TWI582449B - 用於決定飛行物體軌跡的測量配置 - Google Patents

用於決定飛行物體軌跡的測量配置 Download PDF

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Description

用於決定飛行物體軌跡的測量配置 【相關申請案交互參照】
本專利申請案主張同時於2013年11月29提出的德國專利申請案DE 10 2013 224 583.1之權利，此專利申請案的內容在此併入當成參考。
本發明係關於用於決定飛行物體軌跡的測量配置。
即使本發明特別適用於測量與預測雷射電漿源內，例如微影蝕刻投影曝光裝置的EUV源內，目標液滴(例如錫液滴)的飛行軌跡，不過本發明並不受限於此。在未來的應用當中，根據本發明的測量配置也適用於觀察快速飛行物體(例如在顯微鏡下)或一般用於觀察快速飛行彈丸的飛行軌跡。
藉由範例，已知使用高速攝影機來觀察快速飛行彈丸的飛行軌跡，不過在物體以高反覆速率飛行的情況下，如同底下解釋的雷射電漿源應用情況下，此方式會受到限制。
雷射電漿源用於例如微影蝕刻應用，在這方面，例如在設計 用於EUV範圍(例如在大約13nm或大約7nm的波長上)的投影曝光裝置操作期間，藉由以電漿觸發為基礎的EUV光源來產生所需的EUV光，這與第十圖中顯示的示範傳統構造有關。此EUV光源首先包含CO2雷射(未顯示)，用於產生具有波長λ10.6μm的紅外線輻射306，其藉由一聚焦光學單元聚焦、通過具體實施為橢圓體的一收集器反射鏡310內存在的一開口311，以及受引導至藉由一目標源335所產生並且送至一電漿觸發位置330的一目標材料332上(例如錫液滴)。紅外線輻射306將放在電漿觸發位置330內的目標材料332加熱，如此該目標材料轉換成電漿狀態並發出EUV射線。此EUV射線利用收集器反射鏡310聚焦在中間焦點IF上，並且通過該中間焦點進入一下游照明裝置，其邊界340僅為指示之用並且其具有一自由開口341讓光線進入。
對於在此情況中EUV光源內可獲得的劑量穩定性與功率來 說什麼是最重要的，就是利用將該液滴霧化的雷射光束，能夠個別高精準度(精準度低於1μm)以及可重複性地撞擊隨著該光線需求增加而非常快速(例如在100kHz區域內的噴射率或例如10μs的時間間隔)「飛入」該雷射電漿源的錫液滴。此技術有個問題，就是在每一情況下，將一液滴轉換成電漿都會伴隨對已經在輸送路徑內的剩餘液滴或剩餘液滴的變形產生反應，這樣變得難以確切預測飛行軌跡，並且如果適當，難以實施合適的措施對其產生影響。
本發明的目的在於提供一種用於決定飛行物體軌跡時的測 量配置，即使在物體以高頻率飛行的案例中，例如用於EUV光微影的雷射電漿源內之目標液滴，還是可準確並即時地決定並預測該飛行軌跡。
藉由如申請專利範圍第1項之測量配置可達成此目的。
一種根據本發明用於決定飛行物體軌跡的測量配置包含：至少一光偵測器配置，包含複數個單片結構的光偵測器單元；其中該光偵測器配置確切指派給一成像系統，其在該測量配置運作期間，將位於該成像系統的一物體平面內之一飛行物體成像至位於該成像系統的一成像平面內的該光偵測器配置上；以及一時間測量裝置，用於測量傳輸時刻，其中在通過該光偵測器配置內相鄰光偵測器單元之間一單元邊界的每一案例中，每一傳輸時刻都對應至其上有一飛行物體影像的時刻，該影像產生於該成像系統的該影像平面內。
在此案例中，雖然根據傳輸時刻測量本身來決定軌跡的基本原理成為本發明概念的起點，不過並不隸屬於本申請案的主張主題。相反地，本發明係根據提供一光電實現的概念，用於測量飛行軌跡，或決定藉由一成像系統(在該物體所在的該物體平面內)成像在以單片方式具體實施的一合適配置光偵測器配置上之飛行物體軌跡，其中成像目標線已經由相鄰光偵測器單元之間的單元邊界所定義或光電具體實施，並且其中可使用合適的電子開關元件來測量該目標線的交叉(即是在每一案例中其上發生交叉的該傳輸時刻)。
在此案例中，本發明是傑出的，特別是通過以下事實，由於只有針對測量飛行軌跡的目的，必須評估關於穿越之前合理定義的目標線之傳輸時間(也就是開始與停止時間)，每一案例中所需的資訊項目直接與時間有關，不用如同使用高速攝影機的案例中，首先需要執行或等待相對耗時的影像評估。結果，可達成在非常高重複率之下(例如在從10kHz至超過100kHz的範圍內)並且具有非常低「資料率」(例如遠低於10μs)的飛行軌跡之精準與即時決定和預測。
即使本發明特別適用於測量與預測雷射電漿源內，例如微影蝕刻投影曝光裝置的EUV源內，目標液滴(例如錫液滴)的飛行軌跡，不過本發明並不受限於此。在未來的應用當中，根據本發明的感測器配置也適用於觀察快速飛行物體(例如在顯微鏡下)或一般用於觀察快速飛行彈丸的飛行軌跡。
根據一個具體實施例，該成像系統設置成一複製成像系統，其在該影像平面內產生至少兩物體影像。如同底下更詳細的說明，這可使用一種光偵測器配置，其用「摺疊」方式建構(其中用非線性方式排列個別光偵測器單元)並且允許縮短所需測量區段或減少在根據本發明的該成像系統內延伸之該影像場，相較於「未摺疊」光偵測器配置(具有直線配置的個別光偵測器單元)，也就是說，構成該成像系統的需求較「鬆散」。
依照現有的尺寸比率或精準度需求，該成像系統可用放大或縮小方式設置。
根據一個具體實施例，該成像系統具有至少一個繞射結構， 其較佳配置在該成像系統的光瞳平面內。在該測量配置使用單色光的操作期間，這可複製該成像光束路徑用於以「摺疊」方式建構的一光偵測器配置。
根據一個具體實施例，該成像系統具有至少一個光學分光器。另外在該測量配置使用多色光的操作期間，這可複製該成像光束路徑用於以「摺疊」方式建構的一光偵測器配置。
根據一個具體實施例，該成像系統具有至少一個中間影像。該對應的中間影像可借助於一止擋器，用於抑制不要的寄生光線與干擾反射。
根據一個具體實施例，該等光偵測器單元設置成光二極體。不過，本發明並不受限於此，並且在未來的具體實施例內也可使用例如光阻器的其他光偵測器。
根據一個具體實施例，該光偵測器配置設置成相鄰光偵測器單元之間至少一個單元邊界與該飛行物體的中央軌跡夾45°±5°的角度之方式。更進一步，該光偵測器配置可設置成相鄰光偵測器單元之間一第一單元邊界以及相鄰光偵測器單元之間至少一第二單元邊界彼此平行。根據本發明所使用該光偵測器配置內的這種單元邊界組態變得可能，如底下更詳細的解釋，獲得描述該飛行軌跡或軌跡的該參數集合之算數確定性或決定性最佳化。
在本發明的未來具體實施例內，確實過剩(即是對於決定描 述該軌跡的參數集合來說非必要或「過剩」的)的單元邊界或目標線之(傳輸時間)資訊，也可用來獲得提高的測量精準度。
根據一個具體實施例，該測量配置整合至一控制迴路內，用於控制飛行物體的軌跡、控制作用在該等物體上的輻射場以及/或控制作用在該等物體上的一個實體(例如處理材料的雷射光束)。如此關於該飛行軌跡所獲得的資訊可用於例如該物體本身(例如在雷射電漿源內要撞擊的該等目標液滴或錫液滴)或作用在該等物體上的一個實體之修正影響。
根據一個具體實施例，該測量配置更進一步包含在該成像系統的該成像光束路徑內之至少一攝影機。這種攝影機可配備例如像素化2D影像感測器，可特別用於支援對準或診斷用途。
根據一個具體實施例，該測量配置包含至少兩成像系統，其中在每一案例中包含單片構造的複數個光偵測器單元之一光偵測器配置在每一案例中都排列在每一該所述成像系統的該影像平面內。在此方式中，可從相互不同的角度觀察要測量之飛行物體軌跡，因此也可從分別獲得的二維軌跡(或投影)確定完整的三維軌跡。
根據一個具體實施例，該測量配置設置用於決定雷射電漿源的目標液滴軌跡，尤其是微影圖形投影曝光裝置的EUV源。
從說明與所屬申請專利範圍可收集到本發明的進一步組態。
以下將根據附圖所例示的示範具體實施例來更詳盡解釋本發明。
200‧‧‧光點
201‧‧‧第一光二極體
202‧‧‧第二光二極體
205‧‧‧光偵測器配置
210‧‧‧Schmitt觸發器
220‧‧‧TDC組件
306‧‧‧紅外線輻射
310‧‧‧收集器反射鏡
311‧‧‧開口
330‧‧‧電漿觸發位置
332‧‧‧目標材料
335‧‧‧目標源
340‧‧‧邊界
341‧‧‧自由開口
411‧‧‧光偵測器配置
412‧‧‧光偵測器配置
421‧‧‧光偵測器配置
422‧‧‧光偵測器配置
700、750、800、900‧‧‧成像系統
710‧‧‧物鏡元件群
720‧‧‧望遠鏡
730‧‧‧影像透鏡元件群
745‧‧‧繞射結構
780‧‧‧光偵測器配置
785‧‧‧光偵測器配置
810‧‧‧望遠鏡
811‧‧‧第一透鏡元件
812‧‧‧第二透鏡元件
815‧‧‧空間濾波器
820‧‧‧光圈光攔
830‧‧‧光柵(繞射結構)
840‧‧‧偏轉反射鏡
850‧‧‧傅立葉透鏡元件
860‧‧‧偏轉稜鏡
870‧‧‧偏轉稜鏡
880‧‧‧光偵測器配置
890、990‧‧‧攝影機
905‧‧‧分光器
910‧‧‧望遠鏡
980‧‧‧光偵測器配置
圖式中：圖1顯示用於闡述形成本發明起點的原則之示意圖；圖2a-d顯示用於闡述在本發明範疇內實現的目標線光電具體實施例之示意圖；圖3顯示用於闡述根據一個可能具體實施例在本發明範疇內產生影響的飛行時間測量之示意圖；圖4a-b顯示用於闡述在每一案例中包含複數個光偵測器單元的一光偵測器配置可能具體實施例之示意圖；圖5a-b顯示用於闡述一光偵測器配置以及有關光偵測器單元配置的可能摺疊法進一步可能具體實施例之示意圖；圖6a-d顯示用於闡述不同目標線配置及其評估之示意圖；圖7a-b顯示在每一案例中根據本發明的一測量配置當中實現的一可能成像光束路徑之示意圖；圖8-9顯示在每一案例中根據本發明的一測量配置當中一成像系統及其配置之可能構造之示意圖；以及圖10顯示根據先前技術的EUV光源構造之示意圖。
根據本發明用於決定飛行物體軌跡的測量配置之實現係根 據軌跡決策，即是飛行物體的飛行軌跡參數之決策，可根據有關通過已定義目標線的傳輸時刻測量來執行之原則。在此案例中，每一該等傳輸時刻都已指派至複數個目標線中之一目標線，並且對應至一飛行物體在每一案例中通過該目標線的時刻。圖1用來例示此原則，其中要用計量學方式偵測的該物體之飛行軌跡用「T」標示，並且其中圖1僅藉由範例描述四條目標線「A」-「D」，其中該物體穿過個別目標線上的該傳輸時刻則用「t1」-「t4」來標示。在知道該等目標線的幾何形狀之下，則可根據所測量的傳輸時刻「t1」-「t4」來計算該等飛行軌跡參數，如底下所述。
底下將先解釋本原則底下的數學基礎，基本上利用以下等式就可描述一飛行物體或彈丸的線性三維飛行軌跡：
其中X(t),Y(t),Z(t)表示時間t上的位置座標、X 0,Y 0,Z 0表示時間t 0上的位置座標並且U,V,W表示速度分量。若底下關於本發明具體實施例更詳細的描述，若使用一成像系統將位於該成像系統物體平面內的該飛行物體成像至一影像平面內，則此成像至該影像平面上所賦予的影像距離B可用截距定理來描述：
若與該光學軸(z軸)垂直的該飛行軌跡方位定為原點，則該z軸內速度分量W中W=0為真，並且等式(2)簡化為
其中縮寫以及該成像比例
然後根據本發明決定的該物體飛行軌跡運用該投影飛行軌跡參數集的計量學決策，其中包含兩個位置點位置座標x 0和y 0以及兩個速度分量u和v。為了決定這四個未知的飛行軌跡參數，則必須在合適的組態中定義至少四條這種目標線。為了數學描述，首先針對每一目標線k=1,...,K導入一專屬參考座標系統，該系統為該原始座標軸旋轉一旋轉角度θ k 的結果。然後個別座標系統內描述的該飛行軌跡為
其中縮寫cs k =cos(θ k )和sn k =sin(θ k )。則該等座標軸的對應轉換為
此後，沒有任何一般性限制，一目標線定義成與該已旋轉y k 軸平行的直線，並且在位置x k 上與該已旋轉x k 軸交叉。針對該目標線穿越(即是該「目標線傳輸」)，在合適的轉換之後跟隨等式(4)的關係為
在以下條件等式中堆疊至少四個這種等式用於該飛行軌跡參數
在知道幾何形狀以及傳輸時間之下，從此獲得最終的該等飛行軌跡參數，藉由反轉設計矩陣 M ，如
從上述的算術條件以及獲得的等式開始，憑藉個別物體要測量的飛行軌跡已經藉由成像系統成像在一合適設置的光偵測器配置上之事實(在該物體所在的物體平面內)，則根據本發明執行該飛行軌跡測量或軌跡決策之光電實現。在此案例中，上述目標線精確定義或由相鄰光偵測器單元之間單元邊界光電具體實施，並且使用合適的電子開關元件就可直接測量該等目標線的穿越(即是傳輸時間)。
以下首先參閱圖2-4，描述上述該等目標線的光電實現或具體實施例。
圖2a圖解顯示來自飛行物體的光點200如何連續通過第一光二極體201形式的第一光電感測器以及第二光二極體202形式的第二光電感測器。圖2b顯示對應至光點200並且繪畫成高斯圖的能量分佈，並且在圖2c內描繪光二極體201、202的個別感測器信號s1(x)和s2(x)。針對差異信號((s1(x)-s2(x))/s1(x)+s2(x))歸一為圖2d內的總密度以及繪圖，零穿越發生於兩 光二極體201、202之間的過渡上。然後由該過渡定義一目標線，其中在圖3內圖解例示由該目標線穿越所產生的觸發信號之電路實現。本文使用Schmitt觸發器210當成該目標線穿越的「傳輸偵測器」，用於一已連接TDC組件220，產生足夠精準的開始/停止觸發信號，只要(飛行)時間測量解析度在100ps的範圍內都可實現。
從上述參考圖2和圖3的個別目標線之光電實現開始，然後根據本發明準備單片具體實施的光偵測器配置205，其在與該目標線組態配合的幾何形狀內具有複數個光偵測器單元，來實現所要的目標線組態。本文使用一成像系統結合該光偵測器配置，底下有更詳細的說明，並且該光偵測器配置排列在該成像系統的一影像平面內，如此位於該成像系統的物體平面內之該飛行物體會成像在該影像平面內的該光偵測器配置上。
下面將參考圖7~9，更詳細討論該成像系統。如此首先有關上述的目標線組態，後者包含一組目標線{(h k ,θ k ),k=1,...,K}，用其間隔hk以及其方位角θ k 參數化，如圖4a和圖4b內的範例所例示，每一案例中有四條目標線。
圖4a顯示光偵測器配置411、412、…的構造，具有直線配置的光偵測器單元，這樣只需要該飛行物體的一簡單(即是不重複)光學成像至該光偵測器配置上即可。相較之下，圖4b顯示光偵測器配置421、422、…的構造，具有摺疊的光偵測器單元配置，如此需要光複製的成像。圖4b內的摺疊配置具有優勢，特別是與圖4a內的直線配置比較起來，所需的測量區段可縮短並且該成像系統的該影像場範圍也降低。如圖5內僅供 圖解的例示，每摺疊一次，成像路徑的數量(圖5內標示為「M」)就會加一。
原則上光偵測器單元的數量可為任意數，並且在每一案例內都可增加，以便測量較高階的飛行軌跡(例如在拋物線飛行的情況下，或用於圓形路徑測量)及/或藉由備援測量來改善該等參數的精準度。更進一步，該目標線組態，如底下參考圖6a-6d的說明，等式(8)，可使用有關來自上面等式(8)的設計矩陣 M 之該條件數cond( M )進行最佳化。
如底下所解釋，其上根據本發明進行光電實現所依據的該目標線組態可用合適的方式選擇或最佳化。本發明的此進一步態樣係根據該等目標線的數量與幾何配置為根據等式(8)的該參數重建「品質」之關鍵，針對目標線組態品質評估的措施，以下使用俗稱的該設計矩陣 M 之「條件數」cond( M )，其為該飛行軌跡的該參數集之數學確定性或決定性程度。該飛行軌跡的該參數集決定性越好，則該條件數cond( M )之值就越小。本發明並不受限於此，以下僅藉由範例來討論具有四條目標線(K=4)的未過度決定最小組態，針對等式(8)假設以下形式。
為了闡明不同目標線組態的評估，使用圖6a-d內的例示，其中每一個都有四條目標線「A」、「B」、「C」和「D」排列成互相不同的幾何形狀，並且其中該飛行軌跡或該軌跡(或稱為「質心軌跡」)可描述並指 派為「T」。圖6a-d中根據包含該等目標線「C」和「D」的該目標線配對之不同方位角，分成第一、第二和第三欄。條件數指示對應至超過該質心軌跡四周入射角間隔[-20°+20°]的平均值。在此案例中，應了解含參數化()的「質心軌跡」代表該軌跡以參數間隔限定在兩側的居中方式放置，對應至
詳細來說，圖6a內的該目標線組態具有與之配對的平行目標線，包含與該質心軌跡垂直的一配對、圖6b內的該目標線組態具有與之配對的垂直目標線，包含與該質心軌跡夾45°方位的一配對，並且圖6c內的該目標線組態具有與該質心軌跡垂直的目標線配對以及彼此垂直的目標線配對。圖6d內的該目標線組態大體上對應至圖6c內的目標線組態，其中彼此平行的該等目標線與該質心軌跡夾45°角。特別從圖6當中可讀取以下看法：在最小組態當中允許不超過兩條目標線彼此平行運行(據了解，該組態在圖6d內，中間欄，具有三條平行的目標線)。
該最佳組態對應至圖6b中間欄內的配置，該配置具有與該質心軌道夾45°和-45°方位的配對平行目標線。
圖6a和圖6c中間欄內每一案例中的該等組態具有在該條件數方面彼此幾乎相同，在此案例中比上述最佳組態大約差上一倍，並且與該質心軌跡垂直的一對目標線。不過圖6a和圖6c中間欄內每一案例中該等配置的一 項優點為運用已知的飛行方向(沿著該x軸)，讓問題降至最低。
如上面所提及，在根據本發明的該測量配置中，使用成像系統將該成像系統物體平面內的該飛行物體成像在位於該成像系統影像平面內的該光偵測器配置上。圖7a-7b僅藉由範例顯示在每一案例中根據本發明的一測量配置當中實現的一可能成像光束路徑之示意圖。
依照圖7a的成像系統700具有在傅立葉組態中的一物鏡元件群710、在兩側上遠心並且其中在由IMI指定的一中間影像平面內產生一中間影像之望遠鏡720，以及類似於傅立葉組態內的一影像透鏡元件群730。望遠鏡720之內該中間影像平面IMI可借助於一止擋器，用於抑制不要的寄生光線與干擾反射。由該飛行軌跡上三點x obj =0、x obj =+x和x obj =-x所代表的三條成像光束路徑都一致。由成像系統700，用放大方式將該飛行物體(例如在一EUV雷射電漿源內用於微影蝕刻的電漿狀態錫液滴)的該飛行軌跡-在所描述座標系統x方向內的該物體平面OP之內運行-成像在一光偵測器配置780上。光偵測器配置780在圖7a的示範具體實施例內並未摺疊，並且具有四條目標線。
如所解釋，在光偵測器配置具有一已摺疊目標線配置的案例中，該成像光束路徑必須穿過該成像系統，用合適的方式另外複製。圖7b同樣僅顯示一複製的成像系統750之示範構造，其中與圖7a比較類似或大體上功能一致的組件都指派給加「5」的參考編號。
由一繞射光柵運用分光束原理，影響圖7b內成像系統750中該光束路徑的複製，因此特別適合用於充足單色光的案例中。圖7b內的 該成像系統與圖7a內的差異僅在於一繞射結構745已經插入該影像側光瞳平面PP2內。為了實現簡單複製，尤其是使用具有1：1佔空比以及一相位偏差π的二進位相位光柵，其在每一案例中將41%的該光功率集中在繞射的第一階內，並且理想上完全或至少大體上免除該零階。
為了避免例如製造瑕疵所造成繞射的一寄生零階毀壞該測量結果，則如圖7b內所示，光偵測器配置785在該兩偵測區域之間提供一對應的中央區域，其覆蓋「使用過的繞射階」(即是繞射的正第一階以及負第一階)。繞射結構745或分光光柵都配置在一可檢修的物體側或影像側光瞳平面內。最好在此選取該光柵的方位並如圖7b內所例示，如此往與該質心軌跡垂直的方向發生分光，也就是發生在所描述座標系統內的該y方向。
在進一步具體實施例內，參考圖7b所描述的該構造也可延伸至多摺多單元光二極體(根據圖5內的標準)。在此案例中，合適的繞射結構745設計或分光光柵設計應該確定在每一案例中，足夠一致的亮度都集中在所有使用的繞射階內。
此時下面將參閱圖8和圖9的每一案例，描述適合在每一案例中與以上述摺疊方式建構的一光偵測器配置結合之具體實施例。
圖8顯示用於解釋根據本發明一個具體實施例的一測量配置可能結構之示意圖。
根據圖8，一平行光束撞擊望遠鏡810的第一透鏡元件811。此光束先由第一透鏡元件811聚焦，並且由望遠鏡810的第二透鏡元件812 再度對準(與先前撞擊第一透鏡元件811的原始光束截面比較有縮小的光束截面)。用於消除非所要干擾反射、去斑模式等等的空間濾波器815位於透鏡元件811、812之間。在望遠鏡810內光傳播方向下游光瞳平面PP內首先為一光圈光攔820(用於定義或限制數值孔徑)，然後用於將入射光束分成兩部分光束，對應至繞射(+1)階與(-1)階的一光柵830，以便實現上述的摺疊。偏轉反射鏡840的下游，繞射的該(+1)階和(-1)階這兩光束撞擊一傅立葉透鏡元件850，結果這兩光束分別透過偏轉稜鏡860、870導向一光偵測器配置880與一攝影機890上。光偵測器配置880具有一能隙，用於繞射的零階。攝影機890所記錄的影像可用於對準。
圖9顯示解釋根據本發明的一測量配置進一步可能具體之示意圖，其中圖9內與圖8內比較類似或大體上功能一致的組件都指派給加「100」的參考編號。圖9內的構造係根據使用分光器並考量圖8內構造所使用以單色操作的光柵830，如此圖8內的構造適用於單色光的案例，較不適合寬頻光線(由於發生在光柵830上的色差)。
根據圖9，撞擊該配置的一平行光束首先由分光器905分成兩部分光束。圖9內的構造考慮到由於需要高精確度，所以禁止將光束導向不同感測器之環境。相反，需要藉由單一光學單元，實現成像在該已摺疊光偵測器配置980上(尤其是為了避免比例差異)。為此，根據圖9，分光確實發生於望遠鏡910的上游。該等部分光束游離軸運行並且使用透過圖9內成像系統900的平行偏移來產生，該兩部分光束的分離(否則收斂至該傅立葉光學單元的焦點平面內一共用焦點)受到該等部分光束相對傾斜 導入之影響。為此，該分光器群組整體及/或形成該群組的該兩分光器之一者都可相對於該正常配置傾斜(90°和45°)。
即使已經根據特定具體實施例來說明本發明，精通技術人士將可了解許多變化與替代具體實施例，例如利用個別具體實施例特色的組合及/或交換。因此，精通技術人士將了解，本發明涵蓋這種變化與替代具體實施例，並且本發明的範圍只受限於申請專利範圍及其附屬項。
800‧‧‧成像系統
810‧‧‧望遠鏡
811‧‧‧第一透鏡元件
812‧‧‧第二透鏡元件
815‧‧‧空間濾波器
820‧‧‧光圈光攔
830‧‧‧光柵
840‧‧‧偏轉反射鏡
850‧‧‧傅立葉透鏡元件
860‧‧‧偏轉稜鏡
870‧‧‧偏轉稜鏡
880‧‧‧光偵測器配置
890‧‧‧攝影機

Claims (13)

  1. 一種用於決定飛行物體軌跡的測量配置，其中該測量配置包含：至少一光偵測器配置(411、412、421、422、780、785、880、980)，包含複數個單片結構的光偵測器單元；其中該光偵測器配置(411、412、421、422、780、785、880、980)確切指派給一成像系統(700、750、800、900)，其在該測量配置運作期間，將位於該成像系統的一物體平面(OP)內之一飛行物體成像至位於該成像系統的一成像平面(IP)內的該光偵測器配置上；以及一時間測量裝置，用於測量傳輸時刻，其中在通過該光偵測器配置(411、412、421、422、780、785、880、980)內相鄰光偵測器單元之間一單元邊界的每一案例中，每一傳輸時刻都對應至其上有一飛行物體影像的時刻，該影像產生於該成像系統的該影像平面(IP)內。
  2. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於該成像系統設置成一複製成像系統(750、800、900)，其在該影像平面(IP)內產生至少兩物體影像。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之測量配置，特徵在於該成像系統(750、800)具有至少一繞射結構(745、830)。
  4. 如申請專利範圍第3項之測量配置，特徵在於該繞射結構(745、830)排在該成像系統(750、800)的一光瞳平面內。
  5. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於該成像系統(900)具有至少一光學分光器(905)。
  6. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於該成像系統(750)具有至少一中間影像。
  7. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於該等光偵測器單元設置為光二極體。
  8. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於該光偵測器配置以一方式設置，在該測量配置操作期間，相鄰光偵測器單元之間至少一單元邊界與一飛行物體的一質心軌跡夾45°±5°的角度。
  9. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於該光偵測器配置(411、412、421、422、780、785、880、980)以此一方式設置：相鄰光偵測器單元之間一第一單元邊界以及相鄰光偵測器單元之間至少一第二單元邊界彼此平行。
  10. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於其整合至一控制迴路內，用於控制飛行物體的該軌跡、控制作用在該等物體上的一輻射場以及/或控制作用在該等物體上的一個實體。
  11. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於其更進一步在該成像系 統(800、900)的該成像光束路徑內包含至少一攝影機(890、990)。
  12. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於其包含至少兩成像系統(700、750、800、900)，其中在每一案例中包含單片構造的複數個光偵測器單元之一光偵測器配置(411、412、421、422、780、785、880、980)在每一案例中都排列在該等成像系統每一者的該影像平面(IP)內。
  13. 如申請專利範圍第1項之測量配置，特徵在於其設置用於決定一雷射電漿源的目標液滴軌跡時，尤其是一微影圖形投影曝光裝置的一EUV源。
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