JP2009252854A5 - - Google Patents

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  1. 荷電粒子源と、
    前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
    前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
    前記試料に接触する探針と、
    前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
    前記荷電粒子線の照射により前記探針に流入する電流又は探針間の電圧に基づいて試料像を形成し、
    前記試料像を複数の異なる試料の温度において取得し、
    前記複数の試料像の信号を加算若しくは除算することにより、新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
  2. 請求項1記載の試料検査装置において、
    前記温度の異なる複数の試料像の、一部または全部について重み付けをした画像の信号に加算または除算をすることにより新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
  3. 請求項1または2記載の試料検査装置において、
    前記複数の試料像について、各試料像の位置合わせ及び/又は倍率を補正した画像を用いることを特徴とする試料検査装置。
  4. 荷電粒子源と、
    前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
    前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
    前記試料に接触する探針と、
    前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
    前記荷電粒子線の照射により前記探針に流入する電流又は探針間の電圧に基づいて試料像を形成し、
    前記試料像を複数の異なる荷電粒子光学系の条件において取得し、
    前記複数の試料像の信号を加算若しくは除算することにより、新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
  5. 請求項4記載の試料検査装置において、
    試料に照射される荷電粒子源の加速電圧,荷電粒子線量,荷電粒子線入射角を変更することにより、前記異なる荷電粒子光学系の条件が変更されることを特徴とする試料検査装置。
  6. 請求項4記載の試料検査装置において、
    前記複数の試料像の、一部または全部について重み付けをした画像の信号に加算または除算をすることにより新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
  7. 請求項4ないし6記載の試料検査装置のいずれか1つにおいて、
    前記複数の試料像について、各試料像の位置合わせ及び/又は倍率を補正した画像を用いることを特徴とする試料検査装置。
  8. 荷電粒子源と、
    前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
    前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
    前記試料に接触する探針と、
    前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
    前記荷電粒子線の照射により前記探針に流入する電流又は探針間の電圧に基づいて試料像を形成し、
    前記試料像を複数の異なる探針の位置において取得し、
    前記複数の試料像の信号を加算若しくは除算することにより、新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
  9. 請求項8記載の試料検査装置において、
    前記試料の有する配線上の異なる位置に探針を接触させて試料像を取得することを特徴とする試料検査装置。
  10. 請求項8又は9記載の試料検査装置において、
    前記複数の試料像の、一部または全部について重み付けをした画像の信号に加算または除算をすることにより新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
  11. 請求項8ないし10記載の試料検査装置のいずれか1つにおいて、
    前記複数の試料像について、各試料像の位置合わせ及び/又は倍率を補正した画像を用いることを特徴とする試料検査装置。
  12. 荷電粒子源と、
    前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
    前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
    前記試料に接触する探針と、
    前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
    前記荷電粒子線の照射により前記探針に流入する電流又は探針間の電圧に基づいて試料像を形成し、
    前記試料像を、試料の深さ方向の異なる位置に荷電粒子線の焦点をあわせて取得し、
    前記複数の試料像を試料深さ方向に重ね、各試料像間の信号量を補完することにより、前記試料像と垂直な面を有する新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
  13. 請求項12記載の試料検査装置において、
    試料に照射される荷電粒子源の加速電圧,荷電粒子線量を変更することにより、
    前記異なる荷電粒子光学系の条件が変更されることを特徴とする試料検査装置。
  14. 請求項12または13記載の試料検査装置において、
    前記複数の試料像の、一部または全部について重み付けをした画像の信号に加算または除算をすることにより新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
  15. 請求項12ないし14記載の試料検査装置のいずれか1つにおいて、
    前記複数の試料像について、各試料像の位置合わせ及び/又は倍率を補正した画像を用いることを特徴とする試料検査装置。
  16. 荷電粒子源と、
    前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
    前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
    前記試料に接触する探針と、
    前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
    当該試料検査装置は、前記試料の帯電量を検出する検出器を有し、
    当該検出器は、探針の移動時の試料の電位を検出し、
    当該探針を当該試料の電位に近づけることを特徴とする試料検査装置。
  17. 請求項16記載の試料検査装置において、
    前記探針の電位を試料の電位に近づけた後に、当該探針を試料に接触させ、更に当該探針の電位を変更することを特徴とする試料検査装置。
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