KR100904462B1 - Substrate treating appartus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

기판의 배면에 소정의 액처리를 수행하는 기판 처리 설비가 제공된다. 이 기판 처리 설비는 백 노즐, 흡입밸브 및 약액 공급부를 포함한다. 상기 백 노즐은 제 1 약액 공급라인을 통해 약액을 공급받아서 기판의 배면에 상기 약액을 토출한다. 상기 흡입밸브는 제 1 약액 공급라인을 통해 상기 백 노즐과 연결되어 상기 백 노즐로부터 약액의 배출이 정지되면 상기 제 1 약액 공급라인에 수용되어 있는 약액을 흡입한다. 상기 약액 공급부는 제 2 약액 공급라인을 통해 상기 흡입밸브와 연결되어 상기 흡입밸브로 약액을 공급한다. 이 기판 처리 설비에 의하면, 상기 백 노즐의 바로 전단에 흡입 밸브를 구비함으로써, 약액의 배출이 정지되는 시간동안 백 노즐을 통해 약액이 누출되는 슬로우 리크(slow leak)현상을 방지할 수 있다.

Figure R1020070097350

There is provided a substrate processing facility for performing a predetermined liquid treatment on the back surface of the substrate. The substrate processing equipment includes a bag nozzle, a suction valve and a chemical liquid supply portion. The bag nozzle receives the chemical liquid through the first chemical liquid supply line and discharges the chemical liquid to the back surface of the substrate. The suction valve is connected to the back nozzle through a first chemical supply line, and when the discharge of the chemical from the back nozzle stops, the suction valve sucks the chemical contained in the first chemical supply line. The chemical liquid supply part is connected to the suction valve through a second chemical liquid supply line to supply the chemical liquid to the suction valve. According to this substrate processing facility, by providing a suction valve immediately in front of the bag nozzle, it is possible to prevent a slow leak phenomenon in which the chemical liquid leaks through the back nozzle during the time when the discharge of the chemical liquid is stopped.

Figure R1020070097350

Description

기판 처리 설비 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARTUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}Substrate Processing Facility and Substrate Processing Method {SUBSTRATE TREATING APPARTUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}

본 발명은 기판 처리 설비 및 이 기판 처리 설비를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판의 배면에 소정의 액처리를 수행하는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing equipment and a substrate processing method using the substrate processing equipment, and more particularly, to a substrate processing equipment and a substrate processing method for performing a predetermined liquid treatment on the back surface of a substrate.

반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 반도체 기판 상에 박막을 형성한다. 박막의 형성에는 에칭공정이 필수적이다. 기판의 배면에 증착된 박막 등은 후속공정에서 이물질로 작용한다. 따라서, 매엽식 기판처리장치를 이용하여, 기판 배면의 박막 등과 같은 이물질을 제거하는 기판 배면의 에칭 처리 공정은 대단히 중요하다.In order to manufacture a semiconductor device, a thin film is formed on a semiconductor substrate. An etching process is essential for forming a thin film. The thin film deposited on the back of the substrate acts as a foreign matter in a subsequent process. Therefore, the etching process of the back surface of a board | substrate which removes a foreign material, such as a thin film on the back surface of a board | substrate using a single wafer type | mold substrate processing apparatus, is very important.

이러한 에칭 처리를 위해 제공되는 일반적인 기판 처리 설비는 기판이 놓이는 스핀 헤드에 구비되는 백 노즐과, 상기 백 노즐로 약액을 공급하는 약액 탱크, 상기 백 노즐과 상기 약액 탱크를 연결하는 약액 공급라인 및 상기 약액 공급라인상에 설치되어 상기 약액의 흐름을 결정하는 다수의 밸브들로 구성된다.A general substrate processing apparatus provided for such an etching process includes a back nozzle provided at a spin head on which a substrate is placed, a chemical liquid tank supplying chemical liquid to the back nozzle, a chemical liquid supply line connecting the back nozzle and the chemical liquid tank, and It is composed of a plurality of valves installed on the chemical liquid supply line to determine the flow of the chemical liquid.

한편, 상기 약액 공급라인은 신축성있는 튜브 타입으로 제조된다. 이러한 약 액 공급라인은 통상적으로 고온 상태의 약액을 이송한다. 따라서, 상기 약액 공급라인은 상기 고온 상태의 약액을 이송하는 동안 팽창하게 된다. 상기 백 노즐로부터 약액의 토출이 정지되어도 상기 약액은 상기 약액 공급라인 내부에 잔존하게 된다. 상기 약액 공급라인 내부에 고온 상태의 약액이 장시간 정체되면, 상기 고온 상태의 약액이 상온 또는 저온으로 하강되어 팽창된 약액 공급라인은 수축을 시작하게 된다. 이때, 약액 공급라인이 수축되는 과정에서 내부에 잔존해 있는 약액을 상기 백 노즐로 밀어올리는 현상이 유발한다. 따라서 상기 약액 공급라인으로부터 상기 약액의 토출이 정지되었음에도 불구하고, 스핀 헤드로 약액이 누출되는 현상이 발생한다. 당업계에서는 이러한 현상을 슬로우 리크(Slow Leak)라 한다. 이러한 슬로우 리크 현상에 의해 누출된 약액이 후속 공정에서 기판 표면에 접촉하게 되면 공정사고가 발생한다. On the other hand, the chemical liquid supply line is made of a flexible tube type. Such a chemical liquid supply line typically delivers a chemical liquid at a high temperature. Therefore, the chemical liquid supply line is expanded while transferring the chemical liquid in the high temperature state. Even if discharge of the chemical liquid from the back nozzle is stopped, the chemical liquid remains in the chemical liquid supply line. When the high temperature chemical liquid is stagnated for a long time inside the chemical liquid supply line, the high temperature chemical liquid is lowered to room temperature or low temperature, and the expanded chemical liquid supply line starts to contract. At this time, in the process of contracting the chemical liquid supply line, the phenomenon of pushing up the chemical liquid remaining in the bag nozzle is caused. Therefore, even though the discharge of the chemical liquid from the chemical liquid supply line is stopped, the chemical liquid leaks to the spin head. In the art, this phenomenon is referred to as slow leak. When the chemical liquid leaked by this slow leak phenomenon comes into contact with the substrate surface in a subsequent process, a process accident occurs.

따라서, 본 발명의 목적은 슬로우 리크 현상을 방지할수 있는 기판 처리 설비를 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of preventing a slow leak phenomenon.

본 발명의 다른 목적은 상기한 기판 처리 설비를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a substrate processing method using the substrate processing equipment described above.

상술한 바와 같은 기술적과제를 해결하기 위해 본 발명의 기판 처리 설비는 백 노즐, 흡입밸브 및 약액 공급부를 포함한다. 상기 백 노즐은 약액을 공급받아서 기판의 배면에 상기 약액을 토출한다. 상기 흡입밸브는 제 1 약액 공급라인을 통해 상기 백 노즐과 연결되고, 상기 약액의 유량을 조절하여 상기 백 노즐로 공급하고, 상기 백 노즐로 상기 약액의 공급이 정지되면 상기 제 1 약액 공급라인에 수용되어 있는 약액을 흡입한다. 상기 약액 공급부는 제 2 약액 공급라인을 통해 상기 흡입밸브와 연결되어 상기 흡입밸브로 약액을 공급한다. In order to solve the above technical problem, the substrate processing apparatus of the present invention includes a bag nozzle, a suction valve, and a chemical liquid supply unit. The back nozzle receives the chemical liquid and discharges the chemical liquid to the back surface of the substrate. The suction valve is connected to the back nozzle through a first chemical supply line, and regulates a flow rate of the chemical to supply to the back nozzle, and when the supply of the chemical to the back nozzle is stopped, to the first chemical supply line. Inhale the medicine. The chemical liquid supply part is connected to the suction valve through a second chemical liquid supply line to supply the chemical liquid to the suction valve.

상술한 바와 같은 다른 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 기판 처리 방법은 약액 공급라인을 통해 상기 백 노즐의 바로 이전단에 흡입밸브를 설치하여 상기 백 노즐로부터 상기 기판의 배면으로 상기 약액의 토출이 정지되는 시간동안 상기 약액 공급라인에 잔존하는 상기 약액을 흡입한다.In order to solve the other technical problem as described above, the substrate processing method of the present invention is provided with a suction valve just before the back nozzle through the chemical supply line to discharge the chemical liquid from the back nozzle to the back of the substrate. The chemical liquid remaining in the chemical liquid supply line is sucked during the stopping time.

본 발명에 의하면, 약액 공급라인을 통해 백 노즐의 바로 이전단에 흡입 밸브를 설치하여 상기 백 노즐로부터 약액의 토출이 정지되는 시간동안 상기 약액 공급라인에 잔존해 있는 약액을 흡입한다. 따라서 상기 약액 공급라인의 수축에 의해 상기 백 노즐로부터 약액의 토출이 정지되는 시간동안 상기 백 노즐로부터 상기 약액이 누출되는 슬로우 리크 현상을 방지할 수 있다. According to the present invention, a suction valve is provided at the stage immediately before the bag nozzle through the chemical liquid supply line to suck the chemical liquid remaining in the chemical liquid supply line during the time when the discharge of the chemical liquid from the bag nozzle is stopped. Therefore, it is possible to prevent the slow leakage phenomenon in which the chemical liquid leaks from the bag nozzle during the time when the discharge of the chemical liquid from the bag nozzle is stopped by the contraction of the chemical liquid supply line.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 및 도 2를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하 게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 도시되는 각 구성요소의 형상은 보다 명확한 설명을 위해 과장된다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 and 2. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of each component shown in the drawings are exaggerated for clarity.

또한, 본 실시예에서는, 식각액을 사용하여 기판을 처리하는 식각 장치등 다수의 약액을 웨이퍼 상에 각각 공급하여 공정을 수행하는 다양한 장치에 적용가능하다. 또한, 본 실시예에서는 기판의 처리대상으로서 웨이퍼 등과 같은 반도체 기판을 예로 들어 설명하고 있으나 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.In addition, in the present embodiment, a plurality of chemical liquids, such as an etching apparatus for treating a substrate using an etching liquid, may be applied to a wafer to perform various processes. In addition, in the present embodiment, a semiconductor substrate such as a wafer is described as an example of the substrate to be processed, but the present invention is not limited thereto and may be applied to various kinds of substrates such as glass substrates.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 나타내는 도면이다.1 is a diagram showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)는 약액을 공급받아서 상기 공급된 약액을 이용하여 웨이퍼(W)를 처리하는 기판 처리 장치(600), 상기 기판 처리 장치(600)로 약액을 공급하는 약액 공급 장치(800) 및 상기 기판 처리 장치(600)와 상기 약액 공급 장치(800)를 연결하는 약액 공급라인(700)을 포함한다. 여기서, 상기 약액 공급라인(700)은 제 1 약액 공급라인(700a)과 제 2 약액 공급라인(700b)을 포함한다. 상기 기판 처리 장치(600)는 상기 제 1 약액 공급라인(700a)을 통해 상기 약액 공급 장치(800)로부터 약액을 공급받는다. 본 명세서에 첨부된 도면에서는 설명의 편의를 위해 상기 제 1 약액 공급라인(700a)은 서로 평행하게 연장되는 2개의 일점 쇄선으로 도시되고, 상기 제 2 약액 공급라인(700b)은 서로 평행하게 연장되는 2개의 이점 쇄선으로 도시된다. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention receives a chemical liquid and processes the wafer W using the supplied chemical liquid, the substrate processing apparatus ( A chemical liquid supply device 800 for supplying a chemical liquid to the 600 and a chemical liquid supply line 700 for connecting the substrate processing apparatus 600 and the chemical liquid supply device 800 are included. Here, the chemical liquid supply line 700 includes a first chemical liquid supply line 700a and a second chemical liquid supply line 700b. The substrate processing apparatus 600 receives a chemical liquid from the chemical liquid supply device 800 through the first chemical liquid supply line 700a. In the accompanying drawings, for convenience of description, the first chemical supply line 700a is illustrated by two dashed lines extending in parallel with each other, and the second chemical supply line 700b extends in parallel with each other. Two advantage dashed lines are shown.

상기 기판 처리 장치(600)는 기판 지지부(100), 약액 공급유닛(200), 약액 회수부(300), 배기통(400) 및 승강부(500)를 포함한다. The substrate processing apparatus 600 includes a substrate support part 100, a chemical liquid supply unit 200, a chemical liquid recovery part 300, an exhaust pipe 400, and a lift part 500.

상기 기판 지지부(100)는 공정 진행 중 웨이퍼(W)가 놓이며, 공정이 진행되는 동안 모터(180)에 의해 회전한다. 상기 기판 지지부(100)는 원형의 표면을 갖는 스핀 헤드(110), 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부재(120)들, 웨이퍼(W)의 배면을 처리하기 위해 약액을 분사하는 백 노즐(130)을 포함한다. 상기 스핀 헤드(100)에는 웨이퍼(W)와 접촉되어 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부재(120)들이 설치된다. 공정진행시 지지부재(120)들은 웨이퍼(W)의 가장자리 단부와 접촉되어 웨이퍼(W)가 정위치로부터 이탈되는 현상을 방지한다. 상기 백 노즐(130)은 웨이퍼(W)의 배면을 세정하기 위한 것으로서, 상기 백 노즐(130)은 일측 단부가 하부에 설치된 상기 제 1 약액 공급라인(700a)과 연결되어 약액을 공급받고, 타측 단부가 스핀 헤드(110)의 상면 중앙부에 노출되어 웨이퍼(W) 배면 중앙부에 약액을 토출한다. 상기 백 노즐(130)을 통해 웨이퍼(W)의 배면 중앙부로 토출된 약액은 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 배면 가장자리로 쉽게 분산된다.The substrate support part 100 is placed on the wafer W during the process, and is rotated by the motor 180 during the process. The substrate support part 100 may include a spin head 110 having a circular surface, support members 120 supporting the wafer W, and a back nozzle 130 for injecting a chemical solution to process the back surface of the wafer W. ). The spin head 100 is provided with support members 120 in contact with the wafer W to support the wafer W. During the process, the supporting members 120 are in contact with the edge end of the wafer W to prevent the wafer W from being displaced. The back nozzle 130 is used to clean the back surface of the wafer W. The back nozzle 130 is connected to the first chemical supply line 700a at one end thereof to receive the chemical solution, and the other side. An end portion is exposed to the central portion of the upper surface of the spin head 110 to discharge the chemical liquid to the central portion of the back surface of the wafer (W). The chemical liquid discharged to the back center portion of the wafer W through the back nozzle 130 is easily dispersed to the back edge of the wafer W by the rotation of the wafer W.

상기 제 1 약액 공급라인(700a)은 소정의 배관으로 구성되며, 일례로 PFA(Perfluoroalkoxy) 소재의 튜부 형태로 제조된다. 이때, 상기 약액은 상기 제 1 약액 공급라인(700a)을 통해 고온(대략 65℃~70℃ 범위)의 상태로 이송된다. 상기 약액은 암모니아(NH4OH), 과산화수소(H2O2), 물(H2O2) 등이 적절한 비율로 혼합되어 상기 웨이퍼(W)의 배면으로 토출된다. The first chemical liquid supply line 700a is formed of a predetermined pipe, and is manufactured in the form of a tub of PFA (Perfluoroalkoxy) material, for example. At this time, the chemical liquid is transferred to a state of high temperature (about 65 ℃ ~ 70 ℃ range) through the first chemical liquid supply line (700a). The chemical liquid is mixed with ammonia (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), water (H 2 O 2 ) and the like in an appropriate ratio and discharged to the back surface of the wafer (W).

한편, 앞서 배경 기술에서도 언급하였듯이, 튜부 형태로 제조된 상기 제 1 약액 공급라인(700a)은 고온 상태의 약액을 이송하므로, 고온의 약액이 이송되는 동안 즉, 상기 백 노즐(130)을 통해 약액이 토출되는 동안, 상기 제 1 약액 공급라인(700a)은 고온 상태의 약액에 의해 원래의 크기보다 팽창하게 된다. 백 노즐(130)로부터의 약액의 토출이 정지하게 되면, 온도가 하강하면서 팽창된 제 1 약액 공급라인은 원래의 상태로 수축된다. 이 수축되는 과정에서 제 1 약액 공급라인(700a) 내부에 잔존해 있는 소량의 약액이 스핀 헤드(100) 상부면으로 누설되는 슬로우 리크(slow leak)가 발생한다. Meanwhile, as mentioned in the background art, the first chemical supply line 700a manufactured in the tubular form transfers the chemical liquid in a high temperature state, so that the chemical liquid is transferred while the high temperature chemical liquid is transferred, that is, through the bag nozzle 130. During this discharge, the first chemical liquid supply line 700a is expanded to its original size by the chemical liquid in a high temperature state. When the discharge of the chemical liquid from the bag nozzle 130 is stopped, the expanded first chemical liquid supply line is retracted while the temperature decreases. In this shrinking process, a slow leak occurs in which a small amount of the chemical liquid remaining in the first chemical liquid supply line 700a leaks to the upper surface of the spin head 100.

이러한 슬로우 리크 현상을 제거하기 위해 본 발명의 기판 처리 설비(1)는 제 1 약액 공급라인(700a)의 끝단에 흡입 밸부(820)를 설치하여 제 1 약액 공급라인(700a) 내부에 잔존해 있는 소량의 약액을 제거한다. 이에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다. In order to eliminate such a slow leak phenomenon, the substrate processing equipment 1 of the present invention is provided with a suction valve 820 at the end of the first chemical supply line 700a and remains inside the first chemical supply line 700a. Remove a small amount of chemicals. Detailed description thereof will be described later.

계속해서, 상기 약액 공급 유닛(200)는 웨이퍼(W)의 상면을 세정하기 위한 것으로, 노즐 지지대(220), 이동 로드(240) 및 노즐(260)을 포함한다. 상기 노즐 지지대(220)은 상기 이동 로드(240) 상부에 연결되어 이동 로드(240)를 중심으로 선회 동작을 한다. 여기서, 이동 로드(240)는 수직 방향으로 세워져 있으며, 상기 노즐 지지대(220)은 상기 이동 로드(240)의 상부에 연결되어 수평 방향으로 지지된다. 노즐(260)은 노즐 지지대(220)의 단부에 연결되어 웨이퍼(W)의 상면에 약액을 토출한다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)에서는 웨이퍼(W)의 상면 세정과 웨이퍼(W)의 배면 세정이 모두 가능하다.Subsequently, the chemical liquid supply unit 200 is for cleaning the upper surface of the wafer W, and includes a nozzle support 220, a moving rod 240, and a nozzle 260. The nozzle support 220 is connected to an upper portion of the movable rod 240 to rotate around the movable rod 240. Here, the movable rod 240 is erected in the vertical direction, the nozzle support 220 is connected to the upper portion of the movable rod 240 is supported in the horizontal direction. The nozzle 260 is connected to the end of the nozzle support 220 to discharge the chemical liquid on the upper surface of the wafer (W). Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, both the top surface cleaning of the wafer W and the back surface cleaning of the wafer W are possible.

상기 약액 회수부(300)는 노즐(260)로부터 공급되는 약액들을 각각 회수하여 약액(특히, 식각액)의 재사용이 가능하도록 한다. 상기 약액 회수부(300)는 안쪽에 기판 지지부(100)가 위치되는 공간(330)을 제공한다. 상기 약액 회수부(300)는 노즐 지지대(220)의 측방향으로 노즐(260)을 감싸도록 배치되는 약액 회수통(320, 340)들을 가진다. 약액 회수통은 재사용이 필요한 약액을 회수하는 제 1 회수통(320)과 재사용이 필요없는 약액을 회수하는 하나 또는 다수의 제 2 회수통(340)을 가진다. 상기 제 1 회수통(320)에는 그 내부로 회수된 식각액을 배출하는 배출관(360)이 결합된다. 배출관(360)은 상기 제 1 회수통(320) 유입된 식각액을 모두 배출시킨다.The chemical liquid recovery unit 300 recovers the chemical liquids supplied from the nozzle 260 to enable reuse of the chemical liquids (especially, etchant). The chemical liquid recovery part 300 provides a space 330 in which the substrate support part 100 is located. The chemical liquid recovery part 300 has chemical liquid recovery containers 320 and 340 disposed to surround the nozzle 260 in the lateral direction of the nozzle support 220. The chemical liquid recovery container has a first recovery container 320 for recovering a chemical solution that needs to be reused, and one or a plurality of second recovery containers 340 for recovering a chemical solution that does not require reuse. A discharge pipe 360 for discharging the etchant recovered into the first recovery container 320 is coupled. The discharge pipe 360 discharges all of the etchant introduced into the first recovery container 320.

상기 기판 지지부(100) 및 상기 약액 회수부(300) 아래에는 배기통(400)이 제공된다. 배기통(400)에는 펌프(442)가 설치된 배기관(410)이 연결된다. 상기 펌프에 의해 상기 공간(330) 내에 발생한 약액 성분의 가스가 상기 배기관(410)을 통해 외부로 배출된다.An exhaust pipe 400 is provided below the substrate support part 100 and the chemical liquid recovery part 300. The exhaust pipe 400 is connected to the exhaust pipe 410 in which the pump 442 is installed. The gas of the chemical liquid component generated in the space 330 is discharged to the outside through the exhaust pipe 410 by the pump.

계속해서, 상기 기판 처리 장치(600)로 약액을 공급하는 약액 공급 장치(800)는 상기 제 1 약액 공급라인(700a)을 통해 백 노즐과 연결되는 흡입 밸브(820), 제 2 약액 공급라인(700b)을 통해 상기 흡입 밸브(820)와 연결되는 약액 공급부(840) 및 상기 흡입 밸브(820)와 상기 약액 공급부(840)를 제어하는 제어부(860)를 포함한다. Subsequently, the chemical liquid supply device 800 supplying the chemical liquid to the substrate processing apparatus 600 may include a suction valve 820 and a second chemical liquid supply line connected to the bag nozzle through the first chemical liquid supply line 700a. The chemical liquid supply unit 840 connected to the intake valve 820 through the 700b and a control unit 860 for controlling the intake valve 820 and the chemical liquid supply unit 840.

도 2는 도 1에 도시된 약액 공급 장치(800)의 내부 구성을 상세히 나타내는 블록도이다. 도 3은 도 2에 도시된 흡입 밸브의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 제 2 약액 공급라인(700b)이 제 2-1 약액 공급라인(700b-1), 제 2-2 약액 공급라인(700b-2) 및 제 2-3 약액 공급라인(700b-3)으로 나누어 표시된다. FIG. 2 is a block diagram illustrating an internal configuration of the chemical liquid supply device 800 shown in FIG. 1 in detail. 3 is a diagram illustrating an example of the suction valve illustrated in FIG. 2. In FIG. 2, for convenience of description, the second chemical liquid supply line 700b may include the second chemical liquid supply line 700b-1, the second chemical liquid supply line 700b-2, and the second chemical liquid supply line 2-3. Divided by (700b-3).

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 액약 공급 장치(800)는 흡입 밸브(820), 약액 공급부(840) 및 제어부(860)를 포함한다. 2 and 3, the liquid supply device 800 includes a suction valve 820, a chemical supply unit 840, and a controller 860.

상기 흡입 밸브(820)는 제 1 약액 공급라인(700a)과 제 2-1 약액 공급라인(700b-1) 사이에 설치되어 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)을 통해 유입되는 약액을 통과 및 차단을 제어한다. 또한 상기 흡입 밸브(820)는, 백 노즐(130)로부터의 약액 토출이 정지된 이후, 상기 제 1 약액 공급라인(700a)에 수용되어 있는 약액을 강제로 흡입하여 상기 약액 토출이 정지된 시점으로부터 후속 공정이 재개될 때까지 상기 백 노즐(130)로부터의 약액의 누출(leak)을 억제한다. The intake valve 820 is installed between the first chemical supply line 700a and the 2-1 chemical supply line 700b-1, and the chemical liquid flows through the 2-1 chemical supply line 700b-1. Control the passing and blocking. In addition, the suction valve 820 is forcibly sucked in the chemical liquid contained in the first chemical liquid supply line 700a after the chemical liquid discharge from the back nozzle 130 is stopped, and thus the chemical liquid discharge is stopped. The leakage of chemical liquid from the bag nozzle 130 is suppressed until a subsequent process is resumed.

구체적으로, 상기 흡입 밸브(820)는 상기 제 1 약액 공급라인(700a)에 수용되어 있는 약액에 대하여 음압(negative pressure)을 형성하는 석크백 밸브(820a, Suckback Valve:SV)와, 상기 석크밸브(820a)와 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1) 사이에 설치되어 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)으로부터 상기 제 1 약액 공급라인(700a)으로 약액을 통과시키거나 차단하는 개폐밸브(820b, Air Valve:AV)를 포함한다. In detail, the suction valve 820 includes a suckback valve (SV) 820a for forming a negative pressure with respect to the chemical liquid contained in the first chemical liquid supply line 700a, and the suction valve. It is installed between the 820a and the 2-1 chemical supply line (700b-1) to pass the chemical solution from the 2-1 chemical supply line (700b-1) to the first chemical supply line (700a) or On and off valve (820b, Air Valve: AV) for blocking.

상기 석크백 밸브(10)는 밀폐된 내부 공간을 가지며 제 1 에어라인(822a)에 연결된 제 1 몸체(11), 상기 제 1 몸체(11)와 상기 제 1 약액 공급라인(700a) 사이에 설치되며 약액을 흡입하기 위한 흡입구(16)를 가지는 흡입실(18), 상기 석크백 밸브(820a) 내부의 에어 압력에 따라 상기 제 1 약액 공급라인(700a)의 내부에 수용된 약액에 대하여 음압을 형성하는 다이아프램(15), 상기 제 1 몸체(11)의 내부 에 설치되고 상기 다이아프램(15)의 작동범위가 조절되도록 함에 의해 상기 제 1 약액 공급라인(700a)에 수용된 약액에 대한 흡입정도를 조절하는 누름부재(13), 외부에서 상기 누름부재(13)의 높이를 조절하는 높이 조절 부재(12) 및 상기 누름부재(13)의 설정 높이를 유지시키는 제 1 스프링(14)을 포함한다.The checkback valve 10 has a sealed inner space and is installed between the first body 11 and the first body 11 and the first chemical supply line 700a connected to the first air line 822a. And a negative pressure with respect to the chemical liquid contained in the first chemical liquid supply line 700a according to the air pressure in the suction chamber 18 having the suction port 16 for inhaling the chemical liquid and the suckback valve 820a. It is installed in the diaphragm 15, the first body 11 and the operating range of the diaphragm 15 to adjust the degree of suction for the chemical liquid contained in the first chemical supply line (700a) It includes a pressing member 13 for adjusting, a height adjusting member 12 for adjusting the height of the pressing member 13 from the outside, and a first spring 14 for maintaining a set height of the pressing member 13.

상기 개폐밸브(820b)는 밀폐된 내부 공간을 가지며 제 2 에어라인(822b)에 연결된 제 2 몸체(21), 상기 제 2 몸체(21)의 내부에 설치되고 상기 제 2 에어라인(822b)을 통하여 인가되는 에어 압력이 상승하면 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)을 개방하고, 상기 에어 압력이 하강하면 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)을 차단하는 차단 부재(23) 및 상기 차단 부재(23)가 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)을 차단할 때 상기 차단 부재(23)의 차단동작을 유지시키는 제 2 스프링(22)을 포함한다.The on-off valve 820b has a sealed inner space and is installed inside the second body 21 and the second body 21 connected to the second air line 822b and connects the second air line 822b. Opening the 2-1 chemical liquid supply line 700b-1 when the air pressure applied through the air is increased, and the blocking member blocking the 2-1 chemical liquid supply line 700b-1 when the air pressure is lowered. 23 and the second spring 22 for maintaining the blocking operation of the blocking member 23 when the blocking member 23 blocks the 2-1 chemical liquid supply line (700b-1).

상기 제어부(860)는 상기 흡입 밸브(820)를 통해 약액의 흐름을 제어한다. 구체적으로, 상기 제어부(860)가 약액 방출을 명령하는 제 1 제어 신호(S1)를 에어 밸브(824)로 출력한다. 상기 에어 밸브(824)는 상기 제 1 제어 신호(S1)에 응답하여 에어 라인들(822a,822b)을 통해 상기 흡입 밸브(820)로 에어를 공급한다. 이에 따라 상기 제 2 몸체(21) 내부공간의 에어 압력이 상승한다. 상기 제 2 몸체(21) 내부공간의 에어 압력이 상기 제 1 스프링(22)의 복원력보다 커지면 상기 제 2 몸체(21)에 구비된 차단 부재(23)가 수직 방향으로 상승한다. 따라서, 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)이 개방되어 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)에 공급된 약액이 제 1 약액 공급라인(700a)으로 통과된다. 이때, 제 1 몸체(11) 내의 내부공 간의 에어 압력도 상승하여 상기 누름 부재(13)가 수직 방향으로 하강한다. 이에 따라 다이아프램(15)은 수축된 상태를 약액의 방출 동작 동안 유지한다. 상기 제 1 약액 공급라인(700a)으로 통과된 약액은 기판 처리 장치(1)에 구비된 백 노즐(130)을 통해 웨이퍼(W)의 배면에 토출된다.The controller 860 controls the flow of the chemical liquid through the intake valve 820. In detail, the controller 860 outputs the first control signal S1 for commanding the chemical liquid discharge to the air valve 824. The air valve 824 supplies air to the intake valve 820 through air lines 822a and 822b in response to the first control signal S1. Accordingly, the air pressure in the inner space of the second body 21 increases. When the air pressure in the inner space of the second body 21 is greater than the restoring force of the first spring 22, the blocking member 23 provided in the second body 21 rises in the vertical direction. Therefore, the 2-1 chemical liquid supply line 700b-1 is opened so that the chemical liquid supplied to the 2-1 chemical liquid supply line 700b-1 passes through the first chemical liquid supply line 700a. At this time, the air pressure between the inner hole in the first body 11 also rises so that the pressing member 13 descends in the vertical direction. The diaphragm 15 thus maintains the retracted state during the discharge operation of the chemical liquid. The chemical liquid passed through the first chemical liquid supply line 700a is discharged to the back surface of the wafer W through the back nozzle 130 provided in the substrate processing apparatus 1.

이후, 상기 제어부(860)는 약액의 방출의 정지를 명령하는 제 2 제어 신호(S2)를 상기 에어 밸브(824)로 출력한다. 이때, 상기 에어밸브(824)는 상기 제 2 제어 신호(S2)에 응답하여 약액의 방출을 정지하도록 상기 개폐 밸브(820b)를 제어한다. 개폐 밸브는 약액 방출을 차단한다. 동시에 석크백 밸브(820a)는 상기 제 1 약액 공급라인(700a) 내부에 수용된 약액에 대하여 음압(negative pressure)을 형성하여 상기 약액을 흡입한다. Thereafter, the controller 860 outputs a second control signal S2 to the air valve 824 to command the stop of the discharge of the chemical liquid. In this case, the air valve 824 controls the open / close valve 820b to stop the discharge of the chemical liquid in response to the second control signal S2. An on / off valve shuts off chemical liquid discharge. At the same time, the suckback valve 820a injects the chemical liquid by forming a negative pressure with respect to the chemical liquid contained in the first chemical liquid supply line 700a.

계속해서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 약액 공급부(840)는 유체제어밸브(842), 유량계(844, flow meter) 및 약액 탱크(846)를 포함한다. Subsequently, as shown in FIG. 2, the chemical supply unit 840 includes a fluid control valve 842, a flow meter 844, and a chemical tank 846.

상기 유체제어밸브(842)는 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)과 제 2-2 약액 공급라인(700b-2) 사이에 설치되어 상기 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)을 통해 상기 흡입 밸브(820)와 연결된다. 상기 유체제어밸브(842)는 제 2-1 약액 공급라인(700b-1)과 제 2-2 약액 공급라인(700b-2) 사이의 유로의 개구 면적을 변화시킴으로써 약액의 유량을 제어한다. 특별히 한정하는 것은 아니지만, 상기 유체제어밸브(842)는 공기식으로 약액의 유량을 제어하는 니들밸브(needle valve) 내지 핀치 밸브(pinch valve)일 수 있다. 또한, 상기 유체제어밸브(842)는 전기식으로 약액의 유량을 제어하는 니들 밸브 내지 핀치 밸브일 수도 있다. 또한, 이러한 유체제어밸 브(842)는 수동 밸브일 수 있으며, 특히, 상기 유체제어밸브(842)가 니들밸브인 경우, 작업자가 수동 밸브의 니들(needle)을 직접 조작하여 유량을 조절할 수 있다.The fluid control valve 842 is installed between the 2-1 chemical liquid supply line 700b-1 and the 2-2 chemical liquid supply line 700b-2 to provide the 2-1 chemical liquid supply line 700b-1. It is connected to the intake valve 820 through. The fluid control valve 842 controls the flow rate of the chemical liquid by changing the opening area of the flow path between the 2-1 chemical liquid supply line 700b-1 and the 2-2 chemical liquid supply line 700b-2. Although not particularly limited, the fluid control valve 842 may be a needle valve or a pinch valve that controls the flow rate of the chemical liquid by air. In addition, the fluid control valve 842 may be a needle valve or a pinch valve to electrically control the flow rate of the chemical liquid. In addition, such a fluid control valve 842 may be a manual valve, in particular, when the fluid control valve 842 is a needle valve, the operator can directly control the needle (needle) of the manual valve to adjust the flow rate .

상기 유량계(844)는 상기 제 2-2 약액 공급라인(700b-2)과 상기 제 2-3 약액 공급라인(700b-3) 사이에 설치되어 상기 제 2-2 약액 공급라인(700b-2)을 통해 상기 유체제어밸브(842)와 연결된다. 또한, 상기 유량계(844)는 상기 제어부(860)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 유량계(844)는 이송되는 약액의 유량값을 검출하고, 검출된 유량값을 전기적인 신호로 변환하여 상기 제어부(860)로 전송한다. 작업자는 상기 제어부(860)를 통해 유량계(844)에서 검출된 유량을 하나의 화면에 모니터링 할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(860)는 상기 검출된 유량을 모니터링할 수 있는 표시수단(미도시)을 더 포함할 수 있다. 작업자는 상기 검출된 유량을 모니터링하면서 상기 약액을 유량을 상기 유체제어밸브(842)를 통해 제어한다. The flow meter 844 is installed between the 2-2 chemical liquid supply line 700b-2 and the 2-3 chemical liquid supply line 700b-3 to provide the second chemical liquid supply line 700b-2. It is connected to the fluid control valve 842 through. In addition, the flow meter 844 may be electrically connected to the controller 860. The flowmeter 844 detects a flow rate value of the chemical liquid to be transferred, converts the detected flow rate value into an electrical signal, and transmits it to the control unit 860. The operator may monitor the flow rate detected by the flow meter 844 through the control unit 860 on one screen. Accordingly, the controller 860 may further include display means (not shown) for monitoring the detected flow rate. The operator controls the flow rate of the chemical liquid through the fluid control valve 842 while monitoring the detected flow rate.

상기 약액 탱크(846)는 약액을 저장하는 저장 탱크로서, 상기 제 2-3 약액 공급라인(700b-3)를 통해 상기 플로우 미터(844)와 연결된다. The chemical liquid tank 846 is a storage tank for storing the chemical liquid, and is connected to the flow meter 844 through the 2-3 chemical liquid supply line 700b-3.

상기한 설명에서는 본 발명의 실시 예를 위주로 도면을 따라 예를 들어 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 또는 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이다. 예를 들어, 사안이 다른 경우에 상기 노즐의 외관 구조나 노즐의 개수를 본 발명의 기술적 사상을 벗어남이 없이 다양한 형태로 변경할 수 있음은 물론이다.In the above description, the embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, for example. However, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be variously modified or changed within the scope of the technical idea of the present invention. . For example, in case of different matters, the appearance structure of the nozzle or the number of nozzles may be changed into various forms without departing from the technical spirit of the present invention.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 설비를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 약액 공급 장치의 구성을 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the chemical liquid supply device shown in FIG. 1.

도 3은 도 2에 도시된 흡입밸브를 나타내는 도면이다.3 is a view showing the intake valve shown in FIG.

Claims (5)

약액을 공급받아서 기판의 배면에 상기 약액을 토출하는 백 노즐을 포함하는 기판 처리부; A substrate processing unit including a back nozzle receiving the chemical liquid and discharging the chemical liquid to the back surface of the substrate; 약액 탱크로부터 상기 백 노즐로 상기 약액을 이송하는 약액 공급라인; 및A chemical liquid supply line for transferring the chemical liquid from the chemical liquid tank to the bag nozzle; And 상기 약액 공급라인 상에 설치되는 흡입밸브를 포함하되,Including a suction valve is installed on the chemical supply line, 상기 약액 공급라인은 상기 백 노즐과 상기 흡입밸브를 연결하는 제 1 약액 공급라인과, 상기 약액 탱크와 상기 흡입밸브를 연결하는 제 2 약액 공급라인을 포함하고, The chemical liquid supply line includes a first chemical liquid supply line connecting the bag nozzle and the suction valve, and a second chemical liquid supply line connecting the chemical liquid tank and the suction valve, 상기 흡입밸브는 상기 백 노즐로부터 상기 약액의 토출이 정지되는 시간 동안 상기 제 1 약액 공급라인에 잔존해 있는 상기 약액을 흡입하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.And the suction valve sucks the chemical liquid remaining in the first chemical liquid supply line during the time when the discharge of the chemical liquid is stopped from the bag nozzle. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 약액의 배출을 지시하는 제 1 제어 신호 및 상기 약액의 흡입을 지시하는 제 2 제어 신호를 출력하는 제어부를 더 포함하고,And a control unit outputting a first control signal instructing to discharge the chemical liquid and a second control signal instructing suction of the chemical liquid. 상기 흡입 밸브는 상기 제 1 제어 신호에 따라서 상기 제 2 약액 공급라인을 통해 공급된 상기 약액을 상기 제 1 약액 공급라인으로 배출하고, 상기 제 2 제어 신호에 따라서 상기 제 1 약액 공급라인으로 상기 약액의 배출을 정지하고 상기 제 1 약액 공급라인에 잔존하는 상기 약액을 흡입하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.The suction valve discharges the chemical liquid supplied through the second chemical liquid supply line to the first chemical liquid supply line according to the first control signal, and the chemical liquid to the first chemical liquid supply line according to the second control signal. And discharge the chemical liquid remaining in the first chemical liquid supply line. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140290698A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 Semes Co., Ltd. Chemical supplying unit, substrate treatment apparatus, and method of treating substrate using the substrate treatment appparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330904A (en) * 1996-06-13 1997-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus for treating substrate
JPH10144642A (en) 1996-11-05 1998-05-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus
JP2003309102A (en) * 2002-04-16 2003-10-31 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for liquid treatment
JP2005340661A (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment device and liquid treatment method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330904A (en) * 1996-06-13 1997-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus for treating substrate
JPH10144642A (en) 1996-11-05 1998-05-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus
JP2003309102A (en) * 2002-04-16 2003-10-31 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for liquid treatment
JP2005340661A (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment device and liquid treatment method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11655907B2 (en) 2018-10-02 2023-05-23 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and safety valve applied thereto

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