KR20150135969A - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate comprises: a chamber; a conveying unit disposed in the chamber, and conveying a substrate along a first direction; a housing disposed in the chamber, and providing a first space of which a lower portion is opened; and a spraying member disposed in the housing, and spraying a first fluid to a substrate. A first exhaust pipe installed with a first decompression member is coupled to the first space, and a second exhaust pipe installed with a second decompression member is coupled to a second space between the housing and the chamber. In addition, the present invention provides a method for processing a substrate. When the first fluid is sprayed by the spraying member, the first decompression member and the second decompression member provide, to the first space, negative pressure greater than that of the second space.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for cleaning a substrate.

세정 공정은 기판 위의 이물질 및 입자들을 제거하는 공정으로서 기판 상에 형성된 소자들의 손실을 최소화하여 수율을 향상시키기 위한 것이다. 세정 공정에는 순수와 같은 세정액을 기판의 표면에 공급하는 수세공정과, 수세 후에 기판의 표면으로부터 순수를 제거하기 위하여 건조 가스를 분사하는 건조 공정으로 이루어진다.The cleaning process is a process for removing foreign substances and particles on a substrate to improve the yield by minimizing the loss of elements formed on the substrate. The cleaning step includes a washing step of supplying a cleaning liquid such as pure water to the surface of the substrate and a drying step of spraying a drying gas to remove pure water from the surface of the substrate after the washing step.

또한, 상술한 공정들을 수행하는 챔버들은 일렬로 배치될 수 있다. 챔버에 형성된 개구부를 통해 기판은 순차적으로 이동되어 약액 처리 공정, 세정 고정 및 건조 공정 등과 같은 공정들이 수행될 수 있다. 예를 들면, 약액 처리를 위한 챔버에서는 현상액, 에칭액 등의 약액을 기판에 공급하여 기판을 처리한 후, 약액Further, the chambers performing the above-described processes may be arranged in a line. The substrate is sequentially moved through the opening formed in the chamber, and processes such as a chemical solution process, a cleaning fixation, and a drying process can be performed. For example, in a chamber for chemical liquid treatment, a chemical liquid such as a developing solution or an etching liquid is supplied to the substrate to treat the substrate,

처리된 기판을 세정 챔버로 이송하여 수세 처리 및 건조 처리를 수행한다. 세정 공정을 수행할 때, 세정액으로부터 발생하는 미스트(mist)가 다른 공정을 수행하는 챔버로 전이되거나, 미스트 발생으로 설비 내부의 시야확보가 힘든 문제점이 있었다. 또한, 미스트 발생으로 액맺힘 현상이 발생하였다.The processed substrate is transported to the cleaning chamber, and washing and drying processes are performed. When the cleaning process is performed, there is a problem that the mist generated from the cleaning liquid is transferred to the chamber performing another process, or mist is generated, making it difficult to secure a view of the inside of the equipment. Also, liquid condensation occurred due to mist generation.

본 발명의 일 기술적 과제는 기류를 형성하여 세정 시 발생하는 미스트를 급속 배기하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.A first aspect of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for rapidly evacuating mist generated during cleaning by forming an air flow.

본 발명의 다른 기술적 과제는 노즐을 설치하여 기판의 수막을 제거하고, 세정력을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for removing a water film of a substrate by installing nozzles and improving cleaning power.

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 챔버 내에 배치되며 하부가 개방된 제 1 공간을 제공하는 하우징 및 상기 하우징 내에 배치되며, 기판으로 제 1 액을 분사하는 분사 부재를 포함하되, 상기 제 1 공간에는 제 1 감압부재가 설치된 제 1 배기관이 결합되고, 상기 하우징과 상기 챔버의 사이의 제 2 공간에는 제 2 감압부재가 설치된 제 2 배기관이 결합된다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing apparatus includes a chamber, a transfer unit disposed in the chamber and carrying along a first direction, a housing disposed in the chamber and providing a first space having an open bottom, A first exhaust pipe provided with a first pressure reducing member is coupled to the first space and a second exhaust pipe provided with a second pressure reducing member is coupled to a second space between the housing and the chamber, .

일 예에 의하여, 상기 제 1 감압부재 및 상기 제 2 감압부재는 상기 제 1 공간에 상기 제 2 공간보다 더 큰 음압이 제공되도록 설정된다. According to an example, the first pressure-sensitive member and the second pressure-sensitive member are set to provide a larger sound pressure in the first space than in the second space.

다른 예에 의하여, 상기 기판 처리 장치는, 상기 하우징의 상류 및 상기 하우징의 하류에 각각 제공되며 상기 하우징을 향해 경사지게 유체를 공급하는 노즐을 더 포함한다.According to another example, the substrate processing apparatus further includes a nozzle provided upstream of the housing and downstream of the housing, respectively, and supplying the fluid obliquely toward the housing.

다른 예에 의하여, 상기 기판 처리 장치는 상기 제 2 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 더 포함한다.According to another example, the substrate processing apparatus further includes a gas supply unit for supplying gas into the second space.

다른 예에 의하여, 상기 하우징은 측벽을 포함하고, 상기 제 1 공간은 상기 측벽과 상기 챔버의 상벽에 의해 제공된다.According to another example, the housing includes a side wall, and the first space is provided by the side wall and the top wall of the chamber.

다른 예에 의하여, 상기 하우징은 측벽 및 상벽을 포함하고, 상기 제 1 공간은 상기 측벽과 상기 상벽에 의해 제공된다.According to another example, the housing includes a side wall and an upper wall, and the first space is provided by the side wall and the upper wall.

다른 예에 의하여, 상기 하우징의 측벽에는 기체가 유입되는 홀이 형성된다.According to another example, the side wall of the housing is formed with a hole through which the gas flows.

다른 예에 의하여, 상기 제 2 공간 내에 배치되어, 기판으로 제 2 액을 공급하는 세정 노즐을 더 포함한다. 상기 분사 부재는 상기 세정 노즐보다 더 큰 압력으로 유체를 공급한다.According to another example, the cleaning apparatus further includes a cleaning nozzle disposed in the second space and supplying the second liquid to the substrate. The jetting member supplies the fluid with a pressure greater than that of the cleaning nozzle.

다른 예에 의하여, 상기 기판 처리 장치는 상기 분사 부재의 분사압을 결정하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 분사 부재 아래에 기판이 없는 경우 상기 분사 부재가 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하고, 상기 분사 부재 아래로 기판이 지나가는 경우 상기 분사 부재가 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어하는 것을 포함한다.According to another example, the substrate processing apparatus further includes a controller for determining an ejection pressure of the ejection member, wherein the controller controls the ejection member to eject the first liquid at the first pressure when the substrate is not under the ejection member, And controlling the injection member to inject the first liquid at the second pressure when the substrate passes under the injection member.

다른 예에 의하여, 상기 기판이 상기 분사 부재 아래로 지나가는지 여부를 감지하고, 감지된 신호를 상기 제어기로 전송하는 센서를 더 포함한다.According to another example, the apparatus further comprises a sensor for detecting whether the substrate passes under the injection member, and for transmitting the sensed signal to the controller.

본 발명은 기판 처리 방법을 제공하다. 기판 처리방법은 상기 분사 부재로 상기 제 1 액을 분사할 때, 상기 제 1 감압부재 및 상기 제 2 감압부재는 상기 제 1 공간에 상기 제 2 공간보다 더 큰 음압을 제공하는 것을 포함한다.The present invention provides a substrate processing method. The substrate processing method includes providing the first space with a larger sound pressure than the second space when the first liquid is ejected to the ejection member.

다른 예에 의하여, 상기 제 2 공간 내에 배치되어, 기판으로 제 2 액을 공급하는 세정노즐이 제공되고, 상기 분사 부재는 상기 세정 노즐보다 더 큰 압력으로 유체를 공급하는 것을 포함한다. According to another example, there is provided a cleaning nozzle disposed in the second space for supplying a second liquid to the substrate, the jetting member including supplying fluid at a pressure greater than that of the cleaning nozzle.

다른 예에 의하여, 상기 하우징 내의 상기 분자부재 하부에 상기 기판이 없는 경우 상기 분사 부재는 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하고, 상기 하우징 내의 상기 분사 부재 하부에 상기 기판이 지나가는 경우 상기 분사 부재는 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하는 것을 포함한다. According to another example, when the substrate is not present under the molecular member in the housing, the injection member injects the first liquid at a first pressure, and when the substrate passes under the injection member in the housing, And injecting the first liquid at a second pressure.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 노즐을 통해 세정 시 발생하는 미스트를 급속 배기할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, mist generated during cleaning can be rapidly exhausted through a nozzle.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기체 분사 유닛을 설치하여 기판의 수막을 제거하고, 분사 부재의 세정 타력을 향상시키고, 세정력을 향상시킨다.According to an embodiment of the present invention, a gas injection unit is provided to remove the water film on the substrate, improve the cleaning force of the injection member, and improve the cleaning power.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기류를 통해 하우징 상부의 액맺침 현상을 감소시킨다.According to an embodiment of the present invention, liquid confinement of the upper portion of the housing is reduced through the airflow.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 챔버 내의 반송 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 4은 도 1의 기판 처리 장치의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 7은 도 1의 기판 처리 장치의 사용 예에 따른 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing the carrying unit in the chamber of Fig. 1;
3 is a cross-sectional view of another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.
4 is a cross-sectional view of another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.
5 is a cross-sectional view of another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.
6 is a cross-sectional view of another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.
7 is a cross-sectional view of an example of use of the substrate processing apparatus of FIG.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 챔버(100) 내의 반송 유닛(200)을 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a transfer unit 200 in the chamber 100 of FIG.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 반송 유닛(200), 하우징(300), 세정 노즐(400) 및 기체 분사 유닛(500)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 includes a process chamber 100, a transfer unit 200, a housing 300, a cleaning nozzle 400, and a gas injection unit 500.

공정 챔버(100)는 기판(S)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 공정 챔버(100) 내에는 반송 유닛(200)이 제공될 수 있다. 공정 챔버(100) 측면의 출입구(110,120)를 통해 기판(S)이 유입되고 배출된다. 일 예로, 공정 챔버(100)는 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104), 그리고 건조 챔버(106)를 포함한다. 에칭 챔버(102)는 기판(S)에 케미컬을 공급하여 식각 공정을 진행한다. 세정 챔버(104)는 에칭 공정이 완료된 기판(S) 상에 순수를 공급하여 케미컬을 제거한다. 건조 챔버(106)는 기판(S) 표면에 잔류하는 케미컬 또는 순수를 건조시킨다.The process chamber 100 provides a space for processing the substrate S. [ A transfer unit 200 may be provided in the process chamber 100. The substrate S is introduced and discharged through the entrances 110 and 120 on the side of the process chamber 100. In one example, the process chamber 100 includes an etch chamber 102, a cleaning chamber 104, and a drying chamber 106. The etching chamber 102 supplies a chemical to the substrate S and proceeds the etching process. The cleaning chamber 104 removes the chemical by supplying pure water onto the substrate S having been subjected to the etching process. The drying chamber 106 dries the chemical or pure water remaining on the surface of the substrate S.

공정 챔버(100) 내에는 반송 유닛(200)이 제공될 수 있다. 반송 유닛(200)은 챔버(100)들 간에, 그리고 공정 챔버(100) 내에서 기판(S)을 제 1 방향(12)으로 이동시킨다. 도 2를 참조하면, 반송 유닛(200)은 복수의 샤프트들(220), 롤러들(240), 그리고 구동부(260)를 가진다. 복수의 샤프트들(220)은 제 1 방향(12)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(220)는 그 길이 방향이 제 2 방향(16)으로 제공된다. 제 2 방향(16)은 세정 챔버(104)의 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)와 수직한다. 샤프트들(220)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(220)은 기판 유입구(110)와 인접한 위치에서부터 기판 유출구(120)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(220)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러들(240)이 고정 결합된다. 샤프트들(220)은 그 중심축을 기준으로 구동부(260)에 의해 회전된다. 구동부(260)는 풀리들(262), 벨트들(264), 그리고 모터(266)를 가진다. 풀리들(262)은 각각의 샤프트(220)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(220)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(262)은 벨트(264)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(262) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(266)가 결합된다. 상술한, 풀리(262), 벨트(264), 그리고 모터(266)의 조립체에 의해 샤프트들(220)과 롤러들(240)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러에 접촉된 상태로 샤프트들(220)을 따라 직선 이동된다. 각각의 샤프트(220)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다. 선택적으로 각각의 샤프트(220)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어, 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.
A transfer unit 200 may be provided in the process chamber 100. The transfer unit 200 moves the substrate S in the first direction 12 between the chambers 100 and within the process chamber 100. Referring to FIG. 2, the transport unit 200 has a plurality of shafts 220, rollers 240, and a drive unit 260. A plurality of shafts (220) are arranged along the first direction (12). Each shaft 220 is provided with its longitudinal direction in a second direction 16. The second direction 16 is perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top of the cleaning chamber 104. The shafts 220 are disposed side by side. Shafts 220 are provided from a location adjacent to the substrate inlet 110 to a location adjacent to the substrate outlet 120. A plurality of rollers 240 are fixedly coupled to the respective shafts 220 along the longitudinal direction thereof. The shafts 220 are rotated by the driving unit 260 about the center axis thereof. The drive portion 260 has pulleys 262, belts 264, and a motor 266. The pulleys 262 are coupled to both ends of the respective shafts 220, respectively. The pulleys 262 coupled to the different shafts 220 and disposed adjacent to each other are connected to each other by a belt 264. One of the pulleys 262 is coupled to a motor 266 for rotating it. The shaft 220 and the rollers 240 are rotated by the assembly of the pulley 262, the belt 264 and the motor 266 described above and the substrate S is in contact with the roller As shown in FIG. Each shaft 220 is horizontally disposed and the substrate S can be transported in a horizontal state. Optionally, one end and the other end of each shaft 220 are provided at different heights, so that the substrate S can be transported in an inclined state.

세정 챔버(104)내 공간은 하우징(300) 내의 제 1 공간(130)과 세정 챔버(104) 내의 하우징(300) 외부의 공간인 제 2 공간(140)으로 구분된다. 하우징(300)은 측벽(302)과 상벽(304)을 가진다. 제 1 공간(130)은 측벽(302)과 상벽(304)에 의해 제공된다.The space inside the cleaning chamber 104 is divided into a first space 130 in the housing 300 and a second space 140 that is a space outside the housing 300 in the cleaning chamber 104. The housing 300 has a side wall 302 and a top wall 304. The first space 130 is provided by a sidewall 302 and a top wall 304.

선택적으로, 도 3의 경우, 하우징(1300)은 측벽(1302)과 세정 챔버(1100)의 상벽(1102)을 가진다. 제 1 공간(1330)은 측벽(1302)과 세정 챔버(1100)의 상벽(1102)에 의해 제공된다. 3, the housing 1300 has a side wall 1302 and a top wall 1102 of the cleaning chamber 1100. The first space 1330 is provided by the side wall 1302 and the top wall 1102 of the cleaning chamber 1100.

하우징(300) 내에 분사 부재(800)가 위치한다. 분사 부재(800)는 제 1 액을 분사한다. 제 1 공간(130)에는 제 1 감압부재(700)가 설치된 제 1 배기관(600)이 연결된다. 하우징(300)에는 기판(S)을 감지하는 센서(900)가 위치한다. 하우징(300)의 측벽은 분사 부재(800)의 위치보다 하부까지 연장된다. 하우징(300)은 세정을 통해 발생한 미스트가 제 2 공간(140)으로 유출되는 것을 막는 역할을 한다. 하우징(300)은 제 1 공간(130)에만 미스트가 머물도록 하고, 제 1 배기관(600)은 미스트를 빠르게 배기한다. 미스트가 다른 챔버(100)에 유입되면, 공정 불량을 유발한다. 제 1 감압부재(700)는 제 1 공간(130)에 제 2 공간(140)보다 더 큰 음압이 제공되도록 한다.The injection member 800 is located in the housing 300. The injection member 800 injects the first liquid. A first exhaust pipe 600 provided with a first pressure reducing member 700 is connected to the first space 130. In the housing 300, a sensor 900 for sensing the substrate S is positioned. The side wall of the housing 300 extends to the lower side than the position of the injection member 800. [ The housing 300 serves to prevent mist generated through cleaning from flowing out into the second space 140. The housing 300 allows the mist to stay in the first space 130, and the first exhaust pipe 600 quickly exhausts the mist. When the mist flows into the other chamber 100, a process failure is caused. The first pressure-sensitive member 700 allows the first space 130 to be provided with a larger sound pressure than the second space 140.

분사 부재(800)는 하우징(300) 내에 위치한다. 분사 부재(800)는 고압 펌프에 의해 생성된 제 1 액을 기판(S)에 공급할 수 있다. 분사 부재(800)는 워터 젯(water jet) 노즐들일 수 있다. 예를 들어, 제1 액은 순수일 수 있다. 제1 액이 기판(S)을 고압으로 타격하는 물리적인 힘에 의해 기판(S)에 고착된 이물이 용이하게 세정될 수 있다. 제1 액이 고압으로 기판(S) 측으로 분사되는 동안에, 제 1 액에 의해 미스트가 발생될 수 있다. 그 결과, 미스트의 일부는 하우징(300) 내를 부유한 후에, 하우징(300) 측벽 또는 하우징(300) 상부에 맺혀 액체가 될 수 있다. 미스트는 세정 챔버(104) 내부의 시야 확보를 어렵게 한다. 미스트는 주변 설비로 넘어가면 벽면 결로현상으로 인해여 박테리아가 발생한다. 하우징(300) 내부의 미스트는 제 1 감압부재(700)가 설치된 제 1 배기관(600)을 통해 배출될 수 있다. The injection member 800 is located within the housing 300. The injection member 800 can supply the substrate S with the first liquid generated by the high-pressure pump. Injection member 800 may be water jet nozzles. For example, the first solution may be pure. The foreign substance fixed to the substrate S by the physical force hitting the substrate S at a high pressure can be easily cleaned. While the first liquid is jetted toward the substrate S at a high pressure, mist can be generated by the first liquid. As a result, a part of the mist may float in the housing 300 and then become liquid on the sidewall of the housing 300 or on the upper portion of the housing 300. The mist makes it difficult to secure a view inside the cleaning chamber 104. When the mist is passed to the surrounding facility, airborne bacteria are generated by the condensation on the wall. The mist inside the housing 300 can be discharged through the first exhaust pipe 600 provided with the first pressure reducing member 700.

제 2 공간(140)에는 세정 노즐(400)이 위치된다. 또한, 제 2 공간(140)에는 제 2 감압부재(710)가 설치된 제 2 배기관(610)이 연결된다. 제 2 배기관(610)은 세정 챔버(104)의 상벽에 연결될 수 있다. 세정 노즐(400)은 샤워노즐일 수 있다. 세정 노즐(400)은 분사 부재(800)에 비해 상대적으로 낮은 압력으로 액을 공급한다. 세정 노즐(400)은 기판(S)에 대해 제 2 액을 공급한다. 예를 들어, 제 2 액은 순수일 수 있다. 세정 노즐(400)에 의해 발생된 미스트는 제 2 감압부재(710)가 설치된 제 2 배기관(610)에 의해 배기된다. 제 2 감압부재(710)는 제 2 공간(140)에 제 1 공간(130)보다 작은 음압이 제공되도록 한다. The cleaning nozzle 400 is located in the second space 140. A second exhaust pipe 610 having a second pressure reducing member 710 is connected to the second space 140. The second exhaust pipe 610 may be connected to the upper wall of the cleaning chamber 104. The cleaning nozzle 400 may be a shower nozzle. The cleaning nozzle 400 supplies the liquid at a relatively low pressure as compared with the jetting member 800. The cleaning nozzle 400 supplies the second liquid to the substrate S. For example, the second solution may be pure. The mist generated by the cleaning nozzle 400 is exhausted by the second exhaust pipe 610 provided with the second pressure-reducing member 710. The second pressure-applying member 710 allows the second space 140 to be provided with a sound pressure smaller than that of the first space 130.

하우징(300) 측벽 하면에 센서(900)가 설치된다. 일 실시 예로 센서(900)는 2개가 설치될 수 있다. 센서(900)는 기판(S)이 분사 부재(800) 아래를 지나가는지 여부를 감지한다. 감지된 신호는 제어기(미도시)로 전송된다. A sensor 900 is installed on the bottom surface of the side wall of the housing 300. In one embodiment, two sensors 900 may be installed. The sensor 900 senses whether the substrate S passes under the injection member 800. The sensed signal is transmitted to a controller (not shown).

기체 분사 유닛(500)은 기류를 생성한다. 기체 분사 유닛(500)은 하우징(300)의 측벽 외부에 설치된다. 기체 분사 유닛(500)은 하우징(300) 방향으로 하향 경사지게 설치된다. 기체 분사 유닛(500)을 통해 분사된 기체를 하우징(300) 하부와 기판(S) 사이로 공급한다. 생성된 기류는 미스트가 하우징(300) 외부로 유출되는 것을 막는다. 기체 분사 유닛(500)은 에어 스프레이일 수 있다. 예를 들어, 에어 스프레이는 에어 나이프 형상 및 노즐들이 제공된 바(Bar) 형상일 수 있다. 기판(S) 상의 수막 제거를 용이하게 한다. 기판(S) 상의 수막이 제거되므로 분사 부재(800)에 의한 세정력이 향상된다. The gas injection unit 500 generates an air flow. The gas injection unit 500 is installed outside the side wall of the housing 300. The gas injection unit 500 is installed to be inclined downward toward the housing 300. The gas injected through the gas injection unit 500 is supplied between the lower portion of the housing 300 and the substrate S. The generated airflow prevents the mist from flowing out of the housing 300. The gas injection unit 500 may be an air spray. For example, the air spray may be in the form of a bar provided with air knife shapes and nozzles. Thereby facilitating the removal of the water film on the substrate S. The water film on the substrate S is removed, so that the cleaning ability by the jetting member 800 is improved.

일 실시예로, 도 4와 같이, 기체 분사 유닛(2500)은 제 2 공간(2140)의 세정 챔버(2100) 상부에 위치할 수 있다. 기체 분사 유닛(2500)은 제 2 공간(2140)에 기체를 공급한다. 공급된 기체는 하우징(2300) 하부와 기판(S) 사이로 기류를 형성한다. 기체 분사 유닛(2500)은 에어 유닛일 수 있다. 예를 들어, 에어 유닛은 팬 필터 유닛 등을 포함한다. 생성된 기류는 미스트가 하우징(2300) 외부로 유출되는 것을 막는다.In one embodiment, as shown in FIG. 4, the gas injection unit 2500 may be located above the cleaning chamber 2100 of the second space 2140. The gas injection unit 2500 supplies gas to the second space 2140. The supplied gas forms an air flow between the bottom of the housing 2300 and the substrate S. The gas injection unit 2500 may be an air unit. For example, the air unit includes a fan filter unit or the like. The generated airflow prevents the mist from flowing out of the housing 2300.

다른 실시 예로, 도 5와 같이, 기체 분사 유닛(3500)은 제 2 공간(3140)의 세정 챔버(3100) 상부에 위치한다. 기체 분사 유닛(3500)은 제 2 공간(3140)에 기체를 공급한다. 공급된 기체는 하우징(3300) 하부와 기판(S) 사이로 기류를 형성한다. 기체 분사 유닛(3500)은 에어 홀일 수 있다. 예를 들어, 에어 홀은 기류 공급 홀일 수 있다. 생성된 기류는 미스트가 하우징(3300) 외부로 유출되는 것을 막는다.
In another embodiment, as shown in FIG. 5, the gas ejection unit 3500 is located above the cleaning chamber 3100 of the second space 3140. The gas injection unit 3500 supplies gas to the second space 3140. The supplied gas forms an airflow between the lower portion of the housing 3300 and the substrate S. The gas injection unit 3500 may be an air hole. For example, the air hole may be an air flow supply hole. The generated airflow prevents the mist from flowing out of the housing 3300.

도 6는 도 1의 기판 처리 장치(1)의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.6 is a cross-sectional view of another embodiment of the substrate processing apparatus 1 of FIG.

도 6을 참조하면, 하우징(4300)은 측벽(4302)과 상벽(4304)을 가진다. 제 1 공간(4130)은 측벽(4302)과 상벽(4304)에 의해 제공된다. 하우징(4300)의 측벽(4302)에 기체가 유입되는 홀(4320)이 형성된다. 기체 분사 유닛(4500)을 통해 제 2 공간(4140)으로 기체를 공급한다. 본 실시 예에서는, 기체 분사 유닛(4500)은 에어 유닛인 경우로 설명한다. 기체 분사 유닛(4500)은 제 2 공간(4140)의 세정 챔버(4100) 상부에 위치한다. 공급된 기체의 일부는 하우징(4300) 측벽의 홀(4320)을 통해 하우징(4300) 내부로 유입되고, 공급된 기체의 일부는 하우징(4300)과 기판(S) 사이로 유입된다. 홀(4320)을 통해 하우징(4300) 내로 유입된 기체는 미스트로 인해 하우징(4300) 상벽에 맺힌 액을 제거할 수 있다. 하우징(4300)과 기판(S) 사이로 유입된 기체는 미스트가 하우징(4300) 외부로 유출되는 것을 막도록 기류를 형성한다.
Referring to FIG. 6, the housing 4300 has a side wall 4302 and a top wall 4304. The first space 4130 is provided by sidewalls 4302 and upper walls 4304. A hole 4320 through which gas flows into the side wall 4302 of the housing 4300 is formed. And supplies the gas to the second space 4140 through the gas injection unit 4500. In this embodiment, it is assumed that the gas ejection unit 4500 is an air unit. The gas injection unit 4500 is located above the cleaning chamber 4100 of the second space 4140. A part of the supplied gas is introduced into the housing 4300 through the hole 4320 in the side wall of the housing 4300 and a part of the supplied gas flows into the space between the housing 4300 and the substrate S. The gas introduced into the housing 4300 through the holes 4320 can remove the liquid formed on the upper wall of the housing 4300 due to the mist. The gas introduced between the housing 4300 and the substrate S forms an air flow to prevent the mist from flowing out of the housing 4300.

도 7은 도 1의 기판 처리 장치(1)의 사용 예에 따른 단면도이다.7 is a cross-sectional view of an example of use of the substrate processing apparatus 1 of FIG.

도 7을 참조하면, 기판은 분사 부재(5800) 아래에 위치한다. 센서(5900)는 기판(S)이 분사 부재(5800) 아래를 지나가는지 여부를 감지한다. 감지된 신호는 제어기(미도시)로 전송된다. 분사 부재(5800) 아래에 기판(S)이 있는 경우, 제어기(미도시)는 분사 부재(5800)가 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다. 제 2 압력은 제 1 압력보다 크다. 기판(S)이 없는 경우 세정액을 상대적으로 낮은 압력으로 분사하여 세정액의 사용을 감소시킬 수 있다. 기판(S)의 끝부분에 높은 압력으로 세정액이 분사되면, 기판(S)의 손상이 야기된다. 따라서, 기판(S)이 분사 부재(5800) 아래를 지난 후에 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하여 기판(S)의 손상을 막을 수 있다. 센서(5900)는 제 1 방향을 기준으로 기판(S)의 후면이 분사 부재(5800)를 지나가면 이를 감지할 수 있다. 이 때, 제어기(미도시)는 센서(5900)로부터 신호를 전송받아 분사 부재(5800)가 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다. Referring to FIG. 7, the substrate is positioned below the injection member 5800. The sensor 5900 senses whether the substrate S passes under the jetting member 5800. The sensed signal is transmitted to a controller (not shown). If there is a substrate S below the ejection member 5800, the controller (not shown) controls the ejection member 5800 to eject the first liquid at the second pressure. The second pressure is greater than the first pressure. If there is no substrate S, the cleaning liquid can be jetted at a relatively low pressure to reduce the use of the cleaning liquid. When the cleaning liquid is sprayed at a high pressure on the end portion of the substrate S, damage to the substrate S is caused. Accordingly, after the substrate S passes under the jetting member 5800, the first liquid can be jetted at the second pressure to prevent the substrate S from being damaged. The sensor 5900 can sense the rear surface of the substrate S passing through the jetting member 5800 with respect to the first direction. At this time, the controller (not shown) receives a signal from the sensor 5900 and controls the injection member 5800 to inject the first liquid at the first pressure.

다른 실시 예로, 센서(5900)는 기판(S)이 하우징(5300) 내로 진입하였는지 여부를 감지할 수 있다. 도 7과 같이 기판(S)이 하우징(5300) 내부로 진입할 때, 센서(5900)는 기판(S)의 유무를 감지한다. 이 때, 제어기(미도시)는 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다. 기판(S)이 하우징(5300) 내부로 진입하지 않는 경우, 제어기(미도시)는 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다. 센서(5900)는 제 1 방향(12)을 기준으로 기판(S)의 후면이 하우징(5300)을 통과하면 이를 감지할 수 있다. 이 때, 제어기(미도시)는 센서(5900)로부터 신호를 전송받아 분사 부재(5800)가 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다.
In another embodiment, the sensor 5900 may sense whether the substrate S has entered the housing 5300. As shown in FIG. 7, when the substrate S enters the inside of the housing 5300, the sensor 5900 senses the presence or absence of the substrate S. At this time, the controller (not shown) controls to inject the first liquid at the second pressure. When the substrate S does not enter the inside of the housing 5300, the controller (not shown) controls the first liquid to be sprayed at the first pressure. The sensor 5900 can sense the substrate S when the rear surface of the substrate S passes through the housing 5300 with respect to the first direction 12. At this time, the controller (not shown) receives a signal from the sensor 5900 and controls the injection member 5800 to inject the first liquid at the first pressure.

상술한 예들에서는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 예를 들어, 에칭 공정에도 적용될 수 있고, 액은 케미컬이 제공될 수 있다. 예를 들어, 건조 공정에도 적용될 수 있고, 액은 건조 가스가 제공될 수 있다. 상술한 예에서는 세정 챔버를 예로 들었지만 에칭 챔버 및 건조 챔버에도 기체 분사 유닛을 이용할 수 있다.
In the above-described examples, the cleaning process for the substrate has been described. However, the number of process chambers and the type of process may differ. For example, it may be applied to an etching process, and the liquid may be provided with a chemical. For example, it may be applied to a drying process, and the liquid may be provided with a drying gas. Although the cleaning chamber is exemplified in the above-described example, the gas injection unit can be used in the etching chamber and the drying chamber.

Claims (14)

기판 처리 장치에 있어서,
챔버;
상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛;
상기 챔버 내에 배치되며 하부가 개방된 제 1 공간을 제공하는 하우징; 및
상기 하우징 내에 배치되며, 기판으로 제 1 액을 분사하는 분사 부재를 포함하되,
상기 제 1 공간에는 제 1 감압부재가 설치된 제 1 배기관이 결합되고,
상기 하우징과 상기 챔버의 사이의 제 2 공간에는 제 2 감압부재가 설치된 제 2 배기관이 결합되는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
chamber;
A conveying unit disposed in the chamber and conveying along the first direction;
A housing disposed in the chamber and providing a first space with an open bottom; And
And a jet member disposed in the housing and jetting the first liquid to the substrate,
A first exhaust pipe provided with a first pressure reducing member is coupled to the first space,
And a second exhaust pipe provided with a second pressure reducing member is coupled to a second space between the housing and the chamber. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 감압부재 및 상기 제 2 감압부재는 상기 제 1 공간에 상기 제 2 공간보다 더 큰 음압이 제공되도록 설정되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first pressure-sensitive member and the second pressure-sensitive member are set to provide a larger sound pressure in the first space than in the second space. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 하우징의 상류 및 상기 하우징의 하류에 각각 제공되며 상기 하우징을 향해 경사지게 유체를 공급하는 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises a nozzle provided upstream of the housing and downstream of the housing, respectively, for supplying fluid at an angle to the housing. 제 1 항 또는 제 2항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 제 2 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises a gas supply unit for supplying gas into the second space. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 하우징은 측벽을 포함하고, 상기 제 1 공간은 상기 측벽과 상기 챔버의 상벽에 의해 제공되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the housing comprises a side wall and the first space is provided by the sidewall and the top wall of the chamber. 제 1항 또는 2항에 있어서,
상기 하우징은 측벽 및 상벽을 포함하고, 상기 제 1 공간은 상기 측벽과 상기 상벽에 의해 제공되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the housing comprises a side wall and an upper wall, the first space being provided by the side wall and the upper wall. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 하우징의 측벽에는 기체가 유입되는 홀이 형성되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a hole through which a gas flows is formed in a side wall of the housing. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 제 2 공간 내에 배치되어, 기판으로 제 2 액을 공급하는 세정 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And a cleaning nozzle disposed in the second space for supplying a second liquid to the substrate. 제 8항에 있어서,
상기 분사 부재는 상기 세정 노즐보다 더 큰 압력으로 유체를 공급하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the jetting member supplies the fluid with a pressure larger than that of the cleaning nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 분사 부재의 분사압을 결정하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 분사 부재 아래에 기판이 없는 경우 상기 분사 부재가 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하고, 상기 분사 부재 아래로 기판이 지나가는 경우 상기 분사 부재가 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus may further include a controller for determining an injection pressure of the injection member,
The controller causes the jetting member to jet the first liquid at the first pressure when the substrate is not present below the jetting member and causes the jetting member to jet the first liquid at the second pressure when the substrate passes under the jetting member And controlling the substrate processing apparatus. 제 10항에 있어서,
상기 기판이 상기 분사 부재 아래로 지나가는지 여부를 감지하고, 감지된 신호를 상기 제어기로 전송하는 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Further comprising a sensor for sensing whether the substrate passes below the injection member and for transmitting a sensed signal to the controller. 제 1항의 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 분사 부재로 상기 제 1 액을 분사할 때, 상기 제 1 감압부재 및 상기 제 2 감압부재는 상기 제 1 공간에 상기 제 2 공간보다 더 큰 음압을 제공하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate according to claim 1,
Wherein when the first liquid is jetted to the jetting member, the first pressure-sensitive member and the second pressure-sensitive member provide the first space with a larger negative pressure than the second space. 제 12항에 있어서,
상기 제 2 공간 내에 배치되어, 기판으로 제 2 액을 공급하는 세정노즐이 제공되고,
상기 분사 부재는 상기 세정 노즐보다 더 큰 압력으로 유체를 공급하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
A cleaning nozzle disposed in the second space for supplying a second liquid to the substrate,
Wherein the jetting member comprises supplying fluid at a pressure greater than that of the cleaning nozzle. 제 12항에 있어서,
상기 하우징 내의 상기 분자부재 하부에 상기 기판이 없는 경우 상기 분사 부재는 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하고, 상기 하우징 내의 상기 분사 부재 하부에 상기 기판이 지나가는 경우 상기 분사 부재는 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.

13. The method of claim 12,
Wherein the injection member injects the first liquid under a first pressure when the substrate is not present in the lower part of the molecular member in the housing, and when the substrate passes under the injection member in the housing, And spraying one liquid.

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