JP2009246356A - はんだ付け用フラックスおよびそれを用いた電子装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】実装パッド表面に形成される不活性層を削減することができるはんだ付け用フラックスおよびそれを用いた電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のはんだ付け用フラックス２２は、基板上に形成されたソルダーレジスト膜１２の開口部の底面に露出した実装パッドとはんだボール２４とを接続するに際して、前記実装パッド表面および前記はんだボールのうちの少なくとも一つに塗布するものである。はんだ付け用フラックス２２は溶剤を含み、その溶剤は、一般式（１）で表され、沸点が２１８℃以上２４０℃以下である化合物を含む。
Ｒ^１−Ｒ^２ｎ−ＯＨ ・・・（１）
【選択図】図２

Description

本発明は、はんだ付け用フラックスおよびそれを用いた電子装置の製造方法に関する。

特許文献１には、トリエチレングリコールやテトラエチレングリコール等の沸点が２７０℃〜３３０℃の溶剤が含まれるはんだ付け用フラックスが記載されている。

特許文献２には、溶剤として沸点が２４５℃以上の多価アルコールあるいはその誘導体を含むはんだ付け用フラックスが記載されている。そのような溶剤として、ブチルカルビトールアセテート、ジブチルカルビトール、ヘキシルカルビトール、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテートが挙げられている。

特許文献３には、沸点が２３０℃より高い有機溶剤を含有するソルダペースト組成物が記載されている。そのような溶剤として、ブチルカルビトール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシルジグリコール、エチルヘキシルジグリコールが挙げられている。

特開平６−７１４７６号 特開２００１−２３２４９６号 特開２００２−３３６９９３号

しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
以下の図面を参照して本発明の課題を説明する。図４（ａ）〜図５（ｂ）は実装パッドとはんだボールとの接合工程を説明するための断面図である。

まず、図４（ａ）に示すように、図示しない基板上に形成されたソルダ−レジスト膜１１２，１１２の間の開口部の底面に露出した実装パッド１１４を備える配線基板を準備する。

そして、マウントベーク、リフロー、封入樹脂ベークなどの半導体装置を製造する際の加熱工程よって、ソルダ−レジスト膜１１２に含まれる化合物などからなる不活性層１２０が実装パッド１１４表面に形成される（図４（ｂ））。

そして、フラックス１２２を塗布し、はんだボール１２４を搭載し、次いでリフロー工程を行う（図５（ａ）（ｂ））。

しかしながら、図５（ｂ）に示すように、リフロー工程時に不活性層１２０をフラックスで削減することができないことがあった。そのため、リフロー工程後において、はんだボール１２４と実装パッド１１４との接合が十分ではなく、製品の歩留まりが低下することがあった。

本発明によれば、基板上に形成されたソルダーレジスト膜の開口部の底面に露出した実装パッドとはんだボールとを接続するに際して、前記実装パッド表面および前記はんだボールのうちの少なくとも一つに塗布するはんだ付け用フラックスであって、前記はんだ付け用フラックスは溶剤を含み、前記溶剤は、一般式（１）で表され、沸点が２１８℃以上２４０℃以下である化合物を含むことを特徴とするはんだ付け用フラックスを提供することができる。
Ｒ^１−Ｒ^２ｎ−ＯＨ ・・・（１）
式中、Ｒ^１は、直鎖状または分岐型である置換基を有していてもよい炭素数１以上６以下の有機基、置換基を有していてもよいフェニル基または複素環基を示し、Ｒ^２は、ＯＣＨ_２ＣＨ_２を示し、ｎは１以上５以下の整数を示す。

本発明によれば、基板上に形成されたソルダーレジスト膜の開口部の底面に露出した実装パッド表面に、前記はんだ付け用フラックスを塗布する工程と、はんだボールを前記実装パッド表面に載置する工程と、前記はんだボールを加熱溶融して前記実装パッド表面に該はんだボールを接合する工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法を提供することができる。

また、本発明によれば、基板上に形成されたソルダーレジスト膜の開口部の底面に露出した実装パッド表面とはんだボールを接続するに際して、前記はんだボールに前記はんだ付け用フラックスを塗布する工程と、前記はんだボールの前記フラックスが塗布された面が前記実装パッド表面に対向するように前記はんだボールを載置する工程と、前記はんだボールを加熱溶融して前記実装パッド表面に該はんだボールを接合する工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法を提供することができる。

この発明のはんだ付け用フラックスによれば、一般式（１）で表され、沸点が２１８℃以上２４０℃以下である化合物を含む溶剤を含んでいるので、実装パッド表面に形成されるシロキサン化合物などからなる不活性層をリフロー工程時に削減することができる。そのため、リフロー工程後において、はんだボールと実装パッドとが十分に接合され、製品の歩留まりが向上させることができる。

本発明によれば、実装パッド表面に形成される不活性層を削減することができるはんだ付け用フラックスおよびそれを用いた電子装置の製造方法が提供される。

実施の形態に係る電子装置の製造方法を模式的に示した断面の拡大図である。 実施の形態に係る電子装置の製造方法を模式的に示した断面の拡大図である。 実施例の結果を示すグラフである。 本発明の課題を示す電子装置の製造方法を模式的に示した断面の拡大図である。 本発明の課題を示す電子装置の製造方法を模式的に示した断面の拡大図である。 実施の形態に係る電子装置の製造方法において得られる電子装置を模式的に示した断面図である。

以下、本発明のはんだ付け用フラックスの実施形態について、以下に説明する。
本実施形態のはんだ付け用フラックスは、一般式（１）で表される化合物を含む溶剤を含有するものである。

Ｒ^１−Ｒ^２ｎ−ＯＨ ・・・（１）
式中、Ｒ^１は、直鎖状または分岐型である置換基を有していてもよい炭素数１以上６以下の有機基、置換基を有していてもよいフェニル基または複素環基を示し、Ｒ^２は、ＯＣＨ_２ＣＨ_２を示し、ｎは１以上５以下の整数を示す。

本実施形態において、Ｒ^１における直鎖状または分岐型の有機基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等を挙げることができる。
Ｒ^１における、有機基、フェニル基および複素環基の置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシル基、チオール基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ケト基、アミノ基、ハロゲン等を挙げることができる。
本実施形態において、一般式（１）におけるＲ^１は、直鎖状または分岐型である、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルケニル基、炭素数１以上６以下のアルキニル基、またはフェニル基とすることができ、Ｒ^２ｎのｎは、１以上３以下の整数とすることができる。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物としては、沸点２１８℃以上２４０℃以下、好ましくは２１８℃以上２３８℃以下のものを用いることができる。

このような化合物としては、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルよりなる群から選択される１種以上を組み合わせて用いることができる。

本実施形態のはんだ付け用フラックスは、一般式（１）で表される化合物を、はんだ付け用フラックス全体に対して１０重量％以上７５重量％以下、好ましくは２０重量％以上６５重量％以下の量で含有することができる。

なお、本実施形態に用いられる溶剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、一般式（１）で表される化合物以外に他の溶剤を含んでいてもよい。他の溶剤としては、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル等を挙げることができる。他の溶剤の含有量は、はんだ付け用フラックス全体に対して５重量％以下程度である。

本実施形態のはんだ付け用フラックスは、さらに有機酸、アミン化合物およびノニオン系界面活性剤を含むことができる。以下、順に説明する。

有機酸としては、酒石酸、アジピン酸、ジメチロールプロピオン酸、オキシ二酢酸等を挙げることができる。本実施形態のはんだ付け用フラックスは、はんだ付け用フラックス全体に対して、有機酸を１重量％以上３０重量％以下の量で含有することができる。

アミン化合物としては、芳香族アルカノールアミン等を挙げることができる。本実施形態のはんだ付け用フラックスは、はんだ付け用フラックス全体に対して、アミン化合物を５重量％以上５０重量％以下の量で含有することができる。

ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンロジンエステル等を挙げることができる。本実施形態のはんだ付け用フラックスは、はんだ付け用フラックス全体に対して、ノニオン系界面活性剤を１重量％以上５０重量％以下の量で含有することができる。

また、本実施形態のはんだ付け用フラックスは、他の成分として、増粘剤、固形剤、染料等を含んでいてもよい。

本実施形態のはんだ付け用フラックスは、通常の撹拌混合手段により、前記各成分を溶剤に溶解させて得ることができる。

次に、本発明の電子装置の製造方法の実施形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

本実施形態の電子装置の製造方法について、図６に示す電子装置の製造方法の例を示す。図６の電子装置は、配線基板３０上にはんだボール３２を介して、電子部品３４がフリップチップ実装されている。本実施形態における電子部品３４は、例えば半導体チップである。はんだボール３２は、配線基板３０上のソルダーレジスト膜１３の開口部底部に設けられた実装パッド３６に接続されている。

配線基板３０の電子部品３４が設けられた面と反対側の面には、はんだボール２４が設けられている。はんだボール２４は、配線基板３０上のソルダーレジスト膜１２の開口部底部に設けられた実装パッド１４に接続されている。

本実施形態の電子装置の製造方法を図１（ａ）、（ｂ）、および図２（ａ）、（ｂ）に示す。図１（ａ）、（ｂ）、および図２（ａ）、（ｂ）は、図６の点線Ａで囲まれた領域の拡大図である。実装パッド１４は、Ｃｕ電極１８の上に、ニッケルめっき層１７、その上にＡｕめっき層１６が積層された構造を有する。

本実施形態の電子装置の製造方法においては、まず配線基板３０に電子部品３４をはんだボール３２を介してフリップチップ接続した回路基板３０を準備する。その後の工程における本実施形態の電子装置の製造方法は以下の工程を有する。
（ａ）ソルダーレジスト膜１２を加熱する工程（図１（ａ）および（ｂ））
（ｂ）図示しない基板上に形成されたソルダーレジスト膜１２，１２の開口部の底面に露出した実装パッド１４表面、またははんだボール２４に、本実施形態のはんだ付け用フラックス２２を塗布する工程
（ｃ）はんだボール２４を実装パッド１４表面に載置する工程（図２（ａ））
（ｄ）はんだボール２４を加熱溶融してはんだボール２４を実装パッド１４表面に接合する工程（図２（ｂ））
以下、各工程に沿って説明する。

工程（ａ）：ソルダーレジスト膜１２を加熱する（図１（ａ）および（ｂ））。

まず、図１（ａ）に示すように、図示しない基板上に形成されたソルダ−レジスト膜１２，１２の間の開口部の底面に露出した実装パッド１４を備える電子装置を準備する。

そして、マウントベーク、リフロー、封入樹脂ベークなどの電子装置を製造する際の加熱工程よって、ソルダ−レジスト膜１２が加熱される。つまり、本工程はソルダーレジスト膜１２を加熱することを目的とするものではない。

この加熱工程によって、ソルダ−レジスト膜１２に含まれるシロキサン化合物など溶出し、実装パッド１４表面に不活性層２０が形成される（図１（ｂ））。

工程（ｂ）：図示しない基板上に形成されたソルダーレジスト膜１２の開口部の底面に露出した実装パッド１４表面に、本実施形態のはんだ付け用フラックス２２を塗布する。

はんだ付け用フラックス２２の塗布方法および塗布量は特に限定されず、通常の方法にしたがって行うことができる。
ソルダーレジスト膜１２は、シロキサン化合物を含んでいてもよい。シロキサン化合物としては、ポリジメチルシロキサン誘導体およびその分解物を挙げることができる。ポリジメチルシロキサン誘導体としては、ポリジメチルシロキサン、ジメチコン等のポリジメチルシロキサンの縮重合体、またポリジメチルシロキサン中のメチル基を他の官能基で置換したもの等を挙げることができる。
なお、はんだ付け用フラックス２２は、実装パッド１４の表面ではなく、はんだボール２４に塗布してもよい。

工程（ｃ）：はんだボール２４を実装パッド１４表面に載置する（図２（ａ））。

はんだボール２４を実装パッド１４表面に載置する方法としては、通常の方法を用いることができる。はんだボール２４は、Ｓｎ系はんだ、ＳｎＡｇ系はんだ、ＳｎＣｕ系はんだ、またはＳｎＡｇＣｕ系はんだから構成することができる。

なお、はんだ付け用フラックス２２が、はんだボール２４に塗布された場合には、はんだボール２４のはんだ付け用フラックス２２が塗布された面が実装パッド１４表面に対向するようにはんだボール２４を載置する。

工程（ｄ）：はんだボール２４を加熱溶融してはんだボール２４を実装パッド１４表面に接合する（図２（ｂ））。

はんだボール２４の加熱溶融（リフロー）は、２３０℃以上２６０℃以下で行うことができる。本工程により、実装パッド１４表面から不活性層２０を削減することができる。

この接合工程においても、ソルダーレジスト膜１２からシロキサン化合物が溶出することがあるが、本実施形態のはんだ付け用フラックスを用いることにより溶出してきたシロキサン化合物をも効果的に削減することができる。
そして、通常の方法にしたがい、電子装置を製造する。

以下に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態のはんだ付け用フラックスは、前記一般式（１）で表される化合物を含む溶剤を含有するものである。

本実施形態のはんだ付け用フラックスは、ソルダーレジスト膜が加熱されることによってソルダーレジスト膜から溶出する物質からなる不活性層が、実装パッド１４表面に形成される場合において、不活性層２０をリフロー工程時に削減することができる。そのため、リフロー工程後において、はんだボールと実装パッドとが十分に接合され、製品の歩留まりを向上させることができる。

また、本実施形態において、一般式（１）で表される前記化合物の沸点は、２１８℃以上２４０℃以下、好ましくは２３８℃以下とすることができる。さらに、はんだリフロー温度を２３０℃以上２６０℃以下とすることができる。

前記化合物の沸点がこの範囲であることにより、リフロー温度との関係において、不活性層２０をリフロー工程時に効果的に削減することができる。そのため、リフロー工程後において、はんだボールと実装パッドとが十分に接合され、製品の歩留まりをさらに向上させることができる。
なお、一般式（１）で表される前記化合物の沸点が２１８℃未満であると、はんだ溶融温度に到達する前に溶剤成分が揮発、失活してしまうため、不活性層２０の削減効果が低下する傾向がある。一方、一般式（１）で表される前記化合物の沸点が２４０℃を超えると、溶剤が活性を発揮する温度領域に到達する前に、はんだ溶融が起こるので，不活性層２０の削減効果が不充分になる。

本実施形態において、前記ソルダーレジスト膜は、シロキサン化合物を含むことができる。シロキサン化合物としては、ポリジメチルシロキサンおよびその分解物、ジメチコン等のポリジメチルシロキサンの縮重合体、またポリジメチルシロキサン中のメチル基を他の官能基で置換したものを挙げることができる。

従来から、はんだ付け用フラックスには溶剤が添加されているが、リフロー工程後において、はんだボールと実装パッドとの接合が十分ではない場合があった。

ソルダーレジスト膜に含まれるシロキサン化合物、その中でもポリジメチルシロキサンは、ソルダーレジスト膜が加熱されると実装パッド表面に溶出するとともに該表面で不活性層を形成する。そこで本発明者が鋭意研究したところ、この不活性層は従来のフラックスでは削減することができず、不活性層の存在により、はんだボールと実装パッドとの接合が不十分なものとなり、製品の歩留まりが低下するとの新規な課題を見出した。

本発明者はさらに鋭意研究したところ、前記した沸点を有する一般式（１）で表される化合物がシロキサン化合物を溶解し、不活性層を効果的に削減することができることを見出し、本発明を完成したのである。

また、本実施形態においては一般式（１）で表される化合物は、水溶性のものを用いることができる。

はんだ接合工程後、基板切断工程等において用いられる水により、フラックスの残渣を洗い流すことができるため、洗浄工程を別途設ける必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができる。

以下に、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、はんだボールの接合不良率は以下のように評価した。
ソルダーレジストを塗布したプリント基板のＮｉ／Ａｕランド上にフラックスを塗布し、その上にはんだボールを搭載する。その後、速やかにリフロー装置によりはんだを溶融加熱し、ランドとはんだを溶融させる。リフロー終了後、ボール表面に加重を加えることにより、未接合のボール接合部はランドが露出する。はんだボールの接合不良率は、未接合ボール数を全ボール数で割って算出した。

（実施例１）
図１〜図２に記載の製造方法にしたがって、以下の条件で電子装置を製造した。ボール付不良率の評価結果を図３に示す。
（電子装置）
はんだボール：ＳｎＡｇＣｕ系はんだボール
ソルダ−レジスト膜：アクリル樹脂３６．４％、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）１．４％、フィラー（ＢａＳＯ４、ＳｉＯ２、タルク）３７．３％、光感剤２．５％、アクリル樹脂４．７％、エポキシ樹脂１６．０％、その他 残部
リフロー温度：２４０℃
（フラックス）
溶剤：エチレングリコールモノブチルエーテル（沸点２３０℃） ２５重量％
有機酸：アジピン酸 ５重量％
アミン化合物：ポリアミン樹脂 ３０重量％
ノニオン系界面活性剤：ポリオキシオチレンロジンエステル ４０重量％
上記成分を混合し、フラックスを製造した。

（実施例２）
溶剤としてエチレングリコールモノフェニルエーテル（沸点２３７℃）を用いた以外は、実施例１と同様に電子装置を製造した。結果を図３に示す。

［比較例１〜３］
溶剤として、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール（沸点１７８℃）、ジエチレングリコール（沸点２４４℃）、トリプロピレングリコール（沸点２６８℃）を用いた以外は実施例１と同様に電子装置を製造し、順に、比較例１〜３とした。結果を図３に示す。

図３に記載のように、エチレングリコールモノブチルエーテル（沸点２３０℃）またはエチレングリコールモノフェニルエーテル（沸点２３７℃）を用いたフラックスによれば、はんだボールの接合不良率は０％であった。これに対し、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール（沸点１７８℃）、ジエチレングリコール（沸点２４４℃）、トリプロピレングリコール（沸点２６８℃）を用いたフラックスによれば、はんだボールの接合不良率は問題となるレベルであった。

このことから、本発明のはんだ付け用フラックスを用いることにより、プリント基板のＮｉ／Ａｕランド上に形成される不活性層が除去され、ボール付不良率が低減されるので、製品の歩留まりが向上することが確認された。
また、上記の結果から、配線基板上にはんだボールを介して、電子部品をフリップチップ実装する場合（図６における点線Ｂで囲まれた領域）、さらに図６の点線ＡおよびＢで囲まれた領域において、はんだ付け用フラックスをはんだボールに塗布する場合、の何れにおいても同様の結果が得られることが推認された。

本発明によるはんだ付け用フラックスおよび電子装置の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では電子部品３４が実装される面と反対側の面にはんだボールを形成する場合の例を示した。しかし、本発明の構成は、配線基板３０の電子部品３４を実装する面上に接続するはんだボール３２のリフロー接続においても有効である。つまり、図６における点線Ｂで囲まれた領域に対して、図１（ａ）、（ｂ）および図２（ａ）、（ｂ）の製造方法を適用した場合に相当する。この場合においても、上記実施形態と同様の効果を奏することは言うまでもない。

また、上記実施形態では、電子部品３４が配線基板３０にフリップチップ接続された例を示した。しかし、電子部品３４は配線基板３０にリード接続し、配線基板３０の電子部品３４が実装される面と反対側の面に接続するはんだボール２４の接続にのみ、本発明のはんだ付け用フラックスを用いてもよい。

１２、１３、１１２ ソルダ−レジスト膜
１４、３６、１１４ 実装パッド
１６ Ａｕめっき層
１７ ニッケルめっき層
１８ Ｃｕ電極
２０、１２０ 不活性層
２２、１２２ はんだ付け用フラックス
２４、３２、１２４ はんだボール
３０ 配線基板
３４ 電子部品（半導体チップ）

Claims (17)

1. 基板上に形成されたソルダーレジスト膜の開口部の底面に露出した実装パッドとはんだボールとを接続するに際して、前記実装パッド表面および前記はんだボールのうちの少なくとも一つに塗布するはんだ付け用フラックスであって、
   前記はんだ付け用フラックスは溶剤を含み、
   前記溶剤は、一般式（１）で表され、沸点が２１８℃以上２４０℃以下である化合物を含むことを特徴とするはんだ付け用フラックス；
   Ｒ^１−Ｒ^２ｎ−ＯＨ ・・・（１）
   （式中、Ｒ^１は、直鎖状または分岐型である置換基を有していてもよい炭素数１以上６以下の有機基、置換基を有していてもよいフェニル基または複素環基を示し、Ｒ^２は、ＯＣＨ_２ＣＨ_２を示し、ｎは１以上５以下の整数を示す。）。
2. 請求項１に記載のはんだ付け用フラックスにおいて、
   前記一般式（１）におけるＲ^１は、直鎖状または分岐型である、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルケニル基、炭素数１以上６以下のアルキニル基、またはフェニル基を示すことを特徴とするはんだ付け用フラックス。
3. 請求項１または２に記載のはんだ付け用フラックスにおいて、
   前記一般式（１）で表される前記化合物は、エチレングリコールモノフェニルエーテルまたはジエチレングリコールモノブチルエーテルであることを特徴とするはんだ付け用フラックス。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載のはんだ付け用フラックスにおいて、
   前記ソルダーレジスト膜は、シロキサン化合物を含むことを特徴とするはんだ付け用フラックス。
5. 請求項４に記載のはんだ付け用フラックスにおいて、
   前記シロキサン化合物は、ポリジメチルシロキサン誘導体およびその分解物であることを特徴とするはんだ付け用フラックス。
6. 請求項４または５に記載のはんだ付け用フラックスにおいて、
   前記一般式（１）で表される前記化合物は、前記シロキサン化合物を溶解することを特徴とするはんだ付け用フラックス。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載のはんだ付け用フラックスにおいて、
   前記一般式（１）で表される前記化合物は、水溶性であることを特徴とするはんだ付け用フラックス。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載のはんだ付け用フラックスにおいて、
   さらに、有機酸、アミン化合物およびノニオン系界面活性剤を含むことを特徴とするはんだ付け用フラックス。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載のはんだ付け用フラックスにおいて、
   前記はんだボールは、Ｓｎ系はんだ、ＳｎＡｇ系はんだ、ＳｎＣｕ系はんだ、またはＳｎＡｇＣｕ系はんだから構成されていることを特徴とするはんだ付け用フラックス。
10. 基板上に形成されたソルダーレジスト膜の開口部の底面に露出した実装パッド表面に、請求項１乃至９のいずれかに記載のはんだ付け用フラックスを塗布する工程と、
    はんだボールを前記実装パッド表面に載置する工程と、
    前記はんだボールを加熱溶融して前記実装パッド表面に該はんだボールを接合する工程と、
    を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
11. 基板上に形成されたソルダーレジスト膜の開口部の底面に露出した実装パッド表面とはんだボールを接続するに際して、前記はんだボールに請求項１乃至９のいずれかに記載のはんだ付け用フラックスを塗布する工程と、
    前記はんだボールの前記フラックスが塗布された面が、前記実装パッド表面に対向するように前記はんだボールを載置する工程と、
    前記はんだボールを加熱溶融して前記実装パッド表面に該はんだボールを接合する工程と、
    を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
12. 請求項１０または１１に記載の電子装置の製造方法において、
    前記はんだボールを接合する前記工程において、
    前記はんだボールを加熱溶融する際のはんだリフロー温度は、２３０℃以上２６０℃以下であることを特徴とする電子装置の製造方法。
13. 請求項１０乃至１２のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    前記はんだ付け用フラックスを塗布する前記工程の前に、前記ソルダーレジスト膜を加熱する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
14. 請求項１０乃至１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    前記ソルダーレジスト膜は、シロキサン化合物を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
15. 請求項１４に記載の電子装置の製造方法において、
    前記シロキサン化合物は、ポリジメチルシロキサン誘導体およびその分解物であることを特徴とする電子装置の製造方法。
16. 請求項１０乃至１５のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    前記はんだボールは、Ｓｎ系、ＳｎＡｇ系、ＳｎＣｕ系またはＳｎＡｇＣｕ系のはんだボールであることを特徴とする電子装置の製造方法。
17. 請求項１４乃至１６のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    前記はんだボールを前記実装パッド表面に接合する前記工程において、
    前記一般式（１）で表される前記化合物が、前記実装パッド表面に付着した前記シロキサン化合物を溶解することを特徴とする電子装置の製造方法。

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