in the first drainage groove 80. In the first rinsing step S4, the drainage branch valve 85 for the water branch pipe 84 is opened, and the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the drainage branch for the cleaning chemical liquid branch pipe 83 are opened. By closing the valve 85, the flow destination of the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 is set to the water branch pipe 84. Therefore, the carbonated water guided to the exhaust liquid pipe 81 is guided to a treatment device (not shown) for draining the water through the water branch pipe 84. When the droplets of SPM used in the sulfuric acid-containing liquid step S3 adhere to the inner wall of the first guard 71, the first drainage groove 80, and the pipe wall of the exhaust liquid pipe 81, the droplets of SPM are attached. Is washed away with carbonated water.

基板Wの上面に供給される炭酸水によって、基板W上のSPMが外方に押し流され、基板Wの周囲に排出され、基板W上のSPMの液膜が、基板Wの上面全域を覆う炭酸水の液膜に置換される。すなわち、リンス液としての炭酸水によって、基板Wの上面からSPMが洗い流される。そして、炭酸水の吐出開始から所定時間が経過すると、制御ユニット3は、第1の水バルブ46および第2の水バルブ57をそれぞれ閉じて、第1のノズル9および第2のノズル11からの炭酸水の吐出を停止させる。これにより、第1のリンス工程が終了する。 The carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W pushes the SPM on the substrate W outward and is discharged around the substrate W, and the liquid film of the SPM on the substrate W covers the entire upper surface of the substrate W. It is replaced by a liquid film of water. That is, the SPM is washed away from the upper surface of the substrate W by the carbonated water as the rinsing liquid. Then, when a predetermined time has elapsed from the start of discharging the carbonated water, the control unit 3 closes the first water valve 46 and the second water valve 57, respectively, from the first nozzle 9 and the second nozzle 11. Stop the discharge of carbonated water. This completes the first rinsing step.

また、この実施形態では、第1のリンス工程S4が第2の水置換工程T3を含むので、第1の水置換工程T1を、第1のリンス工程S4と別のタイミングで行う場合と比較して、レジスト除去処理全体の処理時間を短縮できる。
また、第1のリンス工程S4において、第1のノズル9からの炭酸水の吐出停止と、第2のノズル11からの炭酸水の吐出停止とを同期させる必要はなく、第1のノズル9からの炭酸水の吐出停止を、第2のノズル11からの炭酸水の吐出停止に先立って行うようにしてもよい。
Further, in this embodiment, since the first rinsing step S4 includes the second water replacement step T3, the first water replacement step T1 is compared with the case where the first rinsing step T1 is performed at a different timing from the first rinsing step S4. Therefore, the processing time of the entire resist removing processing can be shortened.
Further, in the first rinsing step S4, it is not necessary to synchronize the stop of the discharge of the carbonated water from the first nozzle 9 with the stop of the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11, and it is not necessary to synchronize the stop of the discharge of the carbonated water from the first nozzle 9. The discharge of the carbonated water may be stopped prior to the stop of the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11.

第1のノズル9および第2のノズル11からの炭酸水の吐出停止後、制御ユニット3は、SC1を基板Wの上面に供給する洗浄薬液工程(第1の処理工程。図4のステップS5)を行う。洗浄薬液工程S5では、硫酸含有液工程S3後に基板Wの表面に存在するレジスト残渣を基板Wの表面から除去すべく、制御ユニット3は、洗浄薬液ノズル65からのSC1を、基板Wの上面に供給する。 After the discharge of carbonated water from the first nozzle 9 and the second nozzle 11 is stopped, the control unit 3 supplies the SC1 to the upper surface of the substrate W in a cleaning chemical solution step (first processing step; step S5 in FIG. 4). I do. In the cleaning chemical solution step S5, in order to remove the resist residue existing on the surface of the substrate W after the sulfuric acid-containing liquid step S3 from the surface of the substrate W, the control unit 3 puts SC1 from the cleaning chemical solution nozzle 65 on the upper surface of the substrate W. Supply.

具体的には、洗浄薬液工程S5において、制御ユニット3は、第2のノズル移動ユニット68を制御することにより、洗浄薬液ノズル65を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御ユニット3は、洗浄薬液バルブ67を開く。これにより、図5Eに示すように、洗浄薬液配管66から洗浄薬液ノズル65にSC1が供給され、洗浄薬液ノズル65の吐出口からSC1が吐出される。また、制御ユニット3は、洗浄薬液ノズル65からのSC1の吐出に並行して、第2のノズル移動ユニット68を制御して、洗浄薬液ノズル65を中央位置と周縁位置との間で往復移動させる(ハーフスキャン)。これにより、洗浄薬液ノズル65からのSC1の着液位置を、基板Wの上面中央部と基板Wの上面周縁部との間で往復移動させることができ、これにより、SC1の着液位置を、基板Wの上面の全域を走査させることができる。基板Wの上面にSC1が供給されることにより、レジスト残渣を、基板Wの表面から除去できる。 Specifically, in the cleaning chemical solution step S5, the control unit 3 moves the cleaning chemical solution nozzle 65 from the retracted position to the processing position by controlling the second nozzle moving unit 68. After that, the control unit 3 opens the cleaning chemical solution valve 67. As a result, as shown in FIG. 5E, SC1 is supplied from the cleaning chemical liquid pipe 66 to the cleaning chemical liquid nozzle 65, and SC1 is discharged from the discharge port of the cleaning chemical liquid nozzle 65. Further, the control unit 3 controls the second nozzle moving unit 68 in parallel with the ejection of the SC1 from the cleaning chemical solution nozzle 65 to reciprocate the cleaning chemical solution nozzle 65 between the central position and the peripheral position. (Half scan). As a result, the liquid landing position of SC1 from the cleaning chemical solution nozzle 65 can be reciprocated between the center of the upper surface of the substrate W and the peripheral edge of the upper surface of the substrate W, whereby the liquid landing position of SC1 can be moved back and forth. The entire upper surface of the substrate W can be scanned. By supplying SC1 to the upper surface of the substrate W, the resist residue can be removed from the surface of the substrate W.

基板Wの上面に供給されたSC1は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散し、第1のガード71の内壁に受け止められる。そして、第1のガード71の内壁を伝って流下するSC1は、第1の排液溝80に集められた後排気液配管81に導かれる。洗浄薬液工程S5では、洗浄薬液用分岐配管83用の排液分岐バルブ85を開き、かつ硫酸含有液用分岐配管82用の排液分岐バルブ85および水用分岐配管84用の排液分岐バルブ85を閉じることにより、排気液配管81を通る液体の流通先が洗浄薬液用分岐配管83に設定されている。そのため、排気液配管81に導かれたSC1は、洗浄薬液用分岐配管83を通して、洗浄薬液を排液処理するための処理装置(図示しない)へと導かれる。 The SC1 supplied to the upper surface of the substrate W scatters from the peripheral edge of the substrate W toward the side of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. Then, the SC1 flowing down along the inner wall of the first guard 71 is guided to the after-exhaust liquid pipe 81 collected in the first drainage groove 80. In the cleaning chemical liquid step S5, the drainage branch valve 85 for the cleaning chemical liquid branch pipe 83 is opened, and the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the drainage branch valve 85 for the water branch pipe 84 are opened. By closing, the flow destination of the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 is set to the cleaning chemical liquid branch pipe 83. Therefore, the SC1 guided to the exhaust liquid pipe 81 is guided to a processing device (not shown) for draining the cleaning chemical liquid through the cleaning chemical liquid branch pipe 83.

また、洗浄薬液工程S5に並行して、有機溶剤配管34の内の炭酸水を吸引する第2の水吸引工程T4(第1の吸引工程)が実行される。この第2の水吸引工程T4は、有機溶工程S7後に有機溶剤配管34の内部に存在している炭酸水を、吸引ユニット55によって吸引するものである。
具体的には、制御ユニット3は、第2の水置換工程T3の終了後、第2の有機溶剤バルブ36を開きかつ第1の有機溶剤バルブ35および第1の水バルブ46を閉じながら、吸引バルブ51を開く。これにより、有機溶剤下流側部分40および水下流側部分50の内部が排気され、図5Eに示すように、有機溶剤下流側部分40および水下流側部分50に存在している炭酸水が、吸引配管49へと引き込まれる(吸引)。炭酸水の吸引は、炭酸水の先端面が配管内の所定の待機位置(たとえば吸引配管49または水下流側部分50に設定)に後退するまで行われる。炭酸水の先端面が、待機位置まで後退すると、制御ユニット3は吸引バルブ51を閉じる。これにより、第2の水吸引工程T4が終了する。
Further, in parallel with the cleaning chemical solution step S5, a second water suction step T4 (first suction step) for sucking carbonated water in the organic solvent pipe 34 is executed. In the second water suction step T4, the carbonated water existing inside the organic solvent pipe 34 after the organic melting step S7 is sucked by the suction unit 55.
Specifically, after the completion of the second water replacement step T3, the control unit 3 sucks while opening the second organic solvent valve 36 and closing the first organic solvent valve 35 and the first water valve 46. Open the valve 51. As a result, the insides of the organic solvent downstream side portion 40 and the water downstream side portion 50 are exhausted, and as shown in FIG. 5E, the carbonated water existing in the organic solvent downstream side portion 40 and the water downstream side portion 50 is sucked. It is drawn into the pipe 49 (suction). The suction of the carbonated water is performed until the tip surface of the carbonated water recedes to a predetermined standby position in the pipe (for example, set in the suction pipe 49 or the water downstream side portion 50). When the tip surface of the carbonated water recedes to the standby position, the control unit 3 closes the suction valve 51. As a result, the second water suction step T4 is completed.

第2の水置換工程T3の終了後に第2の水吸引工程T4が実行されることにより、第2の水吸引工程T4の実行後には、有機溶剤配管34の内部に炭酸水が存在しない。これにより、第2の水置換工程T3の終了後における第1のノズル9からの炭酸水の落液を抑制または防止できる。
また、この実施形態では、第2の水吸引工程T4を、洗浄薬液工程S5に並行して実行するので、第2の水吸引工程T4を、洗浄薬液工程S5と別のタイミングで行う場合と比較して、レジスト除去処理全体の処理時間を短縮できる。
Since the second water suction step T4 is executed after the completion of the second water replacement step T3, carbonated water does not exist inside the organic solvent pipe 34 after the execution of the second water suction step T4. This makes it possible to suppress or prevent the drop of carbonated water from the first nozzle 9 after the completion of the second water replacement step T3.
Further, in this embodiment, since the second water suction step T4 is executed in parallel with the cleaning chemical solution step S5, the second water suction step T4 is compared with the case where the second water suction step T4 is performed at a different timing from the cleaning chemical solution step S5. Therefore, the processing time of the entire resist removing process can be shortened.

SC1の吐出開始から予め定める期間が経過すると、洗浄薬液工程S5が終了する。具体的には、制御ユニット3は、洗浄薬液バルブ67を閉じて、洗浄薬液ノズル65からのSC1の吐出を停止させ、その後、第2のノズル移動ユニット68を制御して、洗浄薬液ノズル65を退避位置まで退避させる。
次いで、リンス液としての炭酸水を基板Wの上面に供給する第2のリンス工程(図4のステップS6)が行われる。具体的には、制御ユニット3は、第2の水バルブ57を開く。これにより、図5Fに示すように、第2のノズル11の第2の吐出口10から、基板Wの上面中央部に向けて炭酸水が吐出される。第2のノズル11から吐出された炭酸水は、基板Wの上面中央部に着液し、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。
When a predetermined period elapses from the start of discharging SC1, the cleaning chemical solution step S5 ends. Specifically, the control unit 3 closes the cleaning chemical solution valve 67 to stop the discharge of SC1 from the cleaning chemical solution nozzle 65, and then controls the second nozzle moving unit 68 to control the cleaning chemical solution nozzle 65. Evacuate to the evacuation position.
Next, a second rinsing step (step S6 in FIG. 4) of supplying carbonated water as a rinsing liquid to the upper surface of the substrate W is performed. Specifically, the control unit 3 opens the second water valve 57. As a result, as shown in FIG. 5F, carbonated water is discharged from the second discharge port 10 of the second nozzle 11 toward the center of the upper surface of the substrate W. The carbonated water discharged from the second nozzle 11 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and flows on the upper surface of the substrate W toward the peripheral edge portion of the substrate W.

基板Wの上面に供給された炭酸水は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散し、第1のガード71の内壁に受け止められる。そして、第1のガード71の内壁を伝って流下する炭酸水は、第1の排液溝80に集められた後排気液配管81に導かれる。第2のリンス工程S6では、水用分岐配管84用の排液分岐バルブ85を開き、かつ硫酸含有液用分岐配管82用の排液分岐バルブ85および洗浄薬液用分岐配管83用の排液分岐バルブ85を閉じることにより、排気液配管81を通る液体の流通先が水用分岐配管84に設定されている。そのため、第2のリンス工程S6では、排気液配管81に導かれた炭酸水は、水用分岐配管84を通して、水を排液処理するための処理装置(図示しない)へと導かれる。 The carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W scatters from the peripheral edge of the substrate W toward the side of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. Then, the carbonated water flowing down along the inner wall of the first guard 71 is guided to the exhaust liquid pipe 81 after being collected in the first drainage groove 80. In the second rinsing step S6, the drainage branch valve 85 for the water branch pipe 84 is opened, and the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the drainage branch for the cleaning chemical liquid branch pipe 83 are opened. By closing the valve 85, the flow destination of the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 is set to the water branch pipe 84. Therefore, in the second rinsing step S6, the carbonated water guided to the exhaust liquid pipe 81 is guided to a treatment device (not shown) for draining water through the water branch pipe 84.

基板Wの上面に供給される炭酸水によって、基板W上のSC1が外方に押し流され、基板Wの周囲に排出され、基板W上のSC1の液膜が、基板Wの上面全域を覆う炭酸水の液膜に置換される。すなわち、リンス液としての炭酸水によって、基板Wの上面からSC1が洗い流される。そして、第2の水バルブ57が開かれてから所定時間が経過すると、制御ユニット3は、第2の水バルブ57を閉じて、第2のノズル11からの炭酸水の吐出を停止させる。これにより、第2のリンス工程S6が終了する。 The carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W causes the SC1 on the substrate W to be swept outward and discharged around the substrate W, and the liquid film of the SC1 on the substrate W covers the entire upper surface of the substrate W. It is replaced by a liquid film of water. That is, SC1 is washed away from the upper surface of the substrate W by carbonated water as a rinsing liquid. Then, when a predetermined time elapses after the second water valve 57 is opened, the control unit 3 closes the second water valve 57 and stops the discharge of carbonated water from the second nozzle 11. As a result, the second rinsing step S6 is completed.

次いで、有機溶剤としてのIPAを基板Wの上面に供給する有機溶剤工程(図4のステップS7)が行われる。具体的には、制御ユニット3は、遮断板昇降ユニット32を制御して、遮断板26を近接位置に配置する。遮断板26が近接位置にあるときには、遮断板26が、基板Wの上面をその周囲の空間から遮断する。
また、制御ユニット3は、ガード昇降ユニット73を制御して、第1のガード71を下位置のまま、第2のガード72を上位置に配置して、第2のガード72を基板Wの周端面に対向させる。また、制御ユニット3は、基板Wの回転を所定のパドル速度に減速する。このパドル速度とは、基板Wをパドル速度で回転させたときに、基板Wの上面の液体に作用する遠心力がリンス液と基板Wの上面との間で作用する表面張力よりも小さいか、あるいは前記の遠心力と前記の表面張力とがほぼ拮抗するような速度をいう。
Next, an organic solvent step (step S7 in FIG. 4) of supplying IPA as an organic solvent to the upper surface of the substrate W is performed. Specifically, the control unit 3 controls the cutoff plate elevating unit 32 to arrange the cutoff plate 26 at a close position. When the blocking plate 26 is in a close position, the blocking plate 26 shields the upper surface of the substrate W from the space around it.
Further, the control unit 3 controls the guard elevating unit 73, arranges the second guard 72 in the upper position while keeping the first guard 71 in the lower position, and arranges the second guard 72 in the peripheral position of the substrate W. Face the end face. Further, the control unit 3 slows down the rotation of the substrate W to a predetermined paddle speed. This paddle speed means whether the centrifugal force acting on the liquid on the upper surface of the substrate W is smaller than the surface tension acting between the rinse liquid and the upper surface of the substrate W when the substrate W is rotated at the paddle speed. Alternatively, it refers to a speed at which the centrifugal force and the surface tension are almost equal to each other.

そして、制御ユニット3は、第2の有機溶剤バルブ36を開きかつ第1の水バルブ46および吸引バルブ51を閉じながら、第1の有機溶剤バルブ35を開く。これにより、図5Gに示すように、有機溶剤供給源からのIPAが、第2のノズル11に供給され、第2のノズル11からIPAが吐出されて基板Wの上面に着液する。
硫酸含有液工程S3において有機溶剤配管34内に進入したSPMのミストが凝縮により液化してSPMの液滴を形成する。有機溶剤工程S7の開始前に有機溶剤配管34の内部にSPMの液滴が存在していると、有機溶剤工程S7において有機溶剤配管34に供給されたIPAが、有機溶剤配管34の内部でSPMと接触するおそれがある。有機溶剤配管34の内部でIPAがSPMの液滴と接触するとパーティクルが発生し、有機溶剤配管34の内部が、パーティクル発生源になるおそれがある。
Then, the control unit 3 opens the first organic solvent valve 35 while opening the second organic solvent valve 36 and closing the first water valve 46 and the suction valve 51. As a result, as shown in FIG. 5G, the IPA from the organic solvent supply source is supplied to the second nozzle 11, and the IPA is discharged from the second nozzle 11 to land on the upper surface of the substrate W.
In the sulfuric acid-containing liquid step S3, the SPM mist that has entered the organic solvent pipe 34 is liquefied by condensation to form SPM droplets. If droplets of SPM are present inside the organic solvent pipe 34 before the start of the organic solvent step S7, the IPA supplied to the organic solvent pipe 34 in the organic solvent step S7 will be SPM inside the organic solvent pipe 34. May come into contact with. When the IPA comes into contact with the droplets of SPM inside the organic solvent pipe 34, particles are generated, and the inside of the organic solvent pipe 34 may become a particle generation source.

しかしながら、この実施形態では、有機溶剤工程S7に先立って第2の水置換工程T3を実行しているから、有機溶剤工程S7の開始時には、有機溶剤配管34の内部にSPMの液滴は残留していない。したがって、当該有機溶剤工程S7において有機溶剤配管34にIPAが供給されても、有機溶剤配管34の内部でSPMと接触しない。そのため、IPAとSPMとの接触に伴うパーティクルの発生を効果的に抑制または防止でき、これにより、有機溶剤配管34の内部がパーティクル発生源になることを抑制または防止できる。 However, in this embodiment, since the second water replacement step T3 is executed prior to the organic solvent step S7, the droplets of SPM remain inside the organic solvent pipe 34 at the start of the organic solvent step S7. Not. Therefore, even if the IPA is supplied to the organic solvent pipe 34 in the organic solvent step S7, it does not come into contact with the SPM inside the organic solvent pipe 34. Therefore, it is possible to effectively suppress or prevent the generation of particles due to the contact between the IPA and the SPM, and thereby suppress or prevent the inside of the organic solvent pipe 34 from becoming a particle generation source.

有機溶剤工程S7では、第1のノズル9からのIPAの吐出により、基板Wの上面の液膜に含まれる炭酸水がIPAに順次置換されていく。これにより、基板Wの上面に、基板Wの上面全域を覆うIPAの液膜がパドル状に保持される。基板Wの上面全域の液膜がほぼIPAの液膜に置換された後も、基板Wの上面へのIPAの供給は続行される。そのため、基板Wの周縁部からIPAが排出される。 In the organic solvent step S7, the carbonated water contained in the liquid film on the upper surface of the substrate W is sequentially replaced with IPA by discharging the IPA from the first nozzle 9. As a result, the liquid film of IPA covering the entire upper surface of the substrate W is held in a paddle shape on the upper surface of the substrate W. Even after the liquid film over the entire upper surface of the substrate W is replaced with the liquid film of IPA, the supply of IPA to the upper surface of the substrate W continues. Therefore, IPA is discharged from the peripheral edge of the substrate W.

基板Wの周縁部から排出されるIPAは、第2のガード72の内壁に受け止められる。そして、第1のガード72の内壁を伝って流下するIPAは、第2の排液溝86に集められた後排気配管87に導かれる。そのため、有機溶剤工程S7の後には、第2のガード72の内壁や第2の排液溝86、排気配管87の管壁にIPAの液滴が付着している。
IPAの吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット3は、第1の有機溶剤バルブ35を閉じて、第1のノズル9からのIPAの吐出を停止させる。これにより、有機溶剤工程S7が終了する。
The IPA discharged from the peripheral edge of the substrate W is received by the inner wall of the second guard 72. Then, the IPA flowing down along the inner wall of the first guard 72 is guided to the rear exhaust pipe 87 collected in the second drainage groove 86. Therefore, after the organic solvent step S7, IPA droplets are attached to the inner wall of the second guard 72, the second drainage groove 86, and the pipe wall of the exhaust pipe 87.
When a predetermined period elapses from the start of discharging the IPA, the control unit 3 closes the first organic solvent valve 35 and stops the discharging of the IPA from the first nozzle 9. As a result, the organic solvent step S7 is completed.

次いで、基板Wを乾燥させるスピンドライ工程(図4のステップS8)が行われる。具体的には、制御ユニット3は、遮断板昇降ユニット32を制御して、遮断板26を近接位置に配置する。また、この状態で、制御ユニット3はスピンモータ22を制御することにより、図5Hに示すように、硫酸含有液工程S3から有機溶剤工程S7までの各工程における回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、その乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液体が除去され、基板Wが乾燥する。また、制御ユニット3は、遮断板回転ユニット31を制御して、遮断板26を基板Wの回転方向に高速で回転させる。 Next, a spin-drying step (step S8 in FIG. 4) of drying the substrate W is performed. Specifically, the control unit 3 controls the cutoff plate elevating unit 32 to arrange the cutoff plate 26 at a close position. Further, in this state, by controlling the spin motor 22, the control unit 3 controls the drying rotation speed (as shown in FIG. 5H), which is larger than the rotation speed in each step from the sulfuric acid-containing liquid step S3 to the organic solvent step S7. For example, the substrate W is accelerated to several thousand rpm), and the substrate W is rotated at the drying rotation speed. As a result, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, the liquid is removed from the substrate W and the substrate W dries. Further, the control unit 3 controls the cutoff plate rotation unit 31 to rotate the cutoff plate 26 at high speed in the rotation direction of the substrate W.

また、スピンドライ工程S8に並行して、有機溶剤配管34の内の有機溶剤を吸引する有機溶剤吸引工程T5(第2の吸引工程)が実行される。この有機溶剤吸引工程T5は、有機溶剤工程S7後に有機溶剤配管34の内部に存在している有機溶剤を、吸引ユニット55によって吸引するものである。
具体的には、制御ユニット3は、有機溶剤工程S7の終了後、第2の有機溶剤バルブ36を開きかつ第1の有機溶剤バルブ35および第1の水バルブ46を閉じながら、吸引バルブ51を開く。これにより、有機溶剤下流側部分40および水下流側部分50の内部が排気され、図5Hに示すように、有機溶剤下流側部分40および水下流側部分50に存在しているIPAが、吸引配管49へと引き込まれる(吸引)。IPAの吸引は、IPAの先端面が配管内の所定の待機位置(たとえば吸引配管49または水下流側部分50に設定)に後退するまで行われる。IPAの先端面が待機位置まで後退すると、制御ユニット3は吸引バルブ51を閉じる。
Further, in parallel with the spin dry step S8, the organic solvent suction step T5 (second suction step) for sucking the organic solvent in the organic solvent pipe 34 is executed. In this organic solvent suction step T5, the organic solvent existing inside the organic solvent pipe 34 after the organic solvent step S7 is sucked by the suction unit 55.
Specifically, after the organic solvent step S7 is completed, the control unit 3 opens the second organic solvent valve 36 and closes the first organic solvent valve 35 and the first water valve 46 while closing the suction valve 51. open. As a result, the insides of the organic solvent downstream side portion 40 and the water downstream side portion 50 are exhausted, and as shown in FIG. 5H, the IPA existing in the organic solvent downstream side portion 40 and the water downstream side portion 50 is sucked into the suction pipe. Pulled into 49 (suction). The suction of the IPA is performed until the tip surface of the IPA retracts to a predetermined standby position in the pipe (for example, set to the suction pipe 49 or the water downstream side portion 50). When the tip surface of the IPA retracts to the standby position, the control unit 3 closes the suction valve 51.

基板Wの加速から所定時間が経過すると、制御ユニット3は、スピンモータ22を制御してスピンチャック5による基板Wの回転を停止させ、かつ遮断板回転ユニット31を制御して遮断板26の回転を停止させる。
その後、処理チャンバ4内から基板Wが搬出される(図4のステップS9)。具体的には、制御ユニット3は、遮断板26を退避位置に配置させ、かつ第2のガード72を下位置に下げて、第1および第2のガード71,72を、基板Wの保持位置よりも下方に配置する。その後、制御ユニット3は、基板搬送ロボットCRのハンドHを処理チャンバ4の内部に進入させる。そして、制御ユニット3は、基板搬送ロボットCRのハンドにスピンチャック5上の基板Wを保持させ、基板搬送ロボットCRのハンドHを処理チャンバ4内から退避させる。これにより、表面からレジストが除去された基板Wが処理チャンバ4から搬出される。
When a predetermined time elapses from the acceleration of the substrate W, the control unit 3 controls the spin motor 22 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5, and controls the cutoff plate rotation unit 31 to rotate the cutoff plate 26. To stop.
After that, the substrate W is carried out from the processing chamber 4 (step S9 in FIG. 4). Specifically, in the control unit 3, the cutoff plate 26 is arranged in the retracted position, the second guard 72 is lowered to the lower position, and the first and second guards 71 and 72 are held in the holding position of the substrate W. Place below. After that, the control unit 3 causes the hand H of the substrate transfer robot CR to enter the inside of the processing chamber 4. Then, the control unit 3 causes the hand of the substrate transfer robot CR to hold the substrate W on the spin chuck 5, and retracts the hand H of the substrate transfer robot CR from the processing chamber 4. As a result, the substrate W from which the resist has been removed from the surface is carried out from the processing chamber 4.

また、図4に二点鎖線で示すように、有機溶剤吸引工程T5の開始に先立って、有機溶剤配管34を新しいIPAに置換する有機溶剤プリディスペンス(図4のステップS10)が実行されることがある。有機溶剤吸引工程T5の開始前には、有機溶剤配管34のIPAの先端面が有機溶剤上流側部分41内に位置している。このとき、有機溶剤配管34内(有機溶剤上流側部分41内)のIPAが経時変化(温度変化または成分変化)していることがある。 Further, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 4, an organic solvent predispens (step S10 in FIG. 4) for replacing the organic solvent pipe 34 with a new IPA is executed prior to the start of the organic solvent suction step T5. There is. Before the start of the organic solvent suction step T5, the tip surface of the IPA of the organic solvent pipe 34 is located in the organic solvent upstream side portion 41. At this time, the IPA in the organic solvent pipe 34 (inside the organic solvent upstream portion 41) may change with time (temperature change or component change).

有機溶剤プリディスペンスを行う場合、制御ユニット3は、第2の有機溶剤バルブ36および第1の水バルブ46を閉じながら、第1の有機溶剤バルブ35および吸引バルブ51を開き、有機溶剤供給源からのIPAが、有機溶剤上流側部分41および水下流側部分50を通って、吸引配管49へと引き込まれる(吸引)。これにより、有機溶剤上流側部分41に存在する、経時変化したIPAが、新鮮なIPAに置換される。第1の有機溶剤バルブ35の開成から予め定める期間が経過すると、制御ユニット3は、第1の有機溶剤バルブ35および吸引バルブ51を閉じる。 When performing organic solvent pre-dispensing, the control unit 3 opens the first organic solvent valve 35 and the suction valve 51 while closing the second organic solvent valve 36 and the first water valve 46, and from the organic solvent supply source. IPA is drawn into the suction pipe 49 (suction) through the organic solvent upstream side portion 41 and the water downstream side portion 50. As a result, the IPA that has changed over time, which is present in the portion 41 on the upstream side of the organic solvent, is replaced with a fresh IPA. After a predetermined period has elapsed from the opening of the first organic solvent valve 35, the control unit 3 closes the first organic solvent valve 35 and the suction valve 51.

図6は、第1の基板処理例の主要な工程における、第1の液体検知センサ43および第2の液体検知センサ45による監視状況を説明するための図解的な図である。
図6に示すように、有機溶剤工程S7(有機溶剤吐出中)において、制御ユニット3は、第2の有機溶剤バルブ36よりも上流側に配置された第1の液体検知センサ43の検出出力、および第2の有機溶剤バルブ36よりも下流側に配置された第2の液体検知センサ45の検出出力の双方を参照していない。換言すると、有機溶剤工程S7において、制御ユニット3は、第1の検出位置42および第2の検出位置44の双方における液体の存否を無視している。
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a monitoring situation by the first liquid detection sensor 43 and the second liquid detection sensor 45 in the main process of the first substrate processing example.
As shown in FIG. 6, in the organic solvent step S7 (during organic solvent discharge), the control unit 3 has a detection output of the first liquid detection sensor 43 arranged on the upstream side of the second organic solvent valve 36. It does not refer to both the detection output of the second liquid detection sensor 45 located downstream of the second organic solvent valve 36 and the detection output of the second liquid detection sensor 45. In other words, in the organic solvent step S7, the control unit 3 ignores the presence or absence of the liquid at both the first detection position 42 and the second detection position 44.

図6に示すように、有機溶剤吸引工程T5において、制御ユニット3は、第2の有機溶剤バルブ36よりも上流側に配置された第1の液体検知センサ43の検出出力、および第2の有機溶剤バルブ36よりも下流側に配置された第2の液体検知センサ45の検出出力の双方を参照している。換言すると、制御ユニット3は、第1の検出位置42および第2の検出位置44の双方における液体の存否を監視している。有機溶剤吸引工程T5において、第1の液体検知センサ43および第2の液体検知センサ45の双方からの検出出力に基づき、第1の検出位置42および第2の検出位置44の双方において液体(すなわちIPA)が存在していないことを検出した場合には、制御ユニット3は、IPAの吸引が完了したと検知する。 As shown in FIG. 6, in the organic solvent suction step T5, the control unit 3 has the detection output of the first liquid detection sensor 43 arranged on the upstream side of the second organic solvent valve 36, and the second organic. Both of the detection outputs of the second liquid detection sensor 45 arranged on the downstream side of the solvent valve 36 are referred to. In other words, the control unit 3 monitors the presence or absence of the liquid at both the first detection position 42 and the second detection position 44. In the organic solvent suction step T5, the liquid (that is, the liquid) at both the first detection position 42 and the second detection position 44 based on the detection outputs from both the first liquid detection sensor 43 and the second liquid detection sensor 45. When it is detected that the IPA) does not exist, the control unit 3 detects that the suction of the IPA is completed.

また、制御ユニット3は、第1の基板処理例において、有機溶剤吸引工程T5だけでなくその他の吸引工程(たとえば第1の水吸引工程T2や第2の水吸引工程T4)においても、第1の検出位置42および第2の検出位置44の双方における液体の存否を監視している。
また、有機溶剤プリディスペンス工程S10において、制御ユニット3は、第2の有機溶剤バルブ36よりも上流側に配置された第2の液体検知センサ45の検出出力のみを参照し、第2の有機溶剤バルブ36よりも下流側に配置された第1の液体検知センサ43の検出出力は参照しない。換言すると、制御ユニット3は、第2の検出位置44における液体の存否を監視しているが、第1の検出位置42における液体の存否は無視している。第2の有機溶剤バルブ36が閉状態に制御されているにも拘らず、第2の液体検知センサ45によって第2の検出位置44における液体(すなわちIPA)の存在が検出された場合には、制御ユニット3は、図6に示すように、第2の有機溶剤バルブ36から有機溶剤(すなわちIPA)が漏れているとして、出流れエラーを検知できる。
Further, in the first substrate processing example, the control unit 3 is not only in the organic solvent suction step T5 but also in other suction steps (for example, the first water suction step T2 and the second water suction step T4). The presence or absence of the liquid is monitored at both the detection position 42 and the second detection position 44.
Further, in the organic solvent pre-dispensing step S10, the control unit 3 refers only to the detection output of the second liquid detection sensor 45 arranged on the upstream side of the second organic solvent valve 36, and refers to the second organic solvent. The detection output of the first liquid detection sensor 43 arranged on the downstream side of the valve 36 is not referred to. In other words, the control unit 3 monitors the presence or absence of the liquid at the second detection position 44, but ignores the presence or absence of the liquid at the first detection position 42. When the presence of liquid (that is, IPA) at the second detection position 44 is detected by the second liquid detection sensor 45 even though the second organic solvent valve 36 is controlled to be in the closed state, As shown in FIG. 6, the control unit 3 can detect an outflow error assuming that the organic solvent (that is, IPA) is leaking from the second organic solvent valve 36.

また、第1の基板処理例において、特に言及した各工程を除き、制御ユニット3は、第2の有機溶剤バルブ36よりも下流側に配置された第2の液体検知センサ45の検出出力のみを参照し、第2の有機溶剤バルブ36よりも上流側に配置された第1の液体検知センサ43の検出出力は参照しない。換言すると、制御ユニット3は、第2の検出位置44における液体の存否を監視しているが、第1の検出位置42における液体の存否は無視している。第2の有機溶剤バルブ36が閉状態に制御されているにも拘らず、第2の液体検知センサ45によって第2の検出位置44における液体(すなわちIPA)の存在が検出された場合には、制御ユニット3は、図6に示すように、第2の有機溶剤バルブ36から有機溶剤(すなわちIPA)が漏れているとして、出流れエラーを検知できる。 Further, in the first substrate processing example, except for each step particularly mentioned, the control unit 3 only outputs the detection output of the second liquid detection sensor 45 arranged on the downstream side of the second organic solvent valve 36. Refer to it, and do not refer to the detection output of the first liquid detection sensor 43 arranged on the upstream side of the second organic solvent valve 36. In other words, the control unit 3 monitors the presence or absence of the liquid at the second detection position 44, but ignores the presence or absence of the liquid at the first detection position 42. When the presence of liquid (that is, IPA) at the second detection position 44 is detected by the second liquid detection sensor 45 even though the second organic solvent valve 36 is controlled to be in the closed state, As shown in FIG. 6, the control unit 3 can detect an outflow error assuming that the organic solvent (that is, IPA) is leaking from the second organic solvent valve 36.

図7は、第1の基板処理例における、ハードインターロックを説明するための図である。
このインターロック処理は、制御ユニット3のメモリに保持されたレシピに従って一連の基板処理が行われる過程において、各工程の開始時に実行される。
硫酸含有液工程S3の開始時には、(3)ガード下位置センサ94の検出出力がオンであるか、すなわち第1のガード71が下位置に配置されているか、(5)第1および第2の液体検知センサ43,45の検出出力がオフであるか、すなわち、IPAの先端面が吸引配管49または水下流側部分50まで後退しているか、および(6)バルブ閉センサ37の検出出力がオンであるか、すなわち、第1の有機溶剤バルブ35が閉状態にあるか、がそれぞれ調べられる。これら(3)、(5)および(6)の条件を全て満たす場合には、制御ユニット3は、硫酸含有液バルブ62の開動作を許容する。つまり、(3)、(5)および(6)の条件のうち一つでも条件を満たさない場合には、制御ユニット3は、硫酸含有液バルブ62の開動作を禁止する。このようなハードインターロックにより、第1のノズル9からのIPAの吐出開始時に処理チャンバ4内においてIPAとSPMとの接触が発生することを確実に防止できる。
FIG. 7 is a diagram for explaining a hard interlock in the first substrate processing example.
This interlock process is executed at the start of each process in the process of performing a series of substrate processes according to the recipe held in the memory of the control unit 3.
At the start of the sulfuric acid-containing liquid step S3, (3) the detection output of the guard lower position sensor 94 is on, that is, whether the first guard 71 is arranged in the lower position, and (5) the first and second guards. Whether the detection outputs of the liquid detection sensors 43 and 45 are off, that is, the tip surface of the IPA is retracted to the suction pipe 49 or the water downstream side portion 50, and (6) the detection output of the valve closing sensor 37 is on. That is, whether or not the first organic solvent valve 35 is in the closed state is checked. When all the conditions (3), (5) and (6) are satisfied, the control unit 3 allows the sulfuric acid-containing liquid valve 62 to open. That is, if any one of the conditions (3), (5) and (6) is not satisfied, the control unit 3 prohibits the opening operation of the sulfuric acid-containing liquid valve 62. By such a hard interlock, it is possible to reliably prevent the contact between the IPA and the SPM in the processing chamber 4 at the start of ejection of the IPA from the first nozzle 9.

また、有機溶剤工程S7の開始時には、(1)遮断板近接位置センサ33の検出出力がオンであるか、すなわち遮断板26が近接位置に配置されているか、(2)ノズル退避センサ64の検出出力がオンであるか、すなわち硫酸含有液ノズル60が退避位置にあるか、(4)ガード上位置センサ93の検出出力がオンであるか、すなわち第1のガード71が上位置に配置されているか、および(8)第1のバルブ開センサ21の検出出力がオンであるか、すなわち排気配管100を開閉する排気バルブ101が開状態にあるか、がそれぞれ調べられる。これら(1)、(2)、(4)および(8)の条件を全て満たす場合には、制御ユニット3は、第1の有機溶剤バルブ35の開動作を許容する。つまり、(1)、(2)、(4)および(8)の条件のうち一つでも条件を満たさない場合には、制御ユニット3は、第1の有機溶剤バルブ35の開動作を禁止する。このようなハードインターロックにより、硫酸含有液ノズル60からのSPMの吐出開始時に処理チャンバ4内においてSPMとIPAとの接触が発生することを確実に防止できる。 Further, at the start of the organic solvent step S7, (1) whether the detection output of the cutoff plate proximity position sensor 33 is on, that is, whether the cutoff plate 26 is arranged at the close position, and (2) detection of the nozzle retract sensor 64. Whether the output is on, that is, the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is in the retracted position, (4) the detection output of the guard upper position sensor 93 is on, that is, the first guard 71 is placed in the upper position. It is checked whether (8) the detection output of the first valve open sensor 21 is on, that is, whether the exhaust valve 101 that opens and closes the exhaust pipe 100 is in the open state. When all the conditions (1), (2), (4) and (8) are satisfied, the control unit 3 allows the opening operation of the first organic solvent valve 35. That is, if any one of the conditions (1), (2), (4) and (8) is not satisfied, the control unit 3 prohibits the opening operation of the first organic solvent valve 35. .. By such a hard interlock, it is possible to reliably prevent the contact between the SPM and the IPA in the processing chamber 4 at the start of discharging the SPM from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60.

また、除電工程S2の開始時、硫酸含有液工程S3の開始時、第1のリンス工程S4の開始時、洗浄薬液工程S5の開始時、または第2のリンス工程S6の開始時には、(7)吐出対象の処理液以外の処理に対応する第2のバルブ閉センサ95の検出出力が全てオンであるか、すなわち、吐出対象の処理液以外の処理に対応する排液分岐バルブ85が閉じられているかが調べられる。 Further, at the start of the static elimination step S2, at the start of the sulfuric acid-containing liquid step S3, at the start of the first rinsing step S4, at the start of the cleaning chemical solution step S5, or at the start of the second rinsing step S6, (7) The detection output of the second valve closing sensor 95 corresponding to the processing other than the processing liquid to be discharged is all on, that is, the drainage branch valve 85 corresponding to the processing other than the processing liquid to be discharged is closed. Is checked.

具体的には、除電工程S2、第1のリンス工程S4および第2のリンス工程S6では、硫酸含有液用分岐配管82用の排液分岐バルブ85に対応する第2のバルブ閉センサ95、および洗浄薬液用分岐配管83用の排液分岐バルブ85に対応する第2のバルブ閉センサ95の検出出力がそれぞれ調べられる。硫酸含有液工程S3では、洗浄薬液用分岐配管83用の排液分岐バルブ85に対応する第2のバルブ閉センサ95、および水用分岐配管84用の排液分岐バルブ85に対応する第2のバルブ閉センサ95の検出出力がそれぞれ調べられる。洗浄薬液工程S5では、硫酸含有液用分岐配管82用の排液分岐バルブ85に対応する第2のバルブ閉センサ95、および水用分岐配管84用の排液分岐バルブ85に対応する第2のバルブ閉センサ95の検出出力がそれぞれ調べられる。 Specifically, in the static elimination step S2, the first rinsing step S4, and the second rinsing step S6, the second valve closing sensor 95 corresponding to the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82, and The detection output of the second valve closing sensor 95 corresponding to the drainage branch valve 85 for the cleaning chemical branch pipe 83 is examined. In the sulfuric acid-containing liquid step S3, the second valve closing sensor 95 corresponding to the drainage branch valve 85 for the branch pipe 83 for cleaning chemicals and the second valve closing valve 85 corresponding to the drainage branch valve 85 for the branch pipe 84 for water are used. The detection output of the valve closing sensor 95 is examined respectively. In the cleaning chemical liquid step S5, the second valve closing sensor 95 corresponding to the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the second valve closing valve 85 corresponding to the water branch pipe 84 are the second. The detection output of the valve closing sensor 95 is examined respectively.

この条件(7)を満たす場合には、制御ユニット3は、各工程S2~S6の開始時において、吐出対象の処理液に対応する吐出開閉用のバルブ(すなわち、第1の水バルブ46、硫酸含有液バルブ62および洗浄薬液バルブ67のうちのいずれか1つ)を開く。つまり、(7)の条件を満たさない場合には、制御ユニット3は、バルブ46,62,67の開動作を禁止する。 When this condition (7) is satisfied, the control unit 3 starts the discharge opening / closing valve (that is, the first water valve 46, sulfuric acid) corresponding to the processing liquid to be discharged at the start of each process S2 to S6. One of the liquid-containing valve 62 and the cleaning chemical liquid valve 67) is opened. That is, if the condition (7) is not satisfied, the control unit 3 prohibits the opening operation of the valves 46, 62, 67.

以上により、この実施形態によれば、硫酸含有液工程S3に先立って第1の水置換工程T1が実行される。硫酸含有液工程S3の開始前に、前回のレジスト除去処理で用いられたIPAが有機溶剤配管34の内部に残存していると、硫酸含有液工程S3において、有機溶剤配管34内に進入したSPMのミストが、有機溶剤配管34の内部でIPAと接触するおそれがある。しかしながら、硫酸含有液工程S3に先立って有機溶剤配管34の内部を炭酸水で置換することにより、硫酸含有液工程S3の開始時には、有機溶剤配管34の内部にIPAは残留していない。したがって、硫酸含有液工程S3においてSPMのミストが有機溶剤配管34内に進入しても、有機溶剤配管34の内部でIPAと接触しない。そのため、硫酸含有液工程S3においてIPAとSPMとの接触を防止でき、これにより、有機溶剤配管34の内部がパーティクル発生源になることを抑制または防止できる。 As described above, according to this embodiment, the first water replacement step T1 is executed prior to the sulfuric acid-containing liquid step S3. If the IPA used in the previous resist removal treatment remains inside the organic solvent pipe 34 before the start of the sulfuric acid-containing liquid step S3, the SPM that has entered the organic solvent pipe 34 in the sulfuric acid-containing liquid step S3. Mist may come into contact with the IPA inside the organic solvent pipe 34. However, by substituting the inside of the organic solvent pipe 34 with carbonated water prior to the sulfuric acid-containing liquid step S3, no IPA remains inside the organic solvent pipe 34 at the start of the sulfuric acid-containing liquid step S3. Therefore, even if the SPM mist enters the organic solvent pipe 34 in the sulfuric acid-containing liquid step S3, it does not come into contact with the IPA inside the organic solvent pipe 34. Therefore, it is possible to prevent the IPA from coming into contact with the SPM in the sulfuric acid-containing liquid step S3, thereby suppressing or preventing the inside of the organic solvent pipe 34 from becoming a particle generation source.

また、硫酸含有液工程S3の後、有機溶剤工程S7に先立って第2の水置換工程T3が実行される。硫酸含有液工程S3において有機溶剤配管34内に進入し、凝縮により液化したSPMの液滴が、有機溶剤工程S7の開始前に有機溶剤配管34の内部に存在していると、有機溶剤工程S7において、有機溶剤配管34に供給されたIPAが、有機溶剤配管34の内部でSPMと接触するおそれがある。しかしながら、有機溶剤工程S7に先立って有機溶剤配管34の内部を炭酸水で置換することにより、有機溶剤工程S7の開始時には、有機溶剤配管34の内部にSPMの液滴は残留していない。したがって、当該有機溶剤工程S7において有機溶剤配管34にIPAが供給されても、有機溶剤配管34の内部でSPMと接触しない。そのため、IPAとSPMとの接触に伴うパーティクルの発生を効果的に抑制または防止でき、これにより、有機溶剤配管34の内部がパーティクル発生源になることを抑制または防止できる。 Further, after the sulfuric acid-containing liquid step S3, the second water replacement step T3 is executed prior to the organic solvent step S7. If the droplets of SPM that have entered the organic solvent pipe 34 in the sulfuric acid-containing liquid step S3 and have been liquefied by condensation are present inside the organic solvent pipe 34 before the start of the organic solvent step S7, the organic solvent step S7 In, the IPA supplied to the organic solvent pipe 34 may come into contact with the SPM inside the organic solvent pipe 34. However, by substituting the inside of the organic solvent pipe 34 with carbonated water prior to the organic solvent step S7, no droplets of SPM remain inside the organic solvent pipe 34 at the start of the organic solvent step S7. Therefore, even if the IPA is supplied to the organic solvent pipe 34 in the organic solvent step S7, it does not come into contact with the SPM inside the organic solvent pipe 34. Therefore, it is possible to effectively suppress or prevent the generation of particles due to the contact between the IPA and the SPM, and thereby suppress or prevent the inside of the organic solvent pipe 34 from becoming a particle generation source.

図8は、処理ユニット2による第2の基板処理例を説明するための図解的な図である。図9は、処理ユニット2による第3の基板処理例を説明するための図解的な図である。第2および第3の基板処理例は、第2のリンス工程S6の終了に先立って、第1のノズル9にIPAを供給する点で、図4等に示す第1の基板処理例と相違している。それ以外の点では、第2および第3の基板処理例は、第1の基板処理例と相違するところがない。 FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a second substrate processing example by the processing unit 2. FIG. 9 is a schematic diagram for explaining a third substrate processing example by the processing unit 2. The second and third substrate processing examples differ from the first substrate processing example shown in FIG. 4 and the like in that IPA is supplied to the first nozzle 9 prior to the end of the second rinsing step S6. ing. Other than that, the second and third substrate processing examples are not different from the first substrate processing example.

図8に示す第2の基板処理例において、制御ユニット3は、第2のリンス工程S6の実行中に(第2のリンス工程S6に並行して)、第2の有機溶剤バルブ36を開きながら第1の有機溶剤バルブ35を開く。これにより、有機溶剤供給源からのIPAが第1のノズル9に向けて供給される。但し、第1の吐出口8からIPAが吐出される直前のタイミングで、制御ユニット3は第2の水バルブ57を閉じる。これにより、第1の吐出口8からはIPAは吐出されない。すなわち、第2のリンス工程S6の実行中においては、第1の吐出口8からIPAが吐出されず、かつ有機溶剤下流側部分40の内部および第1のノズル9のノズル配管の内部がIPAによって充填されている。 In the second substrate processing example shown in FIG. 8, the control unit 3 opens the second organic solvent valve 36 during the execution of the second rinsing step S6 (in parallel with the second rinsing step S6). The first organic solvent valve 35 is opened. As a result, IPA from the organic solvent supply source is supplied toward the first nozzle 9. However, the control unit 3 closes the second water valve 57 at the timing immediately before the IPA is discharged from the first discharge port 8. As a result, IPA is not discharged from the first discharge port 8. That is, during the execution of the second rinsing step S6, IPA is not discharged from the first discharge port 8, and the inside of the organic solvent downstream side portion 40 and the inside of the nozzle pipe of the first nozzle 9 are formed by the IPA. It is filled.

その後、第2のリンス工程S6が終了し、有機溶剤工程S7を開始するタイミングになると、制御ユニット3は、第1の有機溶剤バルブ35を開く、これにより、有機溶剤供給から第1のノズル9へのIPAの供給が再開され、第1の吐出口8からIPAが吐出される。
この第2の基板処理例によれば、第2のリンス工程S6の終了後直ちに第1の吐出口8からIPAを吐出できる。すなわち、第2のリンス工程S6の終了後直ちに有機溶剤工程S7を開始できる。これにより、第1の基板処理例と比較して、レジスト除去処理全体の処理時間を短縮できる。
After that, when the second rinsing step S6 is completed and the organic solvent step S7 is started, the control unit 3 opens the first organic solvent valve 35, whereby the first nozzle 9 from the organic solvent supply is opened. The supply of IPA to the first discharge port 8 is resumed, and the IPA is discharged from the first discharge port 8.
According to this second substrate processing example, IPA can be discharged from the first discharge port 8 immediately after the completion of the second rinsing step S6. That is, the organic solvent step S7 can be started immediately after the completion of the second rinsing step S6. As a result, the processing time of the entire resist removing processing can be shortened as compared with the first substrate processing example.

図9に示す第3の基板処理例では、図8に示す第2の基板処理例と異なり、制御ユニット3は、第2のリンス工程S6の実行中に(第2のリンス工程S6に並行して)、第1の吐出口8からIPAを吐出する。
具体的には、制御ユニット3は、第2のリンス工程S6の実行中に、第2の有機溶剤バルブ36を開きながら第1の有機溶剤バルブ35を開く。これにより、有機溶剤供給源からのIPAが第1のノズル9に向けて供給され、第1の吐出口8から吐出される。すなわち、制御ユニット3は、第2のリンス工程S6の終了前に有機溶剤工程S7を開始する。
In the third substrate processing example shown in FIG. 9, unlike the second substrate processing example shown in FIG. 8, the control unit 3 is in parallel with the second rinsing step S6 during the execution of the second rinsing step S6. ), IPA is discharged from the first discharge port 8.
Specifically, the control unit 3 opens the first organic solvent valve 35 while opening the second organic solvent valve 36 during the execution of the second rinsing step S6. As a result, the IPA from the organic solvent supply source is supplied toward the first nozzle 9, and is discharged from the first discharge port 8. That is, the control unit 3 starts the organic solvent step S7 before the end of the second rinsing step S6.

第3の基板処理例では、第1の吐出口8からのIPAの吐出流量は、第2の吐出口10からの炭酸水の吐出流量と比較して小流量(たとえば約1/10)である。そのため、基板Wへのリンス処理に悪影響はほとんどない。第3の基板処理例においても、第2の基板処理例と同様、第2のリンス工程S6の終了後から有機溶剤工程S7の開始までにインターバルが存在しないから、第1の基板処理例と比較して、レジスト除去処理全体の処理時間を短縮できる。 In the third substrate processing example, the discharge flow rate of IPA from the first discharge port 8 is a small flow rate (for example, about 1/10) as compared with the discharge flow rate of carbonated water from the second discharge port 10. .. Therefore, there is almost no adverse effect on the rinsing process on the substrate W. In the third substrate processing example, as in the second substrate processing example, since there is no interval from the end of the second rinsing step S6 to the start of the organic solvent step S7, it is compared with the first substrate processing example. Therefore, the processing time of the entire resist removing process can be shortened.

以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、第1~第3の基板処理例の第1および第2の水吸引工程T2,T4において、炭酸水の先端面が吸引配管49または水下流側部分50まで後退するまで炭酸水の吸引を行うとして説明したが、吸引後の炭酸水の先端面が、有機溶剤配管34の内部に位置してもよい。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention can also be implemented in other embodiments.
For example, in the first and second water suction steps T2 and T4 of the first to third substrate processing examples, the carbonated water is sucked until the tip surface of the carbonated water recedes to the suction pipe 49 or the water downstream side portion 50. Although it has been described as performing, the tip surface of the carbonated water after suction may be located inside the organic solvent pipe 34.

第1~第3の基板処理例において、第1の水置換工程T1を、除電工程S2と別のタイミングで行ってもよい。また、第2の水置換工程T3を、第1のリンス工程S4と別のタイミングで行ってもよい。第1の水吸引工程T2を、除電工程S2の終了後に行ってもよい。第2の水吸引工程T4を、洗浄薬液工程S5と別のタイミングで行ってもよい。
また、第1~第3の基板処理例において、水置換工程として、硫酸含有液工程S3に先立って実行される第1の水置換工程T1と、硫酸含有液工程S3の後、有機溶剤工程S7に先立って実行される第2の水置換工程T3とを実行している。しかしながら、水置換工程は、有機溶剤工程S7の実行前および/もしくは実行後、ならびに/または、硫酸含有工程S3の実行前および/もしくは実行後において少なくとも1回以降実行されるものであればよい。
In the first to third substrate processing examples, the first water replacement step T1 may be performed at a timing different from that of the static elimination step S2. Further, the second water replacement step T3 may be performed at a timing different from that of the first rinsing step S4. The first water suction step T2 may be performed after the completion of the static elimination step S2. The second water suction step T4 may be performed at a timing different from that of the cleaning chemical solution step S5.
Further, in the first to third substrate treatment examples, as the water replacement step, the first water replacement step T1 executed prior to the sulfuric acid-containing liquid step S3 and the organic solvent step S7 after the sulfuric acid-containing liquid step S3. The second water replacement step T3, which is executed prior to the above, is executed. However, the water replacement step may be performed at least once before and / or after the execution of the organic solvent step S7 and / or before and / or after the execution of the sulfuric acid-containing step S3.

また、第1~第3の基板処理例において、洗浄薬液工程S5の実行に先立って、または洗浄薬液工程S5の実行後に、過酸化水素水(H)を基板Wの上面(表面)に供給する過酸化水素水供給工程を行ってもよい。
また、前述の実施形態では、第1の薬剤流体の一例として用いられる硫酸含有液としてSPMを例示したが、硫酸含有液としてその他に、硫酸やSOM(硫酸オゾン)を用いることができる。
Further, in the first to third substrate processing examples, hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) is applied to the upper surface (surface) of the substrate W prior to the execution of the cleaning chemical solution step S5 or after the execution of the cleaning chemical solution step S5. The hydrogen peroxide solution supply step may be performed.
Further, in the above-described embodiment, SPM is exemplified as the sulfuric acid-containing liquid used as an example of the first drug fluid, but sulfuric acid or SOM (sulfuric acid ozone) can also be used as the sulfuric acid-containing liquid.

前述の実施形態では、処理カップとして、内部で雰囲気と処理液との気液分離を行なわずに、外部の気液分離器(気液分離器97)を用いて雰囲気と処理液との気液分離を行うタイプの処理カップ16を用いた場合を説明した。しかしながら、処理カップとして、雰囲気と処理液との気液分離を内部で行うことが可能なタイプの処理カップを用いてもよい。 In the above-described embodiment, the air / liquid between the atmosphere and the treatment liquid is used as the treatment cup by using an external gas / liquid separator (gas / liquid separator 97) without performing the gas / liquid separation between the atmosphere and the treatment liquid inside. The case where the processing cup 16 of the type for performing separation is used has been described. However, as the treatment cup, a treatment cup of a type capable of internally separating the atmosphere and the treatment liquid may be used.

このタイプの処理カップは、スピンチャック5を取り囲むように配置された1または複数のカップと、各カップに接続された排液配管とを含む。また、このタイプの処理カップを有する処理チャンバ4では、隔壁18の側壁下部または隔壁18の底部に排気口が開口しており、この排気口の内部が、当該排気口に接続された排気ダクトにより吸引されることにより、処理チャンバ4の下部空間の雰囲気が排気される。 This type of processing cup includes one or more cups arranged to surround the spin chuck 5 and a drainage pipe connected to each cup. Further, in the processing chamber 4 having this type of processing cup, an exhaust port is opened at the lower part of the side wall of the partition wall 18 or the bottom of the partition wall 18, and the inside of the exhaust port is provided with an exhaust duct connected to the exhaust port. By being sucked, the atmosphere of the lower space of the processing chamber 4 is exhausted.

また、前述の実施形態では、複数の種類の処理液(硫酸含有液、洗浄薬液および水)を排液するための共通の排液溝(排液溝80)を設け、排液溝80からの排液(処理液)の流通先を、当該排液(処理液)の種類に応じて複数の排液分岐配管82~84の間で切り換えるようにした。
しかしながら、処理カップ16において、各種類の処理液に1対1対応で排液溝が設けられていてもよい。すなわち、硫酸含有液の排液溝、洗浄薬液用の排液溝および水用の排液溝が個別に設けられていてもよい。この場合、排液(処理液)の流通先を複数の排液分岐配管の間で切り換える必要がない。
Further, in the above-described embodiment, a common drainage groove (drainage groove 80) for draining a plurality of types of treatment liquids (sulfate-containing liquid, cleaning chemical liquid and water) is provided, and the drainage groove 80 is provided. The distribution destination of the drainage liquid (treatment liquid) is switched between a plurality of drainage branch pipes 82 to 84 according to the type of the drainage liquid (treatment liquid).
However, in the processing cup 16, each type of processing liquid may be provided with a drainage groove in a one-to-one correspondence. That is, a drainage groove for the sulfuric acid-containing liquid, a drainage groove for the cleaning chemical solution, and a drainage groove for water may be individually provided. In this case, it is not necessary to switch the distribution destination of the drainage (treatment liquid) between the plurality of drainage branch pipes.

また、前述の実施形態では、第2の薬剤流体の一例として用いられる有機溶剤の一例としてIPAを例示したが、有機溶剤としてその他に、メタノール、エタノール、HFE(ハイドロフロロエーテル)、アセトン等を例示できる。また、有機溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけでなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、IPAとアセトンの混合液であってもよいし、IPAとメタノールの混合液であってもよい。 Further, in the above-described embodiment, IPA is exemplified as an example of the organic solvent used as an example of the second drug fluid, but methanol, ethanol, HFE (hydrofluoroether), acetone and the like are exemplified as the organic solvent. can. Further, the organic solvent is not limited to a case where it is composed of only a single component, but may be a liquid mixed with other components. For example, it may be a mixed solution of IPA and acetone, or it may be a mixed solution of IPA and methanol.

前述の実施形態において、SPM等の硫酸含有液およびIPA等の有機溶剤の組合せを、接触に危険が伴うような薬液の組合せとして例示したが、その他、王水および硫酸の組合せ等を、接触に危険が伴うような組合せとして例示できる。
また、本発明は、前述の酸とアルカリとの組合せのような、接触により生成物(たとえば塩)を生成する組合せ、すなわち、接触に適さないような薬剤流体の組合せに対しても広く適用される。
In the above-described embodiment, the combination of a sulfuric acid-containing solution such as SPM and an organic solvent such as IPA is exemplified as a combination of a chemical solution that poses a risk of contact, but in addition, a combination of aqua regia and sulfuric acid is used for contact. It can be exemplified as a combination that involves danger.
The present invention is also widely applied to combinations that produce products (eg, salts) by contact, such as the combination of acid and alkali described above, i.e., combinations of drug fluids that are not suitable for contact. To.

前述の説明では、第1の薬剤流体(薬剤成分を含む流体)が液体(すなわち、薬剤成分を含む液体)であるとして説明したが、第1の薬剤流体として気体(すなわち、薬剤成分を含む気体)を採用してもよい。
また、第2の薬剤流体が液体であるとして説明したが、第2の薬剤流体として気体を採用してもよい。
In the above description, the first drug fluid (fluid containing the drug component) has been described as a liquid (that is, a liquid containing the drug component), but the first drug fluid is a gas (that is, a gas containing the drug component). ) May be adopted.
Further, although it has been described that the second drug fluid is a liquid, a gas may be adopted as the second drug fluid.

また、薬剤流体配管(有機溶剤配管34)の内部を置換する水として炭酸水を例示したが、この水は、炭酸水に限らず、脱イオン水(DIW)、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度(たとえば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Further, carbonated water was exemplified as water for replacing the inside of the chemical fluid pipe (organic solvent pipe 34), but this water is not limited to carbonated water, but deionized water (DIW), electrolytic ionized water, hydrogen water, and ozone. It may be either water or aqueous hydrochloric acid having a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm).
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

1 :基板処理装置
4 :処理チャンバ
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
6 :基板対向面
7 :対向部材
8 :第1の吐出口
9 :第1のノズル
11 :第2のノズル
12 :有機溶剤供給ユニット(第1の薬剤流体供給ユニット)
13 :リンス用水供給ユニット(第2の水供給ユニット)
14 :硫酸含有液供給ユニット(第2の薬剤流体供給ユニット)
15 :洗浄薬液供給ユニット
16 :処理カップ
34 :有機溶剤配管(薬剤流体配管)
35 :第1の有機溶剤バルブ
36 :第2の有機溶剤バルブ
37 :バルブ閉センサ
39 :第1の水配管
40 :有機溶剤下流側部分
43 :第1の液体検知センサ
45 :第2の液体検知センサ
46 :第1の水バルブ
47 :置換用水供給ユニット(第1の水供給ユニット)
49 :吸引配管
51 :吸引バルブ
52 :吸引装置
53 :真空発生器
54 :駆動バルブ
55 :吸引ユニット
56 :第2の水配管
57 :第2の水バルブ
A1 :回転軸線
A2 :回転軸線
W :基板
1: Substrate processing device 4: Processing chamber 5: Spin chuck (board holding unit)
6: Substrate facing surface 7: Facing member 8: First discharge port 9: First nozzle 11: Second nozzle 12: Organic solvent supply unit (first chemical fluid supply unit)
13: Rinse water supply unit (second water supply unit)
14: Sulfuric acid-containing liquid supply unit (second chemical fluid supply unit)
15: Cleaning chemical solution supply unit 16: Processing cup 34: Organic solvent piping (chemical fluid piping)
35: First organic solvent valve 36: Second organic solvent valve 37: Valve closing sensor 39: First water pipe 40: Organic solvent downstream part 43: First liquid detection sensor 45: Second liquid detection Sensor 46: First water valve 47: Replacement water supply unit (first water supply unit)
49: Suction pipe 51: Suction valve 52: Suction device 53: Vacuum generator 54: Drive valve 55: Suction unit 56: Second water pipe 57: Second water valve A1: Rotating axis A2: Rotating axis W: Substrate

Claims (21)

処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置されて、基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて流体を吐出するための吐出口を有する第1のノズルと、
前記第1のノズルに接続され、内部が前記吐出口に連通する薬剤流体配管を有し、前記薬剤流体配管を介して前記第1のノズルに第1の薬剤流体を供給するための第1の薬剤流体供給ユニットと、
前記薬剤流体配管に分岐接続された水配管を有し、前記水配管を介して前記薬剤流体配管に水を供給するための第1の水供給ユニットと、
前記薬剤流体配管に介装された薬剤流体バルブであって、前記薬剤流体配管における前記水配管の分岐接続位置よりも下流側に配置された薬剤流体バルブと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に、前記第1の薬剤流体とは種類の異なる流体である第2の薬剤流体を供給するための第2のノズルを有する第2の薬剤流体供給ユニットと、
前記第1の薬剤流体供給ユニット、前記薬剤流体バルブ、前記第2の薬剤流体供給ユニットおよび前記第1の水供給ユニットを制御する制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットは、
前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給しながら前記薬剤流体バルブを開くことにより前記第1のノズルから前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第1の薬剤流体を吐出して、前記第1の薬剤流体を用いた処理を、前記基板保持ユニットに保持されている基板に施す第1の処理工程と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上方に前記第1のノズルを配置した状態かつ前記薬剤流体バルブを閉じた状態で、前記第2のノズルから前記第2の薬剤流体を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に供給して、前記第2の薬剤流体を用いた処理を、前記基板保持ユニットに保持されている基板に施す第2の処理工程と、
前記第1の処理工程の実行後、かつ前記第2の処理工程の実行前において、前記薬剤流体バルブを開いた状態で、前記第1の水供給ユニットからの水を前記薬剤流体配管に供給して、前記薬剤流体配管の内部にある前記第1の薬剤流体を水で置換する第1の水置換工程とを実行する、基板処理装置。
With the processing chamber,
A substrate holding unit arranged in the processing chamber to hold the substrate,
A first nozzle having a discharge port for discharging a fluid toward the main surface of the board held by the board holding unit, and a first nozzle.
A first for supplying a first drug fluid to the first nozzle via the drug fluid pipe, which has a drug fluid pipe connected to the first nozzle and internally communicates with the discharge port. With the drug fluid supply unit,
A first water supply unit having a water pipe branched and connected to the chemical fluid pipe and supplying water to the chemical fluid pipe via the water pipe, and a first water supply unit.
A chemical fluid valve interposed in the chemical fluid pipe, which is arranged on the downstream side of the branch connection position of the water pipe in the chemical fluid pipe.
A second drug fluid having a second nozzle for supplying a second drug fluid, which is a fluid different from the first drug fluid, on the main surface of the board held by the board holding unit. With the supply unit
The first drug fluid supply unit, the drug fluid valve, the second drug fluid supply unit, and a control unit for controlling the first water supply unit are included.
The control unit is
By opening the drug fluid valve while supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe , the first nozzle is directed toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. The first treatment step of discharging the chemical fluid and performing the treatment using the first chemical fluid on the substrate held by the substrate holding unit, and
With the first nozzle arranged above the substrate held by the substrate holding unit and with the drug fluid valve closed, the second drug fluid is held by the substrate from the second nozzle. A second processing step of supplying to the main surface of the substrate held by the unit and performing the treatment using the second chemical fluid on the substrate held by the substrate holding unit.
After the execution of the first treatment step and before the execution of the second treatment step, the water from the first water supply unit is supplied to the chemical fluid pipe with the chemical fluid valve open. A substrate processing apparatus for performing a first water replacement step of replacing the first chemical fluid inside the chemical fluid pipe with water.
前記薬剤流体配管の内部を吸引するための吸引ユニットをさらに含み、
前記制御ユニットは前記吸引ユニットをさらに制御するものであり、
前記制御ユニットは、前記第1の水置換工程の終了後、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第1の吸引工程をさらに実行する、請求項1に記載の基板処理装置。
Further includes a suction unit for sucking the inside of the drug fluid pipe.
The control unit further controls the suction unit.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit further executes a first suction step of sucking the inside of the chemical fluid pipe after the completion of the first water replacement step.
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置されて、基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて流体を吐出するための吐出口を有する第1のノズルと、
前記第1のノズルに接続され、内部が前記吐出口に連通する薬剤流体配管を有し、前記薬剤流体配管を介して前記第1のノズルに第1の薬剤流体を供給するための第1の薬剤流体供給ユニットと、
前記薬剤流体配管に分岐接続された水配管を有し、前記水配管を介して前記薬剤流体配管に水を供給するための第1の水供給ユニットと、
前記薬剤流体配管に介装された薬剤流体バルブであって、前記薬剤流体配管における前記水配管の分岐接続位置よりも下流側に配置された薬剤流体バルブと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に、前記第1の薬剤流体とは種類の異なる流体である第2の薬剤流体を供給するための第2のノズルを有する第2の薬剤流体供給ユニットと、
前記第1の薬剤流体供給ユニット、前記薬剤流体バルブ、前記第2の薬剤流体供給ユニットおよび前記第1の水供給ユニットを制御する制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットは、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上方に前記第1のノズルを配置した状態かつ前記薬剤流体バルブを閉じた状態で、前記第2のノズルから前記第2の薬剤流体を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に供給して、前記第2の薬剤流体を用いた処理を当該基板に施す第2の処理工程と、
前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給しながら前記薬剤流体バルブを開くことにより前記第1のノズルから前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第1の薬剤流体を吐出して、前記第1の薬剤流体を用いた処理を当該基板に施す第1の処理工程と、
前記第2の処理工程の実行後、かつ前記第1の処理工程の実行前において、前記薬剤流体バルブを開いた状態で、前記第1の水供給ユニットからの水を前記薬剤流体配管に供給して、前記薬剤流体配管の内部を水で置換する第2の水置換工程とを実行する、基板処理装置。
With the processing chamber,
A substrate holding unit arranged in the processing chamber to hold the substrate,
A first nozzle having a discharge port for discharging a fluid toward the main surface of the board held by the board holding unit, and a first nozzle.
A first for supplying a first drug fluid to the first nozzle via the drug fluid pipe, which has a drug fluid pipe connected to the first nozzle and internally communicates with the discharge port. With the drug fluid supply unit,
A first water supply unit having a water pipe branched and connected to the chemical fluid pipe and supplying water to the chemical fluid pipe via the water pipe, and a first water supply unit.
A chemical fluid valve interposed in the chemical fluid pipe, which is arranged on the downstream side of the branch connection position of the water pipe in the chemical fluid pipe.
A second drug fluid having a second nozzle for supplying a second drug fluid, which is a fluid different from the first drug fluid, on the main surface of the board held by the board holding unit. With the supply unit
The first drug fluid supply unit, the drug fluid valve, the second drug fluid supply unit, and a control unit for controlling the first water supply unit are included.
The control unit is
With the first nozzle arranged above the substrate held by the substrate holding unit and with the drug fluid valve closed, the second drug fluid is held by the substrate from the second nozzle. A second treatment step of supplying to the main surface of the substrate held in the unit and performing the treatment using the second chemical fluid on the substrate, and
By opening the drug fluid valve while supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe , the first nozzle is directed toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. The first treatment step of discharging the chemical fluid and applying the treatment using the first chemical fluid to the substrate, and
After the execution of the second treatment step and before the execution of the first treatment step, the water from the first water supply unit is supplied to the chemical fluid pipe with the chemical fluid valve open. A substrate processing apparatus for performing a second water replacement step of replacing the inside of the chemical fluid pipe with water.
前記薬剤流体配管の内部を吸引するための吸引ユニットをさらに含み、
前記制御ユニットは前記吸引ユニットをさらに制御するものであり、
前記制御ユニットは、前記第2の水置換工程の終了後、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第1の吸引工程をさらに実行する、請求項3に記載の基板処理装置。
Further includes a suction unit for sucking the inside of the drug fluid pipe.
The control unit further controls the suction unit.
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the control unit further executes a first suction step of sucking the inside of the chemical fluid pipe after the completion of the second water replacement step.
前記制御ユニットは、前記第2の処理工程の後において前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面から前記第2の薬剤流体を水で洗い流すべく、前記第1の処理工程に先立って、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に水を供給する第1の水供給工程をさらに実行し、
前記制御ユニットは、前記第1の水供給工程として前記第2の水置換工程を実行する、請求項3または4に記載の基板処理装置。
Prior to the first treatment step, the control unit is used to wash away the second chemical fluid from the main surface of the substrate held by the substrate holding unit with water after the second treatment step. The first water supply step of supplying water to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit is further executed.
The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein the control unit executes the second water replacement step as the first water supply step.
前記第1のノズルとは別のノズルであって、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて流体を吐出するための第3のノズルと、
前記第3のノズルに水を供給するための第2の水供給ユニットとをさらに含み、
前記制御ユニットは前記第2の水供給ユニットをさらに制御するものであり、
前記制御ユニットは、
前記第1の処理工程を、前記第2の処理工程の終了後に開始し、かつ前記第2の処理工程の後、前記第1の処理工程の開始に先立って、前記第3のノズルに水を供給することにより前記第3のノズルから前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて水を吐出開始する第2の水供給工程を実行し、
前記制御ユニットは、前記第1の処理工程における前記薬剤流体配管への前記第1の薬剤流体の供給を、前記第2の水供給工程の終了に先立って開始する、請求項3~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
A third nozzle that is different from the first nozzle and discharges the fluid toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit.
Further includes a second water supply unit for supplying water to the third nozzle.
The control unit further controls the second water supply unit.
The control unit is
The first treatment step is started after the end of the second treatment step, and after the second treatment step and prior to the start of the first treatment step, water is applied to the third nozzle. A second water supply step of starting water discharge from the third nozzle toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit by supplying the water is executed.
Any of claims 3 to 5, wherein the control unit starts supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe in the first treatment step prior to the end of the second water supply step. The substrate processing apparatus according to item 1.
前記制御ユニットは、前記第2の水供給工程の終了前に、前記第1の処理工程を開始する、請求項6に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the control unit starts the first processing step before the end of the second water supply step. 前記制御ユニットは、前記第1の処理工程における前記第1のノズルからの前記第1の薬剤流体の吐出終了後に、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第2の吸引工程をさらに実行する、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The control unit further executes a second suction step of sucking the inside of the drug fluid pipe after the discharge of the first drug fluid from the first nozzle in the first processing step is completed. Item 6. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 7. 前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に対向する基板対向面を有する対向部材をさらに含み、
前記第1のノズルの前記吐出口は、前記基板対向面に設けられている、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Further including a facing member having a board facing surface facing the main surface of the board held by the board holding unit.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the ejection port of the first nozzle is provided on the surface facing the substrate.
前記水は、炭酸水を含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the water contains carbonated water. 前記第1の薬剤流体は、有機溶剤を含み、
前記第2の薬剤流体は、硫酸含有液を含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The first drug fluid contains an organic solvent and contains
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the second chemical fluid contains a sulfuric acid-containing liquid.
処理チャンバ内で基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程と、
第1の薬剤流体を、第1のノズルに接続された薬剤流体配管を介して前記第1のノズルに供給することにより前記第1のノズルから、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第1の薬剤流体を吐出して、前記第1の薬剤流体を用いた処理を、前記基板保持ユニットに保持されている基板に施す第1の処理工程と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上方に前記第1のノズルを配置した状態で、前記第1の薬剤流体とは種類の異なる流体である第2の薬剤流体を第2のノズルから、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に供給して、前記第2の薬剤流体を用いた処理を、前記基板保持ユニットに保持されている基板に施す第2の処理工程と、
前記第1の処理工程の実行後、かつ前記第2の処理工程の実行前において、前記薬剤流体配管に分岐接続された水配管を介して前記薬剤流体配管に水を供給して、前記薬剤流体配管の内部にある前記第1の薬剤流体を水で置換する第1の水置換工程とを含み、
前記薬剤流体配管には薬剤流体バルブが介装され、前記薬剤流体バルブは、前記薬剤流体配管における前記水配管の分岐接続位置よりも下流側に配置されており、
前記第1の処理工程において、前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給しながら前記薬剤流体バルブを開き、
前記薬剤流体バルブを閉じた状態で前記第2の処理工程を実行し、かつ
前記第1の水置換工程において、前記薬剤流体バルブを開いた状態で前記薬剤流体配管に水を供給する、基板処理方法。
The substrate holding process in which the substrate is held by the substrate holding unit in the processing chamber,
By supplying the first chemical fluid to the first nozzle via the chemical fluid pipe connected to the first nozzle, the main substrate of the substrate held by the substrate holding unit from the first nozzle. A first treatment step of discharging the first chemical fluid toward a surface and performing a treatment using the first chemical fluid on a substrate held by the substrate holding unit.
In a state where the first nozzle is arranged above the substrate held by the substrate holding unit, a second chemical fluid, which is a fluid different from the first chemical fluid, is introduced from the second nozzle. A second processing step of supplying to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit and performing the treatment using the second chemical fluid on the substrate held by the substrate holding unit.
After the execution of the first treatment step and before the execution of the second treatment step, water is supplied to the chemical fluid pipe through the water pipe branched and connected to the chemical fluid pipe, and the chemical fluid is supplied. It includes a first water replacement step of replacing the first chemical fluid inside the pipe with water.
A chemical fluid valve is interposed in the chemical fluid pipe, and the chemical fluid valve is arranged on the downstream side of the branch connection position of the water pipe in the chemical fluid pipe.
In the first processing step, the drug fluid valve is opened while supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe.
The second processing step is executed with the chemical fluid valve closed, and
A substrate treatment method for supplying water to a chemical fluid pipe in a state where the chemical fluid valve is opened in the first water replacement step .
前記第1の水置換工程の終了後、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第1の吸引工程をさらに含む、請求項12に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 12, further comprising a first suction step of sucking the inside of the drug fluid pipe after the completion of the first water replacement step. 処理チャンバ内で基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上方に、第1の薬剤流体を吐出するための第1のノズルを配置した状態で、前記第1の薬剤流体とは種類の異なる流体である第2の薬剤流体を第2のノズルから当該基板の主面に供給して、前記第2の薬剤流体を用いた処理を当該基板に施す第2の処理工程と、
前記第1の薬剤流体を薬剤流体配管に供給することにより前記第1のノズルから前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第1の薬剤流体を吐出して、前記第1の薬剤流体を用いた処理を当該基板に施す第1の処理工程と、
前記第2の処理工程の実行後、前記第1の処理工程の実行前において、前記薬剤流体配管に分岐接続された水配管を介して前記薬剤流体配管に水を供給して、前記薬剤流体配管の内部を水で置換する第2の水置換工程とを含み、
前記薬剤流体配管には薬剤流体バルブが介装され、前記薬剤流体バルブは、前記薬剤流体配管における前記水配管の分岐接続位置よりも下流側に配置されており、
前記薬剤流体バルブを閉じた状態で前記第2の処理工程を実行し、
前記第1の処理工程において、前記第1の薬剤流体を前記薬剤流体配管に供給しながら前記薬剤流体バルブを開き、かつ
前記第2の水置換工程において、前記薬剤流体バルブを開いた状態で前記薬剤流体配管に水を供給する、基板処理方法。
The substrate holding process in which the substrate is held by the substrate holding unit in the processing chamber,
A second, which is a different type of fluid from the first chemical fluid, in a state where the first nozzle for discharging the first chemical fluid is arranged above the substrate held by the substrate holding unit. A second treatment step in which the chemical fluid of No. 1 is supplied from the second nozzle to the main surface of the substrate, and the treatment using the second chemical fluid is applied to the substrate.
By supplying the first chemical fluid to the chemical fluid pipe, the first chemical fluid is discharged from the first nozzle toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit, and the first chemical fluid is discharged. The first treatment step of applying the treatment using the chemical fluid of 1 to the substrate, and
After the execution of the second treatment step and before the execution of the first treatment step, water is supplied to the chemical fluid pipe via the water pipe branched and connected to the chemical fluid pipe, and the chemical fluid pipe is supplied. Including a second water replacement step of replacing the inside of the pipe with water,
A chemical fluid valve is interposed in the chemical fluid pipe, and the chemical fluid valve is arranged on the downstream side of the branch connection position of the water pipe in the chemical fluid pipe.
The second processing step is executed with the chemical fluid valve closed.
In the first processing step, the drug fluid valve is opened and the drug fluid valve is opened while supplying the first drug fluid to the drug fluid pipe.
A substrate treatment method for supplying water to a chemical fluid pipe in a state where the chemical fluid valve is opened in the second water replacement step .
前記第2の水置換工程の終了後、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第1の吸引工程をさらに含む、請求項14に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 14, further comprising a first suction step of sucking the inside of the drug fluid pipe after the completion of the second water replacement step. 前記第2の処理工程の後において前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面から前記第2の薬剤流体を水で洗い流すべく、前記第1の処理工程に先立って、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に水を供給する第1の水供給工程をさらに含み、
前記第1の水供給工程は、前記第2の水置換工程を含む、請求項15に記載の基板処理方法。
Prior to the first treatment step, the substrate holding unit is subjected to the second treatment step in order to wash away the second chemical fluid from the main surface of the substrate held by the substrate holding unit with water after the first treatment step. It further comprises a first water supply step of supplying water to the main surface of the retained substrate.
The substrate processing method according to claim 15, wherein the first water supply step includes the second water replacement step.
前記第1の処理工程を、前記第2の処理工程の終了後に開始し、
前記第2の処理工程の後、前記第1の処理工程に先立って、前記第1のノズルとは別のノズルである第3のノズルに水を供給することにより前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて前記第3のノズルから水を吐出する第2の水供給工程をさらに含み、
前記第1の処理工程は、前記薬剤流体配管への前記第1の薬剤流体の供給を、前記第2の水供給工程の終了に先立って実行開始する、請求項15または16に記載の基板処理方法。
The first processing step is started after the completion of the second processing step.
After the second treatment step, prior to the first treatment step, water is supplied to a third nozzle, which is a nozzle different from the first nozzle, to be held by the substrate holding unit. A second water supply step of discharging water from the third nozzle toward the main surface of the substrate is further included.
The substrate treatment according to claim 15 or 16, wherein the first treatment step starts execution of the supply of the first chemical fluid to the chemical fluid pipe prior to the end of the second water supply step. Method.
前記第2の水供給工程に並行して、前記第1の処理工程を実行する、請求項17に記載の基板処理方法。 The substrate treatment method according to claim 17, wherein the first treatment step is executed in parallel with the second water supply step. 前記第1の処理工程における前記第1のノズルからの前記第1の薬剤流体の吐出終了後に、前記薬剤流体配管の内部を吸引する第2の吸引工程をさらに含む、請求項12~18のいずれか一項に記載の基板処理方法。 13. The substrate processing method according to item 1. 前記水は、炭酸水を含む、請求項12~19のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate treatment method according to any one of claims 12 to 19, wherein the water contains carbonated water. 前記第1の薬剤流体は、有機溶剤を含み、
前記第2の薬剤流体は、硫酸含有液を含む、請求項12~20のいずれか一項に記載の基板処理方法。
The first drug fluid contains an organic solvent and contains
The substrate treatment method according to any one of claims 12 to 20, wherein the second drug fluid contains a sulfuric acid-containing liquid.
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